專(zhuān)利名稱(chēng)：制造裝置和發(fā)光裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在利用蒸鍍可成膜的材料(以下稱(chēng)蒸鍍材料)的成膜中使用的成膜裝置和具有該成膜裝置的制造裝置。特別是涉及從與基板相向地設(shè)置的蒸鍍?cè)凑舭l(fā)蒸鍍材料進(jìn)行成膜的蒸鍍裝置。另外，還涉及發(fā)光裝置及其制作方法。
背景技術(shù)：
具有薄而輕、高速響應(yīng)、直流低電壓驅(qū)動(dòng)等特征的，用有機(jī)化合物作為發(fā)光體的發(fā)光元件正被期待著應(yīng)用于下一代平板顯示器。特別是可以認(rèn)為將發(fā)光元件配置成矩陣狀的顯示裝置與現(xiàn)有的液晶顯示裝置相比，在視角寬、可視性好方面具有優(yōu)越性。
據(jù)知，發(fā)光元件的發(fā)光機(jī)構(gòu)如下借助于在ー對(duì)電極之間夾持含有機(jī)化合物的層，對(duì)其施加電壓，從陰極注入的電子和從陽(yáng)極注入的空穴在含有機(jī)化合物的層中的作為發(fā)光中心的發(fā)光層中進(jìn)行復(fù)合形成分子激子，在該分子激子返回基態(tài)時(shí)釋放能量，進(jìn)行發(fā)光。關(guān)于激發(fā)狀態(tài)已知有單激發(fā)和三重激發(fā)，據(jù)認(rèn)為經(jīng)任何一種激發(fā)狀態(tài)都可以發(fā)光。對(duì)將這樣的發(fā)光元件配置成矩陣狀而形成的發(fā)光裝置可以采用無(wú)源矩陣驅(qū)動(dòng)(簡(jiǎn)單矩陣型)和有源矩陣驅(qū)動(dòng)(有源矩陣型)的驅(qū)動(dòng)方法。但是，在像素密度增多的場(chǎng)合，由于對(duì)每個(gè)像素(或每I個(gè)點(diǎn))設(shè)置開(kāi)關(guān)的有源矩陣型可以用低電壓驅(qū)動(dòng)，所以被認(rèn)為是有利的。另外，含有機(jī)化合物的層具有以“空穴輸運(yùn)層/發(fā)光層/電子輸運(yùn)層”為代表的疊層結(jié)構(gòu)。另外，形成含有機(jī)化合物的層的EL材料可粗分為低分子類(lèi)(単體類(lèi))材料和高分子類(lèi)(聚合物類(lèi))材料，低分子類(lèi)材料可以用蒸鍍裝置成膜?，F(xiàn)有的蒸鍍裝置將基板設(shè)置在基板支架上，具有封入了 EL材料，即蒸鍍材料的容器(或蒸鍍舟)、防止升華的EL材料上升的擋板、加熱容器內(nèi)的EL材料的加熱器。這樣，被加熱器加熱了的EL材料升華，在旋轉(zhuǎn)的基板上成膜。這時(shí)，為了均勻地成膜，基板與容器之間的距離要在Im以上。在現(xiàn)有的蒸鍍裝置和蒸鍍方法中，在利用蒸鍍形成含有機(jī)化合物的層時(shí)，升華了的EL材料的絕大部分附著到了蒸鍍裝置的成膜室的內(nèi)壁、擋板或防鍍屏(用于防止蒸鍍材料附著在成膜室的內(nèi)壁上的保護(hù)板)上。因此，在含有機(jī)化合物的層成膜時(shí)，昂貴的EL材料的利用效率約在I %以下，是極低的，使得發(fā)光裝置的制造成本非常高昂。另外，為得到均勻的膜，在現(xiàn)有的蒸鍍裝置中使基板與蒸鍍?cè)吹拈g距在Im以上。另外，當(dāng)為大面積基板時(shí)，存在基板的中央部與邊緣部的膜厚容易不一致的問(wèn)題。還有，由于蒸鍍裝置是將基板旋轉(zhuǎn)的結(jié)構(gòu)，所以對(duì)以大面積基板為目標(biāo)的蒸鍍裝置存在界限。此外，當(dāng)在使大面積基板與蒸鍍用掩模緊密接觸的狀態(tài)下將它們一起旋轉(zhuǎn)吋，恐怕會(huì)發(fā)生掩模與基板的位置偏離。另外，當(dāng)在蒸鍍中基板和掩模被加熱時(shí)，因膨脹尺寸發(fā)生變化，這樣，由于掩模與基板的熱膨脹率不同，故而尺寸精度、位置精度降低。作為解決來(lái)自這些方面的上述課題的ー種裝置，本申請(qǐng)人提出了一種蒸鍍裝置(特開(kāi)2001-247959號(hào)公報(bào)、特開(kāi)2002-60926號(hào)公報(bào))。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了具備作為借助于提高EL材料的利用效率來(lái)降低制造成本，并且使含有機(jī)化合物的層的均勻性、生產(chǎn)率良好的制造裝置之一的蒸鍍裝置的制造裝置。另夕卜，本發(fā)明提供了對(duì)例如基板尺寸為320mm X 400mm、370mm X 470mm、550mmX 650mm、600mmX 720mm、680mmX 880mm、1000mmX 1200mm、1100mm X 1250mm、1150mmX 1300mm的這樣的大面積基板高效率地蒸鍍EL材料的制造裝置。還有，本發(fā)明提供了對(duì)大面積的基板也能在整個(gè)基板上得到均勻的膜厚的蒸鍍裝置。本發(fā)明用3層疊層構(gòu)成發(fā)光元件的含有機(jī)化合物的層，以較少的室數(shù)制作了全色發(fā)光裝置。具體地說(shuō)，用3層疊層中的空穴輸運(yùn)層和電子輸運(yùn)層作為公用層，在I個(gè)室中對(duì)每個(gè)像素只分開(kāi)涂敷發(fā)紅光、綠光或藍(lán)光的發(fā)光元件的發(fā)光層。即，至少用3個(gè)室制作發(fā)光元件的含有機(jī)化合物的層。在I個(gè)室中有選擇地進(jìn)行蒸鍍，形成不同的 3個(gè)發(fā)光層。如圖I所示，安裝了不同的蒸鍍?cè)吹?個(gè)機(jī)械臂(移動(dòng)裝置)106a、106b、106c在I個(gè)室內(nèi)自由移動(dòng)，依次有選擇地成膜。另外，在I個(gè)層的成膜結(jié)束后，使基板100與掩模113分離，改變基板與掩模的對(duì)準(zhǔn)狀態(tài)，偏離到下一次的第2層的成膜位置，進(jìn)行下一次的第2層的成膜。然后，在2個(gè)層的成膜結(jié)束后，同樣地使基板與掩模分離，在進(jìn)行基板與掩模的對(duì)準(zhǔn)后進(jìn)行下一次的第3層的成膜。另外，在移動(dòng)I個(gè)機(jī)械臂進(jìn)行蒸鍍期間，其他的機(jī)械臂在設(shè)置室中待機(jī)，依次交替地進(jìn)行蒸鍍。另外，雖然也依賴(lài)于像素的排列，但對(duì)R、G、B像素的蒸鍍位置各不相同。因此，對(duì)每種發(fā)光顏色進(jìn)行基板與掩模的對(duì)準(zhǔn)，依次進(jìn)行蒸鍍。用同一個(gè)掩模，借助于使位置偏離來(lái)進(jìn)行R、G、B的分開(kāi)涂敷。另外，使蒸鍍?cè)匆苿?dòng)的機(jī)械臂也能夠在Z方向移動(dòng)，可以升降。還有，機(jī)械臂的旋轉(zhuǎn)中心可以位于設(shè)置室內(nèi)，也可以位于成膜室內(nèi)。本說(shuō)明書(shū)中公開(kāi)的發(fā)明結(jié)構(gòu)是在圖I中示出其一例的、具有裝料室、與該裝料室連結(jié)的傳送室和與該傳送室連結(jié)的多個(gè)成膜室的制造裝置，其特征在于上述成膜室具有與對(duì)上述成膜室內(nèi)抽真空的真空排氣處理室連結(jié)、進(jìn)行掩模與基板的位置調(diào)整的對(duì)準(zhǔn)裝置、基板保持裝置和對(duì)基板加熱的裝置；第I蒸鍍?cè)春褪乖摰贗蒸鍍?cè)匆苿?dòng)的裝置；第2蒸鍍?cè)春褪乖摰?蒸鍍?cè)匆苿?dòng)的裝置；第3蒸鍍?cè)春褪乖摰?蒸鍍?cè)匆苿?dòng)的裝置。上述結(jié)構(gòu)的特征在于設(shè)置室與上述成膜室連結(jié)，設(shè)置室與對(duì)上述設(shè)置室內(nèi)抽真空的真空排氣裝置連結(jié)，在設(shè)置室內(nèi)具有將蒸鍍材料放置在蒸鍍?cè)瓷系臋C(jī)構(gòu)。另外，上述結(jié)構(gòu)的特征在于上述成膜室和上述設(shè)置室與對(duì)室內(nèi)抽真空的真空排氣處理室連結(jié)，并且具有可以弓I入材料氣體或清洗用氣體的裝置。另外，上述結(jié)構(gòu)的特征在于上述蒸鍍?cè)丛诔赡な覂?nèi)可以在X方向、Y方向或Z方向移動(dòng)。另外，上述結(jié)構(gòu)的特征在于具有對(duì)上述成膜室在成膜室內(nèi)劃分區(qū)域、并且遮蔽向上述基板的蒸鍍的擋板。另外，上述結(jié)構(gòu)的特征在于密封室與上述傳送室連結(jié)，與對(duì)上述密封室內(nèi)抽真空的真空排氣裝置連結(jié)，在密封室內(nèi)具有用噴墨法涂敷密封材料的機(jī)構(gòu)。還有，利用蒸鍍層疊含有機(jī)化合物的層和陰極(或陽(yáng)極)后，不接觸大氣，用噴墨法形成密封層。另外，也可以在用噴墨法形成密封層前，用濺射法形成由無(wú)機(jī)絕緣膜構(gòu)成的保護(hù)膜。另外，在將發(fā)光元件密封時(shí)，在密封基板與元件基板之間充填密封材料。若是上表面出光型，最好使用透明的密封材料。另外，雖然在進(jìn)行貼合前向像素區(qū)滴下了密封材料，但最好利用減壓下的噴墨法向像素區(qū)噴射密封材料。另外，也可以重復(fù)進(jìn)行如下操作利用減壓下的噴墨法向像素區(qū)噴射密封材料，使其固化后用濺射法形成以氮化硅膜為代表的無(wú)機(jī)絕緣膜，再用減壓下的噴墨法噴射密封材料，使其固化后形成氮化硅膜。借助于設(shè)置密封材料和無(wú)機(jī)絕緣膜的疊層，可以阻止水分、雜質(zhì)從大氣中侵入，從而提高可靠性。
另外，另一發(fā)明結(jié)構(gòu)是包括具有陰極、與該陰極相接的含有機(jī)化合物的層以及與該含有機(jī)化合物的層相接的陽(yáng)極的發(fā)光元件的多個(gè)發(fā)光裝置，其特征在于配置了第I發(fā)光元件、第2發(fā)光元件和第3發(fā)光元件，上述第I發(fā)光元件至少具有空穴輸運(yùn)層、第I發(fā)光層和電子輸運(yùn)層的疊層，上述第2發(fā)光元件至少具有上述空穴輸運(yùn)層、第2發(fā)光層和上述電子輸運(yùn)層的疊層，上述第3發(fā)光元件至少具有上述空穴輸運(yùn)層、第3發(fā)光層和上述電子輸運(yùn)層的疊層，上述第I發(fā)光層、上述第2發(fā)光層或上述第3發(fā)光層中的2個(gè)層部分地重疊。另外，在上述結(jié)構(gòu)中，被陽(yáng)極與陰極夾持的含有機(jī)化合物的層中的空穴輸運(yùn)層和電子輸運(yùn)層這兩層是公用的。因此，由于與這2個(gè)層的蒸鍍精度關(guān)系不太大，所以可以用只是對(duì)發(fā)光層精度高的蒸鍍裝置。另外，在以2個(gè)層為公用層制成全色的場(chǎng)合，最好選擇合適的材料和膜厚。另外，上述結(jié)構(gòu)的特征在于上述發(fā)光元件具有由高分子材料構(gòu)成的空穴注入層。在借助于利用旋轉(zhuǎn)涂敷等的涂敷法形成由高分子材料構(gòu)成的空穴注入層時(shí)，可以提高平坦性，使在其上形成的膜的覆蓋性和膜厚的均勻性良好。特別是由于發(fā)光層的膜厚均勻，所以可以得到均勻的發(fā)光。另外，上述結(jié)構(gòu)的特征在于上述第I發(fā)光元件發(fā)出紅光、綠光或藍(lán)光中的某一種顏色的光。另外，在采用可分為多塊的大面積基板時(shí)，蒸鍍掩模使用將幾塊進(jìn)行貼合的掩模。因此，由于它們的貼合精度方面的原因，對(duì)每塊面板而言恐怕會(huì)發(fā)生TFT基板與蒸鍍圖形偏離。于是，在本發(fā)明中，預(yù)先測(cè)定蒸鍍圖形，根據(jù)該測(cè)定值對(duì)制作TFT的步進(jìn)器的設(shè)定進(jìn)行合適的校正，以使曝光圖形位置準(zhǔn)確。如果在用進(jìn)行了校正的步進(jìn)器制作TFT后利用蒸鍍掩模進(jìn)行蒸鍍，則可以得到偏離少的圖形。


