專利名稱：一種電子產(chǎn)品殼體用奧氏體不銹鋼薄帶的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及不銹鋼合金領(lǐng)域，特別涉及一種電子產(chǎn)品殼體用奧氏體不銹鋼薄帶。
背景技術(shù)：
隨著人們生活水平的提高，移動(dòng)電話、PDA(個(gè)人數(shù)字助理，personal digital assistant)、MP3及掌上電腦等電子裝置大量進(jìn)入人們的生活和工作，給人們帶來方便和樂趣。目前，人們對(duì)于上述各種電子裝置不但要求功能強(qiáng)大，而且希望其外觀美觀、表面質(zhì)感良好，因此對(duì)電子裝置的殼體表面加工精度及粗糙度要求較高。目前，制造電子裝置的殼體常用的是304類奧氏體不銹鋼，尤以冷軋板居多，因?yàn)槔滠埌寰哂斜容^優(yōu)的表面質(zhì)量和拋光性能。而對(duì)于部分電子行業(yè)用鋼，冷軋板厚度無法滿足其實(shí)際需求，且成本較高，因此一般都采用熱軋板來取代冷軋板，而熱軋板表面為酸洗后表面，其粗糙度一般為2 5μπι，需要拋光成鏡面后方能使用。對(duì)于常規(guī)成分和工藝生產(chǎn)的奧氏體不銹鋼熱軋板，如304，其拋光后表面存在凹坑、針孔、易銹斑等缺陷，且拋光時(shí)間較長(zhǎng)和材料損耗率較高。對(duì)于奧氏體類不銹鋼304， 影響其拋光性能的兩個(gè)重要指標(biāo)為材料本身的硬度和內(nèi)在質(zhì)量(如夾雜物等級(jí)、第二相析出)。對(duì)于常規(guī)工藝生產(chǎn)的304奧氏體不銹鋼，由于為了保證其優(yōu)異的耐蝕性，一般需要熱軋或冷軋后進(jìn)行固溶熱處理，這就造成了其低的硬度和耐磨性，而若不進(jìn)行退火處理，就會(huì)由于碳化物析出而影響其耐蝕性和鏡面拋光性，因此提高硬度和改善材料內(nèi)在性能是解決該類技術(shù)難題的方向。目前提高熱軋奧氏體不銹鋼硬度的解決方案主要是通過對(duì)固溶態(tài)奧氏體不銹鋼進(jìn)行大壓下量的室溫平整后直接應(yīng)用，但冷變形易導(dǎo)致材料內(nèi)部組織不均勻，硬度沿著截面方向分布不均、鋼板平直度較差和磁導(dǎo)率較高；此外制備該類材料加工流程較長(zhǎng)，成本較高，鋼板厚度規(guī)格有限。日本專利特開2001-247938Α公開了一種電子器件用高強(qiáng)度、高平坦度奧氏體不銹鋼的制備方法，其公開的成分為0. 01 % <碳< 0. 08%，0. 1 % <硅< 2. 0%，Mn < 3. 0%， 10. 0%<鉻< 20. 0%,3. 0%<11< 12. 0%,0. 08%<氮< 0. 25%,0. 01%<鈮< 0. 50%， 且Md = 500-458 (C+N) -9 (S i+Mn) -13Cr_19Ni_65Nb大于0小于80，余量為鐵及不比可避免的雜質(zhì)。熱軋后直接冷軋，壓下率為20%，然后在650°C 1000°C施加小于材料屈服強(qiáng)度 0.2%以下的張力，并保持300s以下。該材料具有高強(qiáng)度、高硬度和低的殘余應(yīng)力，但由于該類材料只解決了高硬度問題，而并沒有解決材料的拋光性問題，因?yàn)樵摵辖鹜ㄟ^Nb-N化合物的析出來強(qiáng)化，這些析出的顆粒會(huì)影響材料的鏡面拋光性。公開號(hào)為CN101892437A的中國(guó)專利申請(qǐng)公開了一種鏡面拋光性良好的低磁奧氏體不銹鋼及其制造方法，并具體公開了其化學(xué)成分重量百分比為Crl7. 00 21. 00% ； Ni 8. 00 10. 00 % ；N 0. 05 0. 20 % ;C 彡 0. 05 % ；Mn ^ 2. 00 % ；Si 0. 3 1. 0 % ； P 彡 0. 03% ；S 彡 0. 005% ；Ca 0. 0010-0. 0050% ；0 彡 0. 0050% ；Al 0. 010 0. 060% ；余
量為Fe和不可避免的雜質(zhì)；并且，C+N > 0. 10%。雖然其硬度大于240Hv，較低的夾雜物等級(jí)，即A+B+C+D ( 2. 5級(jí)，導(dǎo)磁率小于1. 2Gs/0e，具有良好的拋光性能。但經(jīng)實(shí)踐發(fā)現(xiàn)某些指標(biāo)達(dá)不到其聲稱的數(shù)值，并且，即使能達(dá)到其數(shù)值，對(duì)于某些要求較高的高端產(chǎn)品仍不能滿足使用需求。

