專利名稱:鋁合金板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及一種鋁合金板及其制造方法,所述鋁合金板優(yōu)選用作薄膜類太陽能電池基板或印刷線路板,高溫強度及耐電壓特性優(yōu)異。
背景技術(shù):
太陽能電池大致分為(1)單晶Si太陽能電池、(2)多晶Si太陽能電池、(3)薄膜類太陽能電池3種。相對以Si晶片為基板的單晶Si太陽能電池及多晶Si太陽能電池,薄膜類太陽能電池使用玻璃基板、金屬基板、樹脂基板之類的多種基板,在這些基板上形成薄膜的光吸收層。作為所述光吸收層,使用非晶Si或納米結(jié)晶Si的Si系薄膜、CdS/CdTe、 CIS(Cu-In-Se) XIGS(Cu-In-Ga-Se)等化合物系薄膜。另外,通過使用具有撓性的基板,可以以一邊將基板卷繞成輥、一邊形成絕緣層或薄膜的輥對輥方式連續(xù)地生產(chǎn)撓性的太陽能電池單元。作為薄膜類太陽能電池用基板,主要使用玻璃基板。但是,存在如下缺點玻璃基板容易破裂,在使用時需要充分注意,同時撓性不足。最近,作為住宅等建筑物用的電力供給源,太陽能電池備受矚目,在確保充分的供給電力的基礎(chǔ)上,期望太陽能電池的大型化、 大面積化、輕量化。因此,作為難以破裂且為撓性、可以實現(xiàn)輕量化的基板材料,提出了在樹脂板或鋁合金板、狗板等板上包覆有鋁的基板等。為了形成上述化合物系薄膜作為光吸收層,在基板上配置化合物、根據(jù)化合物的種類在350°C 650°C下進行燒結(jié)。為了在連續(xù)產(chǎn)生中形成CIGS層,優(yōu)選以350°C 600°C、 4 20m/分鐘的線速度進行燒結(jié),優(yōu)選經(jīng)得起該溫度的基板材料。但是,鋁基板由于高溫強度不足且難以保持形狀,因此,需要降低燒結(jié)溫度。作為高溫強度高的鋁合金,已知有添加了狗或Mn的合金。專利文獻1提出了以在高溫強度優(yōu)異的薄膜類太陽能電池基板用途中含有Si 0. 25 0. 35質(zhì)量%、Fe :0. 05 0. 3 質(zhì)量 %、Cu 0. 3 0. 5 質(zhì)量 %、Mn :1. 2 1. 8 質(zhì)量 %、Sc :0. 05 0. 4 質(zhì)量 %、Zr 0. 05 0. 2質(zhì)量%、余量由Al及雜質(zhì)構(gòu)成為特征,而且V 0. 05 0. 2質(zhì)量%、Sc濃度為 0. 07 0. 15質(zhì)量%、& 濃度為0. 07 0. 1質(zhì)量%、V濃度為0. 07 0. 1質(zhì)量%的鋁合金。 在專利文獻1中記載有絕緣層的材料為含有堿金屬的絕緣材料,但鋁的陽極氧化覆膜沒有記載。對各元素的添加意義及濃度的限度理由如下所述進行敘述。(專利文獻1的沈段落 32段落)“Si是為了在鑄造時使鑄造性提高而添加的元素,將其濃度設(shè)定為0. 2 0. 45質(zhì)量%。當其低于0.2質(zhì)量%時,上述效果不足。另一方面,即使超過0.45質(zhì)量%,也不使材料特性降低,但是成本高,在經(jīng)濟性方面是不利的。特別優(yōu)選的Si濃度為0. 25 0. 35質(zhì)量%。!^e為將結(jié)晶粒進行微細化并有助于提高高溫區(qū)域中的強度及耐軟化性的元素,將其濃度設(shè)定為0. 05 0. 3質(zhì)量%。當其低于0. 05質(zhì)量%時,上述效果不足,當其超過0. 3 質(zhì)量%時,形成Al-Mn-Fe系的粗大晶出物,因此,仍然缺乏強度提高效果。特別優(yōu)選的狗濃度為0. 1 0.2質(zhì)量%。Cu是利用固熔強化作用并有助于提高高溫區(qū)域中的強度及耐軟化性的元素,將其濃度設(shè)定為0. 3 0. 5質(zhì)量%。當其低于0. 3質(zhì)量%時,上述效果不足,當其超過0. 5質(zhì)量%時,耐腐蝕性降低,因此不優(yōu)選。特別優(yōu)選的Cu濃度為0. 4 0. 5質(zhì)量%。Mn為通過與鋁以及鋁中所含的Si、Fe形成微細的金屬間化合物而提高重結(jié)晶溫度、進而有助于提高高溫區(qū)域中的強度及耐軟化性的元素,將其濃度設(shè)定為1.2 1.8質(zhì)量%。當其低于1. 2質(zhì)量%時,上述效果不足,當其超過1. 8質(zhì)量%時,耐腐蝕性有可能降低。特別優(yōu)選的Mn濃度為1. 4 1. 6質(zhì)量%。&具有單獨利用重結(jié)晶抑制效果使高溫區(qū)域中的強度及耐軟化性提高的效果。而且,通過形成具有固熔&及L12結(jié)構(gòu)的Al3Sc,具有這些成為強化相且使高溫區(qū)域中的強度及耐軟化性提高的效果。&濃度低于0. 05質(zhì)量%時,上述效果不足,當其超過0. 4質(zhì)量% 時,加工性有可能降低,因此,設(shè)定為0. 05 0. 4質(zhì)量%。特別優(yōu)選的&濃度為0. 07 0. 15質(zhì)量%。Zr為可以與Al3Sc的Sc取代的元素,Al3Zr與Al3Sc具有同樣地成為強化相且使高溫區(qū)域中的耐軟化性提高的效果。當其低于0. 05質(zhì)量%時,上述效果不足,當其超過0. 2 質(zhì)量%時,通過形成粗大的晶出物,強度提高效果變小,因此,設(shè)定為0. 05 0.2質(zhì)量%。特別優(yōu)選的ττ濃度為0. 07 0. 1質(zhì)量%。V為提高重結(jié)晶溫度、進而有助于高溫區(qū)域中的強度及耐軟化性提高的元素,將其濃度設(shè)定為0. 05 0. 2質(zhì)量%。當其低于0. 05質(zhì)量%時,上述效果不足,當其超過0. 2質(zhì)量%時,對加工性產(chǎn)生惡劣影響。特別優(yōu)選的V濃度為0. 07 0. 1質(zhì)量%。”另外,在專利文獻2中,作為提高設(shè)置在使用有鋁合金的太陽能電池用撓性基板上的陽極氧化覆膜層的機械強度的方法,提出了特定了陽極氧化覆膜的微孔隙形狀的方法。其內(nèi)容為在鋁基材表面形成了具有孔隙的陽極氧化覆膜的鋁合金制絕緣材料,上述陽極氧化覆膜的厚度為0. 5μπι以上,同時,在上述陽極氧化覆膜中具有延設(shè)于與上述孔隙的軸心大致直角方向的多個空穴。另外,在專利文獻2中13段落進行了如下所述的描述。“基材合金可以應(yīng)用1000系、3000系、5000系、6000系等Al合金,作為陽極氧化處
