專利名稱：放電表面處理用電極及放電表面處理覆膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及放電表面處理，在該處理中，以將硬質(zhì)材料的粉末壓縮成型得到的壓粉體為電極，使電極和基材之間發(fā)生脈沖狀的放電，并利用該能量在基材表面形成由電極材料或電極材料借助放電能量進(jìn)行反應(yīng)得到的物質(zhì)形成的覆膜。
背景技術(shù)：
在國(guó)際公開編號(hào)W001/005545中公開了一種實(shí)用的放電表面處理用電極及其制
造方法。該技術(shù)涉及下述方法，S卩，將金屬碳化物的粉末即TiC粉末和金屬氫化物的粉末即TiH2粉末混合，將其壓縮成型后進(jìn)行加熱處理，釋放所述TiH2粉末中的氫，得到Ti粉末， 制造具有適當(dāng)強(qiáng)度及易分解性、安全性的實(shí)用的放電表面處理用電極。在日本特開2005-21355號(hào)公報(bào)中公開了需要在高溫環(huán)境下的強(qiáng)度和潤(rùn)滑性的、致密且較厚的膜(大于或等于100 μ m量級(jí))的表面處理方法。該技術(shù)通過在電極中混合I. 5至5. O重量％的Si、或I. O至4. 5重量％的B，從而由Si或B奪取覆膜中的氧原子，去除覆膜中的不需要的氧原子，改善粉末材料之間的密合性，從而形成致密且堅(jiān)固的覆膜。通過實(shí)施使用了上述放電表面處理用電極的放電表面處理，其結(jié)果，對(duì)于沖壓模具、轉(zhuǎn)塔沖床、切削刀具等，可以實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)壽命化。另一方面，放電表面處理面的硬度很高，是1700至2500HV左右，但表面粗糙度稍大，為6至12 μ mRz，在需要良好的表面粗糙度的用途中，要求形成更加平滑的硬質(zhì)覆膜。專利文獻(xiàn)I :國(guó)際公開編號(hào)W001/005545專利文獻(xiàn)2 :日本特開2005-21355號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述情況而提出的，其目的在于提供可以形成平滑且高硬度的覆膜的放電表面處理方法。本發(fā)明涉及的放電表面處理用電極用于放電表面處理，在該放電表面處理中，以將電極材料的粉末壓縮成型得到的壓粉體為電極，在加工液中或氣體中使電極和基材之間發(fā)生脈沖狀的放電，并利用該能量在基材表面形成由電極材料或電極材料借助放電能量進(jìn)行反應(yīng)得到的物質(zhì)形成的覆膜，在該放電表面處理用電極中，作為電極材料的粉末，使用向硬質(zhì)材料的粉末中混合10至75體積％的Si粉末的混合粉末。發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明可以形成平滑且高硬度的覆膜。


圖I是表示電極中的Si混合比與覆膜表面粗糙度的關(guān)系的特性圖。
圖2是表示電極中的Si混合比與覆膜硬度的關(guān)系的特性圖。圖3是表示電極中的Si混合比與覆膜Si濃度的關(guān)系的特性圖。圖4是作為實(shí)施方式I的對(duì)比例示出的TiC覆膜表面的SEM照片。圖5是Si混合TiC覆膜表面的SEM照片。圖6是Si混合TiC覆膜表面的SEM照片。圖7是Si混合TiC覆膜表面的SEM照片。圖8是作為實(shí)施方式I的對(duì)比例示出的Si覆膜表面的SEM照片。圖9是從Si混合TiC覆膜表面方向的X射線衍射圖譜測(cè)量結(jié)果?！?br> 圖10是表示電極中的Si混合比與覆膜Ti濃度的關(guān)系的特性圖。圖11是表示覆膜的形成機(jī)理的圖。圖12是表示電極中的Si混合比與耐沖蝕性的關(guān)系的特性圖。圖13是水射流噴射后的覆膜的表面狀態(tài)的觀察結(jié)果。圖14是表示電極中的Si混合比與耐腐蝕性的關(guān)系的特性圖。圖15是在王水中浸潰Ihr后的覆膜的表面狀態(tài)的觀察結(jié)果。圖16是表示電極中的Si混合比(重量比)與各覆膜特性的關(guān)系的圖。圖17是表示電極中的Si混合比與覆膜的各成分濃度的關(guān)系的圖。
