專利名稱：帶有位于具有多個區(qū)域的氣墊上的基板保持件的cvd反應器的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種帶有至少一個由基板保持件支架支撐在動態(tài)氣墊上的基板保持件的CVD反應器，該基板保持件能從背面用加熱裝置加熱。此外，本發(fā)明涉及一種用于基板保持件表面溫度的溫度控制的方法，該基本保持件支撐在動態(tài)氣墊上并且尤其是旋轉驅動，且被從下部加熱。
背景技術：
德國專利文獻DE102006018514A1描述一種帶有反應器外殼的CVD反應器，其具有布置在該反應器外殼中的處理腔和形成處理腔底板的基板保持件支架。該CVD反應器具有多個環(huán)形圍繞中心布置的圓形承載腔，氣體輸入通道通入該承載腔中。在該承載腔中具有圓盤形的、分別支撐基板的基板保持件支架。基板用III-V半導體層涂層。為之所需的原材料是氣態(tài)的并且由例如金屬有機物成分和氫化物組成。原材料在混合系統(tǒng)中與惰性氣體混合?；旌蠚饨?jīng)由分隔的通道進入進氣裝置中，氣體通過該進氣裝置導入處理腔中。處理腔從下部加熱。這借助射頻加熱裝置或電阻加熱裝置實現(xiàn)。通過導熱裝置，熱量通過由石墨組成的基板保持件支架傳導至其指向處理腔的表面。傳輸至基板的熱量必須在此克服由動態(tài)氣體軸承形成的縫隙的阻礙，基板保持件支承在該氣體軸承上并且借助該氣體軸承將它可轉動地驅動。導入處理腔中的氣體，例如TMGa或TMIn或TMAl以及ASH3、NH3或PH3熱分解。分解反應首先發(fā)生在處理腔底板熱的表面上并且在下部加熱的基板表面上。生長率和/或涂層組分或者晶體質(zhì)量在很大程度上與各局部表面溫度有關。為了獲得盡可能高的側邊溫度均勻性，由德國專利文獻DE102006018514A1建議，縫隙高度在承載腔的底部和基板保持件背面之間設計得不一樣高，因此，從基板保持件支架到基板保持件的熱流局部由于該高度差而不同。但也可以通過適合地選擇徑向的縫隙高度變化，調(diào)節(jié)凹形或凸形或平坦的溫度變化曲線。德國專利文獻DE102007026348A1同樣涉及一種帶有基板保持件支架的CVD反應器，在其指向處理腔的表面上設置多個分別支承在動態(tài)的樞軸承上的基板保持件。各動態(tài)樞軸承在此與單獨的氣體供應裝置連接，以便能夠個別地改變氣體的質(zhì)量。德國專利文獻DE10056029A1涉及一種用于CVD反應器中基板的表面溫度控制的方法。由不同部位測得的表面溫度形成平均值。通過氣墊高度可以調(diào)節(jié)基板的溫度。這也可以為基板保持件個別地實現(xiàn)。從美國專利文獻US7，156,951B1中已知一種基板處理設備，其中，基板支承在基板保持件的表面上?；灞３旨闹С忻嫘纬啥鄠€彼此同心的延伸的平坦槽，氣體輸入管道通入該平坦槽中并且氣體排出管道從平坦槽離開。該槽施加有不同壓力的冷卻氣體。由德國專利文獻DE69524640T2已知一種CVD反應器，其中，基板保持件支架支撐三個軸承頸，以便分別可轉動地支承圓盤形的基板保持件，該基板保持件可轉動地支承在氣墊上。
專利文獻DD298435A5描述一種帶有多個可以排出氣體的開口的工件支架，該氣體形成一個動態(tài)的氣體層，通過該氣體層可以實現(xiàn)支架與工件之間的熱傳遞。美國專利文獻US2009/0173446A1描述一種帶有基板保持件的CVD反應器，該基板保持件具有軸瓦，在該軸瓦中，基板可以支承在氣墊上。多個氣體輸入管道通入承載腔的底板中美國專利文獻US2003/0033116A1描述一種可加熱的基板保持件，它具有兩個相互分離的氣體輸入管道和布置在承載腔底板上的氣體通道，該氣體通道由氣體輸入管道供氣。美國專利文獻US6，053，982A描述一種帶有基板保持件的CVD反應器，在該基板保持件上，基板可以支承在氣墊上。但存在的問題是，在直徑為4英寸或更大的用于基板的基板保持件中，由于垂直于表面的溫度梯度，在基板上形成彎曲?；宓耐胄喂扒蛳蛏下∑饘е聜冗叺臏囟忍荻?，因為基板要么支承在基板保持件上的中心區(qū)域內(nèi)要么僅支承在基板保持件上的徑向外部區(qū)域內(nèi)。從而導致從基板保持件到基板的熱量傳遞是不均勻的。為了補償熱量傳遞的不均勻性，在基板保持件表面上形成相應凹形或凸形的溫度變化曲線。

