專(zhuān)利名稱(chēng)：薄膜沉積裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種薄膜沉積裝置，特別涉及一種可以驅(qū)動(dòng)特定衛(wèi)星承載盤(pán)進(jìn)行自轉(zhuǎn)的薄膜沉積裝置。
背景技術(shù)：
薄膜沉積(Thin Film Deposition)可應(yīng)用于各種物品或組件，例如半導(dǎo)體組件等的表面處理；它是一種在各種材料例如金屬、超硬合金、陶瓷及圓片基板的表面上，成長(zhǎng)一個(gè)或多層同質(zhì)或異質(zhì)材料薄膜的工藝。依據(jù)沉積過(guò)程是否含有化學(xué)反應(yīng)，薄膜沉積可區(qū)分為物理氣相沉積Physical Vapor D印osition，簡(jiǎn)稱(chēng) PVD)及化學(xué)氣相沉積(Chemical Vapor D印osition，簡(jiǎn)稱(chēng) CVD)。隨著沉積技術(shù)及沉積參數(shù)差異，所沉積薄膜的結(jié)構(gòu)可能是“單晶”、“多晶”、或“非結(jié)晶”的結(jié)構(gòu)。單晶薄膜的沉積在集成電路工藝中特別重要，稱(chēng)為“外延”(epitaxy)。外延成長(zhǎng)的半導(dǎo)體薄膜的主要優(yōu)點(diǎn)是因?yàn)樵诔练e過(guò)程中可直接摻雜施體或受體，因此可精確控制薄膜中的“摻質(zhì)分布”(dopant profile)，并且不包含氧與碳等雜質(zhì)。金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(Metal-OrganicChemical Vapor D印osition，簡(jiǎn)稱(chēng) M0CVD)，其原理是利用承載氣體(carrier gas)攜帶氣相反應(yīng)物，或是前驅(qū)物進(jìn)入裝有圓片的腔體中，圓片下方的承載盤(pán)(sus^ptor)以特定加熱方式(例如高周波感應(yīng)或電阻) 加熱圓片及接近圓片的氣體使其溫度升高，而高溫會(huì)觸發(fā)單一個(gè)或是數(shù)種氣體間的化學(xué)反應(yīng)，使通常為氣態(tài)的反應(yīng)物被轉(zhuǎn)換為固態(tài)的生成物，并沉積在圓片表面上。當(dāng)以金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積方法形成各種組件，例如發(fā)光二極管時(shí)，組件的良率、 產(chǎn)率、質(zhì)量與工藝息息相關(guān)，而工藝的質(zhì)量取決于反應(yīng)腔體(reactor chamber)內(nèi)部氣體流場(chǎng)的穩(wěn)定性、溫度控制、氣體控制等等因素，其中各因素對(duì)于沉積物的均勻性(uniformity) 均有重大影響。承載盤(pán)(susceptor)是為轉(zhuǎn)動(dòng)設(shè)計(jì)以帶動(dòng)圓片旋轉(zhuǎn)，藉此提高圓片上方氣體濃度均勻性，得到一致的膜厚；通過(guò)旋轉(zhuǎn)圓片也可以提高受熱均勻性，得到較佳的薄膜質(zhì)量。 通常，基板旋轉(zhuǎn)裝置可以分為主承載盤(pán)(susc印tor)與衛(wèi)星承載盤(pán)(satellite wafer holder)，其中，衛(wèi)星承載盤(pán)是用以承載單一個(gè)或多個(gè)圓片并進(jìn)行自轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)(rotation)，而主承載盤(pán)用以承載單一個(gè)或多個(gè)衛(wèi)星承載盤(pán)并進(jìn)行公轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)(revolution)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，提供一種薄膜沉積裝置，其中第一驅(qū)動(dòng)模塊用以驅(qū)動(dòng)主承載盤(pán)轉(zhuǎn)動(dòng)，在主承載盤(pán)轉(zhuǎn)動(dòng)的過(guò)程中，第二驅(qū)動(dòng)模塊將會(huì)驅(qū)動(dòng)靠近反應(yīng)室的排氣口的一個(gè)或多個(gè)衛(wèi)星承載盤(pán)進(jìn)行自轉(zhuǎn)，而其余的衛(wèi)星承載盤(pán)則維持未自轉(zhuǎn)狀態(tài)，以避免影響反應(yīng)室的流場(chǎng)均勻性。本發(fā)明的又一目的，在于提供一種薄膜沉積裝置，其中反應(yīng)室包括有一進(jìn)氣口及一排氣口，工藝氣體由進(jìn)氣口導(dǎo)入反應(yīng)室并由排氣口導(dǎo)出。驅(qū)動(dòng)氣體入口的設(shè)置位置則較靠近反應(yīng)室的排氣口，在使用時(shí)可將驅(qū)動(dòng)氣體由驅(qū)動(dòng)氣體入口導(dǎo)入，并以導(dǎo)入的驅(qū)動(dòng)氣體吹動(dòng)衛(wèi)星承載盤(pán)轉(zhuǎn)動(dòng)，藉此可避免在將驅(qū)動(dòng)氣體導(dǎo)入驅(qū)動(dòng)氣體入口的過(guò)程中，對(duì)反應(yīng)室內(nèi)的工藝氣體的均勻度造成影響。本發(fā)明的又一目的，在于提供一種薄膜沉積裝置，其中第二驅(qū)動(dòng)模塊包括有一外殼體及一多層中空套筒，多層中空套筒設(shè)置于外殼體的內(nèi)部并連接主承載盤(pán)，且多層中空套筒可相對(duì)于外殼體進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)，以帶動(dòng)主承載盤(pán)進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)。在主承載盤(pán)轉(zhuǎn)動(dòng)的過(guò)程中，可導(dǎo)入驅(qū)動(dòng)氣體吹動(dòng)主承載盤(pán)上的衛(wèi)星承載盤(pán)進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)，藉此有利于提高反應(yīng)室內(nèi)的工藝氣體的均勻度。本發(fā)明的又一目的，在于提供一種薄膜沉積裝置，其中第二驅(qū)動(dòng)模塊包括有一外殼體及一多層中空套筒，且外殼體包覆在多層中空套筒外部。