專(zhuān)利名稱(chēng)：濺射機(jī)臺(tái)用監(jiān)控硅片位置的裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種濺射機(jī)臺(tái)用監(jiān)控硅片位置的裝置。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體器件的制造過(guò)程中，通常采用濺射的PVD薄膜制備方法，該方法是利用高速運(yùn)動(dòng)的Plasma(等離子體)離子攻擊硅片上方的金屬(如鋁)靶材，使靶材產(chǎn)生金屬原子并掉落到硅片表面，由于硅片是在高溫下加熱的，金屬原子會(huì)在高溫狀態(tài)下成核并形成金屬膜。在制備中，當(dāng)金屬(如鋁)在高溫下被濺射到硅片表面時(shí)，在熔融狀態(tài)下會(huì)使硅片粘在濺射機(jī)臺(tái)腔體上，導(dǎo)致機(jī)械手臂取片時(shí)位置發(fā)生偏移。如


圖1所示，現(xiàn)有的監(jiān)測(cè)裝置只具有一個(gè)光電感應(yīng)器1，只能判定硅片5是否存在，并不能判定硅片5的精確位置，一旦硅片 5位置發(fā)生偏移，往往會(huì)導(dǎo)致硅片5在傳送過(guò)程中受到機(jī)械撞擊而產(chǎn)生碎片。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種濺射機(jī)臺(tái)用監(jiān)控硅片位置的裝置，能夠精確監(jiān)控硅片在腔室中的位置，避免硅片位置偏移時(shí)造成硅片被撞碎。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型的濺射機(jī)臺(tái)用監(jiān)控硅片位置的裝置包括固定支架、至少三個(gè)光電感應(yīng)器，所述固定支架安裝在傳輸冷卻硅片的腔室上方，固定支架包括與光電感應(yīng)器數(shù)量相同的固定片，所述固定片的一端連接在一起，該連接端所在的豎直線經(jīng)過(guò)硅片的中心且垂直于硅片，每個(gè)固定片上活動(dòng)裝有一個(gè)光電感應(yīng)器，所述光電感應(yīng)器和固定片連接端之間的距離與被監(jiān)控硅片的半徑一致。優(yōu)選的，所述每個(gè)固定片上設(shè)有一個(gè)滑槽，所述各滑槽的大小和位置相同，光電感應(yīng)器滑動(dòng)地安裝在滑槽中。本實(shí)用新型根據(jù)三點(diǎn)確定一個(gè)圓的原理，在濺射機(jī)臺(tái)傳輸冷卻硅片的腔室上方安裝至少三個(gè)光電感應(yīng)器，達(dá)到精確監(jiān)控硅片在腔室中的位置，一旦硅片的位置發(fā)生偏離，機(jī)臺(tái)立即報(bào)警并停止動(dòng)作，從而避免了硅片被撞碎。
以下結(jié)合附圖與具體實(shí)施方式
對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明
圖1是已知的硅片監(jiān)控裝置；圖2是本實(shí)用新型的原理圖；圖3是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是本實(shí)用新型中固定片的結(jié)構(gòu)示意圖。其中附圖標(biāo)記說(shuō)明如下1為光電感應(yīng)器；2為固定片；3為支架底座；4為滑槽；5為硅片。
具體實(shí)施方式
本實(shí)用新型的濺射機(jī)臺(tái)用監(jiān)控硅片位置的裝置，如圖3、4所示，包括固定支架、三個(gè)光電感應(yīng)器1，所述固定支架包括支架底座3和三個(gè)固定片2。所述支架底座3安裝在傳輸冷卻硅片的腔室上方，所述固定片2垂直裝于支架底座3上。三個(gè)固定片2的一端連接在一起，其連接端所在的豎直線經(jīng)過(guò)支架底座3的中心和硅片5的中心且垂直于硅片5。每個(gè)固定2上活動(dòng)裝有一個(gè)光電感應(yīng)器1，所述光電感應(yīng)器1和固定片2連接端之間的距離與被監(jiān)控的硅片5的半徑一致。所述每個(gè)固定片2上設(shè)有一個(gè)滑槽4，所述各滑槽4的大小和位置相同，光電感應(yīng)器1滑動(dòng)地安裝在滑槽4中。