專利名稱：一種磁控濺射鍍膜裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬于金屬表面鍍膜領(lǐng)域，尤其涉及一種磁控濺射鍍膜裝置。
背景技術(shù)：
磁控濺射的工作原理是被離化的Ar離子在電場作用下加速飛向陰極靶，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發(fā)生濺射。在濺射粒子中，中性的靶原子或離子沉積在基片上形成薄膜。如圖1和圖2所示，磁控濺射靶101固定在腔體102壁上，靶材的濺射粒子105沉積在基片103上形成薄膜?；?03安裝在腔體102中心的旋轉(zhuǎn)架104上，每個(gè)基片103隨旋轉(zhuǎn)架104—起繞旋轉(zhuǎn)架104的軸線轉(zhuǎn)動(dòng)，在磁控濺射鍍膜過程中，基片103相對(duì)于磁控濺射靶101靶面的位置在不停的變化，且只在一個(gè)旋轉(zhuǎn)周期的一段時(shí)間內(nèi)經(jīng)過涂層區(qū)域。在沉積過程中由于實(shí)際設(shè)備中氣氛壓力、電場和磁場的分布不均，會(huì)導(dǎo)致沉積速率延縱向高度而不同，實(shí)際沉積速率或在基片上的薄膜厚度并不均勻，沉積速率或在基片上薄膜厚度在空間分布曲線圖如圖3所示，其中X軸代表薄膜厚度(μ m)，Y軸代表基片的縱向距離。
發(fā)明內(nèi)容鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷，本實(shí)用新型的目的是提出一種可提高基片鍍膜縱向均勻性的磁控濺射鍍膜裝置。本實(shí)用新型的目的將通過以下技術(shù)方案得以實(shí)現(xiàn)一種磁控濺射鍍膜裝置，包括一真空室，所述真空室的側(cè)壁上設(shè)有至少一個(gè)磁控濺射陰極，所述真空室內(nèi)設(shè)有圓形的基片轉(zhuǎn)架，所述基片轉(zhuǎn)架上豎直放置有至少一個(gè)的基片，所述基片的外側(cè)的基片轉(zhuǎn)架上套設(shè)有圓柱狀的遮蔽罩；所述遮蔽罩上開設(shè)有與所述磁控濺射陰極對(duì)應(yīng)的縱向開口，所述縱向開口的開口形狀為雙曲線，所述縱向開口的雙曲線與所述磁控濺射陰極的沉積速率空間曲線一致。優(yōu)選的，上述的一種磁控濺射鍍膜裝置，其中所述遮蔽罩與所述基片轉(zhuǎn)架固定連接。優(yōu)選的，上述的一種磁控濺射鍍膜裝置，其中所述磁控濺射陰極為平面矩形磁控濺射陰極。本實(shí)用新型的突出效果為根據(jù)磁控濺射陰極的沉積速率空間曲線的特點(diǎn)，在基片前面裝置遮蔽罩，以實(shí)現(xiàn)遮擋作用，使需要被涂層的基片始終處在磁控濺射陰極的均勻鍍膜有效區(qū)域內(nèi)，本實(shí)用新型提高了平面矩形磁控濺射鍍膜的縱向均勻性，解決了基片上薄膜厚度不均勻的問題。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡單，生產(chǎn)成本低，生產(chǎn)效率高，鍍膜均勻性效果好。以下便結(jié)合實(shí)施例附圖，對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
作進(jìn)一步的詳述，以使本實(shí)用新型技術(shù)方案更易于理解、掌握。

[0010]圖1是現(xiàn)有技術(shù)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是現(xiàn)有技術(shù)的俯視圖；圖3是現(xiàn)有技術(shù)的磁控濺射陰極的沉積速率空間曲線；圖4是本實(shí)用新型實(shí)施例1的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是本實(shí)用新型實(shí)施例1的遮蔽罩的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6是本實(shí)用新型實(shí)施例1的遮蔽罩的主視圖。