外殼體上設(shè)置有多個(gè)驅(qū)動(dòng)氣體入口，而多層中空套筒上則設(shè)置有多個(gè)連通口及多個(gè)氣體通道，其中連通口設(shè)置在多層中空套筒的表面，且各個(gè)連通口分別朝不同的方向。當(dāng)多層中空套筒相對(duì)于外殼體進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)，各個(gè)連通口將在不同的時(shí)間點(diǎn)與驅(qū)動(dòng)氣體入口重合，使得在同一個(gè)時(shí)間點(diǎn)上驅(qū)動(dòng)氣體將只會(huì)進(jìn)入單一個(gè)連通口，并進(jìn)一步吹動(dòng)單一個(gè)衛(wèi)星承載盤(pán)轉(zhuǎn)動(dòng)，藉此以維持反應(yīng)室內(nèi)的工藝氣體的均勻度。本發(fā)明的又一目的，在于提供一種薄膜沉積裝置，其中主承載盤(pán)上設(shè)置有多個(gè)獨(dú)立流道，各個(gè)流道分別連接單一氣體通道或單一衛(wèi)星承載盤(pán)，并使得驅(qū)動(dòng)氣體經(jīng)由氣體通道引導(dǎo)至衛(wèi)星承載盤(pán)，而后再經(jīng)由流道將通過(guò)衛(wèi)星承載盤(pán)的驅(qū)動(dòng)氣體導(dǎo)出。此外，驅(qū)動(dòng)氣體只用以驅(qū)動(dòng)靠近反應(yīng)室的排氣口的一個(gè)或多個(gè)衛(wèi)星承載盤(pán)進(jìn)行自轉(zhuǎn)，使得驅(qū)動(dòng)氣體將會(huì)經(jīng)由流道傳送至排氣口的鄰近區(qū)域，并直接由排氣口將驅(qū)動(dòng)氣體排出反應(yīng)室。本發(fā)明的一實(shí)施例提供一種薄膜沉積裝置，包括有一反應(yīng)室，包括有一個(gè)或多個(gè)進(jìn)氣口及一排氣口，工藝氣體是通過(guò)進(jìn)氣口導(dǎo)入而由排氣口導(dǎo)出；一主承載盤(pán)，位于反應(yīng)室內(nèi)部；一個(gè)或多個(gè)衛(wèi)星承載盤(pán)，設(shè)置于主承載盤(pán)上，每一衛(wèi)星承載盤(pán)用以承載一個(gè)或多個(gè)圓片；一第一驅(qū)動(dòng)模塊，用以直接或間接驅(qū)動(dòng)主承載盤(pán)進(jìn)行公轉(zhuǎn)；及至少一第二驅(qū)動(dòng)模塊，當(dāng)主承載盤(pán)進(jìn)行公轉(zhuǎn)時(shí)，第二驅(qū)動(dòng)模塊用以驅(qū)動(dòng)接近排氣口的一個(gè)或多個(gè)衛(wèi)星承載盤(pán)進(jìn)行自轉(zhuǎn)。本發(fā)明的一實(shí)施例提供一種薄膜沉積裝置，其特征在于，該第二驅(qū)動(dòng)模塊提供一驅(qū)動(dòng)氣體以驅(qū)動(dòng)衛(wèi)星承載盤(pán)進(jìn)行自轉(zhuǎn)。本發(fā)明的一實(shí)施例提供一種薄膜沉積裝置，其特征在于，當(dāng)該主承載盤(pán)進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)，該第二驅(qū)動(dòng)模塊提供該驅(qū)動(dòng)氣體以驅(qū)動(dòng)接近該排氣口的一個(gè)或多個(gè)該衛(wèi)星承載盤(pán)進(jìn)行自轉(zhuǎn)，其余的衛(wèi)星承載盤(pán)不提供該驅(qū)動(dòng)氣體，以維持該反應(yīng)室的流場(chǎng)均勻性。本發(fā)明的一實(shí)施例提供一種薄膜沉積裝置，其特征在于，該第二驅(qū)動(dòng)模塊包括一個(gè)或多個(gè)氣體通道，且該氣體通道的數(shù)量與該衛(wèi)星承載盤(pán)的數(shù)目相同，每一氣體通道對(duì)應(yīng)每一衛(wèi)星承載盤(pán)，當(dāng)該主承載盤(pán)進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)，該驅(qū)動(dòng)氣體進(jìn)入接近該排氣口的一個(gè)或多個(gè)氣體通道，以驅(qū)動(dòng)對(duì)應(yīng)的該衛(wèi)星承載盤(pán)進(jìn)行自轉(zhuǎn)。本發(fā)明的一實(shí)施例提供一種薄膜沉積裝置，其特征在于，該第二驅(qū)動(dòng)模塊還包括有一外殼體，該外殼體上設(shè)置有與該氣體通道數(shù)目相同的驅(qū)動(dòng)氣體入口，每一該驅(qū)動(dòng)氣體入口對(duì)應(yīng)每一該氣體通道；及一多層中空套筒，設(shè)置于該外殼體內(nèi)部，并包括有多個(gè)中空套筒以同心圓方式層層包覆，每層該中空套筒與其內(nèi)層該中空套筒之間的空隙形成該氣體通道，且每層該中空套筒具有對(duì)應(yīng)于該驅(qū)動(dòng)氣體入口的一連通口，其中，該多層中空套筒連接固定于該主承載盤(pán)，且通過(guò)該第一驅(qū)動(dòng)模塊驅(qū)動(dòng)而相對(duì)于該外殼體進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)。本發(fā)明的一實(shí)施例提供一種薄膜沉積裝置，其特征在于，該驅(qū)動(dòng)氣體在同一時(shí)間點(diǎn)只會(huì)由單一該驅(qū)動(dòng)氣體入口進(jìn)入單一該連通口，藉此驅(qū)動(dòng)單一衛(wèi)星承載盤(pán)轉(zhuǎn)動(dòng)。本發(fā)明的一實(shí)施例提供一種薄膜沉積裝置，其特征在于，每個(gè)該連通口具有不同尚度。本發(fā)明的一實(shí)施例提供一種薄膜沉積裝置，其特征在于，每個(gè)該連通口投影在一相同水平面上與該多層中空套筒的中心軸距離不同。本發(fā)明的一實(shí)施例提供一種薄膜沉積裝置，其特征在于，相鄰內(nèi)外層連通口投影在一相同水平面上與該多層中空套筒的中心軸的夾角小于180度。本發(fā)明的一實(shí)施例提供一種薄膜沉積裝置，其特征在于，該主承載盤(pán)具有多個(gè)獨(dú)立流道，每一流道連接單一氣體通道或單一衛(wèi)星承載盤(pán)。本發(fā)明的一實(shí)施例提供一種薄膜沉積裝置，其特征在于，每一該流道以切線方向連接每一衛(wèi)星承載盤(pán)。