發(fā)明內(nèi)容
因此本發(fā)明所要解決的技術問題是，提供一種措施，通過該措施在基板保持件表面上形成凹形或凸形的溫度變化曲線。該技術問題通過權利要求書中給出的發(fā)明解決。權利要求I首先主要規(guī)定，氣墊在基板保持件下側之間具有分別由個別的氣體輸入管道供氣的多個區(qū)域。這些區(qū)域優(yōu)選同心地圍繞基板保持件的轉軸對中。在最簡單的情況下，氣墊由兩個區(qū)域組成，即，一個中央?yún)^(qū)域和一個外部區(qū)域。但也可以有多個區(qū)域包圍一個中央?yún)^(qū)域。各區(qū)域彼此分隔為使相鄰區(qū)域之間的氣體交換得以避免。為此，在這些區(qū)域之間設置相應的器件。各區(qū)域優(yōu)選借助擴散阻擋件相互分隔。這些區(qū)域的同軸布置是防止供入一區(qū)域中的大量氣體進入相鄰區(qū)域的環(huán)形的擴散阻擋件。擴散阻擋件可以是高度減小的中間區(qū)域、迷宮式密封裝置或沖洗過的的中間區(qū)域。重要的是，借助擴散阻擋件將兩個彼此相鄰的區(qū)域之間的氣體交換減至最小。這種氣體交換的原因主要是與擴散阻擋件的例如徑向長度和橫截面有關的擴散。相應的優(yōu)點是，將擴散阻擋件的橫截面和長度減至最小，也就是最大化擴散阻擋件的長度，尤其是擴散阻擋件的徑向長度。另一種在兩個相鄰區(qū)域之間的氣體輸送機制是對流或由于這兩個區(qū)域之間壓力差造成的可逆流動。為避免這種流動，有利的是，在相鄰的區(qū)域中充斥同樣大小的氣壓。導入各區(qū)域中的氣體在氣體混合系統(tǒng)中供使用。此處是指導熱率相差很大的氣體。尤其是一方面使用氮氣另一方面使用氫氣，或者一方面使用氬氣另一方面使用氫氣，或者一方面使用氮氣另一方面使用氦氣，以及一方面使用氬氣另一方面使用氦氣。在最簡單的情況下，氣體分別引入這些區(qū)域之一中并且另一種具有與其導熱率大為不同的氣體引入另一個區(qū)域中。然后兩種氣縫具有不同的導熱率。由此，經(jīng)過氣縫的熱傳輸局部受損。但優(yōu)選至少兩種不同導熱率的氣體的混合物導入到各區(qū)域中。通過兩種氣體的混合比，可以調(diào)節(jié)經(jīng)過氣縫的熱傳輸。若引入中央?yún)^(qū)域的氣體混合物具有比導入外部區(qū)域的氣體混合物更大的導熱率，則基板保持件的表面的中心比外圍加熱更強，因此外圍具有比中心更低的表面溫度。另一方面，若導入中心的氣體混合物比導入外部區(qū)域中的氣體混合物導熱率更小，則外圍加熱比中心加熱更強烈。因此，中央的表面比外部區(qū)域的表面更冷。熱量由位于基板保持件支架下方并且加熱基板保持件支架的加熱裝置產(chǎn)生。在基板保持件支架或基板保持件上側的上方具有由工藝氣體沿垂直方向流經(jīng)的處理腔。工藝氣體優(yōu)選(如原則上由現(xiàn)有技術已知)通過布置在處理腔中央的進氣裝置導入處理腔中。工藝氣體可以具有開頭所述的金屬有機物成分和開頭所述的氫化物。處理腔由氣體出口裝置包圍，借助該氣體出口裝置排出分解產(chǎn)物和/或惰性氣體。氣體出口裝置一般與真空泵連接，以便可以在幾毫巴至大氣壓力之間范圍內(nèi)調(diào)節(jié)處理腔中的總壓力。