具體實(shí)施例方式下面，使用附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。實(shí)施方式I.在本實(shí)施方式中，作為硬質(zhì)材料的粉末使用TiC粉末進(jìn)行說明。使用逐漸改變比例而將TiC粉末和Si粉末混合而成的TiC+Si混合粉末制成放電表面處理用電極，向電極和被處理材料(基材)之間施加電壓而產(chǎn)生放電，在基材上形成覆膜。此外，在本實(shí)施方式中，使用平均粒徑5 μ m或平均粒徑I. 3 μ m的TiC粉末、平均粒徑5 μ m的Si粉末。圖I是表示電極中的Si混合比(重量％ )與覆膜表面粗糙度的關(guān)系的圖。改變與TiC粉末混合的Si粉末的比例而制成TiC+Si電極，對(duì)由該TiC+Si電極對(duì)碳素鋼S45C進(jìn)行處理而形成的覆膜的表面粗糙度進(jìn)行測(cè)量，其結(jié)果，電極中的Si混合比越大，覆膜的表面粗糙度越小。此外，在本實(shí)施方式中，覆膜的表面粗糙度在2至6μ mRz的范圍內(nèi)變化。圖2是表示電極中的Si混合比(重量％ )與覆膜的硬度的關(guān)系的圖。改變與TiC粉末混合的Si粉末的比例而制成TiC+Si電極，對(duì)由該TiC+Si電極對(duì)碳素鋼S45C進(jìn)行處理而形成的覆膜的硬度進(jìn)行測(cè)量，其結(jié)果，在Si混合比小于或等于60重量％時(shí)，電極中的Si混合比越大，覆膜的硬度越小。另外，在Si混合比大于或等于60重量％時(shí)，覆膜的硬度幾乎不變。此外，在本實(shí)施方式中，覆膜的硬度在800至1700HV的范圍內(nèi)變化。另外，如圖I所示，隨著Si向電極中的混合量增加，覆膜的表面粗糙度逐漸減小，因此，通過使用任意改變電極中的Si重量比而形成的電極，可以在2至6 μ mRz之間任意控制覆膜的表面粗糙度。
另外，如圖2所示，隨著Si向電極中的混合量增加，覆膜的硬度逐漸減小，因此，通過任意改變電極中的Si重量比，可以在800至1700HV之間任意控制覆膜的硬度。在這里，在本實(shí)施方式中使用的表面粗糙度的測(cè)量方法如下所述。測(cè)量裝置使用Taylor Hobson制造的“ 7才一 Λ夕丨J寸一 7 ”，將測(cè)量長(zhǎng)度設(shè)為4. 8臟、將高頻截止波長(zhǎng)設(shè)為O. 8mm、將帶寬比設(shè)為100 :1、將濾波器類型設(shè)為高斯，由標(biāo)準(zhǔn)的觸針進(jìn)行測(cè)量。測(cè)得的值符合 JIS 的 B0601 2001o另外，覆膜硬度的測(cè)量是從覆膜表面方向進(jìn)行的，測(cè)量載荷設(shè)為10gf。測(cè)量裝置是“島津製作所”制造的顯微硬度計(jì)。此外，由改變TiC粉末和Si粉末的比例混合而成的TiC+Si電極對(duì)碳素鋼 S45C進(jìn)行處理，對(duì)所形成的覆膜的Si濃度進(jìn)行測(cè)量，電極內(nèi)的Si重量比和覆膜的Si濃度的關(guān)系如圖3所示。如果電極內(nèi)的Si重量比變大，則覆膜的Si濃度也變大。此外，這里所說的Si的量是通過能量色散型X射線光譜分析法(EDX)從覆膜表面方向測(cè)得的值，測(cè)量條件是加速電壓為15. OkV，照射電流為Ι.ΟηΑ。如上所述，可以認(rèn)為電極的Si混合比越多，覆膜中所含的Si濃度越高，其結(jié)果，覆膜的表面粗糙度變小，但為了研究其機(jī)理，利用SEM對(duì)覆膜的表面進(jìn)行觀察。其結(jié)果，觀察到隨著Si濃度增大，覆膜上裂紋等缺陷減少，另外，放電痕一個(gè)一個(gè)的凸起減小。