本發(fā)明的一實(shí)施例提供一種薄膜沉積裝置，其特征在于，該主承載盤(pán)具有多個(gè)獨(dú)立流道，每一流道連接單一氣體通道或單一衛(wèi)星承載盤(pán)，每一流道還包含該衛(wèi)星承載盤(pán)的部分弧線以及由部分弧線延伸至該衛(wèi)星承載盤(pán)的一切線，由該主承載盤(pán)側(cè)面穿出。本發(fā)明的一實(shí)施例提供一種薄膜沉積裝置，其特征在于，該衛(wèi)星承載盤(pán)包含一環(huán)形凸緣與側(cè)面連續(xù)凹槽，且該驅(qū)動(dòng)氣體施加于該側(cè)面連續(xù)凹槽上，以帶動(dòng)該衛(wèi)星承載盤(pán)轉(zhuǎn)動(dòng)。本發(fā)明的一實(shí)施例提供一種薄膜沉積裝置，其特征在于，該主承載盤(pán)上設(shè)置有多個(gè)開(kāi)口，且該衛(wèi)星承載盤(pán)通過(guò)該環(huán)形凸緣懸掛于該主承載盤(pán)的開(kāi)口上。本發(fā)明的一實(shí)施例提供一種薄膜沉積裝置，其特征在于，還包含一個(gè)或多個(gè)加熱單元，且該加熱單元位于該衛(wèi)星承載盤(pán)下方，并以該加熱單元對(duì)該衛(wèi)星承載盤(pán)加熱。本發(fā)明的一實(shí)施例提供一種薄膜沉積裝置，其特征在于，該反應(yīng)室于側(cè)面具有一進(jìn)氣口，且該反應(yīng)室于側(cè)面具有該排氣口。本發(fā)明的一實(shí)施例提供一種薄膜沉積裝置，其特征在于，該反應(yīng)室于上方具有一進(jìn)氣口，且該反應(yīng)室于側(cè)面具有該排氣口。本發(fā)明的一實(shí)施例提供一種薄膜沉積裝置，其特征在于，該反應(yīng)室于上方具有多個(gè)進(jìn)氣口，且該反應(yīng)室于側(cè)面具有該排氣口綜上，采用本發(fā)明提供的薄膜沉積裝置，可有效維持反應(yīng)室內(nèi)的工藝氣體的均勻性。以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，但不作為對(duì)本發(fā)明的限定。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)薄膜沉積裝置的構(gòu)造示意圖；圖2A至圖2C分別為本發(fā)明第一實(shí)施例的薄膜沉積裝置示意圖；圖3A及圖;3B分別為本發(fā)明第二實(shí)施例的薄膜沉積裝置示意圖；圖4為本發(fā)明第二實(shí)施例的薄膜沉積裝置的多層中空套筒示意圖；圖4A 為本發(fā)明第二實(shí)施例的薄膜沉積裝置的多層中空套筒仰視圖； 圖5為本發(fā)明第二實(shí)施例的薄膜沉積裝置的第二驅(qū)動(dòng)模塊側(cè)視圖； 圖6為本發(fā)明第三實(shí)施例的薄膜沉積裝置的立體剖視圖； 圖7為本發(fā)明第三實(shí)施例的薄膜沉積裝置部分構(gòu)造的立體示意圖； 圖8A及圖8B 分別為本發(fā)明第三實(shí)施例的薄膜沉積裝置的俯視圖；及圖9A至圖9D分別為本發(fā)明第三實(shí)施例的薄膜沉積裝置的剖視示意圖c 其中，附圖標(biāo)記
10薄膜沉積裝置 111進(jìn)氣口 12工藝氣體 15驅(qū)動(dòng)模塊 20薄膜沉積裝置 211進(jìn)氣口 22工藝氣體 24驅(qū)動(dòng)氣體 25衛(wèi)星承載盤(pán) 25’最靠近排氣口的特定衛(wèi) 26圓片 28氣體通道 30薄膜沉積裝置 311進(jìn)氣口 33主承載盤(pán) 35衛(wèi)星承載盤(pán) 37第一驅(qū)動(dòng)模塊 39第二驅(qū)動(dòng)模塊 392驅(qū)動(dòng)氣體導(dǎo)管 393多層中空套筒 395驅(qū)動(dòng)氣體入口 40薄膜沉積裝置 411進(jìn)氣口 43主承載盤(pán) 433加熱單元 45衛(wèi)星承載盤(pán) 452環(huán)形凸緣 454側(cè)面連續(xù)凹槽 456滾珠 46圓片
481第一氣體通道 485第三氣體通道
11反應(yīng)室 113排氣口 13承載盤(pán) 16圓片 21反應(yīng)室 213排氣口 23主承載盤(pán) 24'驅(qū)動(dòng)廢氣
L承載盤(pán) 27第一驅(qū)動(dòng)模塊 29第二驅(qū)動(dòng)模塊 31反應(yīng)室 313排氣口 34流道 36圓片 38氣體通道 391外殼體
3931中空套筒 397連通口 41反應(yīng)室 413排氣口 431 開(kāi)口 44流道
451第一衛(wèi)星承載盤(pán) 453第二衛(wèi)星承載盤(pán) 455第三衛(wèi)星承載盤(pán) 457第四衛(wèi)星承載盤(pán) 47第一驅(qū)動(dòng)模塊 483第二氣體通道 487第四氣體通道
7
49第二驅(qū)動(dòng)模塊493多層中空套筒
491外殼體 495驅(qū)動(dòng)氣體入口 4923第二驅(qū)動(dòng)氣體導(dǎo)管 4927第四驅(qū)動(dòng)氣體導(dǎo)管4921第一驅(qū)動(dòng)氣體導(dǎo)管4925第三驅(qū)動(dòng)氣體導(dǎo)管4971 第一連通口4975第三連通口
4973第二連通口 4977第四連通口
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)原理和工作原理作具體的描述請(qǐng)參閱圖1，為現(xiàn)有技術(shù)薄膜沉積裝置的構(gòu)造示意圖。薄膜沉積裝置10包括有一反應(yīng)室11、一承載盤(pán)13及一驅(qū)動(dòng)模塊15，并包括有一進(jìn)氣口 111及一排氣口 113，而承載盤(pán) 13則設(shè)置于反應(yīng)室11內(nèi)部。一工藝氣體12由進(jìn)氣口 111導(dǎo)入反應(yīng)室11，將反應(yīng)后的廢氣由排氣口 113導(dǎo)出。 主承載盤(pán)13上方設(shè)置衛(wèi)星承載盤(pán)14，且主承載盤(pán)13與驅(qū)動(dòng)模塊15相連接，通過(guò)驅(qū)動(dòng)模塊 15帶動(dòng)主承載盤(pán)13進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)；衛(wèi)星承載盤(pán)14承載單一個(gè)或多個(gè)圓片16并進(jìn)行自轉(zhuǎn)?