專利名稱：高功函數(shù)導(dǎo)電膜及其制備方法、有機(jī)電致發(fā)光器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光電材料領(lǐng)域，尤其涉及一種三文治層狀結(jié)構(gòu)的高功函數(shù)導(dǎo)電膜及其制備方法。本發(fā)明還涉及一種使用該高功函數(shù)導(dǎo)電膜的有機(jī)電致發(fā)光器件。
背景技術(shù)：
基于能源和資料日益短缺的國(guó)際性問(wèn)題，太陽(yáng)能電池，LED，TFT, IXD及觸摸屏等屏幕顯示等高效節(jié)能的研究課題已經(jīng)成為了國(guó)內(nèi)外研究的熱點(diǎn)。其中，制備性能優(yōu)異的陽(yáng)極透明導(dǎo)電薄膜是器件性能好壞的首要環(huán)節(jié)。雖然ITO薄膜是目前綜合光電性能優(yōu)異、應(yīng)用最為廣泛的一種透明導(dǎo)電薄膜材料，但是銦有毒，價(jià)格昂貴，穩(wěn)定性差，在氫等離子體氣氛中容易被還原等問(wèn)題，人們力圖尋找一種價(jià)格低廉且性能優(yōu)異的ITO替換材料。對(duì)于電致發(fā)光器件，電極的功函數(shù)影響兩極注入的電子與空穴的平衡。提高載流 子的平衡是一種有效優(yōu)化器件性能的手段。目前，很多研究都致力于改善電極功函數(shù)來(lái)改善有機(jī)電致發(fā)光器件性能。有機(jī)電致發(fā)光器件中陽(yáng)極盡量選用功函數(shù)高的材料，有利于空穴的注入，對(duì)提高器件性能有很大的幫助。相對(duì)于ITO的功函數(shù)4. 7eV，Zn2SnO4錫酸鋅(ZTO)具有更高的功函數(shù)(5. I 5. 4eV)，更有利于制作OLED等器件。但是，眾多文獻(xiàn)報(bào)道表明，ZTO的電阻率較高( 10_2Ω ·_左右)，離應(yīng)用的要求還有一定的距離(ΙΤ0的電阻率為 10_4Ω 通過(guò)Ga元素的摻雜，制備成GZTO薄膜，可以極大限度地降低電阻，但是這也需要嚴(yán)格控制制備工藝，在生產(chǎn)中有很大的限制。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的在于提供一種高功函數(shù)、低電阻率，且高光透過(guò)率的高功函數(shù)導(dǎo)電膜。一種高功函數(shù)導(dǎo)電膜，其為三文治層狀結(jié)構(gòu)，該三文治層狀結(jié)構(gòu)依次為GZTO-Au-GZTO,即鎵錫酸鋅-金-鎵錫酸鋅；其中，GZTO-Au-GZTO中，首層GZTO (鎵錫酸鋅，下同)膜層的厚度為20 120nm,優(yōu)選50nm ；Au膜層厚度為3 20nm,優(yōu)選IOnm ;第二層GZTO膜層的厚度30 150nm，優(yōu)選80nm。上述高功函數(shù)導(dǎo)電膜的制備方法，其步驟如下(I)、祀材的制備將ZnO> SnO2和Ga2O3原料混合、研磨后于900 1300°C燒結(jié)成GZTO靶材；其中，Ga2O3占總量的O. 5 5% (質(zhì)量百分比)，余量為ZnO和SnO2，且ZnO和SnO2質(zhì)量百分比為52 48 ;優(yōu)選，Ga2O3的質(zhì)量百分比為4%、ZnO的質(zhì)量百分比為46. 8%和SnO2的質(zhì)量百分比為43. 2%,GZTO靶材的燒結(jié)溫度1200°C ；Au靶材采用購(gòu)買方式獲得，純度為 99. 999% ;ZnO、SnO2 和 Ga2O3 的純度均為 99. 999% ；(2)、將步驟(I)中的GZTO靶材、Au靶材和襯底(如，石英片，單晶硅片或藍(lán)寶石等)裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體，并用機(jī)械泵和分子泵把真空腔體的真空度抽至
