專利名稱：一種觸摸屏用防指紋膜的制備方法
技術領域：
本發(fā)明用于光電子器件制造技術領域，具體涉及電容式觸摸屏用防指紋膜的制備工藝中，一種提高防指紋膜與強化玻璃基材附著力的制備方法。
背景技術：
觸摸屏用防指紋防指紋膜，具有良好的疏水性和疏油性，廣泛應用于手機和平板電腦等觸控技術領域，增加觸摸屏用防指紋膜與玻璃基材之間的鍍層附著力一直是觸控行業(yè)的永久性話題。在觸摸屏用防指紋膜與玻璃基材之間增加一層SiO2緩沖層，可以提高觸摸屏用防指紋膜與玻璃基材的鍍層附著力。制備該緩沖層和觸摸屏用防指紋膜常用的方法有PVD法和CVD法兩種，其中PVD技術沉積速度慢且鍍層附著力不足，而CVD技術的沉積溫度較高(90(Γ120(ΓΟ。因此，兼具PVD和CVD技術優(yōu)點的PECVD技術很快便成為了人們的研究熱點。采用PECVD以傳統(tǒng)的刻蝕、鍍SW2緩沖層和鍍觸摸屏用防指紋膜三步工藝方法， 在玻璃基材表面鍍S^2緩沖層和防指紋膜時，容易造成S^2緩沖層表面平滑度極高，從而限制了 SiOjl沖層與觸摸屏用防指紋膜的鍍層附著力。同時，隨著觸控技術的發(fā)展，對于觸摸屏用防指紋膜與玻璃基材鍍層附著力的要求越來越高，傳統(tǒng)工藝在鍍層附著力要求方面也面臨著越來越大的挑戰(zhàn)。因此，改善PECVD的鍍膜工藝，提高強化玻璃基材與觸摸屏用防指紋膜之間的鍍層附著力這一重大課題已經(jīng)提上日程。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述缺陷，本發(fā)明的目的是設計一種利用PECVD制備觸摸屏用防指紋膜的方法，該工藝方法可以提高觸摸屏用防指紋膜與玻璃基材的鍍層附著力等問題。為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用如下技術方案
步驟1 將潔凈的強化玻璃基材放入PECVD沉積室中，通過A和Ar輝光放電對玻璃基材進行刻蝕與活化；
其中所述的強化玻璃基材放入PECVD真空室內(nèi)時，開始抽真空至壓力為10_3mbar， 然后給真空室注入氣體流量為500SCCm的O2和300SCCm的Ar至真空室的壓力為 1. OX 10_4 2. OX 10_2mbar之間，加中頻功率為6000w，然后5s內(nèi)升至8000w放電啟輝30s;
步驟2 利用硅氧烷高溫裂解形成SiOx,在離子清洗和刻蝕后的強化玻璃基材表面沉積 SiOx緩沖層；
其中所述的離子清洗和刻蝕完成后，抽真空至壓力為5. OX 10_3mbar，然后充入氣體流量為500sccm的O2和IOOsccm的硅油至真空室內(nèi)壓力為1. 0 X 10^5. 0 X 10_1mbar之間，持續(xù)中頻功率為8000w開始沉積SiOx，沉積時間為30s，得到厚度為10-20nm的SiOx緩沖層； 步驟3 通過&輝光放電，對SiOx緩沖層進行刻蝕、剝離附著力較差的SiOx和補充0形成SiOjl沖層。
其中步驟2中所述的SiOx沉積完成后，抽真空至壓力為1. OX 10_2mbar，持續(xù)充入氣體流量為500SCCm的&至真空室內(nèi)壓力為1. OX 10_4 5. OX IO-1Hibar之間，持續(xù)中頻功率為SOOOw放電起輝30s，起到刻蝕SiOx表面、剝離附著力較差的SiOx和為SiOx補充0形成 SiO2緩沖層的作用；
步驟4 利用熱蒸發(fā)法在&輝光放電后形成的S^2緩沖層表面沉積觸摸屏用防指紋
膜；
其中步驟3中所述的刻蝕SiOx表面、剝離附著力較差的SiOx和為SiOx補充0形成SiA 緩沖層完成后，抽真空至壓力為10_5mbar，30s內(nèi)將燈絲電流由OA提升至270A，開始沉積觸摸屏用防指紋膜，沉積時間為150s，得到厚度為10-30nm的觸摸屏用防指紋膜層。本發(fā)明的有益效果
本發(fā)明的一種具有較強鍍層附著力的觸摸屏用防指紋膜的制備方法，解決了 PECVD在傳統(tǒng)工藝下制備觸摸屏用防指紋膜時，由于S^2表面過于光滑和含硅粒子氧化不完全而導致觸摸屏用防指紋膜與SW2緩沖層鍍層附著力不佳的問題，提高了觸摸屏用防指紋膜與強化玻璃基材之間的鍍層附著力。


圖1為本發(fā)明制備觸摸屏用防指紋防指紋膜的裝置結構示意圖。圖2為本發(fā)明氣體輝光放電示意圖。圖3為本發(fā)明O2輝光放電對SiOj^l沖層的作用示意圖。
具體實施例方式為了進一步說明發(fā)明的具體技術內(nèi)容，以下結合實施例及附圖詳細說明