理浴,可以應(yīng)用草酸浴或硫酸浴等,但陽極氧化覆膜的內(nèi)部結(jié)構(gòu)因合金和處理條件而不同, 其結(jié)果得到各種耐電壓。例如,要求耐電壓2kV的太陽能電池基板推薦采用通過使用含有 Mn的3000系合金或含有Mg及Si的6000系合金等Al合金、用含有2 4%的草酸的處理液進行30 90V的陽極氧化處理來形成厚度45 70 μ m的絕緣層的太陽能電池基板。另外,在所要求的耐電壓為IkV左右的情況下,可以使用利用同樣的處理方法將絕緣層厚度設(shè)定為10 30 μ m的絕緣層。而且,即使使用3000系或6000系以外的Al合金或草酸以外的處理液,根據(jù)與交流重疊或電流反轉(zhuǎn)等電解條件的組合,也可以得到具有圖1那樣的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的陽極氧化覆膜?!盨P,使用各種鋁時,進行了記載。而且,通過在陽極氧化處理后做成在孔隙和/或空穴中填充有Si氧化物的結(jié)構(gòu),可以實現(xiàn)更高的耐電壓。另外,在專利文獻3中記載有如下方法關(guān)于適于撓性太陽能電池的制造的帶覆膜金屬材料,另外利用多段輥工藝(輥對輥工藝)制造帶金屬氧化物覆膜的金屬帶(帶、 strit)制品。另外,專利文獻3對成為基底的金屬帶,重要點之一是,為了防止堆積的金屬氧化物層的剝離或破裂,熱膨脹系數(shù)(TEC)低。因此,公開有金屬帶的熱膨脹系數(shù)優(yōu)選在溫度范圍0 600°C下低于12X10_6(/°C )。另外,作為滿足其的材料,公開有鐵素體、鉻鋼、 鈦、數(shù)種鎳合金等。[專利文獻1]日本特開2008-81794號公報[專利文獻2]日本特開2000-349320號公報[專利文獻3]日本特表2007-502536號公報
發(fā)明內(nèi)容
在薄膜類太陽能電池中,為了形成化合物系薄膜作為光吸收層,在基板上配置化合物,根據(jù)化合物的種類,在350 650°C下進行燒結(jié)。例如,為了在連續(xù)生產(chǎn)中形成CIGS 層,優(yōu)選在350 650°C下、以1 30m·分鐘的線速度進行燒結(jié),優(yōu)選經(jīng)得起該溫度的基板材料。但是,鋁基板由于高溫強度不足且難以保持形狀,因此,需要降低燒結(jié)溫度。專利文獻1公開有為高溫強度高的鋁合金且作為薄膜用太陽能電池用的鋁添加有狗或Mn的合金,但這些元素難以固熔,容易生成鋁和金屬間化合物。其結(jié)果,發(fā)生如下問題即使可以記得將專利文獻1所述的鋁合金進行陽極氧化而形成絕緣層,這些金屬間化合物成為陽極氧化覆膜的缺陷,使耐絕緣性降低。因此,考慮使陽極氧化覆膜的厚度變厚。這種材料的耐熱性良好,但設(shè)有陽極氧化覆膜時的絕緣性非常低。其理由是因為,在專利文獻1需要和記載的元素內(nèi),為了制作金屬間化合物,Mn、Fe、Si、Zr、Sc在進行陽極氧化時,非常多地產(chǎn)生覆膜的缺陷。這是因為,專利文獻1完全沒有考慮將陽極氧化覆膜用作絕緣性覆膜。另外,專利文獻1關(guān)于Cu描述為“為利用固熔強化作用有助于提高高溫區(qū)域中的強度及耐軟化性的元素,將其濃度設(shè)定為0. 3 0. 5質(zhì)量%。當其低于0. 3質(zhì)量%時,上述效果不足,當其超過0. 5質(zhì)量%時,耐腐蝕性降低,因此不優(yōu)選。特別優(yōu)選的Cu濃度為 0. 4 0. 5質(zhì)量%。”但是,在該Cu量的情況下,完全沒有顯示防止經(jīng)過高溫加熱的工序時的陽極氧化覆膜的破裂、防止設(shè)有CIGS時的剝離的效果。另外,作為提高鋁板的強度的方法,也已知有省略均熱處理和/或中間退火處理而難以進行鋁的重結(jié)晶、而且提高冷軋工序中的壓下率、利用加工固化提高鋁板的強度的方法,但存在需要使至做成所期望的板厚的冷軋的次數(shù)增加、軋制中途的傷痕的產(chǎn)生或帶垃圾等問題,不優(yōu)選。而且,存在如下問題在鋁基板上設(shè)有陽極氧化覆膜時,鋁、鋁陽極氧化覆膜、CIGS 層的熱膨脹系數(shù)不同,因此,在經(jīng)過加熱工序時,在層和層之間容易產(chǎn)生因熱膨脹差引起的裂縫。這是因為,鋁的熱膨脹系數(shù)一般為23X 10_6 19X 10_6(/°C ),與此相對,陽極氧化覆膜或CIGS層的熱膨脹系數(shù)小。因此,需要解決該問題。另外,上述專利文獻2所示的鋁材料存在如下不良設(shè)有陽極氧化覆膜而評價絕緣性時,絕緣性非常差。特別存在如下不良通過經(jīng)過用于賦予CIGS的高溫的處理、引起在陽極氧化覆膜上產(chǎn)生裂縫的有害的雜質(zhì)元素擴散等,因此,加熱后絕緣性能大大降低。而且,由于與CIGS的熱膨脹系數(shù)之差大,因此也產(chǎn)生CIGS層剝離的問題。特別是由于3004材料或6061材料等為雜質(zhì)元素多的材料,因此,在陽極氧化覆膜中含有許多金屬間化合物, 容易成為陽極氧化覆膜中的缺陷,為經(jīng)不起高溫加熱的工序的結(jié)果。