，F(xiàn)有薄膜沉積裝置通常僅提供全部衛(wèi)星承載盤(pán)同時(shí)自轉(zhuǎn)功能或是同時(shí)關(guān)閉自轉(zhuǎn)功能，不提供驅(qū)動(dòng)特定衛(wèi)星承載盤(pán)的功能。本發(fā)明的第一實(shí)施例提供一種薄膜沉積裝置20，請(qǐng)參閱圖2A，薄膜沉積裝置20 主要包括有一反應(yīng)室(reactor) 21、一主承載盤(pán)(susc印tor) 23、一個(gè)或多個(gè)衛(wèi)星承載盤(pán) (satellite wafer holder) 25、一第一驅(qū)動(dòng)模塊27及至少一第二驅(qū)動(dòng)模塊四，其中衛(wèi)星承載盤(pán)25設(shè)置于主承載盤(pán)23上，且每個(gè)衛(wèi)星承載盤(pán)25均可用以承載一個(gè)或多個(gè)圓片26。反應(yīng)室21包括有一進(jìn)氣口 211及一排氣口 213，，例如可將一工藝氣體22由進(jìn)氣口 211導(dǎo)入反應(yīng)室21，經(jīng)過(guò)反應(yīng)后的廢氣由排氣口 213導(dǎo)出，當(dāng)反應(yīng)室21內(nèi)的工藝氣體22 產(chǎn)生反應(yīng)時(shí)，會(huì)形成固體產(chǎn)物沉積在圓片沈表面并形成薄膜。主承載盤(pán)23、衛(wèi)星承載盤(pán)25、 圓片沈及第二驅(qū)動(dòng)模塊四均設(shè)置于反應(yīng)室21內(nèi)部。第一驅(qū)動(dòng)模塊27可直接或間接驅(qū)動(dòng)反應(yīng)室21內(nèi)的主承載盤(pán)23進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)，主承載盤(pán)23轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)會(huì)帶動(dòng)衛(wèi)星承載盤(pán)25及圓片沈進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)。于主承載盤(pán)23轉(zhuǎn)動(dòng)的過(guò)程中，第二驅(qū)動(dòng)模塊四驅(qū)動(dòng)接近排氣口 213的一個(gè)或多個(gè)衛(wèi)星承載盤(pán)25進(jìn)行自轉(zhuǎn)(rotation)。于一范例中，第二驅(qū)動(dòng)模塊四提供驅(qū)動(dòng)氣體對(duì)，并以驅(qū)動(dòng)氣體M驅(qū)動(dòng)特定衛(wèi)星承載盤(pán)25’進(jìn)行自轉(zhuǎn)。其余的衛(wèi)星承載盤(pán)25則不提供驅(qū)動(dòng)氣體M。因此，本發(fā)明可以提供驅(qū)動(dòng)特定衛(wèi)星承載盤(pán)自轉(zhuǎn)的功能。如上所述，當(dāng)主承載盤(pán)23驅(qū)動(dòng)最靠近排氣口 213的特定衛(wèi)星承載盤(pán)25，時(shí)，第二驅(qū)動(dòng)模塊四提供驅(qū)動(dòng)氣體M并引導(dǎo)驅(qū)動(dòng)氣體M至衛(wèi)星承載盤(pán)25’附近，藉此驅(qū)動(dòng)衛(wèi)星承載盤(pán)25’進(jìn)行自轉(zhuǎn)，驅(qū)動(dòng)廢氣M’由排氣口 213排出。由于驅(qū)動(dòng)廢氣M’的產(chǎn)生地點(diǎn)十分接近排氣口 213，位于反應(yīng)室的下游端，幾乎對(duì)反應(yīng)室上游進(jìn)氣口 211的流場(chǎng)不會(huì)造成影響，因此，工藝氣體22可以在圓片沈上方形成層流流場(chǎng)，再配合衛(wèi)星承載盤(pán)的公轉(zhuǎn)與自轉(zhuǎn)設(shè)計(jì)，以便于在圓片26的表面形成較為均勻的薄膜。在本實(shí)施例的又一范例中，第二驅(qū)動(dòng)模塊四包括有一個(gè)或多個(gè)氣體通道觀，其中氣體通道28的數(shù)量與衛(wèi)星承載盤(pán)25相同，且每一氣體通道28對(duì)應(yīng)每一衛(wèi)星承載盤(pán)25，當(dāng)
8主承載盤(pán)進(jìn)行公轉(zhuǎn)時(shí)，驅(qū)動(dòng)氣體M將會(huì)進(jìn)入接近排氣口 213的一個(gè)或多個(gè)氣體通道觀，并以驅(qū)動(dòng)氣體M驅(qū)動(dòng)對(duì)應(yīng)的衛(wèi)星承載盤(pán)25進(jìn)行自轉(zhuǎn)，而其余的衛(wèi)星承載盤(pán)25則不提供驅(qū)動(dòng)氣體M，藉此以避免影響反應(yīng)室21的流場(chǎng)均勻性，較詳細(xì)的實(shí)施方式將會(huì)在后面的實(shí)施例中進(jìn)一步說(shuō)明。如圖2B與圖2C所示，在不同范例中也可對(duì)進(jìn)氣口 211及排氣口 213的數(shù)目與位置進(jìn)行調(diào)整。如圖2B所示，反應(yīng)室21的進(jìn)氣口 211設(shè)置在反應(yīng)室21的上方，而排氣口 213 則設(shè)置在反應(yīng)室21的右下方。如圖2C所示，反應(yīng)室21的進(jìn)氣口 211的數(shù)量也可為多個(gè)。本發(fā)明的第二實(shí)施例提供一種薄膜沉積裝置30，請(qǐng)參閱圖3A及圖3B，薄膜沉積裝置30包括有一反應(yīng)室31、一主承載盤(pán)33、多個(gè)衛(wèi)星承載盤(pán)35、一第一驅(qū)動(dòng)模塊37及至少一第二驅(qū)動(dòng)模塊39。第一驅(qū)動(dòng)模塊37用以直接或間接驅(qū)動(dòng)主承載盤(pán)33進(jìn)行公轉(zhuǎn)，主承載盤(pán)33上設(shè)置有多個(gè)衛(wèi)星承載盤(pán)35，而衛(wèi)星承載盤(pán)35則可用以承載一個(gè)或多個(gè)圓片 (wafer)36。主承載盤(pán)33及衛(wèi)星承載盤(pán)35均可為圓盤(pán)狀，且第一驅(qū)動(dòng)模塊37可帶動(dòng)主承載盤(pán) 33以其圓心為中心進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)，并帶動(dòng)衛(wèi)星承載盤(pán)35及圓片36進(jìn)行公轉(zhuǎn)。