發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的之一在于提供一種電子產(chǎn)品殼體用奧氏體不銹鋼薄帶。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案為一種電子產(chǎn)品殼體用奧氏體不銹鋼薄帶，所述奧氏體不銹鋼以重量百分比計(jì)含有下列組份c 0. 06-0. 08 %, Cr 14. 5-16. 5 %, Ni 11. 0-13. 0 %, Mn 1.4-1.8%， Si 0. 3-1. 0%, Mo 0.5-0.8%，Nb 0. 3-0. 6%, B 0. 001-0. 005%, Al 0. 010-0. 060%, N 0. 05-0. 20%, P^O. 03%, S^O. 005%, 0^ 0. 0050% ；余量為 Fe 和不可避免的雜質(zhì)；并且該不銹鋼的Ni-bal%范圍為0. 5-1. 5，所述的Ni_bal %采用下式計(jì)算Ni_bal%=
+30 (C% +N% +B% )+0. 5Mn% -1. 5(Cr% +1. 5Si% +Mo% +0. 5Nb% )+8. 5%。本發(fā)明的奧氏體不銹鋼薄帶的上述成分基于下述理由設(shè)計(jì)通過添加Mo、Nb和B來穩(wěn)定碳化化物，使其不析出，從而提高奧氏體不銹鋼的表面拋光性能。通過添加微量的Al并控制氧含量來減少夾雜物。氮和碳是強(qiáng)奧氏體形成元素，增加碳氮含量不僅可以降低奧氏體不銹鋼中的鐵素體含量，增加奧氏體不銹鋼的穩(wěn)定性，還可以固溶奧氏體相中來提高強(qiáng)度和硬度。但過量的碳和氮元素的增加又會(huì)使碳氮化物析出，從而影響材料的拋光性。調(diào)整鎳鉻當(dāng)量為0. 5-1. 5來控制奧氏體的穩(wěn)定性，降低材料磁性并保證薄帶的硬度。本發(fā)明奧氏體不銹鋼薄帶的有益效果為1.本發(fā)明通過對(duì)奧氏體不銹鋼的合金設(shè)計(jì)，使得各元素產(chǎn)生協(xié)同作用，從而提高薄帶的綜合性能。2.本發(fā)明的奧氏體不銹鋼薄帶具有良好的硬度，即硬度大于280Hv，較低的夾雜物等級(jí)，即A+B+C+D ^ 2. 0級(jí)，因此具有良好的拋光性能，拋光后不存在針眼和凹坑，可達(dá)到鏡面光潔度，導(dǎo)磁率小于0. 6Gs/0e,因而可滿足電子元器件，特別是手機(jī)外殼等通訊器件領(lǐng)域越來越高的要求。
具體實(shí)施例方式實(shí)施例一一種電子產(chǎn)品殼體用奧氏體不銹鋼薄帶，所述奧氏體不銹鋼以重量百分比計(jì)含有下列組份:C 0. 06%, Cr 16. 5%, Ni 11. 0%, Mn 1. 8%, Si 0. 3%, Mo 0. 8%, Nb 0. 3%, B 0. 005%,Al 0. 010%,N 0. 20%，P 彡 0. 03%，S 彡 0. 005%，0 彡 0. 0050%；余量為 Fe 和不可避免的雜質(zhì)；并且該不銹鋼的Ni-bal范圍為1. 5，所述的Ni-bal采用下式計(jì)算Ni_bal% =Ni% +30 (C% +N% +B% )+0. 5Mn% -1. 5(Cr% +1. 5Si% +Mo% +0. 5Nb% )+8. 5%。實(shí)施例二
一種電子產(chǎn)品殼體用奧氏體不銹鋼薄帶，所述奧氏體不銹鋼以重量百分比計(jì)含有下列組份c 0. 08 %, Cr 14. 5%, Ni 13. 0%, Mn 1.4%，Si 1.0%，Mo 0.5%，Nb 0. 6%, B 0. 001%, Al 0. 060%, N 0. 05%, P 彡 0. 03%, S 彡 0. 005%, 0^ 0. 0050% ；余量為Fe和不可避免的雜質(zhì)；并且該不銹鋼的Ni-bal %范圍為0. 93，所述的Ni_bal%采用下式計(jì)算Ni-bal% = Ni % +30 (C % +N% +B% )+0. 5Mn% -1. 5(Cr% +1. 5Si % +Mo % +0. 