專利名稱：電子裝置外殼及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種電子裝置外殼及其制造方法。
背景技術：
為了使電子產品較久地保持其原有的外觀，通常要求其表面具有較好的耐磨性及耐腐蝕性。真空鍍膜(PVD)技術是一種較為環(huán)保的技術，通常通過PVD工藝沉積出的膜層具有特殊的金屬質感，外觀效果較佳，同時具有較好的耐腐蝕性能，因此，在電子產品外殼上
進行真空鍍膜被廣泛研究。但是，由于通過PVD工藝沉積出的膜通常由柱狀晶組成，而柱狀晶之間存在較大的間隙，使膜層的耐腐蝕性能受到限制。另一方面，現有的通過真空鍍膜制備于電子裝置外殼上膜層一般是難熔化合物形成的陶瓷膜，這些膜層由于硬度、熔點太高，對其進行進一步的熱加工或機械加工比較困難，因此，難以在膜層自身上形成裝飾性的圖紋。

發(fā)明內容
有鑒于此，本發(fā)明提供一種具有較佳的外觀質感，且耐磨性、耐腐蝕性能較好的電子裝置外殼。另外，本發(fā)明還提供一種上述電子裝置外殼的制造方法。一種電子裝置外殼，包括金屬基體及形成于該金屬基體上非晶合金薄膜，該非晶合金薄膜由具有IOK以上的過冷液相溫度區(qū)間的非晶合金構成，該非晶合金薄膜表面形成有立體圖紋。一種電子裝置外殼的制造方法，包括以下步驟
提供金屬基體，并對金屬基體進行脫脂除油清洗；
以具有IOK以上的過冷液相溫度區(qū)間的金屬合金為靶材，對金屬基體進行真空鍍膜處理，以在金屬基體表面形成非晶合金薄膜；
用具有凹凸圖紋表面的模具對非晶合金薄膜進行熱壓處理，以在非晶合金薄膜上形成立體圖紋。本發(fā)明電子裝置外殼通過選用具有較大過冷液相溫度區(qū)間的金屬合金為靶材，通過真空鍍膜方法在金屬基體表面形成非晶合金薄膜；再通過具有圖紋表面的模具對該非晶合金薄膜上進行熱壓形成圖紋，使該電子裝置外殼既具有金屬的外觀，又具有立體圖紋裝飾效果及紋路觸感。而且，由于非晶合金薄膜由具有高強度、高耐磨性以及耐腐蝕性能的非晶合金成分構成，使該電子裝置外殼能夠較長時間保持其原有的外觀效果不被破壞。


圖I為本發(fā)明較佳實施例的電子裝置外殼的剖視示意圖。圖2為本發(fā)明較佳實施例的電子裝置外殼制造方法的流程圖。
圖3為本發(fā)明較佳實施例的電子裝置外殼制造方法中所用真空鍍膜設備的示意圖。主要元件符號說明
權利要求
1.一種電子裝置外殼，包括金屬基體，其特征在于該電子裝置外殼還包括形成于該金屬基體上非晶合金薄膜，該非晶合金薄膜由具有IOK以上的過冷液相溫度區(qū)間的非晶合金構成，該非晶合金薄膜表面形成有立體圖紋。
2.如權利要求I所述的電子裝置外殼，其特征在于所述非晶合金為Zr基非晶合金、Cu基非晶合金及Ti基非晶合金中的ー種。
3.如權利要求2所述的電子裝置外殼，其特征在干所述Zr基非晶合金為Zr54%~65%Alio%~2o%Co18%~28% Ζγ50%~70%Α1 m~i2%Niio%~2o%Cu1Q%~2Q%非日日合金；所述Cu基非日日合金為CU5o%^65%^r40%^45%A J- 3%^5% Λ し1158%~65%な28%~32% ^CU58%^65%h-t23%^27%Tj-8%^12% 非晶合金中ー種；所述Ti基非晶合金為Ti5cw Ni 15%~20%CU24%~33%SH2%~6% 非日日合金。
4.如權利要求所述的電子裝置外殼，其特征在于所述圖紋為凸出或凹陷于該非晶合金薄膜表面的圖案、線條或者紋路。
5.如權利要求I所述的電子裝置外殼，其特征在于所述圖紋通過用模具對非晶合金薄膜進行熱壓形成。
6.一種電子裝置外殼的制造方法，包括以下步驟 提供金屬基體，并對金屬基體進行脫脂除油清洗； 以具有IOK以上的過冷液相溫度區(qū)間的金屬合金為靶材，對金屬基體進行真空鍍膜處理，以在金屬基體表面形成非晶合金薄膜； 用具有凹凸圖紋表面的模具對非晶合金薄膜進行熱壓處理，以在非晶合金薄膜上形成立體圖紋。
7.如權利要求6所述的電子裝置外殼的制造方法，其特征在于所述金屬合金為Zr基合金、Cu基合金及Ti基合金中的ー種。
8.如權利要求7所述的電子裝置外殼的制造方法，其特征在干所述Zr基合金為 Zr54%~65%Al10%~20%Co18%~28% 或 Zr50%~70%Al 18%~12%Ni10%~20%Culost~20% ；所述 Cu 基合金為CU5o%~65%^r40%~45%A 丄 3%~5%、しリ58%~65%ムで28%~32% ^18%~12% 及 Cu58sr65stHf23sr27stTi8sri2st 中的ー種；所述 Ti 基合為 I'150%Nl 15%~20%^24%~33%'5η2%~6%。
9.如權利要求6所述的電子裝置外殼的制造方法，其特征在于所述真空鍍膜處理的方法為磁控濺射或電弧離子鍍。
10.如權利要求9所述的電子裝置外殼的制造方法，其特征在于所述磁控濺射是在如下參數條件下進行真空室內本底真空度為6X10_3 8X10_3Pa，真空室溫度為10(Tl8(TC，轉架公轉轉速為3 12轉/分鐘，靶材功率為6 12kw，氬氣流量為10(T300sccm，金屬基體施加偏壓為-5(T-200V，濺射時間為20 40分鐘。
11.如權利要求6所述的電子裝置外殼的制造方法，其特征在于所述熱壓處理是將形成有非晶合金薄膜的金屬基體加熱至該非晶合金薄膜的玻璃轉化溫度點Tg以上、起始晶化溫度點Tx以下，再用具有凹凸圖紋表面的模具壓在非晶合金薄膜表面，以在非晶合金薄膜上形成所述圖紋。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電子裝置外殼，包括金屬基體及形成于該金屬基體上非晶合金薄膜，該非晶合金薄膜由具有10K以上的過冷液相溫度區(qū)間的非晶合金構成，該非晶合金薄膜表面形成有立體圖紋。本發(fā)明還提供一種上述電子裝置外殼的制造方法，該方法主要包括以具有10K以上的過冷液相溫度區(qū)間的金屬合金為靶材，對金屬基體進行真空鍍膜處理，以在金屬基體表面形成非晶合金薄膜；用具有凹凸圖紋表面的模具對非晶合金薄膜進行熱壓處理，以在非晶合金薄膜上形成立體圖紋。
文檔編號C23C14/35GK102686074SQ20111005473
公開日2012年9月19日 申請日期2011年3月8日 優(yōu)先權日2011年3月8日
發(fā)明者張新倍, 林順茂, 蔣煥梧, 陳文榮, 陳正士 申請人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司