第二驅(qū)動(dòng)模塊39 則用以驅(qū)動(dòng)一個(gè)或多個(gè)衛(wèi)星承載盤(pán)35在主承載盤(pán)33上進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)(自轉(zhuǎn))，并帶動(dòng)圓片36 進(jìn)行自轉(zhuǎn)，例如第二驅(qū)動(dòng)模塊39可用以驅(qū)動(dòng)接近排氣口 313的一個(gè)或多個(gè)衛(wèi)星承載盤(pán)35 進(jìn)行自轉(zhuǎn)。在本實(shí)施例中，第二驅(qū)動(dòng)模塊39包括有一外殼體391及一多層中空套筒393，其中多層中空套筒393設(shè)置于外殼體391的內(nèi)部。如圖4及圖5所示，多層中空套筒393包括有多個(gè)中空套筒3931，并于相鄰的中空套筒3931之間形成氣體通道38。例如可將多個(gè)中空套筒3931以同心圓方式層層包覆，每層中空套筒3931與其內(nèi)層中空套筒3931之間的空隙形成氣體通道38，且每層中空套筒3931具有對(duì)應(yīng)于驅(qū)動(dòng)氣體入口 395的一連通口 397。多層中空套筒393連接固定于主承載盤(pán)33，且通過(guò)第一驅(qū)動(dòng)模塊37驅(qū)動(dòng)多層中空套筒393， 使得多層中空套筒393相對(duì)于外殼體391進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)。參考圖4與圖4A所示，第二驅(qū)動(dòng)模塊39的外殼體391上設(shè)置有多個(gè)驅(qū)動(dòng)氣體入口 395，通過(guò)用以連接驅(qū)動(dòng)氣體入口 395的驅(qū)動(dòng)氣體導(dǎo)管392將驅(qū)動(dòng)氣體M導(dǎo)入例如驅(qū)動(dòng)氣體入口 395的數(shù)目與氣體通道38的數(shù)目相同，且每一個(gè)驅(qū)動(dòng)氣體入口 395對(duì)應(yīng)每一個(gè)氣體通道38。于本實(shí)施例的一范例中，驅(qū)動(dòng)氣體入口 395設(shè)置位置較靠近反應(yīng)室31的排氣口 313。第二驅(qū)動(dòng)模塊39的多層中空套筒393的表面上設(shè)置有多個(gè)連通口 397，其中連通口 397的數(shù)量與驅(qū)動(dòng)氣體入口 395的數(shù)量相同，并可將驅(qū)動(dòng)氣體對(duì)依序經(jīng)由驅(qū)動(dòng)氣體入口 395及連通口 397導(dǎo)入多層中空套筒393內(nèi)的通道38，而后再經(jīng)由通道38將驅(qū)動(dòng)氣體M 傳送至衛(wèi)星承載盤(pán)35。在本發(fā)明一實(shí)施例中，如圖:3B所示，主承載盤(pán)33具有多個(gè)獨(dú)立流道34，每一流道 34連接單一氣體通道38或單一衛(wèi)星承載盤(pán)35，例如每一流道34以切線方向連接每一衛(wèi)星承載盤(pán)35。在使用時(shí)驅(qū)動(dòng)氣體M會(huì)被氣體通道38引導(dǎo)至衛(wèi)星承載盤(pán)35，并帶動(dòng)衛(wèi)星承載盤(pán)35轉(zhuǎn)動(dòng)，而后再經(jīng)由流道34將通過(guò)衛(wèi)星承載盤(pán)35的驅(qū)動(dòng)廢氣24’導(dǎo)出。第二驅(qū)動(dòng)模塊39的多層中空套筒393內(nèi)設(shè)置有多個(gè)通道38，其中通道38的數(shù)量與連通口 397的數(shù)量相同，且各個(gè)通道38分別連接不同的連通口 397，并經(jīng)由各個(gè)通道38
9將由連通口 397進(jìn)入的驅(qū)動(dòng)氣體M引導(dǎo)至不同的衛(wèi)星承載盤(pán)35。多個(gè)連通口 397可分別設(shè)置在多層中空套筒393表面的不同角度上，并使得各個(gè)連通口 397分別朝向不同的方向。此外，各個(gè)連通口 397可分別設(shè)置在不同的中空套筒3931 上，且各個(gè)連通口 397可具有不同的高度。如圖4A所示，可使得每個(gè)連通口 397投影在一相同水平面上與多層中空套筒393的中心軸距離不同。又，相鄰的內(nèi)外層連通口 397投影在一相同水平面上與多層中空套筒393的中心軸的夾角小于180度。在本實(shí)施例的一范例中，主承載盤(pán)33上設(shè)置有四個(gè)衛(wèi)星承載盤(pán)35 ；第二驅(qū)動(dòng)模塊 39的外殼體391上設(shè)置有四個(gè)驅(qū)動(dòng)氣體入口 395 ；多層中空套筒393的表面則設(shè)置有四個(gè)連通口 397，該四個(gè)連通口 397分別位于各個(gè)中空套筒3931表面的不同方位及/或高度上， 并使得各個(gè)相鄰的連通口 397的夾角約略為90度，當(dāng)然在不同實(shí)施中，相鄰的連通口 397 也可不為90度，并可依據(jù)連通口 397的數(shù)量或相關(guān)的需求改變相鄰的連通口 397的夾角； 而多層中空套筒393的內(nèi)部則設(shè)置有四個(gè)通道38。由于設(shè)置在多層中空套筒393表面的連通口 397分別朝不同的方向，因此在多層中空套筒393相對(duì)于外殼體391進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)的過(guò)程中，設(shè)置在多層中空套筒393表面上的各個(gè)連通口 397將會(huì)分別在不同的時(shí)間點(diǎn)與外殼體391上的驅(qū)動(dòng)氣體入口 395重合。例如在同一時(shí)間點(diǎn)上只有一個(gè)連通口 397會(huì)與接近排氣口 313的驅(qū)動(dòng)氣體入口 395重合，使得在同一時(shí)間點(diǎn)上驅(qū)動(dòng)氣體M僅會(huì)由驅(qū)動(dòng)氣體入口 395進(jìn)入單一個(gè)連通口 397，并通過(guò)與連通口 397連接的通道38將驅(qū)動(dòng)氣體M引導(dǎo)至單一個(gè)衛(wèi)星承載盤(pán)35上，換言之，在同一個(gè)時(shí)間點(diǎn)上驅(qū)動(dòng)氣體M只會(huì)驅(qū)動(dòng)主承載盤(pán)33上的單一個(gè)衛(wèi)星承載盤(pán)35進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)。