圖I是示出本發(fā)明的蒸鍍裝置的俯視圖(實(shí)施形態(tài)I)。圖2是示出本發(fā)明的蒸鍍裝置的剖面圖(實(shí)施形態(tài)I)。圖3A 3E是示出設(shè)置在蒸鍍?cè)瓷系娜萜鞯囊粋€(gè)例子(實(shí)施形態(tài)I)的圖。圖4是示出本發(fā)明的制造裝置的俯視圖(實(shí)施例I)。圖5A 是示出液滴噴射裝置的圖(實(shí)施形態(tài)2)。圖6是示出本發(fā)明的發(fā)光裝置的剖面圖(實(shí)施形態(tài)2)。圖7A、7B是設(shè)置了輔助布線的面板的俯視圖(實(shí)施形態(tài)2)。
圖8是示出エ序流程圖的圖(實(shí)施形態(tài)3)。圖9A 9D是示出本發(fā)明的發(fā)光裝置的剖面圖(實(shí)施形態(tài)4)。圖10是示出本發(fā)明的發(fā)光裝置的俯視圖(實(shí)施形態(tài)4)。圖IlA IlD是示出本發(fā)明的發(fā)光裝置的剖面圖(實(shí)施形態(tài)4)。圖12A、12B是示出本發(fā)明的發(fā)光裝置的俯視圖和剖面圖(實(shí)施例2)。圖13A 13C是示出一例電子裝置的圖(實(shí)施例3)。
圖13D是示出圖13C的移動(dòng)計(jì)算機(jī)的背面?zhèn)鹊男币晥D。
圖13E示出電視攝像機(jī)。
圖13F和圖13G分別是移動(dòng)電話的斜視圖和示出其折疊狀態(tài)的斜視圖。圖14是使用了本發(fā)明的發(fā)光裝置的移動(dòng)電話的方框圖(實(shí)施例4)。圖15是產(chǎn)生本發(fā)明的發(fā)光裝置用的反轉(zhuǎn)信號(hào)的說(shuō)明圖(實(shí)施例4)。圖16是使用了本發(fā)明的發(fā)光裝置的移動(dòng)電話的充電中的狀態(tài)(實(shí)施例4)。
具體實(shí)施例方式下面說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)實(shí)施形態(tài)I圖I示出了本發(fā)明的蒸鍍裝置的俯視圖的ー個(gè)例子。在圖I中，100是基板，101是成膜室，102a 102c是設(shè)置室，103a 103c、104是擋板，105是傳送室，106a 106c是機(jī)械臂，107是蒸鍍區(qū)域，108是構(gòu)成面板的區(qū)域，109是蒸鍍支架，110是容器。另外，示出了在基板100上設(shè)計(jì)了構(gòu)成9個(gè)面板的區(qū)域108的例子。這里，雖然示出了橫向并排地配置了擋板103a 103c、設(shè)置室106a 106c的例子，但并無(wú)特別限定，也可以在ー個(gè)設(shè)置室中配置3個(gè)機(jī)械臂。另外，掩模113與基板相接、并進(jìn)行了對(duì)準(zhǔn)，借助于將I塊掩模錯(cuò)開(kāi)I個(gè)像素部分、進(jìn)行多次對(duì)準(zhǔn)后再進(jìn)行蒸鍍，可以分開(kāi)涂敷RGB。另外，圖2示出了沿圖I中的點(diǎn)劃線剖開(kāi)的剖面圖。另外，在圖2中對(duì)與圖I的符號(hào)相同的部位使用了相同的符號(hào)。具有圖形開(kāi)ロ的薄板狀的掩模113借助于粘接或焊接，固定在框狀的掩?？?14上。最好ー邊進(jìn)行適合于蒸鍍材料的加熱，一邊進(jìn)行蒸鍍，可以通過(guò)在該加熱溫度下對(duì)掩模施加適當(dāng)?shù)膹垾珌?lái)決定其恰當(dāng)?shù)墓潭ㄎ恢谩Ａ硗?，與基板的位置調(diào)整借助干支撐掩模113和掩?？?14的掩模支架111進(jìn)行。首先，傳送來(lái)的基板被對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)112a支撐，被放置在掩模支架111上。接著，使放置在掩模113上的基板靠近對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)112b,借助于磁力在吸附掩模113的同時(shí)吸附基板，并將其固定。另外，對(duì)對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)112b設(shè)置了永久磁鐵(未圖示)、加熱裝置(未圖示)。另外，在進(jìn)行蒸鍍時(shí)使在設(shè)置室102a內(nèi)待機(jī)的機(jī)械臂106a的端部在成膜室101內(nèi)移動(dòng)，一邊將其在X方向、Y方向或Z方向移動(dòng),一邊對(duì)基板進(jìn)行蒸鍍。在機(jī)械臂106a的端部設(shè)置了蒸鍍支架109，設(shè)置了收容蒸鍍材料的容器110。如圖I所示，安裝了不同的蒸鍍?cè)吹?個(gè)機(jī)械臂(移動(dòng)裝置)106a、106b、106c在ー個(gè)室內(nèi)自由移動(dòng)，依次有選擇地成膜。在進(jìn)行將來(lái)自不同蒸鍍?cè)吹牟牧险翦冊(cè)谕换迳系墓舱翦儠r(shí)，也可以制成能夠自由改變蒸鍍?cè)吹陌惭b角度，以使與蒸發(fā)中心所要蒸鍍的基板的一點(diǎn)相一致的結(jié)構(gòu)。但是，為了對(duì)每個(gè)蒸鍍?cè)磳⒔嵌葍A斜，2個(gè)蒸鍍?cè)吹拈g隔必須達(dá)到某種程度。因此，最好如圖3A 3C所示，將容器110制成棱柱形狀，以容器的開(kāi)口方向調(diào)節(jié)蒸發(fā)中心。容器由上部部件800a和下部部件800b構(gòu)成，可以準(zhǔn)備蒸鍍材料從橢圓形開(kāi)口 810射出的角度不同的多個(gè)上部部件，以便作適當(dāng)?shù)倪x擇。由于蒸鍍的擴(kuò)展隨蒸鍍材料而異，所以在進(jìn)行共蒸鍍時(shí)最好準(zhǔn)備安裝了不同的上部部件800a的2個(gè)蒸鍍?cè)?。在共蒸鍍時(shí)，將2種不同的蒸鍍材料進(jìn)行混合是很重要的。如果是圖3A 3C所示的容器，可以在從容器的開(kāi)口射出后馬上混合，在基板上形成膜。特別是對(duì)圖2所示的蒸鍍裝置，典型地使基板與蒸鍍支架的間隔距離d窄至30cm以下，再好些的是在20cm以下，最好是在5cm 15cm,可以更加提高蒸鍍材料的利用效率。
另外，圖3A是容器的斜視圖，圖3B是沿點(diǎn)劃線A-B剖開(kāi)的剖面圖，圖3C是沿點(diǎn)劃線C-D剖開(kāi)的剖面圖。在改變蒸鍍?cè)吹陌惭b角度的場(chǎng)合，由于可傾斜至圓筒形的容器和包圍它的加熱器，所以在用2個(gè)容器進(jìn)行共蒸鍍時(shí)它們之間的間隔變得較大。間隔一增大，將不同的2種蒸鍍材料進(jìn)行均勻混合就變得困難。在欲將蒸鍍?cè)磁c基板的間隔變窄進(jìn)行蒸鍍時(shí)，難以得到均勻的膜。于是，在本發(fā)明中，不改變蒸鍍?cè)吹陌惭b角度，借助于容器上部部件800a的開(kāi)口810來(lái)調(diào)節(jié)蒸發(fā)中心。容器由容器上部部件800a、容器下部部件800b和中蓋800c構(gòu)成。另夕卜，在中蓋800c上設(shè)置了多個(gè)小孔，蒸鍍時(shí)使蒸鍍材料通過(guò)這些孔。另外，容器是由BN的燒結(jié)體、BN和AlN的復(fù)合燒結(jié)體、石英或石墨等材料形成的、能耐高溫、高壓、低壓的容器。由于蒸鍍方向及擴(kuò)展隨蒸鍍材料而異，所以要適當(dāng)?shù)販?zhǔn)備調(diào)節(jié)了適合于各種蒸鍍材料的開(kāi)口 810的面積、開(kāi)口的導(dǎo)引部、開(kāi)口的位置的容器。借助于制作本發(fā)明的容器，無(wú)需將蒸鍍?cè)吹募訜崞鲀A斜就能調(diào)節(jié)蒸鍍中心。另外，可以如圖3D所示，在共蒸鍍時(shí)使開(kāi)口 810a與開(kāi)口 810b兩者相向，使收容多種不同的蒸鍍材料(材料A805、材料B806)的多個(gè)容器之間的間隔變窄，一邊均勻地進(jìn)行混合，一邊蒸鍍。在圖3D中，加熱裝置801 804與各自的電源連接，相互獨(dú)立地進(jìn)行溫度調(diào)節(jié)。另外，要在蒸鍍?cè)磁c基板的間隔例如收窄至20cm以下進(jìn)行蒸鍍時(shí)，也可以得到均勻的膜。另外，圖3E示出了與圖3D不同的例子。圖3E是使用具有使得在垂直方向蒸發(fā)的開(kāi)口 810c的上部部件810a和具有傾斜成與其方向一致的開(kāi)口 810d的上部部件800a進(jìn)行蒸發(fā)的例子。在圖3E中也是加熱裝置801、803、807、808與各自的電源連接，相互獨(dú)立地進(jìn)行溫度調(diào)節(jié)。另外，由于圖3A 3E所示的本發(fā)明的容器的開(kāi)口是細(xì)長(zhǎng)的橢圓形狀，所以均勻的蒸鍍區(qū)增寬，適合于將大面積基板固定而均勻地進(jìn)行蒸鍍的情形。另外，在圖4中示出了將圖I所示的蒸鍍裝置作為I個(gè)室而設(shè)置的多室型的制造裝置。另外，圖4的結(jié)構(gòu)將在后面的實(shí)施例I中敘述。還有，不言而喻，也可以作為在線式的制造裝置的I個(gè)室而設(shè)置。實(shí)施形態(tài)2這里示出了使用圖5所示的裝置利用液滴噴射法，其代表是使用噴墨法進(jìn)行密封材料滴下、密封材料描繪或輔助布線的形成的例子。