如圖ι所示，真空室ι內(nèi)，強化玻璃基材2粘附于夾具3上，燈絲夾具4上夾有8個燈絲5，8個燈絲5中分別含有8片膜料6，7為氣體管道。真空室1內(nèi)壓力抽至l(T3mbar，然后通過氣體管道7給真空室1注入氣體流量為 500sccm的O2和300sccm的Ar至壓力為1. OX 1(Γ4 2. OX l(T2mbar之間，加中頻功率為 6000w，然后k內(nèi)升至SOOOw放電啟輝30s，起到清洗和刻蝕玻璃基材表面的作用。待刻蝕完畢后，真空室1內(nèi)抽真空至壓力為5. OX 10_3mbar，然后通過氣體管道7充入氣體流量為500sccm的O2和IOOsccm的硅油至壓力為1. 0 X 10^5. 0 X 10_1mbar之間，持續(xù)中頻功率為8000w開始沉積SiOx，沉積時間為30s，得到厚度為10-20nm的SiOx緩沖層。待鍍完SiOx后，真空室1內(nèi)壓力抽至1. OX 10_2mbar，由氣管道7持續(xù)充入氣體流量為500sccm的&至壓力為1. OX 1(Γ4 5. OX KT1Hibar之間，持續(xù)中頻功率為8000w放電起輝30s，起到刻蝕SiOx表面、剝離附著力較差的SiOx和為SiOx補充0的作用。待刻蝕、剝離和補0后，真空室1內(nèi)壓力抽至1. OX 10_5mbar，30s內(nèi)通過燈絲夾具 4將8個燈絲5的總電流由OA提升至270A，開始沉積AF膜，沉積時間為150s，得到厚度為 10-30nm 的 AF 膜層。如圖2所示，為真空室1內(nèi)輝光放電示意圖，氣體通入真空室1內(nèi)，通過電極板8 形成氣體輝光放電等離子體，對夾具3上強化玻璃基材的緩沖層進行刻蝕、剝離附著力較差的SiOx和補充0。
如圖3所示，為&輝光放電對SiOx緩沖層9的作用示意圖。輝光放電形成的等離子體10對SiOx緩沖層9表面進行刻蝕，同時將附著力較差的SiA從強化玻璃基材2表面剝離和為缺少O的SiOx提供0，增加了后續(xù)AF膜與玻璃基材的鍍層附著力。
權利要求
1. 一種觸摸屏用防指紋膜的制備方法，其特征在于，其包括如下的步驟步驟1 將潔凈的強化玻璃基材放入PECVD沉積室中，通過A和Ar輝光放電對玻璃基材進行刻蝕與活化；其中所述的強化玻璃基材放入PECVD真空室內(nèi)時，開始抽真空至壓力為10_3mbar， 然后給真空室注入氣體流量為500SCCm的O2和300SCCm的Ar至真空室的壓力為 1. OX 10_4 2. OX 10_2mbar之間，加中頻功率為6000w，然后5s內(nèi)升至8000w放電啟輝30s;步驟2 利用硅氧烷高溫裂解形成SiOx,在離子清洗和刻蝕后的強化玻璃基材表面沉積 SiOx緩沖層；其中所述的離子清洗和刻蝕完成后，抽真空至壓力為5. OX 10_3mbar，然后充入氣體流量為500sccm的O2和IOOsccm的硅油至真空室內(nèi)壓力為1. 0 X 10^5. 0 X 10_1mbar之間，持續(xù)中頻功率為8000w開始沉積SiOx，沉積時間為30s，得到厚度為10-20nm的SiOx緩沖層；步驟3 通過&輝光放電，對SiOx緩沖層進行刻蝕、剝離附著力較差的SiOx和補充0形成SW2緩沖層；其中步驟2中所述的SiOjX積完成后，抽真空至壓力為1.0X10_2mbar，持續(xù)充入氣體流量為500SCCm的&至真空室內(nèi)壓力為1. OX 10_4 5. OX IO-1Hibar之間，持續(xù)中頻功率為 8000w放電起輝30s，起到刻蝕SiOx表面、剝離附著力較差的SiOx和為SiOx補充0形成SW2 緩沖層的作用；步驟4 利用熱蒸發(fā)法在A輝光放電后形成的SiA緩沖層表面沉積觸摸屏用防指紋膜；其中步驟3中所述的刻蝕SiOx表面、剝離附著力較差的SiOx和為SiOx補充0形成SiA 緩沖層完成后，抽真空至壓力為10_5mbar，30s內(nèi)將燈絲電流由OA提升至270A，開始沉積觸摸屏用防指紋膜，沉積時間為150s，得到厚度為10-30nm的觸摸屏用防指紋膜層。
全文摘要
本發(fā)明用于光電子器件制造技術領域，具體涉及電容式觸摸屏用防指紋膜的制備工藝中，一種提高防指紋膜與強化玻璃基材附著力的制備方法。其包括如下的步驟步驟1將潔凈的強化玻璃基材放入PECVD沉積室中，通過O2和Ar輝光放電對玻璃基材進行刻蝕與活化;步驟2利用硅氧烷高溫裂解形成SiOx，在離子清洗和刻蝕后的強化玻璃基材表面沉積SiOx緩沖層;步驟3通過O2輝光放電，對SiOx緩沖層進行刻蝕、剝離附著力較差的SiOx和補充O形成SiO2緩沖層；步驟4利用熱蒸發(fā)法在O2輝光放電后形成的SiO2緩沖層表面沉積觸摸屏用防指紋膜。
文檔編號C23C14/02GK102352489SQ201110311330
公開日2012年2月15日 申請日期2011年10月14日 優(yōu)先權日2011年10月14日
發(fā)明者于甄, 熊磊, 蔡榮軍 申請人:南昌歐菲光科技有限公司