上述的擴散阻擋件優(yōu)選由基板保持件支架的支承面的環(huán)形凸起構成。由此減小可以在兩個區(qū)域之間發(fā)生氣體交換的橫截面。支承面可以由嵌有基板保持件的承載腔的底板構成。但環(huán)也可以由裝入槽中的石墨體或金屬體構成?；灞３旨南聜染哂协h(huán)形的槽，槽中嵌接有 環(huán)形的凸起，也就是必要時的墊圈。該槽具有比環(huán)狀物寬度更大的壁間距，以便構成迷宮式密封裝置形式的多次轉向的密封縫隙。但同樣可行的是，環(huán)固定地與基板保持件的下側連接并且槽配給承載腔的底板。位于內(nèi)部的區(qū)域配有氣體排出管道，導入內(nèi)部區(qū)域中的、可以是由上述氣體組成的混合物的運載氣體從該氣體排出管道排出。該氣體排出管道是朝基板保持件支架的下側開口的孔。徑向外部的區(qū)域也可以分別配備氣體排出管道。在本發(fā)明優(yōu)選的實施方案中，各并且尤其是內(nèi)部區(qū)域配設沿外部區(qū)域邊緣延伸的集氣通道，該集氣通道與排氣孔連通。此外，氣體輸入管道通入的供氣通道可以位于區(qū)域徑向內(nèi)部或中央。供氣通道可以給多個尤其是螺旋形延伸的氣體供應通道供應氣體。通過該氣體供應通道氣體以沿圓周方向指向的流動方向流動，以便該氣體不僅從支承面上抬起基板保持件，而且還強加給基板保持件一個角動量，以便旋轉驅動該基板保持件。該螺旋線形的氣體供應通道可以設置在各區(qū)域中。但足夠的是，僅區(qū)域之一具有該氣體供應通道。因此尤其規(guī)定，僅一個徑向外部區(qū)域或僅一個徑向內(nèi)部中央?yún)^(qū)域具有旋轉驅動基板保持件所需的氣體供應通道。氣體供應通道本身可以具有不同的構造。按本發(fā)明的CVD反應器具有多個圍繞基板保持件支架中央布置的承載腔，在這些承載腔中分別嵌有帶有基板的基板保持件。各承載腔具有分別用于各區(qū)域的各個氣體輸入管道。各個氣體輸入管道可以與氣體混合系統(tǒng)的各個混合部件連接，以便可以給各基板保持件的區(qū)域加載個別的氣體混合物。但作為備選，也可以共同地給各中央?yún)^(qū)域和各徑向外部區(qū)域輸送氣體混合物。在該變型中，所有中央?yún)^(qū)域共同獲得第一氣體混合物，所有徑向外部區(qū)域共同獲得第二氣體混合物。為了提供氣體混合物，設置具有多個氣源的氣體混合系統(tǒng)，這些氣源能夠通過閥門與各輸入管道接通并且可以通過質(zhì)量流控制器調(diào)節(jié)。按本發(fā)明類型的用于溫度控制的方法通過具有多個區(qū)域的氣墊來改進，將具有彼此不同且尤其可通過混合物變化調(diào)節(jié)導熱率的氣體或氣體混合物輸入這些區(qū)域中。CVD反應器優(yōu)選借助氣體混合系統(tǒng)運行，其中，氣體混合系統(tǒng)具有可給各氣體輸入管道提供不同氣體或混合氣的氣流控制元件。


下列根據(jù)附圖進一步闡述本發(fā)明的實施例。附圖中
圖I是布置在基板保持件2中的基板保持件支架的簡略俯視圖，圖2是沿圖I中的線II-II平分基板保持件支架I的第一種變型的剖面圖，
圖3是按照圖2的圖示的第二種變型，圖4是圖3中局部IV的放大圖，圖5是按圖4中箭頭V的俯視圖，圖6是圖4中局部VI的放大圖，圖7是氣體混合系統(tǒng)的簡略圖，圖8至圖13是在按圖5的圖形中承載腔4的底板4'構造的多種變型，圖14是不同導熱率的氣體混合物在區(qū)域A和/或C中供應效果的簡略圖，以及圖15是另一種氣體混合系統(tǒng)。