I.OX KT3Pa LOXKT2Pa 以上，優(yōu)選 6. O X KT4Pa ；(3)、調(diào)整磁控濺射鍍膜工藝參數(shù)為磁控濺射工作壓強(qiáng)O. 2 2. OPa,氬氣的工作氣體流量15 35sccm，GZTO靶材的濺射功率為60 160W，以及Au靶材的濺射功率為30 IOOW ;接著根據(jù)確定的溝工藝參數(shù)進(jìn)行鍍膜處理，且在所述襯底上不斷交替濺射GZTO層和Au層，制得GZTO-Au-GZTO三文治結(jié)構(gòu)的高功函數(shù)導(dǎo)電膜；其中，該GZTO-Au-GZTO導(dǎo)電膜中首層GZTO為20 120nm，優(yōu)選50nm ；Au層為3 20nm，優(yōu)選IOnm ;第二層GZTO為30 150nm,優(yōu)選 80nm。上述高功函數(shù)導(dǎo)電膜的方法制備工藝中，優(yōu)選磁控濺射GZTO工藝參數(shù)濺射功率100W,工作壓強(qiáng)I. OPa,以及氬氣工作氣體的流量20SCCm ;優(yōu)選磁控濺射Au工藝參數(shù)灘射功率60W，工作壓強(qiáng)I. OPa,以及氬氣工作氣體的流量20sCCm ；本發(fā)明還提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括襯底，在襯底表面制備有GZTO-Au-GZTO三文治結(jié)構(gòu)的高功函數(shù)導(dǎo)電膜，在導(dǎo)電膜表面制備有功能層，在功能層表面制備有陰極層；其中，功能層為復(fù)合層，該復(fù)合層依次為空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層；陰極層為Ag層。本發(fā)明制備的GZTO-Au-GZTO三文治結(jié)構(gòu)的高功函數(shù)導(dǎo)電膜，是在不增加襯底升 溫的條件下，該導(dǎo)電膜有著較低的方塊電阻(10 Ω / □)，高達(dá)98%的可見(jiàn)光透過(guò)率以及表面功函數(shù)高達(dá)5. 3eV，其性能已經(jīng)可以與已經(jīng)商品化的ITO薄膜的性能相媲美。


圖I為本發(fā)明GZTO-Au-GZTO高功函數(shù)導(dǎo)電膜的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明GZTO-Au-GZTO導(dǎo)電膜制備方法的工藝流程圖；圖3是本發(fā)明GZTO-Au-GZTO導(dǎo)電膜中，不同Au層厚度的方塊電阻的變化曲線圖；電阻率的測(cè)試是由四探針電阻測(cè)試儀，測(cè)出薄膜的方塊電阻，乘以薄膜的厚度得到的電阻率；圖4是本發(fā)明的GZTO-Au-GZTO導(dǎo)電膜樣品，不同Ga2O3含量下薄膜的表面功函數(shù)變化曲線；圖5是實(shí)施例I得到GZTO-Au-GZTO導(dǎo)電膜的透射光譜；圖6是有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明于提供的一種高功函數(shù)導(dǎo)電膜，如圖I所示，其為三文治層狀結(jié)構(gòu)，該三文治層狀結(jié)構(gòu)依次為GZT011-Aul2-GZT013 ;其中，GZT0-Au-GZT0中，首層GZTO膜層的厚度為20 120nm，優(yōu)選50nm ；Au膜層厚度為3 20nm，優(yōu)選IOnm ;第二層GZTO膜層的厚度30 150nm,優(yōu)選 80nm。上述高功函數(shù)導(dǎo)電膜的制備方法，如圖2所示，包括如下步驟SI，靶材的制備將ZnO、SnO2和Ga2O3原料混合、研磨后于900 1300°C燒結(jié)成GZTO靶材；其中，Ga2O3占總量的0.5 5% (質(zhì)量百分比)，余量為ZnO和SnO2，且ZnO和SnO2質(zhì)量百分比為52 48 ;優(yōu)選，4%、Ζη0的質(zhì)量百分比為46. 8%和SnOdA質(zhì)量百分比為43. 2%, GZTO靶材的燒結(jié)溫度1200°C ;Au靶材采用購(gòu)買方式獲得，純度為99. 999% ;Ζη0、SnO2和Ga2O3的純度均為99. 999% ；S2，將步驟SI中的GZTO靶材、Au靶材和襯底(如，石英片，單晶硅片或藍(lán)寶石等)裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體，并用機(jī)械泵和分子泵把真空腔體的真空度抽至I.OX KT3Pa LOXKT2Pa 以上，優(yōu)選 6· O X KT4Pa ；S3，調(diào)整磁控濺射鍍膜工藝參數(shù)為磁控濺射工作壓強(qiáng)O. 2 2. OPa,氬氣的工作氣體流量15 35sccm，GZT0靶材的濺射功率為60 160W，以及Au靶材的濺射功率為30 IOOff ;接著根據(jù)確定的溝工藝參數(shù)進(jìn)行鍍膜處理，且在所述襯底上不斷交替濺射GZTO層和Au層，制得GZTO-Au-GZTO三文治結(jié)構(gòu)的高功函數(shù)導(dǎo)電膜；其中，該GZTO-Au-GZTO導(dǎo)電膜中首層GZTO為20 120nm，優(yōu)選50 nm ；Au層為3 20nm，優(yōu)選IOnm ;第二層GZTO為30 150nm,優(yōu)選 80nm。