1050材料為Al純度比較高的材料,但含有i^e、Si等金屬間化合物,因此,為絕緣性差的結(jié)果。需要說明的是,即使觀察專利文獻2的表1,也完全沒有暗示純度比較高的1050材料優(yōu)異的數(shù)據(jù)。專利文獻3公開有與CIGS層的熱膨脹系數(shù)接近,因此,金屬帶的熱膨脹系數(shù)優(yōu)選在溫度范圍O 600°C下低于12 X 10_6 (/°C )。另外,作為滿足其的材料,公開有鐵素體、鉻鋼、鈦、數(shù)種鎳合金等。另外,關(guān)于設(shè)置絕緣層的方法,公開有通過使金屬帶通過EB蒸鍍室而設(shè)置單層或多層的絕緣性氧化層。但是,該方法為為了形成絕緣膜、沒有高速生產(chǎn)率的方法,為制造效率非常低的方法。這是因為,專利文獻3需要在具有鐵素體、鉻鋼、鈦、數(shù)種鎳合金之類的導電性的金屬板上設(shè)置不同種的絕緣層。本發(fā)明人等發(fā)現(xiàn),優(yōu)選用作薄膜類太陽能電池基板或印刷線路板的高溫強度優(yōu)異、金屬間化合物不成為陽極氧化覆膜的缺陷的鋁合金成分。發(fā)現(xiàn)如果在該鋁合金板的表面設(shè)置具有絕緣性的鋁氧化膜,則可得到具有優(yōu)異的絕緣性能和耐電壓性、耐高溫強度優(yōu)異、同時設(shè)有陽極氧化覆膜、即使其后經(jīng)過伴隨加熱的工序、也不引起裂縫產(chǎn)生的鋁合金基板,完成了本發(fā)明。本發(fā)明的目的在于,提供一種可以設(shè)有高溫強度及耐電壓特性優(yōu)異的陽極氧化覆膜的鋁合金板及其制造方法。本發(fā)明的鋁合金板及其制造方法具有以下的構(gòu)成。(1) 一種絕緣性基板用鋁合金板,其含有銅0. 6 3. 0質(zhì)量%,余量由鋁及其它元素構(gòu)成,包含除鋁和銅以外的不可避免雜質(zhì)的其它元素為0. 1質(zhì)量%以下。(2) 一種太陽能電池用絕緣基板用鋁合金板,其含有銅0. 6 3. 0質(zhì)量%,余量由鋁及其它元素構(gòu)成,包含除鋁和銅以外的不可避免雜質(zhì)的其它元素為0.1質(zhì)量%以下。(3)根據(jù)(1)或( 所述的鋁合金板,其中,所述鋁合金板為帶狀,可以連續(xù)地卷成卷筒狀。(4)制造(1) (3)中任一項所述的鋁合金板的方法,其中,將具有如下組成的鋁合金熔制,并進行鑄造、熱軋、冷軋,所述組成為含有銅0. 6 3. 0質(zhì)量%、余量由鋁及其它元素構(gòu)成、包含除鋁和銅以外的不可避免雜質(zhì)的其它元素為0. 1質(zhì)量%以下。(5)根據(jù)上述(4)所述的鋁合金板的制造方法,其中,在上述冷軋的過程中或冷軋后進行熱處理。(6)根據(jù)上述(5)所述的鋁合金板的制造方法,其中,在上述冷軋結(jié)束后進行上述熱處理。(7) 一種帶絕緣覆膜鋁合金板,其是對含有銅0. 6 3. 0質(zhì)量%、余量由鋁及其它元素構(gòu)成、包含除鋁和銅以外的不可避免雜質(zhì)的其它元素為0. 1質(zhì)量%以下的鋁合金板的至少1表面進行陽極氧化處理而得到的。
(8) 一種絕緣基板或太陽能電池用絕緣基板,其由上述(7)的帶絕緣覆膜鋁合金板構(gòu)成。本發(fā)明的鋁合金板具有絕緣性能和耐電壓性,耐高溫強度優(yōu)異。本發(fā)明的鋁合金板可以以輥對輥方式有效地生產(chǎn)撓性的薄膜類太陽能電池。例如,在專利文獻1所公開的鋁基板上即使假定設(shè)有陽極氧化覆膜作為絕緣層, 本發(fā)明也可以消除如下缺點陽極氧化覆膜的缺陷多,絕緣性非常差;特別是在陽極氧化覆膜形成后進行加熱時,容易在陽極氧化覆膜上產(chǎn)生缺陷;在設(shè)置CIGS等光吸收層時,容易發(fā)生光吸收層的剝離。在專利文獻2中記載有設(shè)置陽極氧化覆膜,但如使用專利文獻2 中記載的通常通用的鋁材料,則發(fā)生與專利文獻1同樣的問題。而本發(fā)明可以消除該缺點。另外,本發(fā)明可以消除容易發(fā)生專利文獻3具有的制造效率的不良及由絕緣層和金屬板完全不同的不同種材料引起的絕緣層的剝離,實現(xiàn)高的連續(xù)生產(chǎn)率。
圖1是表示可以用于本發(fā)明的陽極氧化處理及電化學的封孔處理的裝置的一例的示意圖。圖2是表示可以使用本發(fā)明的基板的薄膜類太陽能電池的一般的構(gòu)成的一例的剖面圖。
具體實施例方式[1.鋁合金板]本發(fā)明的鋁合金板為含有銅0.6 3.0質(zhì)量%、余量由鋁及其它元素構(gòu)成,包含除鋁和銅以外的不可避免雜質(zhì)的其它元素為0. 1質(zhì)量%以下的絕緣性基板用鋁合金板。在此,所謂絕緣性基板用鋁合金板,是指特別適于在鋁合金板上設(shè)置絕緣層而用于印刷線路板等基板的用途的鋁合金板。同樣地,所謂太陽能電池用絕緣基板用鋁合金板, 是指特別適于在鋁合金板上設(shè)置絕緣層而用于太陽能電池的基板的用途的鋁合金板。在以下的說明中,有時將鋁合金板稱為合金板或鋁板。另外,只要沒有特別說明,%表示質(zhì)量%?!翠X〉作為本發(fā)明的鋁合金板的材料的鋁合金材料含有銅0. 6 3. 0質(zhì)量%,余量由鋁及其它元素構(gòu)成,包含除鋁和銅以外的不可避免雜質(zhì)的其它元素為0. 1質(zhì)量%以下。鋁合金板的形狀沒有特別限定,可以為具有裝載元件的坑洼或凸部的形狀。用于太陽能電池的基板的情況主要為板材,在以下的說明中,以鋁合金板進行說明,有時稱為鋁板。用于本發(fā)明的鋁合金材料需要使除鋁和銅以外的元素非常少。因此,鋁作為原材料,需要使用99. 9%以上的原料。優(yōu)選99. 93%以上、進一步優(yōu)選99. 96%以上。作為其以上的高純度鋁,有99. 99%,99. 999%等,但由于原材料價格急劇上升,因此,從成本方面考慮,不優(yōu)選。〈銅〉作為合金成分的銅在鋁中容易固熔,難以生成金屬間化合物,因此,不易發(fā)生成為陽極氧化覆膜的缺陷而使絕緣性降低的問題。