本發(fā)明的第三實(shí)施例提供一種薄膜沉積裝置40，請(qǐng)參閱圖6，薄膜沉積裝置40包括有一反應(yīng)室41、一主承載盤(pán)43、多個(gè)衛(wèi)星承載盤(pán)45、一第一驅(qū)動(dòng)模塊47及至少一第二驅(qū)動(dòng)模塊49。反應(yīng)室41包括有一進(jìn)氣口 411及一排氣口 413，可將工藝氣體22由進(jìn)氣口 411 導(dǎo)入反應(yīng)室41，并由排氣口 413導(dǎo)出反應(yīng)室41。主承載盤(pán)43上設(shè)置有多個(gè)開(kāi)口 431，且各個(gè)開(kāi)口 431均可容納并承載一衛(wèi)星承載盤(pán)45。第一驅(qū)動(dòng)模塊47可用以帶動(dòng)主承載盤(pán)43進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)。第二驅(qū)動(dòng)模塊49提供驅(qū)動(dòng)氣體對(duì)，并引導(dǎo)驅(qū)動(dòng)氣體M至衛(wèi)星承載盤(pán)45，并使得接近排氣口 413的一個(gè)或多個(gè)衛(wèi)星承載盤(pán)45進(jìn)行自轉(zhuǎn)。在本實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)氣體導(dǎo)管492可設(shè)置于反應(yīng)室41外部，并由反應(yīng)室 41外部將驅(qū)動(dòng)氣體M導(dǎo)入驅(qū)動(dòng)氣體導(dǎo)管492，以避免影響到反應(yīng)室41內(nèi)部的工藝氣體22 的濃度分布。請(qǐng)參閱圖6與圖7，衛(wèi)星承載盤(pán)45包括有一環(huán)形凸緣452與側(cè)面連續(xù)凹槽454，其中驅(qū)動(dòng)氣體M會(huì)施加在側(cè)面連續(xù)凹槽妨4上，并帶動(dòng)衛(wèi)星承載盤(pán)45轉(zhuǎn)動(dòng)。主承載盤(pán)43上設(shè)置有多個(gè)開(kāi)口 431，且衛(wèi)星承載盤(pán)45通過(guò)設(shè)置在側(cè)邊的環(huán)形凸緣452懸掛在主承載盤(pán)43 的開(kāi)口 431上。衛(wèi)星承載盤(pán)45下方也可增設(shè)有多個(gè)滾珠456，并有利于衛(wèi)星承載盤(pán)45相對(duì)于主承載盤(pán)43進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)(自轉(zhuǎn))。主承載盤(pán)43還包括有至少一加熱單元433，例如高周波感應(yīng)或是電阻，加熱單元 433設(shè)置于開(kāi)口 431內(nèi)，在將衛(wèi)星承載盤(pán)45設(shè)置于開(kāi)口 431時(shí)，加熱單元433將會(huì)位于衛(wèi)星承載盤(pán)45下方，并可用以對(duì)衛(wèi)星承載盤(pán)45、圓片46及圓片46附近的工藝氣體22進(jìn)行加熱，藉此以提高圓片46及圓片46附近的工藝氣體22的溫度，進(jìn)而觸發(fā)工藝氣體22產(chǎn)生反應(yīng)，并在圓片46的表面上形成薄膜。
請(qǐng)配合參閱圖8A及圖8B所示，第二驅(qū)動(dòng)模塊49及/或主承載盤(pán)43內(nèi)包括有多個(gè)氣體通道，例如第一氣體通道481、第二氣體通道483、第三氣體通道485及第四氣體通道 487。且氣體通道481/483/485/487的數(shù)目與衛(wèi)星承載盤(pán)451/453/455/457的數(shù)目相同，每一氣體通道481/483/485/487對(duì)應(yīng)每一衛(wèi)星承載盤(pán)451/453/455/457，當(dāng)主承載43盤(pán)進(jìn)行公轉(zhuǎn)時(shí)，驅(qū)動(dòng)氣體M將會(huì)進(jìn)入接近排氣口 413的一個(gè)或多個(gè)氣體通道481/483/485/487， 以驅(qū)動(dòng)對(duì)應(yīng)的衛(wèi)星承載盤(pán)451/453/455/457進(jìn)行自轉(zhuǎn)，并有利于維持反應(yīng)室41的流場(chǎng)均勻性。第一通道481可用以將驅(qū)動(dòng)氣體M引導(dǎo)至第一衛(wèi)星承載盤(pán)451，第二通道483可用以將驅(qū)動(dòng)氣體M弓丨導(dǎo)至第二衛(wèi)星承載盤(pán)453，第三通道485可用以將驅(qū)動(dòng)氣體M引導(dǎo)至第三衛(wèi)星承載盤(pán)455，第四通道487則可用以將驅(qū)動(dòng)氣體M弓丨導(dǎo)至第四衛(wèi)星承載盤(pán)457，藉此將可以驅(qū)動(dòng)氣體M分別驅(qū)動(dòng)各個(gè)衛(wèi)星承載盤(pán)45進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)。此外，如圖8B所示，主承載盤(pán)43也可設(shè)置有多個(gè)獨(dú)立流道44，每一流道44連接單一氣體通道481/483/485/487或單一衛(wèi)星承載盤(pán)451/453/455/457，例如每一流道44以切線方向連接每一衛(wèi)星承載盤(pán)451/453/455/457。此外，每一流道44還包含衛(wèi)星承載盤(pán) 451/453/455/457的部分弧線以及由部分弧線延伸至衛(wèi)星承載盤(pán)451/453/455/457的一切線，并由主承載盤(pán)43側(cè)面穿出。驅(qū)動(dòng)氣體M通過(guò)氣體通道481/483/485/487引導(dǎo)至相對(duì)應(yīng)的衛(wèi)星承載盤(pán)451/453/455/457，以驅(qū)動(dòng)各個(gè)衛(wèi)星承載盤(pán)451/453/455/457轉(zhuǎn)動(dòng)，而后再經(jīng)由流道44將通過(guò)衛(wèi)星承載盤(pán)451/453/455/457的驅(qū)動(dòng)廢氣24，導(dǎo)出。