其中，步驟S3中，優(yōu)選磁控濺射GZTO工藝參數(shù)濺射功率100W，工作壓強(qiáng)I. OPa,以及氬氣工作氣體的流量20SCCm ;優(yōu)選磁控濺射Au工藝參數(shù)濺射功率60W，工作壓強(qiáng)
I.OPa,以及氬氣工作氣體的流量20sccm。本發(fā)明還提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件，如圖6所示，包括襯底10，在襯底10表面制備有GZT011-Aul2-GZT013三文治結(jié)構(gòu)的高功函數(shù)導(dǎo)電膜，在導(dǎo)電膜表面制備有功能層14，在功能層表面制備有陰極層15;其中，功能層為復(fù)合層，該復(fù)合層依次為空穴注入層，空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層；陰極層為Ag層。本發(fā)明制備的GZTO-Au-GZTO三文治結(jié)構(gòu)的高功函數(shù)導(dǎo)電膜，是在不增加襯底升溫的條件下，該導(dǎo)電膜有著較低的方塊電阻(10Ω/ □)、較高的可見(jiàn)光平均透過(guò)率90% )以及表面功函數(shù)高達(dá)5. 3eV，其性能已經(jīng)可以與已經(jīng)商品化的ITO薄膜的性能相媲美。圖3是本發(fā)明GZTO-Au-GZTO導(dǎo)電膜中，不同Au層厚度的方塊電阻的變化曲線和透過(guò)率變化曲線圖；附圖3中，曲線I為方塊電阻變化，由四探針電阻測(cè)試儀測(cè)得；曲線2為可見(jiàn)光透過(guò)率變化，由紫外可見(jiàn)分光光度計(jì)測(cè)得透射光譜，再選取490 770nm波長(zhǎng)的透過(guò)率求平均值。圖4為GZTO-Au-GZTO導(dǎo)電膜中，不同Ga2O3含量的表面功函數(shù)的變化曲線，由表面功函數(shù)儀測(cè)試所得。下面結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明的較佳實(shí)施例作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。實(shí)施例I選用純度為99. 99%的ZnO、SnO2、Ga2O3粉體(其中，ZnO、Sn02、Ga2O3的質(zhì)量百分比分別為50. 96%,47. 04%,2% )，分別經(jīng)過(guò)均勻混合后，于1200°C燒結(jié)成Φ50X2mm的GZTO靶材，并將GZTO靶材和Au靶材(從北京合縱科技股份有限公司購(gòu)得，純度為99. 999% )裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無(wú)水乙醇和去離子水超聲清洗石英片襯底，并用高純氮?dú)獯蹈桑湃氪趴貫R射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)。把GZTO靶材和Au靶材的中心連線到襯底的距離設(shè)定為50mm。用機(jī)械泵和分子泵把腔體的真空度抽到6. OX 10_4Pa，通入工作氣體流量為20SCCm的氬氣，壓強(qiáng)調(diào)整為I. OPa,隨后開(kāi)始鍍膜，且GZTO靶材的濺射功率設(shè)定為100W，Au靶材的功率設(shè)定為60W，鍍膜沉積，得到膜層厚度分別為50，10,80nm的GZT0-Au-GZT0導(dǎo)電膜，該GZT0-Au-GZT0導(dǎo)電膜的方塊電阻為10Ω/ 口，表面功函數(shù)為5. 2eV0圖5是本實(shí)施例I得到GZTO-Au-GZTO導(dǎo)電膜的透射光譜，由紫外可見(jiàn)分光光度計(jì)測(cè)得，波長(zhǎng)范圍280 800nm。