具體實施例方式CVD反應器由未詳細表示的，而在圖7中僅表示為氣體密封的，尤其是特種鋼組成的反應器外殼31，該外殼31與圖7所示的氣體混合系統(tǒng)和未示出的真空泵連接。被由石英或石墨制成的蓋板22向上限定邊界的處理腔23位于反應器外殼以內(nèi)。處理腔23具有徑向對稱的結構并且在其中央具有氣體入口 21，工藝氣體可以從該氣體入口 21引入處理腔23。氣體入口 21供給氣體混合系統(tǒng)的工藝氣體，其中，工藝氣體可以是指TMGa、TMIn、TMAI、砷化氫、磷化氫或甲燒。附加地，運載氣體，例如氫氣、氮氣或惰性氣體從氣體入口 21引入。通過未示出的真空裝置，處理腔23內(nèi)部的總壓力保持為在I毫巴和大氣壓力之間的值。處理腔徑向外部被氣體出口 24包圍，運載氣體和/或分解產(chǎn)物從該氣體出口 24抽出。處理腔23的底板由基板保持件支架I指向上的表面或基板保持件2指向上的表面形成。待涂層的基板3支承在基板保持件2上。處理腔23的底板的中央由中心板25形成，在圖2中未示出的實施例情況下，在中心板25的下方具有一個分配體積27?；灞３旨Ъ躀由中央支架26支承，氣體輸入管道28和29也延伸經(jīng)過中央支架26?；灞３旨Ъ躀的下側由加熱裝置30加熱。在該實施例中，該加熱裝置是通過在石墨制成的基板保持件支架I中形成的渦流而產(chǎn)生熱量的射頻加熱裝置。上述的輸入管道28、29延伸到借助進入口 5、6通入基板保持件支架I的承載腔4的底面4'中的輸入管道7，8中。輸入管道28、29通過外部管道38與氣體混合系統(tǒng)連接。氣體混合物可以通過該管道流入承載腔4中。在該實施例中，氣體混合系統(tǒng)具有氮氣源35、氫氣源36和氦氣源37。氣體可以通過其換向閥34、35分別接通到質(zhì)量控制器32、33上，從不同部位處的進入口 5、6流入承載腔的氣體組分可以通過該質(zhì)量控制器32、33個別調(diào)節(jié)。質(zhì)量控制器32、33混合的氣體由兩種導熱率很大不同的氣體組成，例如氣體對N2-H2^Ar-H2, N2-He, Ar-He0通過氣體組分的調(diào)節(jié)可以調(diào)整氣體混合物的導熱率。承載腔4的底板4’可以以不同的方式構造。為此圖5或圖8至圖13給出例子。在所有實施例中，承載腔4的底板4’分成兩個同心的區(qū)域。同心的內(nèi)部區(qū)域C圍繞具有可選的定心銷20的中心延伸，該定心銷嵌接在基板保持件2的定心孔中。圍繞中心41設有輸入管道7的進入口 5通入的第一供氣通道40。供氣通道40通過狹窄的連接通道42與在螺旋曲線上延伸的氣體分配通道9連接。流動經(jīng)過氣體分配通道9的氣體不僅將基板保持件2抬高到縫隙位置，而且也使基板保持件2圍繞中心41轉動。
在區(qū)域C的徑向外部區(qū)域內(nèi)具有一在圓周線上延伸的與排出管道13連接的集氣通道11。該排出管道13是穿過基板保持件支架I的大直徑垂直孔，從進入口 5輸入的氣體又可以經(jīng)過該垂直孔排出。在中央?yún)^(qū)域C與外部環(huán)形區(qū)域A之間的邊界由擴散阻擋件形成，該擴散阻擋件的結構從圖6中得知。環(huán)15插入承載腔4的底板4’的底板環(huán)槽16中。該環(huán)15突出底板4'并且突伸入基板保持件背面的環(huán)槽17中。環(huán)槽17的寬度大于密封圈15的寬度，以便獲得微小的密封縫隙18。該密封縫隙構成一種在區(qū)域A和C之間的迷宮式密封裝置。在區(qū)域A徑向內(nèi)部的區(qū)域中，在承載腔4的底板4'上延伸有構成供氣通道39并且與進入口 6連接的第一同心環(huán)。供氣通道39通過連接通道43與同樣在螺旋線上延伸的氣體分配通道10連接。在區(qū)域A的徑向外部區(qū)域中，存在一個與大直徑的排出管道14連 接的集氣通道12，其中，它同樣是大直徑的垂直孔。通過排出管道14可以排出經(jīng)由進入口6進入的氣體?；灞３旨?