專利名稱：提高硅片背封時硅片厚度均勻性的方法及托盤的制作方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及一種提高硅片背封時硅片厚度均勻性的方法及托盤。
背景技術(shù)：
硅片背封是在硅片表面沉積二氧化硅薄膜。背封是在背 封爐中進行。背封時，硅片放置于托盤上。圖1為一種硅片背封時所使用的托盤俯視圖。圖2為圖1的A-A剖視圖。如圖1、圖2所示，托盤1上設置有放置硅片的容置槽11，容置槽11的邊緣處對稱設置有兩個導槽12。實際生產(chǎn)時，每個托盤上設置有多個容置槽，圖1、圖2僅示出了一個。托盤1沿著圖1中右側(cè)的箭頭方向行進進入背封爐。導槽12的作用是方便取放硅片。沉積二氧化硅時，硅片的溫度在一定變化范圍內(nèi)決定著沉積的二氧化硅薄膜的厚度。溫度高，則二氧化硅薄膜厚；溫度低，則二氧化硅薄膜薄。但在實際生產(chǎn)過程中，由于容置槽11低于托盤上表面13，容置槽11的槽壁阻擋了二氧化硅氣體，使氣體與硅片邊緣可進行充分反應， 而導槽12處由于無槽壁的阻擋，導致靠近導槽12上方的氣流可快速通過硅片表面，無法充分反應。因此，導致靠近導槽12的硅片處沉積的二氧化硅薄膜厚度小于靠近槽壁13附近的薄膜厚度。如圖3所示為圖1、圖2所示的托盤生產(chǎn)的硅片俯視圖。圖中箭頭為硅片進入背封爐時的前進方向。硅片5沿前進方向前側(cè)區(qū)域53與后側(cè)區(qū)域54處的厚度均小于其他部分的厚度。由于以上原因，致使背封后的硅片厚度均勻性值較大，產(chǎn)品不良率較高，增加了生產(chǎn)成本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是為了克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足，提供一種可提高硅片背封時硅片厚度均勻性的方法。為實現(xiàn)以上目的，本發(fā)明通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)提高硅片背封時硅片厚度均勻性的方法，其特征在于，將硅片放置于托盤上沉積二氧化硅；所述托盤本體上表面為平面，所述的托盤本體上表面設置有突出于其上表面的限位擋條；所述限位擋條數(shù)目為兩個以上，沿圓周方向間隔設置；所述硅片背封時放置于限位擋條之間。優(yōu)選地是，所述限位擋條與硅片相對的側(cè)面與硅片邊緣形狀相適應。優(yōu)選地是，所述限位擋條包括第一擋條和第二擋條，所述第一擋條與硅片相對的側(cè)面為弧形；所述第二擋條有兩個側(cè)面分別與兩個硅片相對，所述第二擋條分別與兩個硅片相對的側(cè)面均為弧形。優(yōu)選地是，所述第一擋條和第二擋條數(shù)目均為兩個。優(yōu)選地是還包括第三擋條，第三擋條與第一擋條鏡像設置；第一擋條與第三擋條之間設置有兩個以上間隔設置的第二擋條。優(yōu)選地是，第一擋條數(shù)目為兩個，沿圓周方向間隔設置；第三擋條數(shù)目為兩個，沿圓周方向間隔設置；第二擋條每兩個為一組，每一組中的兩個第二擋條沿圓周方向間隔設置；兩組以上的第二擋條間隔設置于第一擋條與第三擋條之間。 優(yōu)選地是，兩個以上的限位檔條的位置分布，使得沿硅片前進方向硅片前后兩側(cè)未受限位檔條阻擋的兩部分弧形邊緣均為硅片整個周長的四分之一至三分之一。本發(fā)明的另一個目的是提供一種可提高硅片背封時硅片厚度均勻性的托盤。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)提高硅片背封時硅片厚度均勻性的托盤，其特征在于，包括托盤本體及限位擋條； 所述托盤本體上表面為平面，所述的托盤本體上表面設置有突出于其上表面的限位擋條； 所述限位擋條數(shù)目為兩個以上，沿圓周方向間隔設置。優(yōu)選地是，所述限位擋條與硅片相對的側(cè)面與硅片邊緣形狀相適應。優(yōu)選地是，所述限位擋條包括第一擋條和第二擋條，所述第一擋條與硅片相對的側(cè)面為弧形；所述第二擋條有兩個側(cè)面分別與兩個硅片相對，所述第二擋條分別與兩個硅片相對的側(cè)面均為弧形。優(yōu)選地是，所述第一擋條和第二擋條數(shù)目均為兩個。優(yōu)選地是，還包括第三擋條，第三擋條與第一擋條鏡像設置；第一擋條與第三擋條之間設置有兩個以上間隔設置的第二擋條。優(yōu)選地是，第一擋條數(shù)目為兩個，沿圓周方向間隔設置；第三擋條數(shù)目為兩個，沿圓周方向間隔設置；第二擋條每兩個為一組，每一組中的兩個第二擋條沿圓周方向間隔設置；兩組以上的第二擋條間隔設置于第一擋條與第三擋條之間。優(yōu)選地是，兩個以上的限位檔條的位置分布，使得沿硅片前進方向硅片前后兩側(cè)未受限位檔條阻擋的兩部分弧形邊緣均為硅片整個周長的四分之一至三分之一。本發(fā)明中的可提高硅片背封時硅片厚度均勻性的方法及托盤，用于硅片背封時， 可將膜厚片間均勻性由16. 61%提高到了 8.3%。邊緣不均不良率降低2個百分點。