下面，按照下述方式標(biāo)記各種混合比(重量比)的電極，即例如TiC粉末Si粉末=8 2則記為TiC+Si (8 2)電極，TiC粉末=Si粉末=5 5則記為TiC+Si (5 5)電極。在圖4至圖8中示出通過TiC電極處理后的表面、通過TiC+Si (8 2)電極處理后的表面、通過TiC+Si (7 :3)電極處理后的表面、通過TiC+Si (5 :5)電極處理后的表面、通過Si電極處理后的表面的SEM觀察結(jié)果。在圖4所示TiC電極的處理面中，觀察到裂紋(圖中的黑線)等缺陷非常多，放電痕一個(gè)一個(gè)的凸起較大。另一方面，按照?qǐng)D5至 7所示的TiC+Si(8 2)電極、TiC+Si (7 3)電極、TiC+Si (5 5)電極的順序，觀察到處理面上裂紋等缺陷變少，放電痕一個(gè)一個(gè)的凸起變小。此外，作為對(duì)比，在圖8所示的Si電極的處理面中，完全看不到裂紋等缺陷，且可以觀察到放電痕一個(gè)一個(gè)的凸起非常小。在此，關(guān)于由于覆膜中包含的Si濃度變大而使放電痕一個(gè)一個(gè)的凸起變小的機(jī)理，認(rèn)為如下。S卩，認(rèn)為由于Si的粘性系數(shù)比其他金屬小(O. 94mN · s/m2),因此通過混合Si,在因放電而熔融的電極材料向基材移動(dòng)并凝固時(shí)，熔融部分的Si濃度變大，從而熔融部分的粘性系數(shù)變小，由于一邊擴(kuò)大而變得更加扁平一邊凝固，因此凸起減小。改變TiC粉末和Si粉末的比例，混合而制成TiC+Si電極，對(duì)于由該TiC+Si電極進(jìn)行處理形成的覆膜進(jìn)行X射線衍射測(cè)量，確認(rèn)到TiC的衍射峰，可知電極材料時(shí)的TiC在放電表面處理后仍作為TiC存在于覆膜中。此外，未確認(rèn)到Ti單質(zhì)的衍射峰。作為例子，在圖9 中示出由 TiC+Si (8 2)電極、TiC+Si (7 3)電極、TiC+Si (5 5)電極形成的覆膜的XRD衍射測(cè)量結(jié)果。另一方面，如果電極的Si混合比增大，S卩，電極的TiC的混合比變小，則覆膜的TiC的各衍射峰的積分強(qiáng)度均變小。另外，圖10表示電極中的Si混合比與覆膜的Ti濃度的關(guān)系。如果電極的Si混合比增大，即電極的TiC混合比減小，則覆膜的Ti濃度變小。根據(jù)XRD衍射測(cè)量結(jié)果，由于未看到Ti單質(zhì)的衍射峰，因此可以認(rèn)為雖然電極時(shí)的TiC 一部分有可能在放電表面處理時(shí)分解，但大部分以TiC的狀態(tài)存在于覆膜內(nèi)。由此可以推測(cè)出，如果電極的Si混合比增大，即電極的TiC混合比減小，則覆膜的TiC濃度也相對(duì)地變小。
由此可以認(rèn)為，如果電極中的Si混合比增大，則在覆膜中，硬質(zhì)的TiC濃度減小，
其結(jié)果，覆膜硬度減小。另一方面，如上述的定量分析所述，與在處理表面存在幾至十幾重量％左右的Si元素?zé)o關(guān)，X射線衍射測(cè)量的結(jié)果是，任何覆膜均無法確認(rèn)到Si晶體的衍射峰。由此，認(rèn)為Si單質(zhì)與基材成分形成合金或變成非晶狀態(tài)。匯總通過在電極中混合Si而使覆膜的Si濃度增大的效果，如圖11所示。S卩，電極中的Si混合比較小時(shí)，在放電表面處理的熔融部(覆膜)，裂紋等缺陷很多，放電痕一個(gè)一個(gè)的凸起較大。另一方面，隨著Si混合比增加，裂紋等缺陷減少，放電痕一個(gè)一個(gè)的凸起變小。另外，推測(cè)覆膜中Si單質(zhì)和基材成分形成合金或變成非晶狀態(tài)，推測(cè)覆膜變成TiC分散在其中的覆膜形態(tài)。此外，覆膜的一部分?jǐn)U散至比基材的高度低的位置。連同擴(kuò)散部分在內(nèi)，覆膜總計(jì)是5至20 μ m左右。