所述光電感應(yīng)器1的輸出電信號(hào)串聯(lián)到硅片提升傳感器中，電壓端并聯(lián)到MV電壓源上。本實(shí)用新型利用三點(diǎn)確定一個(gè)圓的原理，如圖2所示，在濺射機(jī)臺(tái)傳輸冷卻硅片的腔室上方安裝三個(gè)光電感應(yīng)器1，達(dá)到精確監(jiān)控硅片5在腔室中的位置，一旦硅片的位置發(fā)生偏離，機(jī)臺(tái)立即報(bào)警并停止動(dòng)作，從而避免了硅片被撞碎。以上通過(guò)具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，但這些并非構(gòu)成對(duì)本實(shí)用新型的限制。在不脫離本實(shí)用新型原理的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員還可對(duì)光電感應(yīng)器的數(shù)量及安裝方式等做出許多變形和等效置換，這些也應(yīng)視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種濺射機(jī)臺(tái)用監(jiān)控硅片位置的裝置，其特征在于包括固定支架、至少三個(gè)光電感應(yīng)器，所述固定支架安裝在傳輸冷卻硅片的腔室上方，固定支架包括與光電感應(yīng)器數(shù)量相同的固定片，所述固定片的一端連接在一起，該連接端所在的豎直線經(jīng)過(guò)硅片的中心且垂直于硅片，每個(gè)固定片上活動(dòng)裝有一個(gè)光電感應(yīng)器，所述光電感應(yīng)器和固定片連接端之間的距離與被監(jiān)控硅片的半徑一致。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濺射機(jī)臺(tái)用監(jiān)控硅片位置的裝置，其特征在于所述每個(gè)固定片上設(shè)有一個(gè)滑槽，所述各滑槽的大小和位置相同，光電感應(yīng)器滑動(dòng)地安裝在滑槽中。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濺射機(jī)臺(tái)用監(jiān)控硅片位置的裝置，其特征在于所述固定支架還包括一個(gè)支架底座，所述固定片垂直裝于支架底座上，其連接端經(jīng)過(guò)支架底座的中心。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的濺射機(jī)臺(tái)用監(jiān)控硅片位置的裝置，其特征在于所述光電感應(yīng)器的輸出電信號(hào)串聯(lián)到硅片提升傳感器中，電壓端并聯(lián)到MV電壓源上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濺射機(jī)臺(tái)用監(jiān)控硅片位置的裝置，其特征在于所述光電感應(yīng)器和固定片均為三個(gè)。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種濺射機(jī)臺(tái)用監(jiān)控硅片位置的裝置，包括固定支架、至少三個(gè)光電感應(yīng)器，固定支架安裝在傳輸冷卻硅片的腔室上方，固定支架上設(shè)有與光電感應(yīng)器數(shù)量相同的固定片，固定片的一端連接在一起，該連接端所在的豎直線經(jīng)過(guò)硅片的中心且垂直于硅片，每個(gè)固定片上活動(dòng)裝有一個(gè)光電感應(yīng)器，光電感應(yīng)器和固定片連接端之間的距離與被監(jiān)控硅片的半徑一致。本實(shí)用新型根據(jù)三點(diǎn)確定一個(gè)圓的原理，精確監(jiān)控硅片在腔室中的位置，一旦硅片的位置發(fā)生偏離，機(jī)臺(tái)立即報(bào)警并停止動(dòng)作，從而避免了硅片被撞碎。
文檔編號(hào)C23C14/54GK201942746SQ20112000248
公開(kāi)日2011年8月24日 申請(qǐng)日期2011年1月6日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月6日
發(fā)明者周捷, 張嘉訓(xùn), 王東 申請(qǐng)人:上海華虹Nec電子有限公司