具體實(shí)施方式
實(shí)施例1本實(shí)施例的一種磁控濺射鍍膜裝置，如圖4所示，包括真空室1，真空室1的側(cè)壁上設(shè)有6個(gè)磁控濺射陰極2，磁控濺射陰極2為平面矩形磁控濺射陰極。真空室1內(nèi)設(shè)有圓形的基片轉(zhuǎn)架3，基片轉(zhuǎn)架3上豎直放置有6個(gè)基片4，基片4的外側(cè)的基片轉(zhuǎn)架3上套設(shè)有圓柱狀的遮蔽罩5 ；所述遮蔽罩5與基片轉(zhuǎn)架3固定連接，不隨基片轉(zhuǎn)架3和基片4轉(zhuǎn)動(dòng)。如圖5和圖6所示，遮蔽罩5上開設(shè)有與磁控濺射陰極2對(duì)應(yīng)的縱向開口 6，縱向開口 6的縱向的開口形狀為雙曲線，此曲線與磁控濺射陰極2的沉積速率空間曲線是一致的。本實(shí)施例根據(jù)磁控濺射陰極的沉積速率空間曲線的特點(diǎn)，在基片4前面裝置遮蔽罩5，以實(shí)現(xiàn)遮擋作用，使需要被涂層的基片4始終處在磁控濺射陰極2的均勻鍍膜有效區(qū)域內(nèi)，本實(shí)施例提高了平面矩形磁控濺射鍍膜的縱向均勻性，解決了基片上4薄膜厚度不均勻的問題。本實(shí)施例結(jié)構(gòu)簡單，生產(chǎn)成本低，生產(chǎn)效率高，鍍膜均勻性效果好。本實(shí)用新型尚有多種實(shí)施方式，凡采用等同變換或者等效變換而形成的所有技術(shù)方案，均落在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種磁控濺射鍍膜裝置，包括一真空室，所述真空室的側(cè)壁上設(shè)有至少一個(gè)磁控濺射陰極，其特征在于所述真空室內(nèi)設(shè)有圓形的基片轉(zhuǎn)架，所述基片轉(zhuǎn)架上豎直放置有至少一個(gè)的基片，所述基片的外側(cè)的基片轉(zhuǎn)架上套設(shè)有圓柱狀的遮蔽罩；所述遮蔽罩上開設(shè)有與所述磁控濺射陰極對(duì)應(yīng)的縱向開口，所述縱向開口的開口形狀為雙曲線，所述縱向開口的雙曲線與所述磁控濺射陰極的沉積速率空間曲線一致。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于所述遮蔽罩與所述基片轉(zhuǎn)架固定連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磁控濺射鍍膜裝置，其特征在于所述磁控濺射陰極為平面矩形磁控濺射陰極。
專利摘要本實(shí)用新型揭示了一種磁控濺射鍍膜裝置，包括一真空室，真空室的側(cè)壁上設(shè)有至少一個(gè)磁控濺射陰極，真空室內(nèi)設(shè)有圓形的基片轉(zhuǎn)架，基片轉(zhuǎn)架上豎直放置有至少一個(gè)的基片，基片的外側(cè)的基片轉(zhuǎn)架上套設(shè)有圓柱狀的遮蔽罩；遮蔽罩上開設(shè)有與所述磁控濺射陰極對(duì)應(yīng)的縱向開口，縱向開口的開口形狀為雙曲線，縱向開口的雙曲線與磁控濺射陰極的沉積速率空間曲線一致。本實(shí)用新型使需要被涂層的基片始終處在磁控濺射陰極的均勻鍍膜有效區(qū)域內(nèi)，提高了平面矩形磁控濺射鍍膜的縱向均勻性，解決了基片上薄膜厚度不均勻的問題；結(jié)構(gòu)簡單，生產(chǎn)成本低，生產(chǎn)效率高，鍍膜均勻性效果好。
文檔編號(hào)C23C14/35GK202157113SQ20112020112
公開日2012年3月7日 申請(qǐng)日期2011年6月15日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月15日
發(fā)明者趙紅艷, 錢濤 申請(qǐng)人:星弧涂層科技(蘇州工業(yè)園區(qū))有限公司