銅具有使耐熱強度增加的效果,同時,在本申請中對鋁的熱膨脹系數(shù)的最佳化也是有效的元素。銅的固溶量高,難以形成金屬間化合物,因此,在陽極氧化覆膜中難以制作缺陷。加之,特別是設(shè)有陽極氧化覆膜時的熱膨脹系數(shù)在加熱時對陽極氧化覆膜不施加過量的負荷,因此,不能防止伴隨加熱的陽極氧化覆膜的破裂、裂縫產(chǎn)生。另外,即使作為形成有陽極氧化覆膜的基板,也可以縮小與CIGS等光吸收層的熱膨脹系數(shù)之差,其結(jié)果,在 CIGS制膜時可以抑制膜的剝離、裂縫產(chǎn)生。本發(fā)明的鋁合金板的材料即鋁合金材料需要含有銅0.6 3.0質(zhì)量%。優(yōu)選 0.7 2.0質(zhì)量%、進一步優(yōu)選0.7 1.5質(zhì)量%即可。例如,通過在鋁99. 9質(zhì)量%的原材料中添加銅0.8質(zhì)量%,可得到鋁99. 1質(zhì)量% 以上、銅0. 8質(zhì)量%、其它雜質(zhì)元素低于0. 1質(zhì)量%的組成的鋁。該鋁合金材料由于除鋁和銅以外的雜質(zhì)少,因此,設(shè)有陽極氧化覆膜時的絕緣性能優(yōu)異,另外,以上述的理由不易發(fā)生高溫加熱時的陽極氧化覆膜缺陷,另外,可以縮小與吸收層的熱膨脹系數(shù)之差,因此,可以做成優(yōu)異的太陽能電池用基板的原材料。〈鈦〉在本發(fā)明中,可以以使鑄塊組織微細、防止鑄造時的鑄塊破裂為目的添加鈦。鈦的優(yōu)選的含量為0. 05質(zhì)量%以下,更優(yōu)選為0. 02質(zhì)量%以下。鈦的含量超過0. 05質(zhì)量%時, 生成Al-Ti系的粗大的化合物,容易產(chǎn)生陽極氧化覆膜中的缺陷,因此不適合??梢砸酝瑯拥哪康呐c鈦一起添加硼,此時,優(yōu)選以0.01質(zhì)量%以下的范圍含有硼。< 雜質(zhì) >作為合金成分中所含的雜質(zhì),在本發(fā)明中,將除鋁和銅以外的雜質(zhì)總計設(shè)定為 0. 1質(zhì)量%以下。作為Al合金中所含的不可避免雜質(zhì),考慮記載于例如L. F. Mondolfo著 "Aluminum Alloys Structure and properties" (1976 ) 的fi^l^M。任何情況都應(yīng)該避免在鋁中形成金屬間化合物的元素。特別是應(yīng)該避免專利文獻 1 所示的 Fe、Mn、Si、^ 等。由于本發(fā)明的鋁合金板其高溫強度優(yōu)異,因此,可以用作在高溫區(qū)域中要求高的強度的各種構(gòu)件的材料,特別是優(yōu)選作為薄膜類太陽能電池基板的材料。本發(fā)明的鋁合金板可以為矩形的板,也可以為作為帶狀連續(xù)地卷繞成卷筒狀的板。例如,厚度優(yōu)選20 5000 μ m,板寬度優(yōu)選100 2000mm。鋁合金板的表面優(yōu)選進行拋光,其表面粗糙度Ra優(yōu)選為0. Inm 2 μ m,更優(yōu)選為 Inm 0. 3 μ m0作為鋁合金板的拋光方法的一例,在日本專利第42U641號公報、日本特開 2003-341696號公報、日本特開平7-331379號公報、日本特開2007-196250號公報、日本特開2000-223205號公報中有記載。本發(fā)明的鋁合金板優(yōu)選常溫下的抗拉強度為100 600MPa,在550°C下加熱處理 10分鐘后的抗拉強度為50 300MPa。另外,優(yōu)選常溫下的0. 2%耐力為80 300MPa,在550°C下加熱處理10分鐘后的 0. 2% 耐力為 40 250MPa。而且,優(yōu)選常溫下的斷裂伸長率為1 10%,在550°C下加熱處理1小時后的斷裂伸長率為20 50%。
另外,在高溫蠕變試驗中給予0. 4MPa以上的荷重,在500°C下保持10分鐘時的變形率為0. 以下。[2.鋁合金板的制造方法]用于本發(fā)明的鋁合金利用常規(guī)方法實施材料的溶解、金屬溶液(日文溶湯)處理、利用DC鑄造法的板或鋼坯的鑄塊鑄造、面削、均熱、熱軋、退火處理、冷軋、矯正處理,成形為用于所期望的厚度的薄膜類太陽能電池基板的板材?;蛘撸糜诒景l(fā)明的鋁合金也可以利用常規(guī)方法實施材料的溶解、金屬溶液處理、 連續(xù)鑄造、冷軋、退火處理、矯正處理,成形為用于所期望的厚度的薄膜類太陽能電池基板的板材。作為連續(xù)鑄造法,可以使用亨特法等雙輥式連續(xù)鑄造或黑茲利特鑄軋法等雙帶式連續(xù)鑄造。本發(fā)明的鋁合金的優(yōu)選制造方法為以在純度99. 9質(zhì)量%以上的鋁原材料中含有銅0. 6 3. 0質(zhì)量%的方式進行熔制、鑄造、熱軋、冷軋的制造方法。以鋁合金為板材可以采用例如下述方法。首先,在調(diào)整為規(guī)定的合金成分含量的鋁合金金屬溶液中按照常規(guī)方法進行清潔化處理、鑄造。為了除去金屬溶液中的氫等不需要氣體,清潔化處理實行焊劑處理,使用氬氣、氯氣等的脫氣處理,使用陶瓷管過濾器 (ceramic tube filter)、陶瓷泡沫過濾器(ceramic foam filter)等所謂剛性介質(zhì)過濾器 (rigid media filter)或以氧化鋁薄片、氧化鋁球等為濾材的過濾器或玻璃纖維布過濾器等的過濾處理,或者組合有脫氣處理和過濾處理的處理。這些清潔化處理優(yōu)選為了防止金屬溶液中的非金屬媒介物、氧化物等異物引起的缺陷或溶入金屬溶液的氣體引起的缺陷而實施??梢赃M一步進行金屬溶液的過濾、脫氣處理。接著,如上述那樣使用實施了清潔化處理的金屬溶液進行鑄造。