圖5A是示出線狀液滴噴射裝置的一個(gè)構(gòu)成例的概略斜視圖。圖5A所示的線狀液滴噴射裝置具有噴頭306a 306c，借助于從噴頭306a 306c噴射液滴，在基板310上得到了所希望的液滴圖形。在線狀液滴噴射裝置中，作為基板310除所希望尺寸的玻璃基板夕卜，可以應(yīng)用以塑料基板為代表的樹(shù)脂基板、或以硅為代表的半導(dǎo)體晶片等被處理物。在圖5A中，將基板310從傳送出入口 304送入處理室515的內(nèi)部，再將完成了液滴噴射處理的基板退回，從傳送出入口 304送出。基板310安放在傳送臺(tái)303上，傳送臺(tái)303在從傳送出入口開(kāi)始延伸的導(dǎo)軌315a、315b上移動(dòng)。噴頭支撐部307支撐噴射液滴的噴頭306a 306c，與傳送臺(tái)303平行移動(dòng)。當(dāng)基板310向處理室515的內(nèi)部移入時(shí)，與此同時(shí)，噴頭支撐部307移動(dòng)得與進(jìn)行初始液滴噴射處理的規(guī)定位置相一致。通過(guò)在基板送入時(shí)或基板送出時(shí)進(jìn)行噴頭306a 306c向初始位置的移動(dòng)，可以高效率地進(jìn)行噴射處理。 在這里，準(zhǔn)備了噴射3種不同材料的噴頭306a 306c。例如，可以使噴頭306a噴射含間隙材料的密封材料，使噴頭306b噴射用于對(duì)基板之間進(jìn)行充填的、含透明樹(shù)脂的密封材料，使噴頭306c噴射用于形成布線或電極的含導(dǎo)電微粒的油墨。在由于傳送臺(tái)303的移動(dòng)而基板310到達(dá)規(guī)定位置時(shí)，液滴噴射處理開(kāi)始。液滴噴射處理借助于噴頭支撐部307對(duì)基板310的相對(duì)移動(dòng)與來(lái)自被噴頭支撐部支撐的噴頭306a 306c的液滴噴射的組合而達(dá)成。通過(guò)調(diào)節(jié)基板310或噴頭支撐部307的移動(dòng)速度和對(duì)來(lái)自噴頭306a 306c的液滴進(jìn)行噴射的周期，可以在基板310上描繪所希望的液滴圖形。特別是由于液滴噴射處理要求很高的精度，所以最好在液滴噴射時(shí)停止傳送臺(tái)303的移動(dòng)，只是使可控性高的噴頭支撐部307依次掃描。對(duì)于噴頭306a 306c的驅(qū)動(dòng)最好選擇伺服電動(dòng)機(jī)、脈沖電動(dòng)機(jī)等可控性高的驅(qū)動(dòng)方式。另外，由噴頭306a 306c的噴頭支撐部307進(jìn)行的掃描不限于只是ー個(gè)方向，可以通過(guò)往返或多次往返進(jìn)行液滴噴射處理。借助于上述基板310和噴頭支撐部307的移動(dòng)，可以在整個(gè)基板上噴射液滴。液滴從設(shè)置在處理室515外部的液滴供給部209a 309c經(jīng)噴頭支撐部307供給噴頭306a 306c內(nèi)部的液體室。該液滴供給雖由設(shè)置在處理室515外部的控制裝置308控制，但也可以由內(nèi)置于處理室515內(nèi)部的噴頭支撐部307中的控制裝置控制?？刂蒲b置308除進(jìn)行上述的液滴供給控制外，對(duì)傳送臺(tái)303和噴頭支撐部307的移動(dòng)以及與其對(duì)應(yīng)的液滴噴射進(jìn)行控制是其主要功能。另外，通過(guò)液滴噴射進(jìn)行的圖形描繪的數(shù)據(jù)可以從該裝置外部通過(guò)CAD等軟件進(jìn)行下載，這些數(shù)據(jù)借助于圖形輸入、坐標(biāo)輸入等方法輸入。另外，也可以通過(guò)在噴頭306a 306c的內(nèi)部設(shè)置檢測(cè)用作液滴的組成物的殘留量的機(jī)構(gòu)、向控制裝置308傳送表示殘留量的信息，以附加殘留量自動(dòng)報(bào)警功能。在圖5A中雖未記述，但也還可以根據(jù)需要設(shè)置用于對(duì)基板或基板上的圖形進(jìn)行位置調(diào)整的傳感器、向處理室515的氣體引入裝置、從處理室515內(nèi)部的排氣裝置、對(duì)基板310進(jìn)行加熱處理的裝置、對(duì)基板310進(jìn)行光照射的裝置以及測(cè)定溫度、壓カ等各種物理特性值的裝置等。另外，這些裝置也可以由設(shè)置在處理室515外部的控制裝置308統(tǒng)ー控制。另外，如果將控制裝置308經(jīng)LAN電纜、無(wú)線LAN、光纖等與生產(chǎn)管理系統(tǒng)等連接，則可以從外部對(duì)エ序一律進(jìn)行管理，從而提高生產(chǎn)率。圖5B示出了用3個(gè)噴頭306a 306c之中的2個(gè)在基板310上滴下第I密封材料312和第2密封材料314的狀態(tài)。用噴頭306a描繪第I密封材料312，用噴頭306b滴下第2密封材料314，以覆蓋像素部311?？梢詮?個(gè)噴頭同時(shí)進(jìn)行噴射，也可以從一個(gè)噴頭噴射，固化后再?gòu)牧硪粋€(gè)噴頭進(jìn)行噴射。另外，圖示出了第I密封材料312和第2密封材料314的噴射處理結(jié)束后的基板310的斜視圖。作為從噴嘴306a噴射的材料，只要是有機(jī)材料都可以，無(wú)特別的限制，作為代表，可以使用紫外線固化或熱固化的環(huán)氧樹(shù)脂。作為從噴嘴306b噴射的材料，只要是具有透光性的有機(jī)材料都可以，無(wú)特別的限制，作為代表，可以使用紫外線固化或熱固化的環(huán)氧樹(shù)脂。另外，也可以制成在圖5A所示的裝置內(nèi)具有紫外線照射功能，或在其中設(shè)置加熱燈，能在裝置內(nèi)使密封材料固化的結(jié)構(gòu)。對(duì)液滴供給部309a 309c準(zhǔn)備用于向溶液涂敷裝置中存儲(chǔ)(stock)材料溶液的容器(罐)，作為容器，最好用具有氣密性， 特別是對(duì)氧和水分的透過(guò)有足夠的抵御性能的材料形成，可以使用不銹鋼、鋁等。另外，對(duì)容器設(shè)置用于使氮、稀有氣體或其他惰性氣體進(jìn)入的導(dǎo)入口，從那里引入惰性氣體，對(duì)容器內(nèi)部壓力加壓。如果在容器的內(nèi)部壓力與成膜室的內(nèi)部壓力之間產(chǎn)生了較大的壓力差，也可以使容器的內(nèi)部壓力減壓，例如可以使容器的內(nèi)部壓力為比成膜室內(nèi)的真空度低的真空度。另外，在將容器的內(nèi)部壓力減壓的場(chǎng)合，由于在使處理室515為大氣壓時(shí)恐怕會(huì)發(fā)生逆流，所以設(shè)置了利用小球的防逆流機(jī)構(gòu)。在圖5C中說(shuō)明了噴頭306a 306c的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。圖5C中的用虛線圍起來(lái)的區(qū)域是用于涂敷溶液的裝置(以下稱(chēng)溶液涂敷裝置)中的噴頭部的放大了的圖形，對(duì)其一部分示出了內(nèi)部結(jié)構(gòu)。在截面A處設(shè)置了約束小球321的浮動(dòng)量的突起，使油墨可以從小球321的兩側(cè)流過(guò)。另外，小球321具有比供給管的直徑略小的直徑，它可在一定的范圍內(nèi)浮動(dòng)。另外，該小球321起減緩急速的油墨流動(dòng)的作用。另外，供給管的中間變細(xì)，在截面B處其直徑比小球321的直徑小，當(dāng)液體逆流時(shí)，小球321完全堵塞供給管。噴頭配備具有噴射溶液的功能的噴射部317，對(duì)它們分別設(shè)置了壓電元件(peizo元件)316。壓電元件316以堵塞供給管的方式設(shè)置，借助于振動(dòng)可以在它與管內(nèi)壁之間產(chǎn)生少許間隙，使液體(密封材料或以納米油墨為代表的、含導(dǎo)電微粒的油墨)從該間隙通過(guò)。由于成膜室內(nèi)被減壓，所以即使是少許間隙也能很有氣勢(shì)地進(jìn)行噴射。另外，對(duì)每一個(gè)噴射部都充填了液體。另外，圖5C示出了借助于壓電元件316的振動(dòng)，檔板被關(guān)閉的狀態(tài)。這里示出以使用了壓電元件316的所謂的壓電方式進(jìn)行液滴噴射的例子，但也可以采用借助于液滴的材料使發(fā)熱體發(fā)熱產(chǎn)生氣泡，從而將液滴壓出的所謂的熱方式(熱油墨噴射方式)。這時(shí)，成為將壓電元件316置換成發(fā)熱體的結(jié)構(gòu)。另外，在圖5C中只說(shuō)明了一個(gè)噴射部，但是，可以并排排列多個(gè)噴射部(噴嘴)，當(dāng)考慮生產(chǎn)率時(shí)，可以說(shuō)最好是并列與像素部的一行部分或一列部分的像素?cái)?shù)目(Pixel數(shù)目)相當(dāng)?shù)?，或者與包圍像素部的區(qū)域的一個(gè)邊相當(dāng)?shù)臄?shù)目。另外，也可以使真空排氣裝置(未圖示)與處理室515連結(jié)，在噴頭306a 306c與基板310之間的空間減壓，即使其維持在低于大氣壓的壓力。具體地說(shuō)，在惰性氣體的氣氛中，壓力為IXlO2 2X IO4Pa(最好是5X IO2 5X IO3Pa)。利用壓電元件316使供給管啟閉，借助于對(duì)處理室515內(nèi)減壓，將充填在噴射部317中的液體(密封材料或含導(dǎo)電微粒的油墨)從噴嘴引出，向基板310噴射。然后，噴射出的液滴一邊在低壓下使溶劑揮發(fā)，一邊行進(jìn)，留下的材料(密封材料或?qū)щ娢⒘?淀積在基板上。這樣，依次在規(guī)定的時(shí)刻從噴射部(噴嘴)317噴吐液滴。其結(jié)果是間歇式地淀積了材料。利用上述裝置可以將液滴噴射到處理基板310上。關(guān)于液滴噴射方式，有連續(xù)噴射液滴形成連續(xù)的線狀圖形的所謂序列方式(分配方式)和將液滴噴射成點(diǎn)狀的所謂按需方式，雖然在圖5A 的裝置結(jié)構(gòu)中示出了按需方式，但也可以使用序列方式的噴頭。另外，作為其他應(yīng)用，也可如圖6所示，為了更牢固地密封被無(wú)機(jī)絕緣層620a覆蓋的發(fā)光元件，在只用噴嘴306b形成密封層621a、并將其固化后，用濺射法在密封層621a上形成無(wú)機(jī)絕緣層620b，再只用噴嘴306b在其上形成密封層621b、并將其固化，其后，同樣地形成無(wú)機(jī)絕緣層620c和密封層621c。借助于密封層621a 621c和無(wú)機(jī)絕緣層620a 620c的疊層，特別是阻止了水分、雜質(zhì)從面板的側(cè)面侵 入。另外，在圖6中，600是基板，601是透明電極，603是偏振片，606是蓋，607是密封材料(包含間隙材料)，620a 620c是無(wú)機(jī)絕緣層(氮化硅膜(SiN)、氮氧化硅膜(SiNO)、氮化鋁膜(AlN)或氮氧化鋁膜(AlNO)等)，621a 621c是密封層，622是透明電極，623是間壁(也稱(chēng)圍堤)。另外，624b是含有機(jī)化合物的層，作為發(fā)光元件形成藍(lán)色發(fā)光，624g是含有機(jī)化合物的層，作為發(fā)光元件形成綠色發(fā)光，624r是含有機(jī)化合物的層，作為發(fā)光元件形成紅色發(fā)光，由此實(shí)現(xiàn)了全色顯示。另外，透明電極601是與TFT的源電極或漏電極連接的發(fā)光元件的陽(yáng)極(或陰極)。另外，作為其他應(yīng)用，也可如圖7B所示，利用噴嘴306c用噴墨法描繪輔助布線70。圖7B示出了圖7A所示的像素部82中的I個(gè)像素的剖面圖，在第2電極(陽(yáng)極)72上形成了包含由空穴輸運(yùn)層79H、發(fā)光層79G、電子輸運(yùn)層79E的疊層構(gòu)成的有機(jī)化合物的層，又在其上設(shè)置了作為第I電極(陰極)的透明電極73。作為第I電極(陰極)的透明電極73是含功函數(shù)小的金屬(MgAg、Mgln、AlLi、CaF2> CaN等的合金,或者用共蒸鍍法形成屬于周期表中的I族或II族的元素和鋁的膜)的薄膜和透明導(dǎo)電膜(ΙΤ0(氧化銦氧化錫合金)、氧化銦氧化鋅合金(In2O3-ZnO)、氧化鋅(ZnO)等)的疊層。輔助布線70是在作為發(fā)光元件的陰極的透明電極73上形成，作為全體電極謀求低電阻化的布線。另外，輔助布線70還具有作為遮光膜的功能，使對(duì)比度提高。另外，也可以采取同樣的方法，用噴墨法形成迂回布線和連接布線等。作為從噴嘴306c噴射的材料，可以使用膏狀的金屬材料或散布了上述膏狀金屬的導(dǎo)電聚合物等的有機(jī)溶液，以及超微粒狀的金屬材料和散布了上述金屬材料的導(dǎo)電聚合物等的有機(jī)類(lèi)溶液等。所謂超微粒狀的金屬材料是指加工成數(shù)ym 亞ym的微粒，或者rim尺度的微粒的金屬材料，將上述微粒的某ー種或者兩種散布在有機(jī)類(lèi)溶液中使用。另外，在圖7A中，82是像素部，83是源側(cè)驅(qū)動(dòng)電路，84、85是柵側(cè)驅(qū)動(dòng)電路，86是電源供給線，72是第2電極(陽(yáng)極)。另外，與第I電極同時(shí)形成的布線是電源供給線86、迂回布線87和源布線。另外，在圖7A中，與柵布線同時(shí)形成了與FPC連接的端子電極。另外，本實(shí)施形態(tài)可以與實(shí)施形態(tài)I自由組合。實(shí)施形態(tài)3這里提供了抑制蒸鍍圖形偏離的方法。通常，對(duì)照基板上的標(biāo)記形成TFT、像素電極(構(gòu)成發(fā)光元件的陽(yáng)極或陰極的電極)和間壁(也稱(chēng)圍堤)。其后，在制作了 TFT、像素電極和間壁(圍堤)的基板上進(jìn)行蒸鍍。特別是當(dāng)像素電極與含有機(jī)化合物的層的位置偏離時(shí)將導(dǎo)致缺陷，例如短路。