接下來，對(duì)于由逐漸改變TiC粉末和Si粉末的比例而混合制成的TiC+Si電極進(jìn)行處理的覆膜，針對(duì)耐沖蝕性進(jìn)行各覆膜的評(píng)價(jià)。在此，基材為SUS630 (H1075)。另外，耐沖蝕性通過向覆膜噴射水射流而進(jìn)行評(píng)價(jià)。此外，耐沖蝕性通常認(rèn)為與硬度密切相關(guān)。另一方面，僅依靠硬度，無法說明的方面很多，作為除了硬度以外的要素，表面性狀會(huì)影響耐沖蝕性，已知與粗糙的表面相比，平滑的表面會(huì)提高耐沖蝕性。已知由Si電極處理形成的覆膜可以獲得高耐沖蝕性，但本次評(píng)價(jià)的結(jié)果是，在由向TiC電極中混合大于或等于5重量％的Si形成的電極處理而成的覆膜中，開始表現(xiàn)出耐沖蝕性的提高。此外，在5重量％左右時(shí)，由于表面存在一定量的缺陷，所以在評(píng)價(jià)中存在波動(dòng)，因此，如果進(jìn)一步增加混合比，則在大于或等于10重量％左右時(shí)，可以獲得充分的效果，已知更加優(yōu)選混合大于或等于20重量％。圖12是表示電極中的Si混合比與耐沖蝕性的關(guān)系的圖，在混合大于或等于20重量％的情況下，呈現(xiàn)出評(píng)價(jià)結(jié)果沒有波動(dòng)，具有高耐沖蝕性的狀態(tài)。此外，如上所述，之所以具有高耐沖蝕性，認(rèn)為是由以下幾點(diǎn)綜合達(dá)到的效果。·由于覆膜變?yōu)榉蔷з|(zhì)，因此不易發(fā)生從晶界開始的破壞。
·通過分散有TiC而變成為高硬度。 通過混合有Si而變平滑。作為例子，對(duì)于由TiC+Si (8 2)電極、TiC+Si (7 3)電極、TiC+Si (5 5)電極處理形成的覆膜，在圖13中示出觀察噴射80MPa水射流Ihr后的表面狀態(tài)的結(jié)果。作為對(duì)比，也示出僅基材、由TiC電極形成的覆膜、由Si電極形成的覆膜的結(jié)果。在僅基材時(shí)發(fā)生嚴(yán)重?fù)p傷，使用TiC電極形成的處理面也發(fā)生損傷。另一方面，在由TiC+Si (8 2)電極、TiC+Si (7 3)電極、TiC+Si (5 5)電極處理形成的各覆膜中均未發(fā)生損傷。接下來，對(duì)于耐腐蝕性進(jìn)行各覆膜的評(píng)價(jià)。在此，基材使用SUS316。已知在由Si電極處理形成的覆膜中可以獲得高耐腐蝕性，但由在TiC電極中混合大于或等于5重量％的Si所形成的電極處理而成的覆膜，具有高耐腐蝕性。 此外，由于在5重量％左右時(shí)，表面存在一定量的缺陷，因此在評(píng)價(jià)中存在波動(dòng)。因此，如果進(jìn)一步增加混合比，則在大于或等于10重量％時(shí)可以獲得充分的效果，更加優(yōu)選混合大于或等于20重量％。在混合大于或等于20重量％的情況下，評(píng)價(jià)中無波動(dòng)，具有高耐腐蝕性。圖14是示意地表示電極中的Si混合比與耐腐蝕性的關(guān)系的圖。此外，如上所述，之所以具有高耐腐蝕性，認(rèn)為是以下幾點(diǎn)綜合達(dá)到的效果?！び捎诟材ぷ?yōu)榉蔷з|(zhì)，因此不易發(fā)生從晶界開始的腐蝕。·通過混合Si，裂紋等缺陷減少。作為例子，對(duì)于由TiC+Si (8 2)電極、TiC+Si (7 3)電極、TiC+Si (5 5)電極處理形成的覆膜，在圖15中示出觀察在腐蝕液王水中浸潰I小時(shí)后的表面狀態(tài)的結(jié)果。作為對(duì)比，還示出僅基材、使用TiC電極形成的覆膜、使用Si電極形成的覆膜的結(jié)