關(guān)于鑄造方法, 有使用以DC鑄造法為代表的固定錠模的方法和使用以連續(xù)鑄造法為代表的驅(qū)動錠模的方法。在DC鑄造法中,在冷卻速度為0. 5 30°C /秒的范圍內(nèi)凝固。當其低于0. 5°C / 秒時,形成多數(shù)粗大的金屬間化合物。進行DC鑄造時,可以制造板厚300 800mm的鑄塊。 對該鑄塊按照常規(guī)方法根據(jù)需要進行面削,切削通常表層的1 30mm、優(yōu)選1 10mm。在其前后根據(jù)需要進行均熱化處理。進行均熱化處理時,以金屬間化合物不進行粗大化的方式在450 620°C下進行1 48小時的熱處理。在熱處理短于1小時的情況下,有時均熱化處理的效果不充分。需要說明的是,在不進行均熱化處理的情況下,具有可以使成本降低的優(yōu)點。其后,進行熱軋、冷軋,做成鋁板的軋制板。熱軋的開始溫度適合為350 500°C。 可以在熱軋之前或之后或其過程中進行中間退火處理。中間退火處理的條件使用間歇式退火爐在280 600°C下加熱2 20小時、優(yōu)選在350 500°C下加熱2 10小時,或使用連續(xù)退火爐在400 600°C下加熱6分鐘以下、優(yōu)選在450 550°C下加熱2分鐘以下。也可以使用連續(xù)退火爐以10 200°C /秒的升溫速度進行加熱,使結(jié)晶組織變細。這些工序中的退火處理可以在冷軋的過程中或冷軋結(jié)束后進行。在冷軋結(jié)束后進行退火時,通過選擇溫度條件、保持條件,可以進行使結(jié)晶組織完全重結(jié)晶的處理或使部分的重結(jié)晶或恢復(fù)引起的程度的熱處理。優(yōu)選在冷軋結(jié)束后進行使部分的重結(jié)晶或恢復(fù)進行的程度的熱處理。進一步優(yōu)選進行成為H2n調(diào)質(zhì)的最終退火,進一步優(yōu)選進行成為HM調(diào)質(zhì)的最終退火。利用以上的工序,以規(guī)定的厚度精加工成例如0. 1 0. 5mm的鋁板可以進一步利用輥式矯直機(roller leveler)、拉彎矯直機(tension leveler)等矯正裝置改善平面性。 平面性的改善可以在將鋁板切成片狀后進行,為了使生產(chǎn)率提高,優(yōu)選在連續(xù)的線圈的狀態(tài)下進行。另外,為了加工成規(guī)定的板寬度,可以通過縱剪線(slitter line)。另外,為了防止鋁板之間的摩擦引起的傷痕的產(chǎn)生,可以在鋁板的表面設(shè)置薄的油膜。油膜根據(jù)需要適當使用揮發(fā)性的油膜或不揮發(fā)性的油膜。[3.絕緣性基板]本發(fā)明的鋁合金板通過在其表面?zhèn)溆薪^緣層,作為印刷線路板用的各種基板是有用的。絕緣層沒有特別限定。本發(fā)明的基板可以優(yōu)選用于太陽能電池用基板。1)本發(fā)明的第一方式的鋁合金板可以在其表面?zhèn)溆懈鞣N絕緣層,絕緣層沒有特別限定。另外,本發(fā)明在設(shè)置鋁合金的陽極氧化覆膜作為絕緣層的基礎(chǔ)上,可以進一步加入其它絕緣層。追加設(shè)置的絕緣層也沒有限定,包含以下作為絕緣層例示的層。絕緣層例如含有至少ι種氧化物層,該氧化物層既可以為包含選自Al203、Ti02、Hf02、Tii205及Nb2O5的至少 1種感應(yīng)性氧化物的絕緣層,也可以為現(xiàn)有公知的樹脂層、玻璃層。作為絕緣層的其它實例,提出了樹脂系絕緣覆膜、無機系絕緣覆膜、金屬氧化物覆膜、陽極氧化覆膜等。例如,在日本特開昭59-47776號公報中,通過在不銹鋼基板的表面涂敷液體狀樹脂并進行高溫燒成,形成厚度2 μ m左右的高分子樹脂覆膜。另外,在日本特開昭59-4775號公報中,通過濺射、蒸鍍、離子噴鍍、等離子體CVD、熱分解CVD等形成Si02、 A1203、SiNx等絕緣覆膜。而且,在日本特開平2-180081號公報中,使用以包含絕緣性微粒子的有機硅酸鹽為主要成分的涂敷材料形成絕緣覆膜。幻本發(fā)明的第二方式的鋁合金板可以設(shè)置鋁合金的陽極氧化覆膜作為絕緣層。下面,對設(shè)置鋁合金的陽極氧化覆膜作為絕緣層的情況進行說明。[4.陽極氧化]本發(fā)明的第二方式的鋁合金板可以在上述鋁合金板的表面設(shè)置陽極氧化覆膜并做成鋁合金基板。陽極氧化覆膜在酸性電解液中以電化學方法形成。其結(jié)構(gòu)可以根據(jù)電解液的液體種類控制,通??梢宰龀善琳细材雍托纬捎谄渖系奈⒖紫秾拥慕Y(jié)構(gòu)。由此,為了以Al2O3 為主要成分構(gòu)成的陽極氧化覆膜和具有空氣層的微孔隙層及以Al2O3為主要成分構(gòu)成的屏障層分別具有絕緣性,可以使其具有絕緣性。如果選擇電解液的種類,也可以形成僅屏障層的覆膜。微孔隙的直徑優(yōu)選10 600nm。微孔隙的深度可以根據(jù)陽極氧化覆膜的厚度而改變。微孔隙的密度優(yōu)選為100 10000個/ μ m2。陽極氧化覆膜的厚度優(yōu)選為1 30μπι,進一步優(yōu)選3 ^μπι,特別優(yōu)選5 25 μ m0陽極氧化覆膜的屏障層的厚度優(yōu)選Inm lOOOnm。陽極氧化覆膜的表面粗糙度Ra優(yōu)選為0. Inm ~ 2 μ m,特別優(yōu)選為Inm 0. 3 μ m。下面例示優(yōu)選的陽極氧化處理條件。
用于陽極氧化處理的電流可以使用交流、直流、交直重疊電流,電流的給予方法可以使用從電解初期按一定的漸增法,特別優(yōu)選使用直流的方法。陽極氧化覆膜的厚度可以用陽極氧化處理時間進行調(diào)整。陽極氧化處理可以在鋁板的表里同時進行,也可以各一面逐次進行。鋁表面的電解液流速以及流速的給予方法、電解槽、電極、電解液的濃度控制方法可以使用公知的陽極氧化處理方法。例如,日本特開2002-362055號公報、日本特開2003-001960號公報、日本特開平