在可分為多塊的掩模中，多塊相同圖形的掩模貼合在一起，當(dāng)貼合精度差時(shí)，在各面板上就發(fā)生偏離。于是，在本發(fā)明中，根據(jù)用掩模在虛擬基板上進(jìn)行了蒸鍍的蒸鍍圖形校正步進(jìn)器的曝光位置，據(jù)此制作TFT，其后進(jìn)行蒸鍍，以此來(lái)抑制偏離。即，對(duì)照所使用的掩模來(lái)制作TFT。圖8示出了本發(fā)明的流程圖。首先，用掩模在試驗(yàn)基板上進(jìn)行蒸鍍。盡管高精度地制作了將多塊掩模合在一起的可分為多塊的掩模，但往往存在些許偏離，存在隨每塊掩模而有微妙的差異的可能性。另外，還考慮了蒸鍍圖形依賴(lài)于蒸鍍裝置的情形。這里，取得了利用在發(fā)光裝置的制造中所使用的蒸鍍裝置形成的蒸鍍圖形 。接著，對(duì)多個(gè)得到的蒸鍍圖形進(jìn)行測(cè)定。根據(jù)得到的數(shù)據(jù)對(duì)步進(jìn)器的I拍在X方向和Y方向兩方向上測(cè)量四角和中心的偏離量，制成校正數(shù)據(jù)。接著，根據(jù)校正數(shù)據(jù)設(shè)定步進(jìn)器的曝光位置。這樣，可以進(jìn)行與某特定的蒸鍍掩模相符合的步進(jìn)器的曝光設(shè)定。接著，制作有源矩陣基板。根據(jù)預(yù)先測(cè)定的蒸鍍圖形形成TFT、陽(yáng)極(或陰極)和間壁。因此，在利用蒸鍍形成含有機(jī)化合物的膜時(shí)可以減小偏離。在變更蒸鍍掩模使用時(shí)，只要?dú)按味紲y(cè)定蒸鍍圖形，根據(jù)該測(cè)定值對(duì)步進(jìn)器的曝光等進(jìn)行調(diào)節(jié)就可以。實(shí)施形態(tài)4這里，以在像素部有規(guī)則地配置的多個(gè)像素中的3X3個(gè)像素為例在下面說(shuō)明本發(fā)明。圖9A是剖面圖的ー個(gè)例子。使含被陽(yáng)極與陰極夾持的有機(jī)化合物的層中的至少I(mǎi)個(gè)層，例如空穴輸運(yùn)層(或空穴注入層)19H為公用層。在圖9A中，電子輸運(yùn)層(或電子注入層)19E也為公用層。另外，圖9A是高精度地分別蒸鍍發(fā)光層19R、19G、19B的例子。因此，發(fā)光層19R、19G、19B的端面位于間壁(圍堤)24上。另外，如果使含被陽(yáng)極與陰極夾持的有機(jī)化合物的層中的2個(gè)層為公用層，由于與該2個(gè)層的蒸鍍精度關(guān)系不太大，所以可以用只是對(duì)發(fā)光層精度高的蒸鍍裝置。因此，在形成發(fā)光層以外的公用層時(shí)，最好使用能在較短的時(shí)間內(nèi)進(jìn)行處理的噴墨法、旋轉(zhuǎn)涂敷法。另外，在以2個(gè)層為公用層制作全色的場(chǎng)合，最好選擇合適的材料和膜厚。另外，11 13是發(fā)光元件的陰極(或陽(yáng)極)，20是發(fā)光元件的陽(yáng)極(或陰極)。發(fā)光元件的陰極(或陽(yáng)極)11 13的兩端部以及端部與端部之間被用無(wú)機(jī)絕緣物形成的間壁(圍堤)24覆蓋。這里，作為發(fā)光元件的陽(yáng)極(或陰極)20使用了透明導(dǎo)電膜，使來(lái)自各發(fā)光元件的光通過(guò)。另外，在與發(fā)光元件的陽(yáng)極(或陰極)20保持約10 μ m的間隔的距離上利用密封材料(這里未圖示)貼附密封基板(這里未圖示)，所有發(fā)光元件均被密封。另外，在圖9A中，TFT I是控制流過(guò)發(fā)紅光的發(fā)光元件的電流的元件，4、7為源電極或漏電極。另外，TFT 2是控制流過(guò)發(fā)綠光的發(fā)光元件的電流的元件，5、8為源電極或漏電極。TFT 3是控制流過(guò)發(fā)藍(lán)光的發(fā)光元件的電流的元件，6、9為源電極或漏電極。15、16是由有機(jī)絕緣材料或無(wú)機(jī)絕緣材料構(gòu)成的層間絕緣膜。
圖9B是剖面圖的又ー個(gè)例子。如圖9B所示，發(fā)紅光的發(fā)光層19R與發(fā)綠光的發(fā)光層19G部分地重疊,形成疊層部21b。另外,發(fā)綠光的發(fā)光層19G與發(fā)藍(lán)光的發(fā)光層19B部分地重疊，形成疊層部22b。疊層部21b、22b位于間壁(圍堤)24上，特別是將間壁(圍堤)24的寬度收窄，(例如10 μ m，最好5 μ m以下)，使發(fā)光層層疊，這對(duì)于增寬發(fā)光區(qū)域、制作明亮的顯示器是有用的。由于制成如此將發(fā)光層部分地重疊也沒(méi)有關(guān)系的結(jié)構(gòu)，所以在制作使用發(fā)紅、緑、藍(lán)光的顔色的全色平板顯示器時(shí)，可以與含有機(jī)化合物的層的成膜方法(噴墨法、蒸鍍法、旋轉(zhuǎn)涂敷法等)以及它們的成膜精度無(wú)關(guān)地實(shí)現(xiàn)高精細(xì)化和高開(kāi)ロ率。特別是在利用可以同時(shí)形成紅、緑、藍(lán)(R、G、B)的發(fā)光層的噴墨法進(jìn)行形成吋，還能夠縮短處理時(shí)間。圖9C是剖面圖的又ー個(gè)例子。在圖9C中，在發(fā)光元 件的陰極(或陽(yáng)極)12上有疊層部21c。因此，疊層部21c也發(fā)少許的光。圖10是與圖9C對(duì)應(yīng)的俯視圖。在圖10中，發(fā)光區(qū)IOR表示紅光發(fā)光區(qū)，發(fā)光區(qū)IOG表示綠光發(fā)光區(qū)，發(fā)光區(qū)IOB表示藍(lán)光發(fā)光區(qū)，借助于這3種顏色的發(fā)光區(qū)實(shí)現(xiàn)了全色化的發(fā)光顯示裝置。在本發(fā)明中，發(fā)紅光的發(fā)光層與發(fā)綠光的發(fā)光層部分地重疊，形成疊層部。另外，發(fā)綠光的發(fā)光層與發(fā)藍(lán)光的發(fā)光層部分地重疊，形成疊層部。層疊部中的發(fā)光亮度約為發(fā)光區(qū)10R、10GU0B中的發(fā)光亮度的約1000分之I。另夕卜，由于層疊部在X方向(或Y方向)以相同寬度重疊，所以對(duì)于I行可以進(jìn)行相同的亮度校正。實(shí)施者可以對(duì)照所設(shè)定的疊層部的寬度來(lái)改變對(duì)發(fā)光元件施加的信號(hào)，適當(dāng)?shù)卣{(diào)節(jié)面板整體的亮度。另外，圖9D是剖面圖的又ー個(gè)例子。疊層部21d完全覆蓋了間壁(圍堤)24，在間壁(圍堤)24的兩側(cè)存在由疊層部產(chǎn)生的些微發(fā)光。另外，在圖9A 圖9D中，可以制成從含有機(jī)化合物的層向透明電極20的方向發(fā)光的結(jié)構(gòu)、從含有機(jī)化合物的層向TFT的方向發(fā)光的結(jié)構(gòu)、或者向這兩個(gè)方向發(fā)光的結(jié)構(gòu)。另外，圖IlA是用涂敷法形成空穴注入層29H的例子。另外。與圖9A相比，只是含有機(jī)化合物的層的疊層結(jié)構(gòu)不同，因此，對(duì)與其相同的部分使用了相同的符號(hào)。作為空穴注入層29H可以用噴墨法或旋轉(zhuǎn)涂敷法等使用聚(次こニ氧基噻吩)/聚(苯こ烯磺酸)水溶液(PED0T/PSS)、聚苯胺/樟腦磺酸水溶液(PANI/CSA)、PTPDES,Et-PTPDEK 或 PPBA 等形成。另外，圖IlA是分別高精度地蒸鍍發(fā)光層29R、29G、29B的例子。因此，發(fā)光層29R、29G、29B的端面位于間壁(圍堤)24上。在用旋轉(zhuǎn)涂敷法形成空穴注入層29H時(shí)，空穴注入層29H幾乎不在間壁(圍堤)24上形成。因此，雖然間壁(圍堤)24的側(cè)面被空穴注入層29H覆蓋，但在間壁(圍堤)24上發(fā)光層29B、29G、29R相接。另外，這里雖未圖示，在發(fā)光層29B、29G、29R與空穴注入層29H之間，在所有像素上設(shè)置了公用的空穴輸運(yùn)層。在借助于利用旋轉(zhuǎn)涂敷等的涂敷法形成由高分子材料構(gòu)成的空穴注入層的時(shí)，可以提高平坦性，使在其上形成的膜的覆蓋性和膜厚的均勻性良好。特別是由于發(fā)光層的膜厚均勻，所以可以得到均勻的發(fā)光。這時(shí)，最好在用涂敷法形成空穴注入層后、在用蒸鍍法將發(fā)光層29B、29G、29R成膜前，進(jìn)行真空加熱(100 200°C )。例如，可以在用海綿清洗第I電極(陽(yáng)極)的表面后，用旋轉(zhuǎn)涂敷法在整個(gè)面上涂敷聚(次こニ氧基噻吩)/聚(苯こ烯磺酸)水溶液(PEDOT/PSS)形成60nm的膜厚，其后，在80°C下進(jìn)行10分鐘的預(yù)烘烤，在200°C下進(jìn)行I小時(shí)的正式烘烤，再在蒸鍍前進(jìn)行真空加熱(170°C，加熱30分鐘，冷卻30分鐘)，然后，不與大氣接觸地用蒸鍍法進(jìn)行發(fā)光層29B、29G、29R的形成。特別是在用I TO膜作為陽(yáng)極材料、表面存在凹凸、微小粒子時(shí)，使PED0T/PSS的膜厚在30nm以上可以降低其影響。另外，圖IlB是剖面圖的又ー個(gè)例子。如圖IlB所示，發(fā)紅光的發(fā)光層29R與發(fā)綠光的發(fā)光層29G部分地重疊,形成疊層部31b。另外,發(fā)綠光的發(fā)光層29G與發(fā)藍(lán)光的發(fā)光層29B部分地重疊，形成疊層部32b。由于用旋轉(zhuǎn)涂 敷法形成空穴注入層29H，所以在該圖中空穴注入層29H也幾乎不在間壁(圍堤)24上形成。圖IlC是剖面圖的又ー個(gè)例子。在圖IlC中，在發(fā)光元件的陰極(或陽(yáng)極)12上具有疊層部31c。因此，疊層部31c也發(fā)一點(diǎn)點(diǎn)光。另外，圖IlD是剖面圖的又ー個(gè)例子。疊層部31d完全覆蓋了間壁24，在間壁(圍堤)24的兩側(cè)存在由疊層部31d產(chǎn)生的些微發(fā)光。另外，在制成圖9A 圖9D、圖IlA IlD所示的結(jié)構(gòu)時(shí)，可以用旋轉(zhuǎn)涂敷法形成空穴注入層29H，用噴墨法形成空穴輸運(yùn)層19H、發(fā)光層19R、19G、19B、29R、29G、29B和電子輸運(yùn)層19E。另外，即使空穴注入層、空穴輸運(yùn)層、發(fā)光層和電子輸運(yùn)層全部都用噴墨法形成，也能夠制作高精細(xì)的發(fā)光裝置。用下面示出的實(shí)施例對(duì)用以上結(jié)構(gòu)構(gòu)成的本發(fā)明進(jìn)行更詳細(xì)說(shuō)明。實(shí)施例實(shí)施例I在本實(shí)施例中示出了制作全色顯示面板的例子。下面示出將預(yù)先設(shè)置了陽(yáng)極(第I電極)和覆蓋該陽(yáng)極的端部的絕緣物(間壁)的基板送入圖4所示的制造裝置中來(lái)制作發(fā)光裝置的順序。另外，在制作有源矩陣型發(fā)光裝置時(shí)，預(yù)先在基板上設(shè)置了多個(gè)與陽(yáng)極連接的薄膜晶體管(電流控制用TFT)和其他薄膜晶體管(開(kāi)關(guān)用TFT等)，還設(shè)置了由薄膜晶體管構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)電路。另外，在制作簡(jiǎn)單矩陣型發(fā)光裝置時(shí)也可以用圖4所示的制造裝置制作。首先，將上述基板(600mmX720mm)放入基板投入室520。用基板尺寸為 320mmX400mm、370mmX470mm、550mmX650mm、600mmX720mm、680mmX880mm、IOOOmmX 1200mm、IlOOmmX 1250mm,甚至為1150mmX 1300mm的大面積基板也可以對(duì)應(yīng)地進(jìn)