的高度大致與承載腔4的深度相當并且基板保持件2在其指向處理腔23的表面上具有凹處，基板3位于該凹處中。在圖2所示的實施例中，輸入管道29通入氣體分配腔27中，從氣體分配腔27中供給所有通入徑向外部區(qū)域的輸入管道8。用于中央?yún)^(qū)域C的輸入管道28也可以共同地輸送氣體混合物。在圖8中示出的實施例中，僅在徑向外部區(qū)域A中具有螺旋通道10。在圖9中示出的實施例中，在內(nèi)部區(qū)域C和外部區(qū)域A中均具有螺旋通道9、10.在圖10中示出的實施例中，在徑向外部區(qū)域A中具有寬的螺旋通道。在圖11所示的實施例中，徑向外部區(qū)域A僅具有一個螺旋形延伸的氣體通道10。圖12與圖8相同地示出僅布置在外部區(qū)域A中的氣體通道。圖13示出僅在中央?yún)^(qū)域C中設有多個氣體通道9的實施例。之前描述的設備的工作原理如下在涂層過程中，基板3的邊緣可以向上隆起或下沉，以便要么僅基板的中心要么僅基板3的邊緣平面地支承在基板保持件2的表面。不然，在基板3與基板保持件2之間存在一條可能局部縫隙高度不同的縫隙。沉積在基板3上的涂層的質(zhì)量和涂層厚度很大程度地與基板表面溫度有關。后者與局部熱量流入有關。局部熱量流入按本發(fā)明通過承載腔4的底板4'與基板保持件2的下側之間的氣縫導熱率的影響來調(diào)節(jié)。經(jīng)過進入口 5、6進入承載腔4的氣體將基板保持件2升高到縫隙間隔位置，以便形成氣墊19。由于擴散阻擋件15，它是兩個分隔的、個別地由從進入口 5、6進入縫隙中間腔的氣體構成的氣墊19。在各區(qū)域A、C中導入的氣體混合物具有不同的導熱率。若將具有高導熱率的氣體混合物帶入中央?yún)^(qū)域C中并且將具有低導熱率的氣體混合物帶入外部區(qū)域A中，則在基板保持件2的表面上形成溫度變化曲線，如在圖14中簡略示出那樣。若導入中央?yún)^(qū)域C中的氣體具有比外部區(qū)域A僅略高的導熱率，則圖14中形成用b標記的溫度變化曲線。若導入外部區(qū)域A中的氣體混合物具有比導入中央?yún)^(qū)域C中的氣體混合物更大的導熱率，則形成圖14中用c表示的溫度變化曲線。現(xiàn)在與例子a和b不同，中央?yún)^(qū)域并不比外部區(qū)域熱，而是外部區(qū)域具有比中央?yún)^(qū)域更大的表面溫度。通過擴大導入氣體混合物的導熱率之差，中央?yún)^(qū)域與外部區(qū)域之間的溫度差還可以提高。通過其他氣體配對的使用，溫度變化曲線不僅在量上而且在質(zhì)上受到影響，這例如示出用d表示的溫度變化曲線。在圖15中示出的氣體混合系統(tǒng)中，提供兩種氣體35、36，即，氮氣和氫氣。這些氣體分別通過輸入管道和換向閥34傳送給質(zhì)量流控制器32、33。在該實施例中，設置三個分別在中央?yún)^(qū)域10中分開地供應有氣體35、36的混合物的基板保持件。以相應的方式，氣流可以通過質(zhì)量流控制器32、33調(diào)節(jié)。外部環(huán)形區(qū)域以相似的方式通過換向閥34’和質(zhì)量流控制器32’、33’供應有氣體混合物。在該實施例中，在通向內(nèi)部區(qū)域C的輸入管道和通向外部區(qū)域A的輸入管道之間設置調(diào)壓器44。該調(diào)壓器是膜盒式壓差計，以便可以調(diào)節(jié)在兩個區(qū)域A和C中的壓差。此夕卜，通過與排氣管連接的流量壓力調(diào)節(jié)器45調(diào)節(jié)通入?yún)^(qū)域A的輸入管道的壓力。所有公開的特征(本身)對本發(fā)明都是重要的。