專利名稱：一種在樹脂基片使用磁控濺射制備ito膜的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種在樹脂基片上使用h-Line真空磁控濺射制備低電阻率ITO膜的方法。
背景技術(shù)：
真空磁控濺射技術(shù)就是一種是在真空條件下實(shí)現(xiàn)等離子放電，利用電磁場控制帶電粒子的運(yùn)動，轟擊被鍍材料，從而在基片上沉積所需要的薄膜，在平板顯示器件上通常利用這一工藝對基片表面制備ITOandium Tin Oxides)透明導(dǎo)電膜。現(xiàn)有的在線連續(xù)式真空磁控濺射鍍膜工藝是針對玻璃基片進(jìn)行鍍膜，由于樹脂材料的特性，依舊使用原制備的ITO 膜工藝制備，其電阻率、透過率和化學(xué)穩(wěn)定性等參數(shù)均不能滿足生產(chǎn)要求。因此，需要研發(fā)出專門用于樹脂基片制備ITO膜的方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是實(shí)現(xiàn)一種針對樹脂基片制備高質(zhì)量ITO膜的方法。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案為一種在樹脂基片上使用磁控濺射制備ITO膜的方法，該方法具體步驟包括a、將樹脂基片放入磁控濺射設(shè)備的裝載室，密封后進(jìn)行抽真空；b、將樹脂基片運(yùn)送至加熱室，將基片加熱至150 250°C ；C、將加熱后的樹脂基片運(yùn)送至濺射室，采用磁控濺射方式進(jìn)行ITO膜沉積，依ITO 面電阻值的不同，濺射室內(nèi)陰極直流電源輸入功率為0. 6KW 6KW ；d、將鍍膜完畢的基片運(yùn)送至冷卻室進(jìn)行冷卻；e、將冷卻后的基片放入卸載室，卸片。所述的步驟e完成后，還設(shè)有檢驗(yàn)步驟，評價(jià)樹脂基片的電阻、透過率的理化參數(shù)。利用注入氣體流量，將裝載室中壓力控制在5PA;將加熱室中壓力控制在 6. 0E-3Pa ；將濺射室中壓力控制在0. 15-0. 85PA。所述的步驟d冷卻時(shí)間為10 30分鐘。所述的樹脂基板是由一層玻璃基板和一層樹脂層組成，所述的玻璃基板厚度為 0. 4 1. 8mm，所述的樹脂層厚度為1 5um。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于該工藝方法可以在樹脂基片上利用連續(xù)垂直式磁控濺射制備低電阻率、高質(zhì)量的ITO膜，且所制備的ITO膜具有電阻均勻性好、電阻率低、高透過率、較好的化學(xué)穩(wěn)定性等性能。
具體實(shí)施例方式樹脂基片制備ITO膜是在在線垂直式、連續(xù)運(yùn)行的真空磁控濺射鍍膜設(shè)備上操作，該設(shè)備主要包括裝載室、加熱室、濺射室、冷卻室、卸載室，以及機(jī)械泵、低溫泵、分子泵和相關(guān)的輔助部件等構(gòu)成一個(gè)完善的真空系統(tǒng)，并采用直流電源。樹脂基片制備ITO膜，采用的樹脂基板是由一層玻璃基板和一層樹脂層組成，其玻璃基板厚度為0. 4 1. 8mm，樹脂層厚度為1 5um。生產(chǎn)流程如下樹脂基片檢查一清洗一烘干一檢查一裝片一送入裝載室一加熱一濺射鍍膜一冷卻一出片一檢驗(yàn)一包裝。具體的說工藝步驟如下對樹脂基片進(jìn)行外觀檢查，沒有質(zhì)量問題的基片放入超純水清洗機(jī)進(jìn)行清洗、烘干；將樹脂基片裝片、并送入磁控濺射設(shè)備的裝載室，密封后進(jìn)行抽真空，運(yùn)送基片的小車將基片送至加熱室；在加熱室內(nèi)將基片加熱至150 250°C ；將加熱后的基片再由小車送入濺射室進(jìn)行鍍膜，采用磁控濺射方式進(jìn)行ITO膜沉積，依ITO面電阻值的不同，濺射室內(nèi)陰極直流電源輸入功率為0. 6KW 6KW鍍膜完成后，將基片送入冷卻室進(jìn)行冷卻，冷卻時(shí)間一般為10 30分鐘；冷卻后的樹脂基片送入卸載室，進(jìn)行卸片，將裝片玻璃卸載掉；取出完成鍍膜的樹脂基片，進(jìn)行性能和表觀檢查，評價(jià)樹脂基片的電阻、透過率以及相關(guān)的理化參數(shù)，剔除次品；合格品包裝，出貨。