專利名稱：一種49u/s石英晶片倒邊工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本項(xiàng)發(fā)明涉及電子元件加工工藝領(lǐng)域，具體涉及一種49S石英晶片倒邊工藝。
背景技術(shù)：
現(xiàn)在49U/S小公差石英晶片的倒邊多采用干法倒邊，未使用研磨液，現(xiàn)有的技術(shù)對(duì)于解決某一種49U/S小公差合格率偏低，生產(chǎn)效率低下，無法滿足生產(chǎn)的需要。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的就是本實(shí)用新型的目的在于解決現(xiàn)在49U/S小公差晶片的倒邊多采用干法倒邊，不需要配制研磨液，現(xiàn)有的技術(shù)對(duì)于解決某一種49U/S小公差合格率偏低， 生產(chǎn)效率低下，無法滿足生產(chǎn)的需要。而提供一種全新的工藝進(jìn)行49U/S石英晶片加工。本發(fā)明工藝為將49U/S石英晶片放入直徑80-90mm、長(zhǎng)度350mm的直筒內(nèi)，將倒邊研磨液也放入直筒內(nèi)，再將直筒放在石英晶片倒邊機(jī)上，上轉(zhuǎn)速控制在90-100轉(zhuǎn)/分鐘，環(huán)境濕度 40% -45%、環(huán)境溫度25°C 士2°C，倒邊研磨液由碳化硅、水和防銹劑組成，其重量份配比為水1000 碳化硅(800 井)20-30 防銹劑 8-12。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是提高了 49U/S小公差晶片溫度特性的一致性，提高了生產(chǎn)效率， 可用于8MHz-10MHz小公差晶片的倒邊加工。
具體實(shí)施例方式1、本發(fā)明的工藝為將49U/S石英晶片放入直徑80-90mm、長(zhǎng)度350mm的直筒內(nèi)，將倒邊研磨液也放入直筒內(nèi)，再將直筒放在石英晶片石英晶片倒邊機(jī)上，上轉(zhuǎn)速控制在90-100轉(zhuǎn)/分鐘，環(huán)境濕度40% -45%、環(huán)境溫度25°C 士2°C，倒邊研磨液由碳化硅、水和防銹劑組成，將水IOOOgJI 化硅25g、防銹劑IOg混合攪勻即成倒邊研磨液。石英晶片倒邊機(jī)水平安裝在恒溫(環(huán)境溫度25 °C 士 2)恒濕(環(huán)境濕度 40% -45% )的工作間，裝有倒邊液和晶片的直筒放在石英晶片倒邊機(jī)上按照設(shè)置的轉(zhuǎn)速和時(shí)間轉(zhuǎn)動(dòng)，經(jīng)過約12小時(shí)間，對(duì)倒邊液進(jìn)行更換，直到達(dá)到所需要的頻率，倒邊機(jī)上裝有定時(shí)器。
權(quán)利要求
1. 一種49U/S石英晶片倒邊工藝，其特征在于其工藝為將49U/S石英晶片放入直徑80-90mm、長(zhǎng)度350mm的直筒內(nèi)，將倒邊研磨液也放入直筒內(nèi)，再將直筒放在石英晶片倒邊機(jī)上，上轉(zhuǎn)速控制在90-100轉(zhuǎn)/分鐘，環(huán)境濕度 40% -45%、環(huán)境溫度25°C 士2°C，倒邊研磨液由碳化硅、水和防銹劑組成，其重量份配比為水1000碳化硅20-30防銹劑8-12。
全文摘要
一種49U/S石英晶片倒邊工藝,其工藝為:將49U/S石英晶片放入直徑80-90mm、長(zhǎng)度350mm的直筒內(nèi)，將倒邊研磨液也放入直筒內(nèi)，再將直筒放在石英晶片倒邊機(jī)上，上轉(zhuǎn)速控制在90-100轉(zhuǎn)/分鐘，砂號(hào)采用GC800#-1000#，環(huán)境濕度40％-45％、環(huán)境溫度25℃±2℃，倒邊研磨液由碳化硅、水和防銹劑組成，其重量份配比為水1000 碳化硅20-30 防銹劑8-12。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是提高了49U/S小公差晶片溫度特性的一致性，提高了生產(chǎn)效率，可用于8MHz-10MHz小公差晶片的倒邊加工。
文檔編號(hào)B24B9/06GK102335855SQ20111014652
公開日2012年2月1日 申請(qǐng)日期2011年6月2日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月2日
發(fā)明者張 杰 申請(qǐng)人:湖北東光電子股份有限公司