6-207299號公報、日本特開平6-235089號公報、日本特開平6480091號公報、日本特開平
7-278888號公報、日本特開平10-109480號公報、日本特開平11-106998號公報、日本特開 2000-17499號公報、日本特開2001-11698號公報、日本特開2005-60781號公報的記載為一例。作為鋁板的對極,作為以鋁板為陽極時的對極(陰極),可以使用鋁、碳、鈦、鈮、鋯、不銹鋼等。作為以鋁板為陰極時的對極(陽極),可以使用鉛、鉬、氧化銥等。通過輸送鋁且在規(guī)定的電解液中從電源沈通電直流電流,在其表面設(shè)置陽極氧化覆膜。圖1表示可以用于本發(fā)明的陽極氧化處理及電化學的封孔處理的裝置的一例。從圖中從左輸送的鋁合金板2轉(zhuǎn)接于平整輥20進入給電槽M,在此通過電解液22從陽極觀通電。鋁合金板2在氧化槽25中鋁合金板自身相對陰極30成為陽極(正極),進行陽極氧化。為了較厚地設(shè)置陽極氧化覆膜,與給電槽M相比,可以通過延長氧化槽25的處理長度來對應(yīng)。對作為電解液的一例使用硫酸時,使用草酸時的2例下面進行說明。(a)硫酸水溶液中的陽極氧化處理以硫酸100 300g/L、進一步優(yōu)選120 200g/L (含有鋁離子0 10g/L)、液體溫度10 55°C (特別優(yōu)選20 50°C )、電流密度10 100A/dm2 (特別優(yōu)選20 80A/dm2)、 電解處理時間10 300秒(特別優(yōu)選30 120秒)、以鋁合金板為陽極進行陽極氧化處理。此時的鋁板和對極間的電壓優(yōu)選為10 150V,電壓根據(jù)電解浴組成、液體溫度、鋁界面的流速、電源波形、鋁板和對極之間的距離、電解時間等而變化。鋁離子在電解液中電化學或化學地溶解,但特別優(yōu)選預(yù)先添加硫酸鋁。另外,銅離子在電解液中電化學或化學地溶解,但特別優(yōu)選添加硫酸銅、預(yù)先將銅離子調(diào)整為O 10g/L。另外,鋁合金中所含的微量元素可以溶解。(b)草酸溶液中的陽極氧化處理優(yōu)選含有草酸10 150g/L(特別優(yōu)選30 100g/L)、鋁離子0 10g/L。以液體溫度10 55°C (特別優(yōu)選10 33°C )、電流密度0. 1 50A/dm2 (特別優(yōu)選0. 5 10A/ dm2)、電解處理時間1 100分鐘(特別優(yōu)選30 80分鐘)、以鋁合金板為陽極進行陽極氧化處理。此時的鋁板和對極間的電壓優(yōu)選為10 150V,電壓根據(jù)電解浴組成、液體溫度、 鋁界面的流速、電源波形、鋁板和對極之間的距離、電解時間等而變化。鋁離子在電解液中電化學或化學地溶解,但可以添加草酸銅、預(yù)先將銅離子調(diào)整為 0 10g/L。另外,鋁合金中所含的微量元素可以溶解。陽極氧化處理前的脫脂清洗可以進行,也可以不進行,進行時,優(yōu)選進行向酸或堿水溶液中的浸漬處理、噴霧處理,特別優(yōu)選向酸性水溶液中的浸漬。其后,可以進行水洗處理。水溶液的溫度優(yōu)選10 70°C,脫脂時間優(yōu)選1 60秒。作為酸性水溶液的種類,特別優(yōu)選與陽極氧化處理相同的種類。[5.封孔處理]進行了陽極氧化處理的鋁合金板優(yōu)選接著進行封孔處理。封孔處理已知有電化學的方法、化學的方法,特別優(yōu)選使鋁板為陽極的電化學的方法(陽極處理)。電化學的方法優(yōu)選使鋁合金為陽極并施加直流電流、進行封孔處理的方法。電解液優(yōu)選硼酸溶液,優(yōu)選在硼酸水溶液中添加含有鈉的硼酸鹽的水溶液。作為硼酸鹽,有八硼酸二鈉、四苯基硼酸鈉、四氟硼酸鈉、過氧化硼酸鈉、四硼酸鈉、偏硼酸鈉等。這些硼酸鹽可以作為無水或水合物得到。作為用于封孔處理的電解液,特別優(yōu)選使用在0. 1 2mol/L的硼酸水溶液中添加有0. 01 0. 5mol/L的四硼酸鈉的水溶液。鋁離子優(yōu)選溶解0 0. lmol/L。鋁離子利用封孔處理化學或電化學地溶解于電解液中,特別優(yōu)選預(yù)先添加硼酸鋁并進行電解的方法。另外,可以溶解鎂離子0 0. lmol/L。另外,可以溶解鋁合金中所含的微量元素。通過添加硼酸鈉,在絕緣膜內(nèi)部或表面存在鈉,由此,在做成太陽能電池用基板時,可以發(fā)揮特別優(yōu)異的特性。優(yōu)選的封孔處理條件為液體溫度10 55°C (特別優(yōu)選10 30°C )、電流密度 0. 01 5A/dm2 (特別優(yōu)選0. 1 3A/dm2)、電解處理時間0. 1 10分鐘(特別優(yōu)選1 5 分鐘)。電流可以使用交流、直流、交直流重疊電流,電流的給予方法可以使用從電解初期按一定的漸增法,特別優(yōu)選使用直流的方法。電流的給予方法可以使用定電壓法、定電流法的任一種。此時的鋁板和對極間的電壓優(yōu)選為100 1000V,電壓根據(jù)電解浴組成、液體溫度、鋁界面的流速、電源波形、鋁板和對極之間的距離、電解時間等而變化。封孔處理既可以在鋁板的表里同時進行,也可以單面逐次進行。鋁表面的電解液流速以及流速的給予方法、電解槽、電極、電解液的濃度控制方法可以使用記載于上述陽極氧化處理的公知的陽極氧化處理方法以及封孔處理的方法。另外,作為化學的優(yōu)選的方法,通過在陽極氧化處理后做成在孔隙和/或空穴中填充有Si氧化物的結(jié)構(gòu),可以實現(xiàn)更高的耐電壓。Si氧化物的填充也可以用將含有具有 Si-O鍵的化合物的溶液進行涂敷、或在硅酸鈉水溶液(1號硅酸鈉或3號硅酸鈉、1 5質(zhì)量%水溶液、20 70°C )中浸漬1 30秒后進行水洗、干燥、進一步在200 600°C下燒成 1 60分鐘的方法得到更高的耐電壓。通過浸漬于硅酸鈉水溶液,Na成分擴散于CIGS膜中,可以進一步提高發(fā)電效率。作為化學的優(yōu)選的方法,除上述硅酸鈉水溶液之外,也可以使用通過在氟化鋯酸鈉和/或磷酸二氫鈉的單體或混合比率按重量比計為51 15的混合溶液的濃度 1 5質(zhì)量%的液體中、在20 70°C下浸漬1 60秒來進行封孔處理的方法。[6.太陽能電池的制造方法]