行處理。將放入基板投入室520的基板(設(shè)置了陽(yáng)極和覆蓋該陽(yáng)極的端部的絕緣物的基板)送入保持在大氣壓下的傳送室518。另外，在傳送室518中設(shè)置了用于傳送基板或使基板反轉(zhuǎn)的傳送機(jī)構(gòu)(傳送機(jī)器人等)。設(shè)置在傳送室518中的機(jī)器人能夠使基板的正反面反轉(zhuǎn)，可以使之反轉(zhuǎn)后送入轉(zhuǎn)送室505。轉(zhuǎn)送室505與真空排氣處理室連結(jié)，可以抽真空排氣，形成真空，也可以在真空排氣后弓I入惰性氣體形成大氣壓。另外，在上述的真空排氣處理室中具備磁懸浮型渦輪分子泵、低溫泵或干式泵。在傳送室502、508、514中也具備同樣的泵，據(jù)此，可以使與各室連接的傳送室502、508、514的真空度達(dá)到10_5 10_6Pa。另外，還可以控制來(lái)自泵側(cè)和排氣系統(tǒng)的雜質(zhì)的反擴(kuò)散。為了防止在裝置內(nèi)部引入雜質(zhì)，作為引入的氣體使用了氮、稀有氣體等惰性氣體。對(duì)引入裝置內(nèi)部的這些氣體，使用在引入裝置前被氣體純化機(jī)高度提純了的氣體。因此，有必要為將氣體高度提純后引入蒸鍍裝置而設(shè)置氣體純化機(jī)。據(jù)此，可以預(yù)先除掉氣體中所含的氧、水分和其他雜質(zhì)，因而能夠防止將這些雜質(zhì)引入裝置內(nèi)部。另外，為了減少造成不能由顯示器中的輸入信號(hào)進(jìn)行發(fā)光控制的像素的點(diǎn)缺陷，最好在放入基板投入室520之前，用含界面活化劑(弱堿性)的多孔海綿(有代表性的是用PVA(聚こ烯醇)制的，或用尼龍制的等)對(duì)第I電極(陽(yáng)極)的表面進(jìn)行清洗，除掉表面上的塵埃。作為清洗機(jī)構(gòu)，可以用具有繞著與基板面平行的軸線旋轉(zhuǎn)、并且與基板面接觸的輥狀刷(PVA制)的清洗裝置，也可以使用具有繞著與基板面垂直的軸線旋轉(zhuǎn)、并且與基板面接觸的盤(pán)狀刷(PVA制)的清洗裝置。接著，將基板從傳送室518送入轉(zhuǎn)送室505，再不與大氣接觸地將基板從轉(zhuǎn)送室505送入傳送室502。 另外，為了消除收縮，最好在蒸鍍含有機(jī)化合物的膜之前進(jìn)行真空加熱，將基板從傳送室502送入多級(jí)真空加熱室521，為了徹底除掉上述基板上所含的水分和其他氣體，在真空(5X ICT3Torr (O. 665Pa)以下,最好是ICT4 ICT6Torr)下進(jìn)行用以去氣的退火。在多級(jí)真空加熱室521中用平板加熱器(典型的是包層加熱器)將多個(gè)基板均勻加熱。可以設(shè)置多個(gè)該平板加熱器，用平板加熱器夾住基板從兩面進(jìn)行加熱，當(dāng)然也可以從一面進(jìn)行加熱。特別是使用有機(jī)樹(shù)脂膜作為層間絕緣膜或間壁的材料吋，由于有機(jī)樹(shù)脂材料容易吸附水分，還有可能發(fā)生去氣，所以在形成含有機(jī)化合物的層之前在100°C 250°C，最好是150°C 200V下，進(jìn)行例如30分鐘以上的加熱，其后，進(jìn)行30分鐘的自然冷卻，以除掉吸附的水分，進(jìn)行這樣的真空加熱是有效的。另外，除上述真空加熱外，還可以ー邊在惰性氣體的氣氛中進(jìn)行200°C 250°C的加熱，ー邊照射UV。另外，也可以不進(jìn)行真空加熱，只進(jìn)行如下的處理ー邊在惰性氣體的氣氛中進(jìn)行200°c 250°C的加熱，ー邊照射UV。還有，如有必要，也可以在成膜室512中在大氣壓下或低壓下用噴墨法、旋轉(zhuǎn)涂敷法或噴涂法等形成由高分子材料構(gòu)成的空穴注入層。另外，也可以在用噴墨法涂敷后利用旋轉(zhuǎn)涂敷機(jī)求得膜厚均勻。同樣，也可以在用噴涂法涂敷后利用旋轉(zhuǎn)涂敷機(jī)求得膜厚均勻。另外，也可以將基板直立放置在真空中用噴墨法成膜。例如，也可以在成膜室512中在第I電極(陽(yáng)極)的整個(gè)面上涂敷起空穴注入層(陽(yáng)極緩沖層)作用的聚(次こニ氧基噻吩)/聚(苯こ烯磺酸)水溶液(PED0T/PSS)、聚苯胺/樟腦磺酸水溶液(PANI/CSA)、PTPDES、Et-PTPDEK或PPBA等，并進(jìn)行烘烤。烘烤時(shí)最好在多級(jí)加熱室523a、523b中進(jìn)行。在借助于應(yīng)用了旋轉(zhuǎn)涂敷等的涂敷法形成由高分子材料構(gòu)成的空穴注入層(HIL)時(shí)，可以提高平坦性，使在其上形成的膜的覆蓋性和膜厚的均勻性良好。特別是由于發(fā)光層的膜厚均勻，所以可以得到均勻的發(fā)光。這時(shí)，最好在用涂敷法形成空穴注入層后，在用蒸鍍法進(jìn)行成膜前，進(jìn)行大氣壓下加熱或真空加熱(100 200°c )。例如可以在用海綿清洗第I電極(陽(yáng)極)的表面后送入基板投入室520，傳送至成膜室512a，用旋轉(zhuǎn)涂敷法在整個(gè)面上涂敷聚(次こニ氧基噻吩)/聚(苯こ烯磺酸)水溶液(PED0T/PSS)形成60nm的膜厚，其后傳送至多級(jí)加熱室523a、523b，在80°C下進(jìn)行10分鐘的預(yù)烘烤，在200°C下進(jìn)行I小時(shí)的正式烘烤，再傳送至多級(jí)真空加熱室521，在蒸鍍前進(jìn)行真空加熱(170°C，加熱30分鐘，冷卻30分鐘)，然后再傳送至空穴輸運(yùn)層的成膜室506H、發(fā)光層的成膜室506RGB、電子輸運(yùn)層的成膜室506E，不與大氣接觸地用蒸鍍法進(jìn)行含有機(jī)化合物的層的形成。特別是在用ITO膜作為陽(yáng)極材料、表面存在凹凸、微小粒子時(shí)，使PEDOT/PSS的膜厚在30nm以上可以降低其影響。另外，為了改善PED0T/PSS的浸潤(rùn)性，最好在UV處理室531進(jìn)行紫外線照射。另外，在用旋轉(zhuǎn)涂敷法將PED0T/PSS成膜時(shí)，由于在整個(gè)面上成膜，所以最好有選擇地去除基板的端面、邊緣部、端子部以及陰極與下部布線的連接區(qū)域等處的膜，最好在上述處理室503中使用掩模借助于O2灰化等有選擇地去除。在上述處理室503中具有等離子體發(fā)生裝置，借助于激發(fā)從Ar、H、F和O中選擇的一種或數(shù)種氣體使之產(chǎn)生等離子體來(lái)進(jìn)行干法刻蝕。通過(guò)使用掩?？梢杂羞x擇地只將不要的部分除棹。另外，蒸鍍掩模存儲(chǔ)在掩模存儲(chǔ)室524a、524b中，在進(jìn)行蒸鍍時(shí)恰當(dāng)?shù)貙⑵鋫魉椭粮鞒赡な?06H、506RGB、506E。當(dāng)使用大型基板時(shí)，由于掩模面積大，所以固定掩模的框增大，難 以存儲(chǔ)很多塊，因此，這里預(yù)備了 2個(gè)掩模存儲(chǔ)室524a、524b。也可以在掩模存儲(chǔ)室524a、524b中進(jìn)行蒸鍍掩模的清洗。另外，由于在蒸鍍時(shí)掩模存儲(chǔ)室是空的，所以也可以存儲(chǔ)成膜后或處理后的基板。接著，將基板從傳送室502傳送至轉(zhuǎn)送室507，再不與大氣接觸地將基板從轉(zhuǎn)送室507傳送至傳送室508。接著，恰當(dāng)?shù)叵蚺c傳送室508連結(jié)的各成膜室506H、506RGB、506E傳送基板，恰當(dāng)?shù)匦纬勺鳛榭昭ㄝ斶\(yùn)層、發(fā)光層、電子輸運(yùn)層的、含由低分子構(gòu)成的有機(jī)化合物的層。在空穴輸運(yùn)層的成膜室506H和電子輸運(yùn)層的成膜室506E中分別設(shè)置了用于將蒸鍍材料放在蒸鍍支架上的設(shè)置室526h、526e。另外，在發(fā)光層的成膜室506RGB中設(shè)置了 3個(gè)設(shè)置室526r、526g、526b，可以應(yīng)用實(shí)施形態(tài)I的圖I所示的蒸鍍裝置。借助于利用掩模恰當(dāng)?shù)剡x擇作為發(fā)光層材料的EL材料，作為發(fā)光元件全體，可以形成發(fā)出3種顏色(具體地說(shuō)，為R、G、B)的光的發(fā)光兀件。接著，利用設(shè)置在傳送室514內(nèi)的傳送機(jī)構(gòu)將基板傳送至成膜室510，形成陰極。該陰極最好是透明或半透明的，最好以借助于利用了電阻加熱的蒸鍍法形成的金屬薄膜(MgAg > Mg I η > CaF2 > L i F > CaN等的合金,或用共蒸鍍法形成屬于周期表中的I族或II族的元素和招的膜，或者它們的疊層膜)(Inm IOnm),或者上述金屬薄膜(Inm IOnm)與透明導(dǎo)電膜的疊層作為陰扱。另外，在將基板從傳送室508經(jīng)由轉(zhuǎn)送室511傳送至傳送室514后，再傳送至成膜室509，用濺射法形成透明導(dǎo)電膜。用以上エ序形成了具有含有機(jī)化合物的層的疊層結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件。另外，也可以傳送至與傳送室514連結(jié)的成膜室513，形成由氮化硅膜或氮氧化硅膜構(gòu)成的保護(hù)膜，進(jìn)行密封。這里，在成膜室513內(nèi)設(shè)置了由硅構(gòu)成的靶，或由氧化硅構(gòu)成的靶，或由氮化硅構(gòu)成的靶。另外，可以相對(duì)于固定的基板移動(dòng)棒狀的靶形成保護(hù)膜。也可以通過(guò)相對(duì)于固定的棒狀的靶移動(dòng)基板以形成保護(hù)膜。例如，可以用由硅構(gòu)成的圓盤(pán)狀的靶，借助于使成膜室的氣氛為氮?dú)夥栈蚝蜌宓臍夥?，在陰極上形成氮化硅膜。另外，也可以形成以碳為主成分的薄膜(類(lèi)金剛石碳膜(DLC膜)、碳納米管膜(CN膜)、無(wú)定形碳膜作為保護(hù)膜，也可以另外設(shè)置使用CVD法的成膜室。類(lèi)金剛石碳膜(DLC)可以用等離子體CVD法(其代表有RF等離子體CVD法、微波CVD法、電子回旋共振(ECR) CVD法、熱絲CVD法等)、燃燒火焰法、濺射法、離子束蒸鍍法、激光蒸鍍法等形成。對(duì)成膜用的反應(yīng)氣體使用氫氣和烴系氣體(例如CH4、C2H2, C6H6等)，利用輝光放電進(jìn)行電離，對(duì)離子加速使其與施加了負(fù)的自偏壓的陰極碰撞以成膜。另外，對(duì)于碳納米管膜(CN膜)，可以用C4H4氣體和N2氣體作為反應(yīng)氣體來(lái)形成。另外，類(lèi)金剛石碳膜(DLC膜)、碳納米管膜(CN膜)是對(duì)可見(jiàn)光透明或半透明的絕緣膜。