自基片放入裝載室后，經(jīng)裝載室、加熱室、濺射室、冷卻室和卸載室，均為一條密封的流水線，由小車在上述加工艙室運(yùn)送基片，小車在濺射室行車時(shí)間為基片濺射節(jié)拍， 小車行走的速度決定了膜的厚薄，從而決定了 ITO的面電阻值，本工藝要求濺射節(jié)拍為 80-120S。連通的h-line式鍍膜方式，利用注入氣體氧氣和氬氣流量，將裝載室中壓力控制在5Pa，將加熱室中壓力控制在6. 0E-3Pa,將濺射室中壓力控制在0. 15-0. 85Pa,氣體流量由流量計(jì)控制，依據(jù)所需工作壓力調(diào)整流量的大小。按照上述工藝方法，制備出電阻率低于250 μ Ω cm的ITO膜，滿足在線式連續(xù)大
批量生產(chǎn)要求。上述內(nèi)容本對發(fā)明進(jìn)行了示例性描述，顯然本發(fā)明具體實(shí)現(xiàn)并不受上述方式的限制，只要采用了本發(fā)明的方法構(gòu)思和技術(shù)方案進(jìn)行的各種非實(shí)質(zhì)性的改進(jìn)，或未經(jīng)改進(jìn)將本發(fā)明的構(gòu)思和技術(shù)方案直接應(yīng)用于其它場合的，均在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種在樹脂基片上使用磁控濺射制備ITO膜的方法，其特征在于，該方法具體步驟包括a、將樹脂基片放入磁控濺射設(shè)備的裝載室，密封后進(jìn)行抽真空；b、將樹脂基片運(yùn)送至加熱室，將基片加熱至150 250°C；c、將加熱后的樹脂基片運(yùn)送至濺射室，采用磁控濺射方式進(jìn)行ITO膜沉積，依ITO面電阻值的不同，濺射室內(nèi)陰極直流電源輸入功率為0. 6KW 6KW ；d、將鍍膜完畢的基片運(yùn)送至冷卻室進(jìn)行冷卻；e、將冷卻后的基片放入卸載室，卸片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在樹脂基片上使用磁控濺射制備ITO膜的方法，其特征在于 所述的步驟e完成后，還設(shè)有檢驗(yàn)步驟，評價(jià)樹脂基片的電阻、透過率的理化參數(shù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在樹脂基片上使用磁控濺射制備ITO膜的方法，其特征在于 利用注入氣體流量，將裝載室中壓力控制在5 ；將加熱室中壓力控制在6. 0E-3Pa ；將濺射室中壓力控制在0. 15-0. 851^。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在樹脂基片上使用磁控濺射制備ITO膜的方法，其特征在于 所述的步驟d冷卻時(shí)間為10 30分鐘。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在樹脂基片上使用磁控濺射制備ITO膜的方法，其特征在于所述的樹脂基板是由一層玻璃基板和一層樹脂層組成，所述的玻璃基板厚度為0. 4 1. 8mm，所述的樹脂層厚度為1 5um。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種在樹脂基片上使用磁控濺射制備ITO膜的方法，該方法具體步驟包括a、將樹脂基片放入磁控濺射設(shè)備的裝載室，密封后進(jìn)行抽真空；b、將樹脂基片運(yùn)送至加熱室，將基片加熱至150～250℃；c、將加熱后的樹脂基片運(yùn)送至濺射室，采用磁控濺射方式進(jìn)行ITO膜沉積，依ITO面電阻值的不同，濺射室內(nèi)陰極直流電源輸入功率為0.6KW～6KW；d、將鍍膜完畢的基片運(yùn)送至冷卻室進(jìn)行冷卻；e、將冷卻后的基片放入卸載室，卸片。該工藝方法可以在樹脂基片上利用連續(xù)垂直式磁控濺射制備低電阻率、高質(zhì)量的ITO膜，且所制備的ITO膜具有電阻均勻性好、電阻率低、高透過率、較好的化學(xué)穩(wěn)定性等性能。
文檔編號C23C14/06GK102312208SQ20111029524
公開日2012年1月11日 申請日期2011年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月30日
發(fā)明者何晏兵, 夏大映, 孔德興, 康傲飛, 張兵, 許沭華 申請人:蕪湖長信科技股份有限公司