薄膜類太陽能電池的制作可以以輥對輥方式進行。即,成形為規(guī)定厚度并卷繞成輥的鋁合金板在從卷出輥卷繞到卷繞輥之間依次進行后述的各層的形成,或者每次卷繞進行各層的形成。本發(fā)明的鋁合金板特別優(yōu)選利用輥對輥工藝在陽極氧化處理、封孔處理之前進行。優(yōu)選其后進行上述處理、再送出暫時卷繞的鋁合金板、依次進行后述的各層的形成而形成太陽能電池、其后進行切割處理、做成太陽能電池的方法。另外,也優(yōu)選在進行了陽極氧化處理、封孔處理后進行切割、其后形成太陽能電池的方法?!幢∧ゎ愄柲茈姵亍祱D2是表示可以采用使用有本發(fā)明的合金板的基板的薄膜類太陽能電池11的一般構(gòu)成的一例的剖面圖。使用在本發(fā)明的鋁合金板1上設(shè)有陽極氧化覆膜層作為絕緣層3的鋁合金基板2。 可以在陽極氧化覆膜層上追加絕緣層。而且,在其上層壓背面電極層14,進一步依次層壓光吸收層15、緩沖層16、透明電極層17,取出到透明電極層17及背面電極層14,層壓電極 18、19。而且,透明電極層的露出部分用保護膜21包覆。另外,在圖2例示的薄膜類太陽能電池中,追加絕緣層、背面電極層14、光吸收層 15、緩沖層16、透明電極層17、取出電極的材料或厚度沒有任何限定。例如,在使用有CIS 或CIGS的薄膜類太陽能電池中,各層可以例示以下的材料和厚度。本發(fā)明中所說的以多孔質(zhì)陽極氧化覆膜為主體的絕緣層3的厚度為1 30 μ m,進一步優(yōu)選3 觀μ m,特別優(yōu)選 5 25 μ m0關(guān)于太陽能電池的詳細的構(gòu)成,記載于例如日本特開2000-332273號公報。例如, 在使用有CIS或CIGS的薄膜類太陽能電池中,各層可以例示以下的材料和厚度。背面電極層14的材料為具有導電性的材料,厚度為0. 1 1 μ m。層壓使用通常用于太陽能電池的制造的方法即可,使用例如濺射法或蒸鍍法等即可。材料只要具有導電性, 就沒有特別限定,例如,使用體電阻率為6Χ106Ω · cm以下的金屬、半導體等即可。具體而言,例如層壓Mo(鉬)即可。形狀沒有特別限定,作為太陽能電池,根據(jù)需要的形狀層壓成任意的形狀即可。為了提高發(fā)電效率,對于上述光吸收層15而言,要求有效地吸收光、不使激發(fā)的電子空穴對再結(jié)合并多少取出到外部的功能,使用光吸收系數(shù)大的物質(zhì)在得到高的發(fā)電效率的方面是重要的。作為所述的光吸收層15,使用非晶硅或納米結(jié)晶Si的Si系薄膜、或由各種化合物構(gòu)成的薄膜?;衔锏姆N類沒有限定,可以使用CDS/CdTe、CIS(Cu-In-Se), CIGS (Cu-In-Ga-Se), SiGe, CdSe, GaAs, GaN, InP等。由這些化合物構(gòu)成的薄膜可以利用燒結(jié)、化學析出、濺射、接近升華法、多元蒸鍍法、硒化法等形成。由CDS/CdTe構(gòu)成的薄膜為在基板(具有絕緣層的鋁基板)上依次形成有CdS膜、 CdTe膜的層壓薄膜,根據(jù)CdS膜的厚度分成2種,有(a) 20 μ m左右的膜、(b)為0. 1 μ m以下、在與基板之間形成透明導電膜的膜。在(a)的結(jié)構(gòu)中,在基板上依次涂敷CdS漿料、CdTe 漿料,在600°C下進行燒結(jié)。在(b)的結(jié)構(gòu)中,利用化學析出或濺射等形成CdS膜,利用接近升華法形成CdTe膜。另外,CIS或CIGS薄膜使用化合物半導體,具有相對于長期間的使用的穩(wěn)定性高的特征。這些化合物薄膜的膜厚例如為0. 1 4μπι,通過涂敷化合物漿料并在350°C 550 下燒結(jié)來形成。層壓使用通常用于太陽能電池的制造的方法即可,例如使用蒸鍍法或硒化法等即可。材料可列舉以I b族元素和IIIb族元素和VI族元素為主要的構(gòu)成要素、具有黃銅礦結(jié)構(gòu)的化合物半導體材料等。例如,將含有Cu(銅)和選自中的至少1種元素和選自Se(硒)及S(硫)中的至少1種元素的P型半導體層作為光吸收層進行層壓即可。更具體而言,將例如CdI^e2或Cu (In, Ga) Se2或者%的一部分用S取代了的化合物半導體進行層壓即可。由于用這種制造方法可得到CIS或CIGS的太陽能電池,因此,可以制造變換效率更優(yōu)異的太陽能電池。在該工序中也進行摻雜Si,該情況在層的一部分區(qū)域摻雜Si即可。例如,可以以所含的ai的濃度在層的膜厚方向從背面電極層14側(cè)為高濃度的方式(以具有濃度梯度的方式)摻雜&1。其中,優(yōu)選在與背面電極層14相反側(cè)的附近摻雜Si。利用這種制造方法, 可以利用變換效率等特性制造更優(yōu)異的太陽能電池。需要說明的是,所謂與背面電極層14 相反側(cè)的附近,是指從相反側(cè)的面例如3nm 30nm左右的范圍。摻雜距離不需要在全域中為一定,可以部分地有偏差。摻雜的的量沒有特別限定,例如,的摻雜量為l(at%) 15(at%)左右的范圍即可。摻雜Si的方法沒有特別限定。例如,對進行離子照射即可。 此時,通過控制照射的Si離子的能量等,可以控制摻雜距離或摻雜量。此外,通過與含有Si 的溶液接觸,也可以摻雜&1。此時,通過控制含有Si的溶液的濃度或與上述溶液接觸的時間等,可以控制ai的摻雜距離或摻雜量。另外,用這種制造方法可以更均勻地摻雜ai。另外,可以進一步縮小摻雜距離??