專利名稱：一種晶圓基片加工方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種機(jī)械加工領(lǐng)域，尤其是涉及一種晶圓基片加工方法。
背景技術(shù)：
晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，是半導(dǎo)體行業(yè)的基礎(chǔ)，在晶圓片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅，但是晶圓的技術(shù)過去主要掌握在歐美以及日本等國(guó)手中，尤其是在基片加工中難度較大，國(guó)內(nèi)基片的廠家屈指可數(shù)，尤為大尺寸8，以上的更是鳳毛麟角。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的就是為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷而提供一種生產(chǎn)成本低，產(chǎn)品良率聞的晶圓基片加工方法。本發(fā)明的目的可以通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)一種晶圓基片加工方法，其特征在于，該方法包括以下步驟1)在毛坯片上開設(shè)定位槽；2)采用超薄石英玻璃加工工藝對(duì)毛坯片進(jìn)行研磨加工；3)對(duì)研磨后的毛坯片進(jìn)行拋光處理。所述的超薄石英玻璃加工工藝為具體包括以下步驟A)毛坯片通過定位槽固定在研磨裝置上；B)在待加工的毛坯片周圍設(shè)置多個(gè)保護(hù)片；C)研磨裝置從上方對(duì)毛坯片進(jìn)行研磨。

3所述的保護(hù)片設(shè)有3個(gè)，均勻設(shè)置在毛坯片周圍，保護(hù)片的高度高于毛坯片O. 15 O. 3mm。研磨裝置從上方對(duì)毛坯片進(jìn)行研磨時(shí)，進(jìn)刀量為O. 01mm。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明采用超薄石英玻璃加工工藝確保了晶圓基片在研磨中的良率，不需要額外的生產(chǎn)設(shè)備，生產(chǎn)成本較低。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明。實(shí)施例一種晶圓基片加工方法，具體包括以下步驟首先在毛坯片上開設(shè)定位槽，通過定位槽將毛坯片固定在研磨裝置上，然后在待加工的毛坯片周圍均勻設(shè)置三個(gè)保護(hù)片，該保護(hù)片的高度高于毛坯片O. 2_，增大毛坯片在研磨裝置進(jìn)刀過程中的受力面，使其不易產(chǎn)生裂痕甚至破碎。設(shè)置好毛坯片以及保護(hù)片之后，從上方開始對(duì)進(jìn)行研磨加工，研磨裝置的進(jìn)刀量設(shè)為O. 01mm。研磨完成后，對(duì)毛坯片進(jìn)行拋光處理，即為晶圓基片產(chǎn)品。該加工方法在生產(chǎn)過程中不需要額外的生產(chǎn)設(shè)備，僅需要加設(shè)幾個(gè)保護(hù)片，生產(chǎn)成本較低。
權(quán)利要求
1.一種晶圓基片加工方法，其特征在于，該方法包括以下步驟1)在毛坯片上開設(shè)定位槽；2)采用超薄石英玻璃加工工藝對(duì)毛坯片進(jìn)行研磨加工；3)對(duì)研磨后的毛坯片進(jìn)行拋光處理。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶圓基片加工方法，其特征在于，所述的超薄石英玻璃加工工藝為具體包括以下步驟A)毛坯片通過定位槽固定在研磨裝置上；B)在待加工的毛坯片周圍設(shè)置多個(gè)保護(hù)片；C)研磨裝置從上方對(duì)毛坯片進(jìn)行研磨。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種晶圓基片加工方法，其特征在于，所述的保護(hù)片設(shè)有3個(gè)，均勻設(shè)置在毛坯片周圍。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種晶圓基片加工方法，其特征在于，所述的保護(hù)片的高度高于毛還片O. 15 O. 3mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種晶圓基片加工方法，其特征在于，研磨裝置從上方對(duì)毛坯片進(jìn)行研磨時(shí)，進(jìn)刀量為O. 01mm。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種晶圓基片加工方法，該方法包括以下步驟1)在毛坯片上開設(shè)定位槽；2)采用超薄石英玻璃加工工藝對(duì)毛坯片進(jìn)行研磨加工；3)對(duì)研磨后的毛坯片進(jìn)行拋光處理。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有生產(chǎn)成本低，產(chǎn)品良率高等優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號(hào)B24B37/02GK103029031SQ20111029798
公開日2013年4月10日 申請(qǐng)日期2011年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月30日
發(fā)明者姚建明 申請(qǐng)人:上海雙明光學(xué)科技有限公司