果O在僅基材時(shí)發(fā)生嚴(yán)重腐蝕，使用TiC電極形成的處理面也發(fā)生腐蝕。另一方面，在由TiC+Si (8 2)電極、TiC+Si (7 3)電極、TiC+Si (5 5)電極處理形成的各覆膜中均未發(fā)生腐蝕。根據(jù)至此取得的結(jié)果，如果將橫軸設(shè)為放電表面處理用電極中的Si混合比(重量比)，將縱軸設(shè)為通過該電極處理而得到的覆膜特性(表面粗糙度、硬度、耐沖蝕性、耐腐蝕性)，則如圖16所示。S卩，在Si混合比是5至60重量％時(shí)，覆膜可以形成為平滑且高硬度，并且具有高耐沖蝕性、耐腐蝕性的覆膜。在Si混合比小于或等于5重量％時(shí)，表面粗糙度為與由TiC電極形成的覆膜相同程度，另外，無法得到充分的耐沖蝕性、耐腐蝕性。另外，在Si重量比大于或等于60重量％時(shí)，硬度為與由Si電極形成的覆膜相同程度，其他特性為與由Si電極形成的覆膜相同程度，或者，特別地，表面粗糙度差。根據(jù)EDX的元素濃度測(cè)量結(jié)果及X射線衍射結(jié)果，由逐漸改變比例而在TiC粉末中混合Si粉末制成的TiC+Si電極，對(duì)碳素鋼S45C進(jìn)行處理的覆膜的Si濃度、TiC濃度、基材(Fe)濃度如圖17所示。如上述所述,在Si混合比是5至60重量％時(shí)，使用該電極在碳素鋼S45C上形成的平滑且高硬度、并且具有高耐沖蝕性及耐腐蝕性的覆膜的各成分濃度為，Si濃度1至11重量％、TiC濃度10至75重量％、基材成分(Fe) :20至90重量％的范圍。在本實(shí)施方式中，對(duì)于在TiC中混合Si的情況進(jìn)行了說明，但由于是基于上述理由而得到良好的特性，因此，可以取代TiC而使用其他硬質(zhì)材料，例如，如果是金屬，可以使用W、Mo等，如果是陶瓷，可以使用WC、VC、Cr3C2, MoC, SiC, TaC等碳化物。另外，也可以使用TiN、SiN等氮化物、Al 2O3等氧化物。此外，在使用絕緣物的情況下，通過大量加入Si而可以確保導(dǎo)電性，從而可以得到同樣的效果。此外，對(duì)于其他材料與Si的混合比，在與TiC和Si的情況相同的體積比的范圍內(nèi)進(jìn)行混合的情況下，可以得到相同的效果。在本實(shí)施方式中，TiC和Si的混合比以重量比的形式規(guī)定，但根據(jù)TiC的密度是4. 93g/cm3, Si的密度是2. 3g/cm3，如果將重量除以密度而換算成體積比，則例如TiC Si=95重量％ 5重量％ =90體積％ 10體積％，TiC Si=40重量％ 60重量％ =25體積％ 75體積％。S卩，相對(duì)于其他硬質(zhì)材料，通過使Si以10至75體積％進(jìn)行混合，可以形成平滑且高硬度、且具有高耐沖蝕性、耐腐蝕性的覆膜。另外，在本實(shí)施方式中，作為所混合的材料使用Si，但混合粘性系數(shù)較小的金屬粉末也可以得到相同的效果。作為粘性系數(shù)較低的材料，取代Si例如可以使用K、Li、Na、Ge、Ca、Mg、Al、P、Bi、Sn、In 等。在本實(shí)施方式中，在粉末的狀態(tài)下將TiC和Si以一定的重量比混合，但也可以使用預(yù)先以一定的比例含有TiC與Si的粉末制造放電表面處理用電極。在該情況下，更優(yōu)選可以將TiC與Si均勻地混合。在本實(shí)施方式中，將Fe基的材料用于基材，但使用其他材料也可以得到相同的效
果O例如，基材為作為耐熱合金的Ni基合金或Co基合金也可以得到相同的效果。另外，在基材為Al基或Cu基的情況下，由TiC電極形成的覆膜與基材為Fe基的情況相比，存在表面粗糙度變大的趨勢(shì)，但使用TiC+Si電極可以得到相同的效果。作為向電極材料中添加Si的發(fā)明，已有日本特開昭56-51543號(hào)公報(bào),但其是關(guān)于通常的放電加工的電極的發(fā)明，以提高加工速度為目的，因此是與形成硬質(zhì)材料覆膜、混合Si而減小粘性系數(shù)以使得該覆膜變得平滑的本發(fā)明不同領(lǐng)域的發(fā)明。