所謂對(duì)可見(jiàn)光透明是指可見(jiàn)光的透射率為80 100%，所謂對(duì)可見(jiàn)光半透明是指可見(jiàn)光的透射率為50 80%。另外，也可以取代上述保護(hù)層，在陰極上形成由第I無(wú)機(jī)絕緣膜、應(yīng)カ減緩膜、第2無(wú)機(jī)絕緣膜的疊層構(gòu)成的保護(hù)層。例如，可以在形成陰極后，傳送至成膜室513形成5nm 50nm的第I無(wú)機(jī)絕緣膜,傳送至成膜室513用蒸鍍法形成IOnm IOOnm的具有吸濕性和透明性的應(yīng)カ減緩膜(無(wú)機(jī)層或有機(jī)化合物層等)，進(jìn)而再次傳送至成膜室513形成5nm 50nm的第2無(wú)機(jī)絕緣膜。 接著，將形成有發(fā)光元件的基板傳送至密封室519。從外部將密封基板放入裝料室517進(jìn)行準(zhǔn)備。將密封基板從裝料室517傳送至傳送室527，如有需要，將干燥劑、光學(xué)膜(濾色片、偏振膜等)傳送至用于進(jìn)行貼附的光學(xué)膜貼附室529。另外，也可以將預(yù)先貼附了光學(xué)膜(濾色片、偏振片等)的密封基板放入裝料室 517。另外，為了除掉密封基板中的水分等雜質(zhì)，最好預(yù)先在多級(jí)加熱室516中進(jìn)行退火。然后，當(dāng)在密封基板上形成用于與設(shè)置了發(fā)光元件的基板進(jìn)行貼合的密封材料時(shí)，經(jīng)由轉(zhuǎn)送室542傳送至傳送室514，放入噴墨室515。用減壓下的噴墨裝置(或分配裝置)形成包圍像素部的第I密封材料，并滴下用于充填被第I密封材料包圍的區(qū)域的第2密封材料。噴墨室515的詳細(xì)說(shuō)明已在上述實(shí)施形態(tài)2中示出，故這里省略其說(shuō)明。另外，也可以借助于噴墨裝置用納米油墨等在由透明導(dǎo)電膜構(gòu)成的陰極上還制作輔助布線。在需要烘烤吋，可以傳送至多級(jí)加熱室516進(jìn)行加熱。然后，再將形成有密封材料的密封基板傳送至密封基板存儲(chǔ)室530。另外，這里示出了在密封基板上形成密封材料的例子，但并不作特別的限制，也可以在形成了發(fā)光元件的基板上形成密封材料。另外，也可以在密封基板存儲(chǔ)室530內(nèi)存儲(chǔ)在蒸鍍時(shí)使用的蒸鍍掩模。另外，由于本實(shí)施例是制成兩面出光結(jié)構(gòu)的情形，所以可以將密封基板傳送至光學(xué)膜貼附室529，在密封基板的內(nèi)側(cè)貼附光學(xué)膜?；蛘邔⒃O(shè)置了發(fā)光元件的基板與密封基板貼合后傳送至光學(xué)膜貼附室529,在密封基板的外側(cè)貼附光學(xué)膜(濾色片或偏振片)。接著，在密封室519將基板與密封基板進(jìn)行貼合，利用在密封室519中設(shè)置的紫外線照射機(jī)構(gòu)對(duì)貼合后的ー對(duì)基板照射UV光，使密封材料固化。最好從未設(shè)置遮住了光的TFT的密封基板側(cè)照射紫外線。另外，這里，作為密封材料雖然使用了紫外線固化+熱固化樹(shù)脂，但只要是粘結(jié)材料都可以，沒(méi)有特別的限制，也可以采用僅用紫外線進(jìn)行固化的固化樹(shù)脂等。在兩面出光型的場(chǎng)合，當(dāng)從密封基板側(cè)照射紫外光吋，由于紫外線通過(guò)陰極，對(duì)含有機(jī)化合物的層造成損傷，所以最好不使用紫外線固化樹(shù)脂。因此，在本實(shí)施例的兩面出光型的情形，最好用熱固化的透明樹(shù)脂作為充填樹(shù)脂。接著，將貼合后的ー對(duì)基板從密封室519傳送至傳送室514，然后經(jīng)由轉(zhuǎn)送室542從傳送室527傳送至取出室525并取出。另外，在從取出室525取出后進(jìn)行加熱，使密封材料固化。在將面板結(jié)構(gòu)制成上表面出光型，充填熱固化樹(shù)脂時(shí)，可以在使密封材料固化的加熱處理的同時(shí)進(jìn)行固化。如上所述，利用圖4所示的制造裝置，由于在將發(fā)光元件完全封入密閉空間之前都不暴露在大氣中，所以可以制造可靠性高的發(fā)光裝置。另外，這里雖未圖示，但設(shè)置了控制將基板向各個(gè)處理室移動(dòng)的路徑、實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)化的控制裝置。另外，本實(shí)施例可以自由地與實(shí)施形態(tài)I至4的任何ー個(gè)組合。
實(shí)施例2在本實(shí)施例中，在具有絕緣表面的基板上制作設(shè)置以有機(jī)化合物層為發(fā)光層的發(fā)光元件的發(fā)光裝置(兩面出光結(jié)構(gòu))的例子示于圖12A、12B。另外，圖12A是示出發(fā)光裝置的俯視圖，圖12B是沿A-A剖開(kāi)圖12A的剖面圖。用虛線示出的1101是源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路，1102是像素部，1103是柵信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路，它們都設(shè)置在基板1110上。另外，1104是透明的密封基板，1105是第I密封材料，被第I透明的密封材料1105包圍的內(nèi)側(cè)用透明的第2密封材料1107充填。另外，在第I密封材料1105中含有用于保持基板間隔的間隙材料。另外，1108是用于傳送向源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路1101和柵信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路1103輸入的信號(hào)的布線，接受來(lái)自作為外部輸入端子的FPC(柔型印刷電路)1109的視頻信號(hào)、時(shí)鐘信號(hào)。另外，這里雖然只示出了 FPC，但也可以在該FPC上安裝印刷布線盤(pán)(PWB)。另外，設(shè)置了覆蓋FPC 1109的樹(shù)脂1150。其次，利用圖12B說(shuō)明剖面結(jié)構(gòu)。雖然在透明基板1110上形成了各種驅(qū)動(dòng)電路和像素部1102，但在這里作為驅(qū)動(dòng)電路示出了源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路1101。另外，對(duì)于源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路1101，形成了將η溝道型TFT 1123和ρ溝道型TFT1124進(jìn)行組合的CMOS電路。另外，也可以用形成驅(qū)動(dòng)電路的TFT形成眾所周知的CMOS電路、PMOS電路或NMOS電路。另外，雖然在本實(shí)施例中示出了在基板上形成了驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)器一體型的結(jié)構(gòu)，但這不一定是必須的，也可以不是在基板上，而是在外部形成。另外，不特別限定于用多晶硅膜或無(wú)定形硅膜作為有源層的TFT結(jié)構(gòu)，可以是頂柵型TFT，也可以是底柵型TFT。另外，像素部1102由包含開(kāi)關(guān)用TFT 1111、電流控制用TFT 1112及與其漏電進(jìn)行連接的第I電極(陽(yáng)極)1113的多個(gè)像素形成。作為電流控制用TFT 1112，可以是η溝道型TFT，也可以是ρ溝道型TFT，但是，當(dāng)與陽(yáng)極連接時(shí)，最好制成ρ溝道型TFT。另外，最好適當(dāng)?shù)卦O(shè)置保持電容器(未圖示)。還有，這里只示出了配置了眾多的像素之中的ー個(gè)像素的剖面結(jié)構(gòu)，并且示出了對(duì)該ー個(gè)像素使用了 2個(gè)TFT的例子，但是，也可以適當(dāng)?shù)厥褂?個(gè)或3個(gè)以上的TFT。這里，為了形成第I電極(陽(yáng)極)1113與TFT的漏直接相接的結(jié)構(gòu)，最好將第I電極(陽(yáng)極)1113的下層制成由硅構(gòu)成的、與漏形成歐姆接觸的材料層，將與含有機(jī)化合物的層1115相接的最上層制成功函數(shù)大的材料層。例如使用透明導(dǎo)電膜(ΙΤ0(氧化銦氧化錫合金)、氧化銦氧化鋅合金(In2O3-ZnO)、氧化鋅(ZnO)等)。另外，在第I電極(陽(yáng)極)1113的兩端形成絕緣物(也稱(chēng)bank、間壁、阻擋層、圍堤等)1114。絕緣物1114可以用有機(jī)樹(shù)脂膜或含硅的絕緣膜形成。這里，作為絕緣物1114，用正型感光丙烯酸樹(shù)脂膜形成了圖12B所示形狀的絕緣物1114。為了使在其上形成的、含有機(jī)化合物的層1115的覆蓋性良好，對(duì)絕緣物1114的上端部或下端部形成具有曲率的曲面。例如，在作為絕緣物1114的材料，使用正型感光丙烯酸樹(shù)脂時(shí)，最好只對(duì)絕緣物1114的上端部形成具有曲率半徑(O. 2 μ m 3 μ m)的曲面。另夕卜，作為絕緣物1114，可以使用由于能引起感光的光的照射而在刻蝕劑中具有不溶解性的負(fù)型材料，或由于光照而在刻蝕劑中具有溶解性的正型材料的任何ー種。另外，也可以用由氮化鋁膜、氮氧化鋁 膜、以碳為主要成分的薄膜或氮化硅膜構(gòu)成的保護(hù)膜覆蓋絕緣物1114。另外，利用蒸鍍法在第I電極(陽(yáng)極)1113上有選擇地形成含有機(jī)化合物的層1115。在本實(shí)施例中，用實(shí)施形態(tài)2中示出的制造裝置將含有機(jī)化合物的層1115成膜，得到了均勻的膜厚。另外，在含有機(jī)化合物的層1115上形成第2電極(陰極)1116。作為陰扱，可以使用功函數(shù)小的材料(Al、Ag、Li、Ca，或者它們的合金MgAg、Mgln、AlLi、CaF2或CaN)。這里，作為第2電極(陰極)1116，使用了將膜厚減薄的金屬薄膜(MgAg :膜厚IOnm)和膜厚為IlOnm的透明導(dǎo)電膜(ΙΤ0 (氧化銦氧化錫合金)、氧化銦氧化鋅合金(In2O3-ZnO)、氧化鋅(ZnO)等)的疊層，以使所發(fā)的光可以透過(guò)。這樣，形成了由第I電極(陽(yáng)極)1113、含有機(jī)化合物的層1115和第2電極(陰極)1116構(gòu)成的發(fā)光元件1118。在本實(shí)施例中，作為含有機(jī)化合物的層1115，依次層疊了 CuPc (膜厚20nm)、α-NPD (膜厚30nm)、含以鉬為中心金屬的有機(jī)金屬絡(luò)合物(Pt (ppy) acac)的CBP (膜厚30nm)、BCP (膜厚20nm)、BCP: Li (膜厚40nm)，得到了白光發(fā)射。在本實(shí)施例中，由于是使發(fā)光元件1118發(fā)射白光的例子，所以設(shè)置了由著色層1131和遮光層(BM) 1132構(gòu)成的濾色片(為簡(jiǎn)單計(jì)這里未圖示外覆蓋層)。另外，在這樣的兩面發(fā)光顯示裝置中，為了防止背景透過(guò)來(lái)，設(shè)置了用于防止對(duì)外部光進(jìn)行反射的光學(xué)膜1140、1141。