在本發(fā)明一實(shí)施例中，薄膜沉積裝置40的運(yùn)作方式如圖9A至圖9D所示，薄膜沉積裝置40的第二驅(qū)動(dòng)模塊49包括一外殼體491及一多層中空套筒493，其中外殼體491包括有多個(gè)驅(qū)動(dòng)氣體入口以連接多個(gè)驅(qū)動(dòng)氣體導(dǎo)管4921/4923/4925/4927，而多層中空套筒 493則包括有多個(gè)氣體通道481/483/485/487及多個(gè)連通口 4971/4973/4975/4977。如圖9A所示，在多層中空套筒493相對(duì)于外殼體491轉(zhuǎn)動(dòng)的過(guò)程中，當(dāng)?shù)谝或?qū)動(dòng)氣體導(dǎo)管4921與第一連通口 4971重合時(shí)，驅(qū)動(dòng)氣體M將會(huì)經(jīng)由第一驅(qū)動(dòng)氣體導(dǎo)管4921 及第一氣體通道481傳送至第一衛(wèi)星承載盤(pán)451，并帶動(dòng)第一衛(wèi)星承載盤(pán)451轉(zhuǎn)動(dòng)。如圖9B所示，在多層中空套筒493相對(duì)于外殼體491轉(zhuǎn)動(dòng)的過(guò)程中，當(dāng)?shù)诙?qū)動(dòng)氣體導(dǎo)管4923與第二連通口 4973重合時(shí)，驅(qū)動(dòng)氣體M將會(huì)經(jīng)由第二驅(qū)動(dòng)氣體導(dǎo)管4923 及第二氣體通道483傳送至第二衛(wèi)星承載盤(pán)453，并帶動(dòng)第二衛(wèi)星承載盤(pán)453轉(zhuǎn)動(dòng)。如圖9°C所示，在多層中空套筒493相對(duì)于外殼體491轉(zhuǎn)動(dòng)的過(guò)程中，當(dāng)?shù)谌?qū)動(dòng)氣體導(dǎo)管4925與第三連通口 4975重合時(shí)，驅(qū)動(dòng)氣體M將會(huì)經(jīng)由第三驅(qū)動(dòng)氣體導(dǎo)管4925 及第三氣體通道485傳送至第三衛(wèi)星承載盤(pán)455，并帶動(dòng)第三衛(wèi)星承載盤(pán)455轉(zhuǎn)動(dòng)。如圖9D所示，在多層中空套筒493相對(duì)于外殼體491轉(zhuǎn)動(dòng)的過(guò)程中，當(dāng)?shù)谒尿?qū)動(dòng)氣體導(dǎo)管4927與第四連通口 4977重合時(shí)，驅(qū)動(dòng)氣體M將會(huì)經(jīng)由第四驅(qū)動(dòng)氣體導(dǎo)管4927 及第四氣體通道487傳送至第四衛(wèi)星承載盤(pán)457，并帶動(dòng)第四衛(wèi)星承載盤(pán)457轉(zhuǎn)動(dòng)。通過(guò)上述的步驟將可使得主承載盤(pán)43上的各個(gè)衛(wèi)星承載盤(pán)45依序進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)，并可進(jìn)一步使得各個(gè)衛(wèi)星承載盤(pán)45在靠近反應(yīng)室41的排氣口 413時(shí)，驅(qū)動(dòng)氣體M才可以驅(qū)動(dòng)衛(wèi)星承載盤(pán)45進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)。此外，通過(guò)衛(wèi)星承載盤(pán)45的驅(qū)動(dòng)廢氣對(duì)’將會(huì)經(jīng)由流道44傳送至排氣口 413的鄰近區(qū)域，并可直接由排氣口 413將驅(qū)動(dòng)廢氣M’排出反應(yīng)室41，以降低對(duì)反應(yīng)室41內(nèi)的流場(chǎng)影響。
11
當(dāng)然，本發(fā)明還可有其它多種實(shí)施例，在不背離本發(fā)明精神及其實(shí)質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種薄膜沉積裝置，其特征在于，包括有一反應(yīng)室，包括有一個(gè)或多個(gè)進(jìn)氣口及一排氣口，工藝氣體由該進(jìn)氣口導(dǎo)入，反應(yīng)后的廢氣由該排氣口導(dǎo)出；一主承載盤(pán)，位于該反應(yīng)室內(nèi)部；一個(gè)或多個(gè)衛(wèi)星承載盤(pán)，設(shè)置于該主承載盤(pán)上，每一衛(wèi)星承載盤(pán)用以承載一個(gè)或多個(gè)圓片；一第一驅(qū)動(dòng)模塊，用以直接或間接驅(qū)動(dòng)該主承載盤(pán)進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)；及至少一第二驅(qū)動(dòng)模塊，當(dāng)該主承載盤(pán)進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)，該第二驅(qū)動(dòng)模塊用以驅(qū)動(dòng)接近該排氣口的一個(gè)或多個(gè)該衛(wèi)星承載盤(pán)進(jìn)行自轉(zhuǎn)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜沉積裝置，其特征在于，該第二驅(qū)動(dòng)模塊提供一驅(qū)動(dòng)氣體以驅(qū)動(dòng)衛(wèi)星承載盤(pán)進(jìn)行自轉(zhuǎn)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜沉積裝置，其特征在于，當(dāng)該主承載盤(pán)進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)，該第二驅(qū)動(dòng)模塊提供該驅(qū)動(dòng)氣體以驅(qū)動(dòng)接近該排氣口的一個(gè)或多個(gè)該衛(wèi)星承載盤(pán)進(jìn)行自轉(zhuǎn)，其余的衛(wèi)星承載盤(pán)不提供該驅(qū)動(dòng)氣體，以維持該反應(yīng)室的流場(chǎng)均勻性。