實(shí)施例2選用純度為99. 99%的ZnO、SnO2, Ga2O3粉體(其中，ZnO、SnO2, Ga2O3的質(zhì)量百分比分別為51 %、47 %、2 % )，分別經(jīng)過(guò)均勻混合后，于900 °C燒結(jié)成Φ 50 X 2mm的GZTO靶材，并將GZTO靶材和Au靶材(從北京合縱科技股份有限公司購(gòu)得，純度為99. 999% )裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無(wú)水乙醇和去離子水超聲清洗單晶硅片襯底，并用高純氮?dú)獯蹈桑湃氪趴貫R射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)。把GZTO靶材和Au靶材的中心連線到襯底的距離設(shè)定為50mm。用機(jī)械泵和分子泵把腔體的真空度抽到I. OX 10_3Pa，通入工作氣體流量為15SCCm的氬氣，壓強(qiáng)調(diào)整為2. OPa,隨后開(kāi)始鍍膜，且GZTO靶材的濺射功率設(shè)定為60W，Au靶材的功率設(shè)定為100W，鍍膜沉積，得到膜層厚度分別為90，3，150nm的GZTO-Au-GZTO導(dǎo)電膜，該GZTO-Au-GZTO導(dǎo)電膜的方塊電阻為520 Ω / □，表面功函數(shù)為
4.9eV0實(shí)施例3選用純度為99. 99%的ZnO、SnO2、Ga2O3粉體(其中，ZnO、Sn02、Ga2O3的質(zhì)量百分比分別為49. 4%、45. 6%、5% )，分別經(jīng)過(guò)均勻混合后，于1300°C燒結(jié)成Φ50X 2mm的GZTO靶材，并將GZTO靶材和Au靶材(從北京合縱科技股份有限公司購(gòu)得，純度為99. 999% )裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無(wú)水乙醇和去離子水超聲清洗藍(lán)寶石襯底，并用高純氮?dú)獯蹈?，放入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)。把GZTO靶材和Au靶材的中心連線到襯底的距離設(shè)定為50mm。用機(jī)械泵和分子泵把腔體的真空度抽到I. OX 10_5Pa，通入工作氣體流量為35SCCm的氬氣，壓強(qiáng)調(diào)整為0. 2Pa，隨后開(kāi)始鍍膜，且GZTO靶材的濺射功率設(shè)定為160W，Au靶材的功率設(shè)定為30W，鍍膜沉積，得到膜層厚度分別為120，12，60nm的GZT0-Au-GZT0導(dǎo)電膜，該GZT0-Au-GZT0導(dǎo)電膜的方塊電阻為80 Ω /□，表面功函數(shù)為
5.IeV0實(shí)施例4選用純度為99. 99%的ZnO、SnO2, Ga2O3粉體(其中，ZnO、SnO2, Ga2O3的質(zhì)量百分比分別為51.74%、47. 76%,0. 5% )，分別經(jīng)過(guò)均勻混合后，于1000°C燒結(jié)成Φ50Χ2πιπι的GZTO靶材，并將GZTO靶材和Au靶材(從北京合縱科技股份有限公司購(gòu)得，純度為99. 999%)裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無(wú)水乙醇和去離子水超聲清洗石英片襯底，并用高純氮?dú)獯蹈?，放入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)。把GZTO靶材和Au靶材的中心連線到襯底的距離設(shè)定為50mm。用機(jī)械泵和分子泵把腔體的真空度抽到I. OX 10_4Pa，通入工作氣體流量為25SCCm的氬氣，壓強(qiáng)調(diào)整為I. 5Pa，隨后開(kāi)始鍍膜，且GZTO靶材的濺射功率設(shè)定為90W，Au靶材的功率設(shè)定為70W，鍍膜沉積，得到膜層厚度分別為20，20，30nm的GZT0-Au-GZT0導(dǎo)電膜，該GZT0-Au-GZT0導(dǎo)電膜的方塊電阻為10 Ω / 口，表面功函數(shù)為5. OeV0實(shí)施例5選用純度為99. 99%的ZnO、SnO2、Ga2O3粉體(其中，ZnO、Sn02、Ga2O3的質(zhì)量百分比分別為50. 