對此，相應/附上的優(yōu)先權材料(在先申請副本)公開的內(nèi)容包含了本申請公開文本中的所有內(nèi)容，也為此目的,將該材料的特征加入本發(fā)明的權利要求書中。從屬權利要求的附加技術特征是現(xiàn)有技術獨立完整的創(chuàng)造性擴展設計方案，尤其便于根據(jù)該權利要求進行分案申請。附圖標記列表I基板保持件支架2基板保持件3 基板4承載腔4’支承面5 進入口 6 進入口7輸入管道8輸入管道9氣體分配通道10氣體分配通道11集氣通道12集氣通道13排出管道14排出管道15密封圈(擴散阻擋件)16 環(huán)槽17 環(huán)槽18 縫隙19 氣墊20定心銷21氣體入口22 蓋板23處理腔24氣體出口
25定心板26 支架27分配腔28輸入管道29輸入管道30加熱裝置 31反應器外殼32質(zhì)量流控制器32’質(zhì)量流控制器33質(zhì)量流控制器33’質(zhì)量流控制器34換向閥34’換向閥35 氣源36 氣源37 氣源38 管道39供氣通道40 轉軸41連接通道42連接通道43連接通道44壓力調(diào)節(jié)器45壓力調(diào)節(jié)器A同心的外部區(qū)域C環(huán)形的內(nèi)部區(qū)域a溫度變化曲線b溫度變化曲線C溫度變化曲線
權利要求
1.一種帶有處理腔(23)和設在該處理腔中的基板保持件支架(I)的CVD反應器，該基板保持件支架(I)具有至少一個支承面(4)，其中，在所述支承面(4’)中通入多個氣體輸入管道(7，8)，該CVD反應器還具有以其背面指向所述支承面(4’)的基板保持件(2)，其中，由所述氣體輸入管道(7，8)通入支承面(4’)與背面之前的空間中的氣體形成支撐所述基板保持件(2)的氣墊(19)，其特征在于，所述氣墊具有多個可分別通過對應配設的氣體輸入管道(7，8)個別供氣的區(qū)域(A，C)，所述各區(qū)域(A，C)通過防止各區(qū)域(A，C)之間氣體交換的器件(15)相互隔開，其中，至少一個位于內(nèi)部的區(qū)域(C)配有氣體排出管道(13，14)，由所述輸入管道(7，8)輸入所述位于內(nèi)部的區(qū)域(C)中的氣體能夠通過所述氣體排出管道(13，14)導出。
2.按權利要求I或尤其是以下所述的CVD反應器，其特征在于，所述防止各區(qū)域之間氣體交換的器件(15)形成環(huán)形包圍所述基板保持件(2)的旋轉中心的擴散阻擋件(15)。
3.按權利要求I或2或尤其是以下所述的CVD反應器，其特征在于，所述擴散阻擋件(15)是突伸出一個表面、尤其是所述基板保持件支架(I)的支承面(4’)的，尤其是插入一個槽(16)中的環(huán)(15)，該環(huán)這樣嵌接到布置在所述基板保持件(2)的對置面、尤其是背面的環(huán)槽(17)中，使得所述兩個區(qū)域(A，C)的氣墊之間僅保留一個多次轉向的縫隙(18)。
4.按前述權利要求之一或尤其是如下所述的CVD反應器，其特征在于，多個位于內(nèi)部的區(qū)域(C)分別配有一個氣體排出管道(13，14)。
5.按前述權利要求之一或尤其是如下所述的CVD反應器，其特征在于，所述氣體排出管道(13，14)與尤其位于徑向外部的、在圓周方向上沿所述區(qū)域(A，C)的邊緣延伸的集氣通道(11，12)相連通。
6.按前述權利要求之一或尤其是如下所述的CVD反應器，其特征在于，所述輸入管道(7)與尤其位于徑向內(nèi)部的沿所述區(qū)域(A，C)的圓周邊緣延伸的供氣通道(39，40)連通。
7.按前述權利要求之一或尤其是如下所述的CVD反應器，其特征在于，所述基板保持件(2)位于所述基板保持件支架(I)的承載腔(4)中，其中，所述承載腔(4)的底板(4’)形成所述支承面，所述基板保持件(2)的背面平行于所述支承面延伸，在其沿處理腔(23)的蓋板(22)的方向向上指向的側面能夠設有基板(3)，其中，所述承載腔的底板(4’)具有供氣通道(39，40)和與之連通的，尤其是以螺旋線走向的氣體分配通道(9，10)并且其中，所述氣體分配通道(9，10)由與排出管道(13，14)連通的集氣通道(11，12)包圍。