5Nb% )+8. 5%。實(shí)施例三一種電子產(chǎn)品殼體用奧氏體不銹鋼薄帶，所述奧氏體不銹鋼以重量百分比計(jì)含有下列組份:C 0. 07%, Cr 15. 5%, Ni 12%, Mn 1. 6%, Si 0. 7%, Mo 0. 6%, Nb 0. 5%, B 0. 004 %, Al 0. 04 %, N 0. 12 %, P ^ 0. 03 %, S ^ 0. 005 %, 0 ^ 0. 0050 % ；余量為Fe和不可避免的雜質(zhì)；并且該不銹鋼的Ni_bal%范圍為1. 0，所述的Ni_bal %采用下式計(jì)算Ni-bal % = Ni % +30 (C % +N % +B % ) +0. 5Μη % _1· 5 (Cr % +1. 5Si % +Mo % +0. 5Nb% )+8. 5%。申請(qǐng)人:聲明，本發(fā)明通過上述實(shí)施例來詳細(xì)說明本發(fā)明，但本發(fā)明并不局限于實(shí)施例，即不意味著本發(fā)明必須依賴上述實(shí)施例才能實(shí)施。所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該明了，對(duì)本發(fā)明的任何改進(jìn)，對(duì)本發(fā)明產(chǎn)品各原料的等效替換及輔助成分的添加、具體方式的選擇等，均落在本發(fā)明的保護(hù)范圍和公開范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種電子產(chǎn)品殼體用奧氏體不銹鋼薄帶，其特征在于，所述奧氏體不銹鋼以重量百分比計(jì)含有下列組份C 0. 06-0. 08%, Cr 14. 5-16. 5%, Ni 11. 0-13. 0%, Mn 1.4-1.8%， Si 0. 3-1. 0%, Mo 0. 5-0. 8%, Nb 0. 3-0. 6%, B 0. 001-0. 005%, Al 0. 010-0. 060%, N 0. 05-0. 20%, P^O. 03%, S^O. 005%, 0^ 0. 0050% ；余量為 Fe 和不可避免的雜質(zhì)；并且該不銹鋼的Ni-bal%范圍為0. 5-1. 5，所述的Ni_bal%采用下式計(jì)算Ni_bal%=+30 (C% +N% +B% )+0. 5Mn% -1. 5(Cr% +1. 5Si% +Mo% +0. 5Nb% )+8. 5%。
2.如權(quán)利要求1所述的電子產(chǎn)品殼體用奧氏體不銹鋼薄帶，其中所述奧氏體不銹鋼以重量百分比計(jì)含有下列組份C 0. 07%, Cr 15. 5%, Ni 12%, Mn 1.6%，Si 0.7%， Mo 0. 6%, Nb 0. 5%, B 0. 004%, Al 0. 04%, N 0. 12%, P ^ 0. 03%, S ^ 0. 005%, 0^ 0. 0050% ；余量為Fe和不可避免的雜質(zhì)；并且該不銹鋼的Ni_bal%范圍為1.0。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種電子產(chǎn)品殼體用奧氏體不銹鋼薄帶，所述奧氏體不銹鋼以重量百分比計(jì)含有下列組份C 0.06-0.08％，Cr 14.5-16.5％，Ni 11.0-13.0％，Mn 1.4-1.8％，Si 0.3-1.0％，Mo 0.5-0.8％，Nb 0.3-0.6％，B 0.001-0.005％，Al 0.010-0.060％，N 0.05-0.20％，P≤0.03％，S≤0.005％，O≤0.0050％；余量為Fe和不可避免的雜質(zhì)；并且該不銹鋼的Ni-bal％范圍為0.5-1.5，所述的Ni-bal％采用下式計(jì)算Ni-bal％＝Ni％+30(C％+N％+B％)+0.5Mn％-1.5(Cr％+1.5Si％+Mo％+0.5Nb％)+8.5％。
文檔編號(hào)C22C38/54GK102352471SQ20111034231
公開日2012年2月15日 申請(qǐng)日期2011年11月2日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月2日
發(fā)明者濮曉芳 申請(qǐng)人:永鑫精密材料(無錫)有限公司