圖1為一種硅片背封時所使用的托盤俯視圖。圖2為圖1的A-A剖視圖。圖3為使用圖1中所述的托盤生產(chǎn)的硅片俯視圖。圖4本發(fā)明實施例1中的托盤俯視圖；圖5為實施例1的使用狀態(tài)俯視。圖6為實施例2中的托盤及其使用狀態(tài)時的俯視圖。圖7為實施例3中的托盤俯視圖。圖8為實施例3中的托盤使用狀態(tài)俯視圖。圖9為對硅片的厚度測定選取的測定點示意圖。圖10為使用圖1所示的托盤至部分更換為本發(fā)明實施例3的托盤直至全部更換為本發(fā)明實施例3的托盤后的硅片因邊緣厚度不均勻?qū)е碌牟涣悸首兓€圖。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖對本發(fā)明進行詳細的描述實施例1
如圖4、圖5所示，提高硅片背封時硅片厚度均勻性的托盤，包括托盤本體1及第一擋條2。托盤本體1上表面13為平面。第一擋條2突出于托盤本體1的上表面13。第一擋條2數(shù)目為四個，沿圓周方向間隔設置。使用時，硅片5放置于四個第一擋條2之間。每個第一擋條2均有一個側(cè)面21與硅片5相對。每個第一擋條2與硅片5相對的側(cè)面21形狀與硅片5的形狀相適應，也是弧形。四個第一擋條2可防止硅片5移動。圖4右側(cè)箭頭為托盤1進入背封爐時的運動方向。沿運動方向，硅片5前側(cè)和后側(cè)未受第一檔條2阻擋的前側(cè)邊緣51和后側(cè)邊緣52的弧長為硅片5圓周長的三分之一。實施例1中，每四個第一擋條2夾住一個硅片5。使用時，將硅片5放置于四個第一擋條2之間，將托盤1送入背封爐內(nèi)，在硅片5 表面沉積二氧化硅薄膜。實施例2如圖6所示，其與實施例1不同之處在于，第一檔條2數(shù)目為兩個。實施例3如圖7、圖8所示，提高硅片背封時硅片厚度均勻性的托盤，包括托盤本體1、第一擋條2、第二擋條3及第四擋條4。托盤本體1的上表面13為平面。第一擋條2、第二擋條 3及第四擋條4突出于托盤本體1的上表面13。第一擋條2數(shù)目為兩個，沿圓周方向間隔設置。第一檔條2與硅片5相對的側(cè)面2 1為弧形。第三擋條4數(shù)目為兩個，沿圓周方向間隔設置。第三檔條4與硅片5相對的側(cè)面41為弧形。兩個第二擋條3為一組，每個第二擋條3均有兩個側(cè)面分別與兩個硅片5相對。每個第二擋條3與硅片5相對的第一側(cè)面31 和第二側(cè)面32均與硅片5的邊緣形狀相適應。兩個第二擋條3位于兩個第一擋條2與兩個第三擋條4之間。使用時，一個硅片5放置于兩個第一擋條2與第二擋條3之間。一個硅片5放置于兩個第二擋條3與兩個第三擋條4之間。兩個第二擋條3可對兩個硅片5起到限位作用。 圖4右側(cè)箭頭為托盤1進入背封爐時的運動方向。沿運動方向，硅片5前側(cè)和后側(cè)未受第一檔條2、第二擋條3阻擋的前側(cè)邊緣51和后側(cè)邊緣52的弧長為硅片5圓周長的三分之
ο分別使用圖1所示的托盤與使用實施例3所述的托盤對硅片背封處理，其實驗結(jié)果如下使用圖1所示的托盤生產(chǎn)6片硅片，既硅片1-硅片6，每片硅片取圓心處及靠近邊緣2mm處的沿圓周方向均勻分布的四個點測定其厚度。使用實施例3所示的托盤生產(chǎn)6 片硅片，既硅片7-硅片12。如圖9所示，每片硅片取圓心處及靠近邊緣2mm處的沿圓周方向均勻分布的四個點測定其厚度，即圖9中的上、下、左、右、中五個點測定其厚度。使用圖 1所示的托盤生產(chǎn)的硅片的厚度測試點的位置與使用本發(fā)明實施例3的托盤生產(chǎn)的硅片厚度測試點的位置相同。-
權(quán)利要求
1.提高硅片背封時硅片厚度均勻性的方法，其特征在于，將硅片放置于托盤上沉積二氧化硅；所述托盤本體上表面為平面，所述的托盤本體上表面設置有突出于其上表面的限位擋條；所述限位擋條數(shù)目為兩個以上，沿圓周方向間隔設置；所述硅片背封時放置于限位擋條之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高硅片背封時硅片厚度均勻性的方法，其特征在于，所述限位擋條與硅片相對的側(cè)面與硅片邊緣形狀相適應。