作為光學(xué)膜1140、1141，可以適當(dāng)?shù)貙⑾铝心そM合使用偏振膜(高透射型偏振片、薄型偏振片、白偏振片、高性能染料系偏振片、AR偏振片等)、延遲膜(寬帶1/4λ片、溫度補(bǔ)償型延遲膜、扭曲延遲膜、寬視角延遲膜、雙軸取向延遲膜等)、亮度增強(qiáng)膜等。例如，如果使用偏振膜作為光學(xué)膜1140、1141，并使光的偏振方向相互正交地配置它們，則可以得到防止背景透過(guò)的效果和抗反射的效果。這時(shí)，除發(fā)光并進(jìn)行顯示的部分外皆是黑的，從任何ー側(cè)觀看顯示，背景都不透過(guò)，即看不見(jiàn)背景。另外，來(lái)自發(fā)光面板的光由于只通過(guò)I片偏振片，所以可以原樣地顯示出來(lái)。另外，即使不使2塊偏振膜正交，只要光的偏振方向相互所成的角在±45°內(nèi)，最好在±20°內(nèi)，可以得到同樣的上述效果。借助于光學(xué)膜1140、1141，當(dāng)人們從一面觀察時(shí)，可以防止因背景透過(guò)被看見(jiàn)而對(duì)顯示難以進(jìn)行識(shí)別。另外，也可以再增加I塊光學(xué)膜。例如，雖然一方的偏振膜吸收了 S波(或P波)，但還可以在偏振片與發(fā)光面板之間設(shè)置使S波(或P波)向發(fā)光元件側(cè)反射而再生的亮度增強(qiáng)膜。其結(jié)果是通過(guò)偏振片的P波(或S波)增多，累計(jì)光量得到増加。在為兩面發(fā)光面板時(shí)，由于來(lái)自發(fā)光元件的光所通過(guò)的層的結(jié)構(gòu)不同，所以發(fā)光狀態(tài)(亮度、色度等)不同，光學(xué)膜對(duì)于調(diào)節(jié)雙方的發(fā)光平衡是有用的。另外，在為兩面發(fā)光面板吋，由于對(duì)外部光的反射程度不同，所以最好對(duì)反射較多的面在偏振片與發(fā)光面板之間設(shè)置亮度增強(qiáng)膜。
另外，為了密封發(fā)光元件1118，形成了透明保護(hù)疊層1117。該透明保護(hù)疊層1117由第I無(wú)機(jī)絕緣膜、應(yīng)カ減緩膜和第2無(wú)機(jī)絕緣膜的疊層構(gòu)成。作為第I無(wú)機(jī)絕緣膜和第2無(wú)機(jī)絕緣膜可以使用由濺射法或CVD法得到的氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜(SiNO膜(組分比N > O)或SiNO膜(組分比N < O))或者以碳為主成分的薄膜(例如DLC膜、CN膜)。這些無(wú)機(jī)絕緣膜雖然對(duì)水分有好的阻擋效果，但膜厚加厚時(shí)膜應(yīng)力増大，容易起皮或發(fā)生膜脫落。但是，借助于將應(yīng)力減緩膜夾在第I無(wú)機(jī)絕緣膜與第2無(wú)機(jī)絕緣膜之間，既可以減緩應(yīng)力，又能夠吸收水分。另外，即使在成膜時(shí)由于某種原因在第I無(wú)機(jī)絕緣膜上形成了微小的孔(針孔等)，通過(guò)用應(yīng)カ減緩膜掩埋，再在其上設(shè)置第2無(wú)機(jī)絕緣膜，對(duì)水分、氧仍有極好的阻擋效果。另外，作為應(yīng)カ減緩膜，最好用比無(wú)機(jī)絕緣膜的應(yīng)カ小，且具有吸濕性的材料。最好是除此之外又具有透光性的材料。另外，作為應(yīng)カ減緩膜可以使用含a -NPD (4，4’ - ニ [N-(萘)-N-苯基-氨基]聯(lián) 苯)、BCP (浴銅靈)、MTDATA (4，4’，4” -三(Ν-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)三苯基胺)、Alq3 (三-8-喹啉合鋁絡(luò)合物)等有機(jī)化合物的材料膜，這些材料膜具有吸濕性，當(dāng)膜厚薄時(shí)基本上是透明的。另外，MgO, SrO2, SrO,由于具有吸濕性和透光性，可以用蒸鍍法得到薄膜，所以可以用作應(yīng)カ減緩膜。在本實(shí)施例中，用在含氮和氬的氣氛中采用硅靶形成的膜，即對(duì)水分、堿金屬等雜質(zhì)的阻擋效果好的氮化硅膜作為第I無(wú)機(jī)絕緣膜或第2無(wú)機(jī)絕緣膜，用由蒸鍍法得到的Alq3薄膜作為應(yīng)カ減緩膜。另外，為了使所發(fā)的光通過(guò)透明保護(hù)疊層，最好盡量減薄透明保護(hù)疊層的總膜厚。為了密封發(fā)光元件1118，在惰性氣體的氣氛下用第I密封材料1105、第2密封材料1107貼合密封基板1104。還有，作為第I密封材料1105，最好用環(huán)氧系樹(shù)脂。另外，作為第2密封材料1107，只要是具有透光性的材料都可以，沒(méi)有特別的限定，作為代表，最好用紫外線固化或熱固化的環(huán)氧樹(shù)脂。這里，使用了折射率為I. 50，粘度為500cps，肖氏D硬度為90，抗拉強(qiáng)度為3000psi，Tg點(diǎn)為150°C，體電阻為I X IO16 Ω · cm，耐壓強(qiáng)度為450V/mil的高耐熱的UV環(huán)氧樹(shù)脂(ユレクトロラィト公司制2500Clear)。另外，通過(guò)將第2密封材料1107充填在ー對(duì)基板之間，與使ー對(duì)基板之間為空隙(惰性氣體)的情形相比，可以提高整體的透射率。另外，第I密封材料1105、第2密封材料1107最好是盡可能不透過(guò)水分、氧的材料。另外，在本實(shí)施例中，作為構(gòu)成密封基板1104的材料，除玻璃基板、石英基板外，還可以使用由FRP (玻璃纖維增強(qiáng)塑料)、PVF(聚氟こ烯)、邁拉(ー種聚酯樹(shù)脂商品名)、聚酯或丙烯酸樹(shù)脂等構(gòu)成的塑料基板。另外，也可以在用第I密封材料1105、第2密封材料1107將密封基板1104粘結(jié)后，再用第3密封材料覆蓋側(cè)面(露出面)進(jìn)行密封。借助于如上所述地將發(fā)光元件封入第I密封材料1105、第2密封材料1107中，可以使發(fā)光元件與外部完全隔斷，防止水分、氧這些促使有機(jī)化合物層變壞的物質(zhì)從外部侵入。因此，可以得到可靠性高的發(fā)光裝置。另外，在制作上表面出光型的發(fā)光裝置吋，第2電極(陽(yáng)極)1116最好是具有反射性的金屬膜(鉻、氮化鈦等)。另外，在制作下表面出光型的發(fā)光裝置時(shí)，第I電極(陰極)1113最好用由Al、Ag、Li、Ca，或者它們的合金MgAg、Mgln、AlLi構(gòu)成的金屬膜(膜厚50η 200nm)。另外，本實(shí)施例可以自由地與實(shí)施形態(tài)I至4、實(shí)施例I的任何ー個(gè)組合。實(shí)施例3
在本實(shí)施例中，利用圖13A 13G說(shuō)明2個(gè)以上的具備顯示裝置的電子裝置的例子。實(shí)施本發(fā)明可以完成具備EL模塊的電子裝置。作為電子裝置可以列舉出電視攝像機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、護(hù)目鏡型顯示器(頭載顯示器)、導(dǎo)航系統(tǒng)、音響播放裝置(卡式音響、組合音響等)、筆記本型個(gè)人計(jì)算機(jī)、游戲機(jī)、移動(dòng)信息終端(移動(dòng)計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話、便攜式游戲機(jī)或電子圖書(shū)等)、具有記錄介質(zhì)的圖像再生裝置(具體地說(shuō)，具備可以再生數(shù)字通用盤(pán)(DVD)等的記錄介質(zhì)、顯示其圖像的顯示器的裝置)等。圖13A是筆記本型個(gè)人計(jì)算機(jī)的斜視圖，圖13B是示出其折疊狀態(tài)的斜視圖。筆記本型個(gè)人計(jì)算機(jī)包含主機(jī)2201、框體2202、顯示部2203a和2203b、鍵盤(pán)2204、外部連接端ロ 2205、指向鼠標(biāo)2206等。 圖13A和圖13B所示的筆記本型個(gè)人計(jì)算機(jī)具備主要對(duì)圖像進(jìn)行全色顯示的高圖像品質(zhì)的顯示部2203a和主要對(duì)文字、符號(hào)進(jìn)行單色顯示的顯示部2203b。另外，圖13C是移動(dòng)計(jì)算機(jī)的斜視圖，圖13D是示出其背面?zhèn)鹊男币晥D。移動(dòng)計(jì)算機(jī)包含主機(jī)2301、顯示部2302a和2302b、開(kāi)關(guān)2303、操作鍵2304、紅外線端ロ 2305等。它具備主要對(duì)圖像進(jìn)行全色顯示的高圖像品質(zhì)的顯示部2302a和主要對(duì)文字、符號(hào)進(jìn)行單色顯示的顯示部2302b。另外，圖13E是電視攝像機(jī)，它包含主機(jī)2601、顯示部2602、框體2603、外部連接端ロ 2604、遙控信號(hào)接收部2605、顯像部2606、電池2607、聲音輸入部2608、操作鍵2609等。顯示部2602是兩面發(fā)光面板，可以在ー個(gè)面主要對(duì)圖像進(jìn)行全色顯示的高圖像品質(zhì)的顯示，在另ー個(gè)面主要對(duì)文字、符號(hào)進(jìn)行單色顯示。另外，顯示部2602可以在裝配部處旋轉(zhuǎn)。本發(fā)明可以應(yīng)用于顯示部2602。另外，圖13F是移動(dòng)電話的斜視圖，圖13G是示出其折疊狀態(tài)的斜視圖。移動(dòng)電話包含主機(jī)2701、框體2702、顯示部2703a和2703b、聲音輸入部2704、聲音輸出部2705、操作鍵2706、外部連接端ロ 2707、天線2708等。圖13F和圖13G所不的移動(dòng)電話具備王要對(duì)圖像進(jìn)彳丁全色顯不的聞圖像品質(zhì)的顯示部2703a和主要以區(qū)域色對(duì)文字、符號(hào)進(jìn)行顯示的顯示部2203b。這時(shí)，在顯示部2703a可以使用濾色片，在顯示部2703b可以使用構(gòu)成區(qū)域色的光學(xué)膜。另外，本實(shí)施例可以自由地與實(shí)施形態(tài)I至4、實(shí)施例I、實(shí)施例2的任何ー個(gè)組
ム