44%,46. 56%,3% )，分別經(jīng)過(guò)均勻混合后，于1100°C燒結(jié)成Φ50X2mm的GZTO靶材，并將GZTO靶材和Au靶材(從北京合縱科技股份有限公司購(gòu)得，純度為99. 999% )裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無(wú)水乙醇和去離子水超聲清洗石英片襯底，并用高純氮?dú)獯蹈桑湃氪趴貫R射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)。把GZTO靶材和Au靶材的中心連線到襯底的距離設(shè)定為50mm。用機(jī)械泵和分子泵把腔體的真空度抽到8. OX 10_4Pa，通入工作氣體流量為30SCCm的氬氣，壓強(qiáng)調(diào)整為0. 9Pa，隨后開(kāi)始鍍膜，且GZTO靶材的濺射功率設(shè)定為120W，Au靶材的功率設(shè)定為50W，鍍膜沉積，得到膜層厚度分別為70，15，60nm的GZTO-Au-GZTO導(dǎo)電膜，該GZTO-Au-GZTO導(dǎo)電膜的方塊電阻為20 Ω / □，表面功函數(shù)為5. 2eV0下述實(shí)施例為GZTO-Au-GZTO三文治結(jié)構(gòu)的高功函數(shù)導(dǎo)電膜在有機(jī)電致發(fā)光器件中的應(yīng)用。實(shí)施例5一、制備GZTO-Au-GZTO三文治結(jié)構(gòu)的高功函數(shù)導(dǎo)電膜選用純度為99. 99%的ZnO、SnO2、Ga2O3粉體(其中，ZnO、Sn02、Ga2O3的質(zhì)量百分比分別為49. 92%,46. 08%,4% )，分別經(jīng)過(guò)均勻混合后，于1200°C燒結(jié)成Φ50X2mm的GZTO靶材，并將GZTO靶材和Au靶材(從北京合縱科技股份有限公司購(gòu)得，純度為99. 999% )裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無(wú)水乙醇和去離子水超聲清洗石英片襯底，并用高純氮?dú)獯蹈?，放入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi)。把GZTO靶材 和Au靶材的中心連線到襯底的距離設(shè)定為50mm。用機(jī)械泵和分子泵把腔體的真空度抽到6. OX 10_4Pa，通入工作氣體流量為20SCCm的氬氣，壓強(qiáng)調(diào)整為I. OPa,隨后開(kāi)始鍍膜，且GZTO靶材的濺射功率設(shè)定為100W，Au靶材的功率設(shè)定為60W，鍍膜沉積，得到膜層厚度分別為50，10,80nm的GZT0-Au-GZT0導(dǎo)電膜，該GZT0-Au-GZT0導(dǎo)電膜的方塊電阻為10Ω/ 口，表面功函數(shù)為5. 3eV0二、制備有機(jī)電致發(fā)光器件通過(guò)真空蒸鍍工藝，在GZTO-Au-GZTO三文治結(jié)構(gòu)的高功函數(shù)導(dǎo)電膜表面依次制備功能層，如，空穴注入層，空穴傳輸層，發(fā)光層，電子傳輸層，電子注入層，以及Ag陰極層，得到有機(jī)電致發(fā)光器件。應(yīng)當(dāng)理解的是，上述針對(duì)本發(fā)明較佳實(shí)施例的表述較為詳細(xì)，并不能因此而認(rèn)為是對(duì)本發(fā)明專利保護(hù)范圍的限制，本發(fā)明的專利保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種高功函數(shù)導(dǎo)電膜，其特征在于，該導(dǎo)電膜為三文治層狀結(jié)構(gòu)，該三文治層狀結(jié)構(gòu)依次為 GZTO-AU-GZTO。