8.按前述權利要求之一或尤其是如下所述的CVD反應器，其特征在于，具有多個圍繞所述基板保持件支架(I)的中心圓形布置的承載腔(4)，所述承載腔(4)分別容納基板保持件(2)，所述基板保持件(2)分別由具有多個區(qū)域(A，C)的氣墊(19)支承，其中，設置用于各區(qū)域(A，C)的輸入管道(7，8)，所述輸入管道(7，8)要么個別地與氣體供應裝置連接要么與一個公共的氣體供應裝置連接。
9.一種用于支承在動態(tài)的氣墊(19)上的并且尤其是被旋轉驅動的、從下面加熱的基板保持件(2)的表面溫度的溫度控制的方法，其特征在于，所述氣墊(19)具有多個尤其是彼此同軸布置的區(qū)域(A，C)，具有彼此不同的并且尤其是可通過氣體混合物的變化來調(diào)節(jié)的導熱率的氣體(35，36，37)或氣體混合物輸入所述區(qū)域(A，C)中。
10.一種用于處理基板的設備，其具有CVD反應器，該CVD反應器具有處理腔(23)和布置在該處理腔中的基板保持件支架(I)，該基板保持件支架(I)在其指向所述處理腔(23)的一側的支承面(4’)上支承基板保持件(2)并且能夠借助加熱裝置(30)從其背面加熱，其中，由氣體混合系統(tǒng)供氣的氣體輸入管道(7，8)通入所述支承面(4’)，所述氣體形成支承所述基板保持件⑵的動態(tài)氣墊，其特征在于，所述氣墊(19)具有多個彼此鄰接的、由所述氣體混合系統(tǒng)分別通過個別氣體輸入管道(7，8)供氣的區(qū)域(A，C)，其中，所述氣體混合系統(tǒng)具有氣流控制元件(32，33，34，35)，通過這些氣流控制元件，能夠將彼此不同的氣體或氣體混合物提供給各自的所述氣體輸入管道(7，8)。
11.按權利要求10或尤其是以下所述的設備，其特征在于，所述氣體混合系統(tǒng)具有用于第一氣體的第一氣源(35)和用于第二氣體的第二氣源(36)，其中，所述兩個具有不同導熱率的氣體能夠借助所述氣流控制元件(32，33，34)個別地混合，以便通過調(diào)整所述氣體組分個別調(diào)節(jié)在所述各區(qū)域(A，C)中的所述氣墊的導熱率。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種帶有處理腔(23)和布置在該處理腔中的基板保持件支架(1)的CVD反應器，該基板保持件支架(1)具有至少一個支承面(4)，其中，在所述支承面(4')中通入多個氣體輸入管道(7,8)；所述CVD反應器還具有一以其背面指向所述支承面(4')的基板保持件(2)，其中，通過氣體輸入管道(7,8)供入支承面(4')與背面之間空間中的氣體形成支撐所述基板保持件(2)的氣墊(19)。重要的是，氣墊具有多個分別能夠通過對應配設的氣體輸入管道(7,8)個別供氣的區(qū)域(A,C)，所述區(qū)域(A,C)通過防止各區(qū)域之間氣體交換的器件(15)分隔，其中，至少一個位于內(nèi)部的區(qū)域(C)配有一氣體排出管道(13,14)，通過氣體排出管道(13,14)，位于內(nèi)部的區(qū)域(C)能夠排出由輸入管道(7,8)供入的氣體。不同導熱率的氣體輸入這些區(qū)域中。
文檔編號C23C16/46GK102656294SQ201080057579
公開日2012年9月5日 申請日期2010年10月8日 優(yōu)先權日2009年10月16日
發(fā)明者F.魯達伊維特, J.卡佩勒 申請人:艾克斯特朗歐洲公司