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的提高硅片背封時硅片厚度均勻性的方法，其特征在于， 所述限位擋條包括第一擋條和第二擋條，所述第一擋條與硅片相對的側(cè)面為弧形；所述第二擋條有兩個側(cè)面分別與兩個硅片相對，所述第二擋條分別與兩個硅片相對的側(cè)面均為弧形。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的提高硅片背封時硅片厚度均勻性的方法，其特征在于，所述第一擋條和第二擋條數(shù)目均為兩個。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的提高硅片背封時硅片厚度均勻性的方法，其特征在于，還包括第三擋條，第三擋條與第一擋條鏡像設置；第一擋條與第三擋條之間設置有兩個以上間隔設置的第二擋條。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的提高硅片背封時硅片厚度均勻性的方法，其特征在于，第一擋條數(shù)目為兩個，沿圓周方向間隔設置；第三擋條數(shù)目為兩個，沿圓周方向間隔設置；第二擋條每兩個為一組，每一組中的兩個第二擋條沿圓周方向間隔設置；兩組以上的第二擋條間隔設置于第一擋條與第三擋條之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高硅片背封時硅片厚度均勻性的方法，其特征在于，兩個以上的限位檔條的位置分布，使得沿硅片前進方向硅片前后兩側(cè)未受限位檔條阻擋的兩部分弧形邊緣均為硅片整個周長的四分之一至三分之一。
8.提高硅片背封時硅片厚度均勻性的托盤，其特征在于，包括托盤本體及限位擋條； 所述托盤本體上表面為平面，所述的托盤本體上表面設置有突出于其上表面的限位擋條； 所述限位擋條數(shù)目為兩個以上，沿圓周方向間隔設置。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的提高硅片背封時硅片厚度均勻性的托盤，其特征在于，所述限位擋條與硅片相對的側(cè)面與硅片邊緣形狀相適應。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的提高硅片背封時硅片厚度均勻性的托盤，其特征在于， 所述限位擋條包括第一擋條和第二擋條，所述第一擋條與硅片相對的側(cè)面為弧形；所述第二擋條有兩個側(cè)面分別與兩個硅片相對，所述第二擋條分別與兩個硅片相對的側(cè)面均為弧形。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的提高硅片背封時硅片厚度均勻性的托盤，其特征在于，所述第一擋條和第二擋條數(shù)目均為兩個。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的提高硅片背封時硅片厚度均勻性的托盤，其特征在于，還包括第三擋條，第三擋條與第一擋條鏡像設置；第一擋條與第三擋條之間設置有兩個以上間隔設置的第二擋條。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的提高硅片背封時硅片厚度均勻性的托盤，其特征在于，第一擋條數(shù)目為兩個，沿圓周方向間隔設置；第三擋條數(shù)目為兩個，沿圓周方向間隔設置；第二擋條每兩個為一組，每一組中的兩個第二擋條沿圓周方向間隔設置；兩組以上的第二擋條間隔設置于第一擋條與第三擋條之間。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的提高硅片背封時硅片厚度均勻性的托盤，其特征在于，兩個以上的限位檔條的位置分布，使得沿硅片前進方向硅片前后兩側(cè)未受限位檔條阻擋的兩部分弧形邊緣均為硅片整個周長的四分之一至三分之一。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種提高硅片背封時硅片厚度均勻性的方法，其特征在于，將硅片放置于托盤上沉積二氧化硅；所述托盤本體上表面為平面，所述的托盤本體上表面設置有突出于其上表面的限位擋條；所述限位擋條數(shù)目為兩個以上，沿圓周方向間隔設置；所述硅片背封時放置于限位擋條之間。本發(fā)明中的可提高硅片背封時硅片厚度均勻性的方法及托盤，用于硅片背封時，可將膜厚片間均勻性由16.61％提高到了8.3％。邊緣不均不良率降低2個百分點。
文檔編號C23C16/458GK102347233SQ20111023191
公開日2012年2月8日 申請日期2011年8月14日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月14日
發(fā)明者江笠, 蔣明康 申請人:上海合晶硅材料有限公司