在日本特開2005-21355號(hào)公報(bào)中公開了一種放電表面處理用電極，其以實(shí)現(xiàn)需要高溫環(huán)境下的強(qiáng)度和潤(rùn)滑性的、無空孔且致密的較厚的膜(使金屬材料為大于或等于100 μ m量級(jí))的表面處理方法為目的，該放電表面處理用電極為，為了奪取氧原子，作為電極材料含有1.0至4.5重量％的8(硼)、或I. 5至5. O重量％的Si(硅)。但是，本發(fā)明以實(shí)現(xiàn)形成平滑且高硬度的硬質(zhì)材料的5至20 μ m覆膜的表面處理方法為目的，Si混合的重量比是5至60重量％左右，是與上述公報(bào)不同領(lǐng)域的發(fā)明。工業(yè)實(shí)用性本發(fā)明所涉及的放電表面處理用電極適用于向模具或蒸汽渦輪等的放電表面處理作業(yè)。
權(quán)利要求
1.一種放電表面處理用電極，其用于放電表面處理，在該處理中，以將電極材料的粉末壓縮成型得到的壓粉體為電極，在加工液中或氣體中使電極和基材之間發(fā)生脈沖狀的放電，利用該能量在基材表面形成由電極材料或電極材料借助放電能量反應(yīng)得到的物質(zhì)形成的覆膜， 該放電表面處理用電極的特征在于， 作為電極材料的粉末，使用在硬質(zhì)材料的粉末中混合10至75體積％的Si粉末的混合粉末。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的放電表面處理用電極，其特征在于， 作為硬質(zhì)材料的粉末，使用TiC，或W、Mo金屬，或呢、03(2、10(、3丨(^&0陶瓷，或TiN、SiN氮化物，或Al2O3氧化物。
3.一種放電表面處理用電極，其用于放電表面處理，在該處理中，以將電極材料的粉末壓縮成型得到的壓粉體為電極，在加工液中或氣體中使電極和基材之間產(chǎn)生脈沖狀的放電，并利用該能量在基材表面形成由電極材料或電極材料借助放電能量反應(yīng)得到的物質(zhì)形成的覆膜， 該放電表面處理用電極的特征在于， 作為電極材料的粉末，使用含有硬質(zhì)材料成分及10至75體積％的Si成分的粉末。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的放電表面處理用電極，其特征在于， 作為硬質(zhì)材料的成分，使用TiC，或W、Mo金屬，或WC、Cr3C2、MoC、SiC、TaC陶瓷，或TiN、SiN氮化物，或Al2O3氧化物。
5.根據(jù)權(quán)利要求I至4中的任一項(xiàng)所述的放電表面處理用電極，其特征在于， 將Si粉末或Si成分置換為粘性系數(shù)較小的金屬即K、Li、Na、Ge、Ca、Mg、Al、P、Bi、Sn、In中的任一種。
6.一種放電表面處理覆膜，該放電表面處理覆膜是指，以將電極材料的粉末壓縮成型得到的壓粉體為電極，在加工液中或氣體中使電極和基材之間發(fā)生脈沖狀的放電，并利用該能量在基材表面形成由電極材料或電極材料借助放電能量反應(yīng)得到的物質(zhì)形成的覆膜， 該放電表面處理覆膜的特征在于， 在鐵基基材中含有I至11重量％的Si，并在其中分散有10至75重量％的TiC。
全文摘要
為了實(shí)現(xiàn)一種可以形成平滑且高硬度的覆膜的放電表面處理，從而以硬質(zhì)材料的粉末壓縮成型得到的壓粉體為電極，在加工液中或氣體中使電極和基材之間發(fā)生脈沖狀的放電，并利用該能量在基材表面形成由電極材料或電極材料借助放電能量進(jìn)行反應(yīng)得到的物質(zhì)形成的覆膜，在上述放電表面處理中，作為電極材料的粉末，使用向硬質(zhì)材料的粉末中混合10至75體積％的Si粉末的混合粉末。
文檔編號(hào)C23C26/00GK102906308SQ20108006703
公開日2013年1月30日 申請(qǐng)日期2010年5月26日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月26日
發(fā)明者鷲見信行, 后藤昭弘, 寺本浩行, 中野善和 申請(qǐng)人:三菱電機(jī)株式會(huì)社