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜沉積裝置，其特征在于，該第二驅(qū)動(dòng)模塊包括一個(gè)或多個(gè)氣體通道，且該氣體通道的數(shù)量與該衛(wèi)星承載盤(pán)的數(shù)目相同，每一氣體通道對(duì)應(yīng)每一衛(wèi)星承載盤(pán)，當(dāng)該主承載盤(pán)進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)，該驅(qū)動(dòng)氣體進(jìn)入接近該排氣口的一個(gè)或多個(gè)氣體通道，以驅(qū)動(dòng)對(duì)應(yīng)的該衛(wèi)星承載盤(pán)進(jìn)行自轉(zhuǎn)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜沉積裝置，其特征在于，該第二驅(qū)動(dòng)模塊還包括有一外殼體，該外殼體上設(shè)置有與該氣體通道數(shù)目相同的驅(qū)動(dòng)氣體入口，每一該驅(qū)動(dòng)氣體入口對(duì)應(yīng)每一該氣體通道；及一多層中空套筒，設(shè)置于該外殼體內(nèi)部，并包括有多個(gè)中空套筒以同心圓方式層層包覆，每層該中空套筒與其內(nèi)層該中空套筒之間的空隙形成該氣體通道，且每層該中空套筒具有對(duì)應(yīng)于該驅(qū)動(dòng)氣體入口的一連通口，其中，該多層中空套筒連接固定于該主承載盤(pán)，且通過(guò)該第一驅(qū)動(dòng)模塊驅(qū)動(dòng)而相對(duì)于該外殼體進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜沉積裝置，其特征在于，該驅(qū)動(dòng)氣體在同一時(shí)間點(diǎn)只會(huì)由單一該驅(qū)動(dòng)氣體入口進(jìn)入單一該連通口，藉此驅(qū)動(dòng)單一衛(wèi)星承載盤(pán)轉(zhuǎn)動(dòng)。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜沉積裝置，其特征在于，每個(gè)該連通口具有不同高度。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜沉積裝置，其特征在于，每個(gè)該連通口投影在一相同水平面上與該多層中空套筒的中心軸距離不同。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜沉積裝置，其特征在于，相鄰內(nèi)外層連通口投影在一相同水平面上與該多層中空套筒的中心軸的夾角小于180度。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜沉積裝置，其特征在于，該主承載盤(pán)具有多個(gè)獨(dú)立流道，每一流道連接單一氣體通道或單一衛(wèi)星承載盤(pán)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的薄膜沉積裝置，其特征在于，每一該流道以切線方向連接每一衛(wèi)星承載盤(pán)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的薄膜沉積裝置，其特征在于，該主承載盤(pán)具有多個(gè)獨(dú)立流道，每一流道連接單一氣體通道或單一衛(wèi)星承載盤(pán)，每一流道還包含該衛(wèi)星承載盤(pán)的部分弧線以及由部分弧線延伸至該衛(wèi)星承載盤(pán)的一切線，由該主承載盤(pán)側(cè)面穿出。2
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的薄膜沉積裝置，其特征在于，該衛(wèi)星承載盤(pán)包含一環(huán)形凸緣與側(cè)面連續(xù)凹槽，且該驅(qū)動(dòng)氣體施加于該側(cè)面連續(xù)凹槽上，以帶動(dòng)該衛(wèi)星承載盤(pán)轉(zhuǎn)動(dòng)。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的薄膜沉積裝置，其特征在于，該主承載盤(pán)上設(shè)置有多個(gè)開(kāi)口，且該衛(wèi)星承載盤(pán)通過(guò)該環(huán)形凸緣懸掛于該主承載盤(pán)的開(kāi)口上。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的薄膜沉積裝置，其特征在于，還包含一個(gè)或多個(gè)加熱單元， 且該加熱單元位于該衛(wèi)星承載盤(pán)下方，并以該加熱單元對(duì)該衛(wèi)星承載盤(pán)加熱。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜沉積裝置，其特征在于，該反應(yīng)室于側(cè)面具有一進(jìn)氣口，且該反應(yīng)室于側(cè)面具有該排氣口。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜沉積裝置，其特征在于，該反應(yīng)室于上方具有一進(jìn)氣口，且該反應(yīng)室于側(cè)面具有該排氣口。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜沉積裝置，其特征在于，該反應(yīng)室于上方具有多個(gè)進(jìn)氣口，且該反應(yīng)室于側(cè)面具有該排氣口。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)一種薄膜沉積裝置，主要包括有一反應(yīng)室、一主承載盤(pán)、至少一衛(wèi)星承載盤(pán)、一第一驅(qū)動(dòng)模塊及至少一第二驅(qū)動(dòng)模塊，其中主承載盤(pán)位于反應(yīng)室內(nèi)部，而衛(wèi)星承載盤(pán)則設(shè)置于主承載盤(pán)上。第一驅(qū)動(dòng)模塊可用以直接或間接驅(qū)動(dòng)主承載盤(pán)進(jìn)行公轉(zhuǎn)，而第二驅(qū)動(dòng)模塊則可用以驅(qū)動(dòng)接近反應(yīng)室的排氣口的一個(gè)或多個(gè)衛(wèi)星承載盤(pán)進(jìn)行自轉(zhuǎn)。
文檔編號(hào)C23C16/458GK102199761SQ20111012561
公開(kāi)日2011年9月28日 申請(qǐng)日期2011年5月10日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月10日
發(fā)明者方政加, 楊成傑 申請(qǐng)人:綠種子能源科技股份有限公司