ロ ο實(shí)施例4圖16示出了用充電器2017對(duì)使用了本發(fā)明的顯示裝置的移動(dòng)電話進(jìn)行充電時(shí)的圖。圖16示出的是在將移動(dòng)電話打開(kāi)的狀態(tài)下從兩側(cè)發(fā)光的情形，但也可以是合攏的狀態(tài)。在發(fā)光面板4001的兩側(cè)設(shè)置了光學(xué)膜4002、4003。作為光學(xué)膜4002和4003可以適當(dāng)?shù)貙⑾铝心そM合使用偏振膜(高透射型偏振片、薄型偏振片、白偏振片、高性能染料系偏振片、AR偏振片等)、延遲膜(寬帶1/4λ片、溫度補(bǔ)償型延遲膜、扭曲延遲膜、寬視角延遲膜、雙軸取向延遲膜等)、亮度增強(qiáng)膜等。例如，如果使用偏振膜作為光學(xué)膜4002、4003，并使光的偏振方向相互正交地配置它們，則可以得到防止背景透過(guò)的效果和抗反射的效果。這時(shí)，除發(fā)光并進(jìn)行顯示的部分外皆為黑的，從任何ー側(cè)觀看顯示，背景都不透過(guò)，即看不見(jiàn)背景。另外，來(lái)自發(fā)光面板的光由于只通過(guò)I片偏振片，所以可以原樣地顯示出來(lái)。若這樣地使用2片偏振片，光的透射率可以在5%以下，對(duì)比度可以達(dá)到100以上。一般說(shuō)來(lái)，在使用了 FL發(fā)光元件的顯示裝置中，EL發(fā)光元件隨著時(shí)間的流逝而質(zhì)量變差，亮度降低。特別是在一個(gè)像素ー個(gè)像素地配置EL發(fā)光元件的顯示裝置的場(chǎng)合，由于點(diǎn)亮頻度隨像素而異，所以變差的程度隨像素而不同。因此，點(diǎn)亮頻度越高的像素，變差得越嚴(yán)重，作為圖像長(zhǎng)時(shí)間保留現(xiàn)象而降低圖像質(zhì)量。因此，通常在非使用狀態(tài)下的充電等時(shí)候進(jìn)行顯示，通過(guò)將使用頻度低的像素點(diǎn)亮，可以使圖像長(zhǎng)時(shí)間保留現(xiàn)象變得不顯著。作為充電時(shí)的顯示內(nèi)容，有全部點(diǎn)亮、使標(biāo)準(zhǔn)圖像(待接受的畫(huà)面等)的明暗反轉(zhuǎn)的圖像、檢測(cè)出使用頻度低的像素進(jìn)行顯示的圖像等。 圖14是與圖16所示的移動(dòng)電話對(duì)應(yīng)的方框圖。通過(guò)CPU 2001取得檢測(cè)出已處于使用了充電器2017的充電狀態(tài)的信號(hào)，對(duì)顯示器控制器2004發(fā)出使顯示與上面所述對(duì)應(yīng)的信號(hào)的指令，兩面發(fā)光顯示器2003發(fā)光。另外，除此信息外，還可以對(duì)CPU輸入根據(jù)合頁(yè)2016的開(kāi)合由顯示選擇器2002決定在兩面發(fā)光顯示器2003的哪ー側(cè)的面上進(jìn)行顯示的信息；從觸摸屏2010輸入至觸摸屏控制器2011的信息；涉及使用了話筒2012和揚(yáng)聲器2013的聲音控制器2009的信息；以及來(lái)自鍵盤(pán)2015的信息等。CPU中具備通信電路2005、易失性存儲(chǔ)器2006、非易失性存儲(chǔ)器2007、外部接ロ 2008和HDD 2014等。圖15是形成上述的將標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)(待接受的畫(huà)面等)的明暗反轉(zhuǎn)了的圖像的裝置的例子。利用開(kāi)關(guān)2103將標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)(待接受的畫(huà)面等)的數(shù)字視頻信號(hào)存儲(chǔ)在具有子存儲(chǔ)器2104_1 2104_4的存儲(chǔ)器A 2104、具有子存儲(chǔ)器2105_1 2105_4的存儲(chǔ)器B 2105的某ー個(gè)中。影像信號(hào)選擇開(kāi)關(guān)2106的輸出信號(hào)被輸入至開(kāi)關(guān)2107,可以選擇開(kāi)關(guān)2106的信號(hào)或直接輸入到顯示器2101中，或反轉(zhuǎn)后輸入?？梢栽谛枰靼捣崔D(zhuǎn)時(shí)進(jìn)行反轉(zhuǎn)后輸入。該選擇由顯示器控制器2102進(jìn)行。另外，在進(jìn)行全部點(diǎn)亮?xí)r可以對(duì)顯示器2101輸入固定的電壓。這樣ー來(lái)，借助于在充電中進(jìn)行可以抑制圖像長(zhǎng)時(shí)間保留現(xiàn)象的發(fā)光，能夠抑制顯示的圖像質(zhì)量變差。另外，本實(shí)施例可以自由地與實(shí)施形態(tài)I至4、實(shí)施例I至實(shí)施例3的任何ー個(gè)組
ム
ロ ο發(fā)明的效果按照本發(fā)明，可以實(shí)現(xiàn)具備作為借助于提高形成含有機(jī)化合物的層的材料的利用效率來(lái)降低制造成本，并且使含有機(jī)化合物的層的成膜均勻性和生產(chǎn)率良好的制造裝置之一的蒸鍍裝置的制造裝置。另外，在制作全色的發(fā)光裝置時(shí)，必須精密地進(jìn)行發(fā)光層的有選擇的蒸鍍，但是借助于制成發(fā)光層的一部分可以重疊的結(jié)構(gòu)，可以使間壁的尺寸進(jìn)ー步縮小，可以使開(kāi)ロ率提聞。
權(quán)利要求
1.ー種制造發(fā)光裝置的方法，包括 當(dāng)移動(dòng)蒸鍍?cè)磿r(shí)在基板上形成包含有機(jī)化合物的層； 其中所述蒸鍍?cè)窗ǖ谝蝗萜骱偷诙萜?；以? 其中所述第一容器的開(kāi)ロ的方向不同于所述第二容器的開(kāi)ロ的方向。
2.如權(quán)利要求I所述的制造發(fā)光裝置的方法， 其中所述蒸鍍?cè)丛赬方向、Y方向和Z方向中移動(dòng)。
3.如權(quán)利要求I所述的制造發(fā)光裝置的方法， 其中所述蒸鍍?cè)从蓹C(jī)械臂來(lái)移動(dòng)。
4.如權(quán)利要求I所述的制造發(fā)光裝置的方法，還包括 執(zhí)行具有圖形開(kāi)ロ的蒸鍍掩模和所述基板的對(duì)準(zhǔn)。
5.如權(quán)利要求I所述的制造發(fā)光裝置的方法，還包括 在所述基板和所述層之間形成空穴輸運(yùn)層；以及 在所述層上形成電子輸運(yùn)層。
6.如權(quán)利要求I所述的制造發(fā)光裝置的方法， 其中所述第一容器的第一材料和所述第二容器的第二材料在獨(dú)立于彼此而調(diào)節(jié)的溫度中被加熱。
7.如權(quán)利要求I所述的制造發(fā)光裝置的方法， 其中所述基板和所述蒸鍍?cè)粗g的空間距離是30cm或更小。
8.如權(quán)利要求I所述的制造發(fā)光裝置的方法，還包括 通過(guò)使用所述第一容器和所述第二容器來(lái)執(zhí)行共蒸鍍。
9.如權(quán)利要求I所述的制造發(fā)光裝置的方法， 其中所述第一容器和所述第二容器的開(kāi)ロ是橢圓的。
10.ー種制造發(fā)光裝置的方法，包括 當(dāng)移動(dòng)第一蒸鍍?cè)磿r(shí)在室中在基板上形成第一層； 當(dāng)移動(dòng)第二蒸鍍?cè)磿r(shí)在所述室中在所述基板上形成第二層； 當(dāng)移動(dòng)第三蒸鍍?cè)磿r(shí)在所述室中在所述基板上形成第三層； 其中所述第一蒸鍍?cè)?、所述第二蒸鍍?cè)春退龅谌翦冊(cè)吹闹辽侃`個(gè)包括第一容器和第二容器，以及 其中所述第一容器的開(kāi)ロ的方向不同于所述第二容器的開(kāi)ロ的方向。
11.如權(quán)利要求10所述的制造發(fā)光裝置的方法， 其中所述第一蒸鍍?cè)础⑺龅诙翦冊(cè)春退龅谌翦冊(cè)吹闹辽侃`個(gè)在X方向、Y方向和Z方向中移動(dòng)。
12.如權(quán)利要求10所述的制造半導(dǎo)體裝置的方法， 其中所述第一蒸鍍?cè)?、所述第二蒸鍍?cè)春退龅谌翦冊(cè)吹闹辽侃`個(gè)由機(jī)械臂來(lái)移動(dòng)。
13.如權(quán)利要求10所述的制造發(fā)光裝置的方法，還包括 執(zhí)行具有圖形開(kāi)ロ的蒸鍍掩模和所述基板的對(duì)準(zhǔn)。
14.如權(quán)利要求10所述的制造半導(dǎo)體裝置的方法，還包括 在所述基板和所述第一層之間形成空穴輸運(yùn)層；以及在所述第一層、所述第二層和所述第三層上形成電子輸運(yùn)層。
15.如權(quán)利要求10所述的制造半導(dǎo)體裝置的方法， 其中所述第一容器的第一材料和所述第二容器的第二材料在獨(dú)立于彼此而調(diào)節(jié)的溫度中被加熱。
16.如權(quán)利要求10所述的制造發(fā)光裝置的方法， 其中所述基板與所述第一蒸鍍?cè)础⑺龅诙翦冊(cè)春退龅谌翦冊(cè)吹闹辽侃`個(gè)之間的空間距離是30cm或更小。
17.如權(quán)利要求10所述的制造發(fā)光裝置的方法，還包括 通過(guò)使用所述第一容器和所述第二容器來(lái)執(zhí)行共蒸鍍。
18.如權(quán)利要求10所述的制造發(fā)光裝置的方法， 其中所述第一容器和所述第二容器的開(kāi)ロ是橢圓的。
19.如權(quán)利要求10所述的制造發(fā)光裝置的方法， 其中所述第一層、所述第二層和所述第三層能夠發(fā)出ー種選自包括紅、綠、藍(lán)的組的顏色。
20.ー種制造發(fā)光裝置的方法，包括 當(dāng)移動(dòng)第一蒸鍍?cè)磿r(shí)在室中在基板上形成第一層； 當(dāng)移動(dòng)第二蒸鍍?cè)磿r(shí)在所述室中在所述基板上形成第二層，使得所述第二層與所述第ー層部分地重疊； 當(dāng)移動(dòng)第三蒸鍍?cè)磿r(shí)在所述室中在所述基板上形成第三層，使得所述第三層與所述第ニ層部分地重疊； 其中所述第一蒸鍍?cè)?、所述第二蒸鍍?cè)春退龅谌翦冊(cè)吹闹辽侃`個(gè)包括第一容器和第二容器；以及 其中所述第一容器的開(kāi)ロ的方向不同于所述第二容器的開(kāi)ロ的方向。
21.如權(quán)利要求20所述的制造發(fā)光裝置的方法， 其中所述第一蒸鍍?cè)础⑺龅诙翦冊(cè)春退龅谌翦冊(cè)吹闹辽侃`個(gè)在X方向、Y方向和Z方向中移動(dòng)。
22.如權(quán)利要求20所述的制造半導(dǎo)體裝置的方法， 其中所述第一蒸鍍?cè)?、所述第二蒸鍍?cè)春退龅谌翦冊(cè)吹闹辽侃`個(gè)由機(jī)械臂來(lái)移動(dòng)。
23.如權(quán)利要求20所述的制造發(fā)光裝置的方法，還包括 執(zhí)行具有圖形開(kāi)ロ的蒸鍍掩模和所述基板的對(duì)準(zhǔn)。
24.如權(quán)利要求20所述的制造半導(dǎo)體裝置的方法，還包括 在所述基板和所述第一層之間形成空穴輸運(yùn)層；以及 在所述第一層、所述第二層和所述第三層上形成電子輸運(yùn)層。
25.如權(quán)利要求20所述的制造半導(dǎo)體裝置的方法，其中所述第一容器的第一材料和所述第二容器的第二材料在獨(dú)立于彼此而調(diào)節(jié)的溫度中被加熱。
26.如權(quán)利要求20所述的制造發(fā)光裝置的方法， 其中所述基板與所述第一蒸鍍?cè)础⑺龅诙翦冊(cè)春退龅谌翦冊(cè)吹闹辽侃`個(gè)之間的空間距離是30cm或更小。
27.如權(quán)利要求20所述的制造發(fā)光裝置的方法，還包括 通過(guò)使用所述第一容器和所述第二容器來(lái)執(zhí)行共蒸鍍。
28.如權(quán)利要求20所述的制造發(fā)光裝置的方法， 其中所述第一容器和所述第二容器的開(kāi)ロ是橢圓的。
29.如權(quán)利要求20所述的制造發(fā)光裝置的方法， 其中所述第一層、所述第二層和所述第三層能夠發(fā)出ー種選自包括紅、綠、藍(lán)的組的顏色。
全文摘要
制造裝置和發(fā)光裝置。通過(guò)利用在1個(gè)室內(nèi)具有3個(gè)蒸鍍?cè)匆约皩⑺鼈兊拿恳粋€(gè)進(jìn)行移動(dòng)的裝置的裝置，可以提高蒸鍍材料的利用效率。據(jù)此，可以降低制造成本，并且在使用大面積基板時(shí)，也能在整個(gè)基板上得到均勻的膜厚。
文檔編號(hào)C23C14/00GK102676998SQ20111039165
公開(kāi)日2012年9月19日 申請(qǐng)日期2004年4月26日 優(yōu)先權(quán)日2003年4月25日
發(fā)明者山崎舜平, 桑原秀明 申請(qǐng)人:株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所