2.一種高功函數(shù)導(dǎo)電膜的制備方法，其特征在于，包括如下步驟 步驟SI，將ZnO、SnO2和Ga2O3原料混合、研磨后于900 1300°C燒結(jié)成GZTO靶材；其中，Ga2O3占總量的O. 5 5% (質(zhì)量百分比)，余量為ZnO和SnO2，且ZnO和SnO2質(zhì)量百分比為52 48 ； 步驟S2，將步驟SI中得到的GZTO靶材、Au靶材以及襯底裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體，并將真空腔體的真空度設(shè)置在I. OX 10_3Pa I. OX 10_5Pa之間； 步驟S3，調(diào)整磁控濺射鍍膜工藝參數(shù)為磁控濺射工作壓強(qiáng)O. 2 2. OPa，氬氣工作氣體的流量15 35sccm，GZT0靶材的濺射功率為60 160W，以及Au靶材的濺射功率為30 IOOff ;接著根據(jù)確定的溝工藝參數(shù)進(jìn)行鍍膜處理，且在所述襯底上不斷交替濺射GZTO層和Au層，最后在所述襯底上制得GZTO-Au-GZTO三文治結(jié)構(gòu)的所述高功函數(shù)導(dǎo)電膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述步驟SI中，Ga2O3的質(zhì)量百分比為4%、ZnO的質(zhì)量百分比為46. 8%和SnO2的質(zhì)量百分比為43. 2%;所述GZTO靶材的燒結(jié)溫度為1200°C。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S2中，真空腔體的真空度設(shè)置在 6.0X10_4Pa。
5.根據(jù)權(quán)利要求2或4所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S2中，襯底裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的腔體之前包括如下步驟將襯底先后用丙酮、無(wú)水乙醇和去離子水超聲清洗，然后用高純氮?dú)獯蹈伞?br> 6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S3中，磁控濺射工作壓強(qiáng)為I.OPa ;工作氣體流量為20SCCm ；GZT0靶材的濺射功率為100W ；Au靶材的濺射功率為60W。
7.根據(jù)權(quán)利要求2或6所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S3中，所述GZTO-Au-GZTO中，首層GZTO膜層的厚度為20 120nm，Au膜層厚度為3 20nm，第二層GZTO膜層的厚度30 150nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S3中，所述GZTO-Au-GZTO中，首層GZTO膜層的厚度為50nm，Au膜層厚度為10nm，第二層GZTO膜層的厚度80nm。
9.一種有機(jī)電致發(fā)光器件,其特征在于,該器件包括襯底，在所述襯底表面制備有權(quán)利要求I所述的高功函數(shù)導(dǎo)電膜，在所述導(dǎo)電膜表面制備有功能層，在功能層表面制備有陰極層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述功能層為復(fù)合層，該復(fù)合層依次為空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層；所述陰極層為Ag層。
全文摘要
本發(fā)明屬于發(fā)光材料領(lǐng)域，其公開(kāi)了一種高功函數(shù)導(dǎo)電膜及其制備方法、有機(jī)電致發(fā)光器件；該導(dǎo)電膜包括為三文治層狀結(jié)構(gòu)，該三文治層狀結(jié)構(gòu)依次為GZTO-Au-GZTO。本發(fā)明制備的GZTO-Au-GZTO三文治結(jié)構(gòu)的高功函數(shù)導(dǎo)電膜，是在不增加襯底升溫的條件下，該導(dǎo)電膜有著較低的方塊電阻(10Ω/□)，高達(dá)98％的可見(jiàn)光透過(guò)率以及表面功函數(shù)高達(dá)5.3eV，其性能已經(jīng)可以與已經(jīng)商品化的ITO薄膜的性能相媲美。
文檔編號(hào)C23C14/06GK102719787SQ20111007711
公開(kāi)日2012年10月10日 申請(qǐng)日期2011年3月29日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月29日
發(fā)明者周明杰, 王平, 陳吉星, 黃輝 申請(qǐng)人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司