梢岳媒n的方法簡便地摻雜&1,因此,可以設(shè)定為制造成本優(yōu)異的制造方法。含有ai的溶液沒有特別限定,例如為含有ai離子的溶液即可。具體而言,例如為選自ai的硫酸化物(硫酸鋅)、氯化物(氯化鋅)、碘化物(碘化鋅)、溴化物(溴化鋅)、硝酸化物(硝酸鋅)及醋酸化物(醋酸鋅)中的至少ι種化合物的水溶液即可。上述水溶液的濃度沒有特別限定。例如,上述水溶液中的Si離子的濃度為0. Olmol/ L 0.03mol/L的范圍即可。可以在上述濃度范圍內(nèi)形成更良好的Si摻雜層。需要說明的是,浸漬于含有ai的溶液的時間沒有特別限定,根據(jù)需要的摻雜距離(或者需要的ai摻雜層的厚度)任意地設(shè)定即可。而且,優(yōu)選在上述層上通過濺射以0. 05 4μπι的厚度生成ZnMgO膜。緩沖層16的材料為SiO/CdS的層壓,總計厚度為0. 05 4 μ m。層壓采用通常用于太陽能電池的制造的方法、例如蒸鍍法或濺射法即可。透明電極層17的材料為摻雜有Al的ZnO或ITO (銦錫氧化物),厚度為0. 1 0.3μπι。層壓采用通常用于太陽能電池的制造的方法、例如濺射法即可。例如,層壓具有透光性的導電材料即可。具體而言,層壓例如銦錫氧化物(ITO)或ZnO或者這些材料的層壓膜即可。取出電極18、19的材料為Al/Ni等。形成取出電極時,取出電極的材料沒有特別限定,為通常用于太陽能電池的材料即可。例如,配置NiCr、Ag、Au、Al等而形成取出電極即可。形成采用通常使用的方法即可。需要說明的是,本發(fā)明的鋁合金板不僅用于CIGS或CIS系的太陽能電池的基板, 而且即使用單晶硅太陽能電池、多晶硅太陽能電池、薄膜硅太陽能電池、HIT太陽能電池、
14CDTe太陽能電池、多接合太陽能電池、宇宙用太陽能電池、色素敏感太陽能電池、有機薄膜太陽能電池、利用有半導體的量子點的太陽能電池等基板,也發(fā)揮與本發(fā)明的目的相同的效果。實施例下面,利用實施例、比較例對本發(fā)明進行說明,但本發(fā)明并不限定于這些具體例。(鋁合金板的制造例)準備鋁純度99. 9、99. 96、99. 93質(zhì)量%的鋁錠,使用由其中添加Cu并調(diào)整了銅濃度的表1所示的鋁合金成分構(gòu)成的鋁軋制板,依次進行以下的處理。A1-3使用鋁純度 99. 93%的錠,A1-4使用鋁純度99. 96%的錠。Al_l、2、5、6、7、8使用鋁純度99. 99%的鋁錠。A1-9U0再現(xiàn)專利文獻1所述的組成。Al-ll、12、13分別再現(xiàn)JIS3004材料、6015材料、1050材料組成。Al-I 7用于本發(fā)明的實施例,A1-8 13用于比較例。鋁調(diào)制成各組成,進行脫氣處理、過濾的金屬熔液處理,用DC鑄造法制作平板。在兩面進行面削各10mm,在450°C下實施均熱處理10小時,其后進行熱軋、冷軋,精加工成厚度0. 3111111,在下進行5小時的最終退火。鋁合金板的表面通過將冷軋輥的粗糙度設(shè)定為Ra = 0. 07 μ m以下而精加工成Ra =低于0. 05 μ m的粗糙度。表1表示用于比較例的鋁的組成。此外,在將表1的A1-4的組成的鋁錠進行冷軋后,將表4和表5所示的條件分別以表6的組合進行均熱處理及退火處理,制造鋁合金板實施例1-8 1-12。其中,實施例 1-12如表5所示,將最終板厚設(shè)定為1. 5mm。[表1]
權(quán)利要求
1.一種絕緣性基板用鋁合金板,其含有銅0. 6 3. 0質(zhì)量%,余量由鋁及其它元素構(gòu)成,包含除鋁和銅以外的不可避免雜質(zhì)的其它元素為0. 1質(zhì)量%以下。
2.一種太陽能電池用絕緣基板用鋁合金板,其含有銅0. 6 3. 0質(zhì)量%,余量由鋁及其它元素構(gòu)成,包含除鋁和銅以外的不可避免雜質(zhì)的其它元素為0. 1質(zhì)量%以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鋁合金板,其中,所述鋁合金板為帶狀,可以連續(xù)地卷成卷筒狀。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鋁合金板,其中,所述鋁合金板為帶狀,可以連續(xù)地卷成卷筒狀。
5.一種權(quán)利要求1所述的鋁合金板的制造方法,其中,將具有如下組成的鋁合金熔制, 進行鑄造、熱軋、冷軋,所述組成為含有銅0. 6 3. 0質(zhì)量%、余量由鋁及其它元素構(gòu)成,包含除鋁和銅以外的不可避免雜質(zhì)的其它元素為0. 1質(zhì)量%以下。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的鋁合金板的制造方法,其中,在所述冷軋的過程中或冷軋后進行熱處理。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的鋁合金板的制造方法,其中,在所述冷軋結(jié)束后進行所述熱處理。
全文摘要
本發(fā)明提供一種具有優(yōu)異的絕緣性能和耐電壓性、耐高溫強度優(yōu)異的鋁合金板、制造其的方法。一種絕緣性基板用鋁合金板,其含有銅0.6~3.0質(zhì)量%,余量由鋁及其它元素構(gòu)成,包含除鋁和銅以外的不可避免雜質(zhì)的其它元素為0.1質(zhì)量%以下。
文檔編號C22C21/12GK102168215SQ20111004704
公開日2011年8月31日 申請日期2011年2月24日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月26日
發(fā)明者上杉彰男, 日比野淳, 本居徹也, 澤田宏和 申請人:住友輕金屬工業(yè)株式會社, 富士膠片株式會社