專利名稱：一種可改善磁控濺射鍍膜均勻性的鍍膜裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及光學(xué)器件制造，特別涉及到磁控濺射鍍膜時用于改善鍍膜均勻性的鍍膜裝置。
背景技術(shù)：
近年來磁控濺射技術(shù)的應(yīng)用日趨廣泛，在工業(yè)生產(chǎn)和科學(xué)研究領(lǐng)域發(fā)揮巨大作用。磁控濺射技術(shù)作為一種十分有效的薄膜沉積方法，被普遍和成功的應(yīng)用于許多方面，特別是在微電子、光學(xué)薄膜和材料表面處理領(lǐng)域中，用于薄膜沉積和表面覆蓋層制備。磁控濺射生成的薄膜厚度的均勻性是成膜性質(zhì)的一項重要指標(biāo)，在濺射鍍膜中， 由于靶內(nèi)磁鐵磁場分布，濺射氣體分布以及濺射源特有性質(zhì)等原因，使得所鍍膜層厚度不能成理想的均勻分布?，F(xiàn)有技術(shù)中的濺射鍍膜裝置如圖1和圖2所示，其中是一種雙圓柱靶磁控濺射示意圖。圖中濺射源由靶倉1和靶材2組成，靶材2由一對平行設(shè)置的圓柱靶組成。靶材2位于靶倉1的內(nèi)部，靶倉1的底部開口正對待鍍膜的基片3，濺射出的材料沉積在放置于靶前的基片3上。通過上述現(xiàn)有結(jié)構(gòu)的鍍膜裝置來鍍制單層產(chǎn)品，其光譜均勻性分布如圖3所示。在圖中，光譜透過率為85%取波長值，可以看到在對應(yīng)靶上位置50mm——230mm這個范圍，光譜的均勻性分布范圍為120nm，靶中心位置波長較長，兩端波長較短。對于均勻性要求 IOnm的情況下，其均勻區(qū)長度不足20mm，也就不能滿足大批量鍍膜生產(chǎn)的實際需要。
發(fā)明內(nèi)容本實用新型的目的在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，提供一種可改善磁控濺射鍍膜均勻性的鍍膜裝置。本實用新型的鍍膜裝置在鍍制單層膜時要能夠改善鍍膜均勻性， 使其滿足實際工作需要。為了達(dá)到上述發(fā)明目的，本實用新型提供的技術(shù)方案如下—種可改善磁控濺射鍍膜均勻性的鍍膜裝置，該鍍膜裝置包括有靶倉和靶材，所述的靶材為位于靶倉內(nèi)部的一對平行設(shè)置的圓柱靶，靶倉的底部開口正對待鍍膜的基片， 其特征在于，在所述的靶材和基片之間設(shè)有均勻鍍膜構(gòu)件，該均勻鍍膜構(gòu)件固定于所述的靶倉上。在本實用新型的鍍膜裝置中，所述的均勻鍍膜構(gòu)件包括有墊條、底板和調(diào)片，所述的墊條為兩條，分別固定于靶倉底部開口位置的兩側(cè)，所述墊條的底部分別固定有一個底板，該底板的一側(cè)伸向靶倉的開口部位，該底板上固定有多個平行排列的調(diào)片，所述的調(diào)片可調(diào)節(jié)地向靶倉開口的中部延伸。在本實用新型的鍍膜裝置上的均勻鍍膜構(gòu)件中，所述調(diào)片的中部設(shè)有長條孔，該調(diào)片通過螺釘穿過長條孔固定于底板上。在本實用新型的鍍膜裝置上的均勻鍍膜構(gòu)件中，多個平行的調(diào)片前端延伸至靶材的下部，調(diào)片的前端組成兩條弧形線條。[0011]在本實用新型的鍍膜裝置上的均勻鍍膜構(gòu)件中，所述弧形線條的中部向靶倉開口對稱突出，致使均勻鍍膜構(gòu)件在靶材和基片之間形成遮擋，而且中部遮擋的部分較邊緣遮擋的部分多。在本實用新型的鍍膜裝置上的均勻鍍膜構(gòu)件中，在所述的墊條上設(shè)有銷釘，在底板上設(shè)有對應(yīng)的銷孔?；谏鲜黾夹g(shù)方案，本實用新型一種用于改善磁控濺射鍍膜均勻性的鍍膜裝置與現(xiàn)有技術(shù)相比具有如下技術(shù)效果1.本實用新型的鍍膜裝置通過可選擇地部分遮擋靶材和基片之間的空擋，用以改善磁控濺射的均勻性，提高產(chǎn)品成品率和擴(kuò)大鍍膜產(chǎn)能。2.本實用新型的鍍膜裝置可根據(jù)需要隨意擴(kuò)大濺射靶的均勻區(qū)域，實現(xiàn)大尺寸
產(chǎn)品鍍膜。

圖1是現(xiàn)有技術(shù)濺射鍍膜設(shè)備中的鍍膜裝置的靶倉正視結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是現(xiàn)有技術(shù)濺射鍍膜設(shè)備中的鍍膜裝置的靶倉內(nèi)的結(jié)構(gòu)示意圖。圖3是現(xiàn)有技術(shù)濺射鍍膜設(shè)備所鍍膜產(chǎn)品的光譜均勻性分布曲線圖。圖4是本實用新型用于改善磁控濺射鍍膜均勻性的鍍膜裝置上靶倉的正視結(jié)構(gòu)示意圖。圖5是本實用新型用于改善磁控濺射鍍膜均勻性的鍍膜裝置上靶倉內(nèi)的結(jié)構(gòu)示意圖。圖6是本實用新型用于改善磁控濺射鍍膜均勻性的鍍膜裝置所鍍膜產(chǎn)品的光譜均勻性分布曲線圖。
具體實施方式
下面我們結(jié)合附圖和具體的實施案例來對本實用新型的用于改善磁控濺射鍍膜均勻性的鍍膜裝置做進(jìn)一步的詳細(xì)闡述，以求更為清楚明了地理解本實用新型的結(jié)構(gòu)和工作過程，但不能以此來限制本實用新型的保護(hù)范圍。請看圖4和圖5，圖4是本實用新型用于改善磁控濺射鍍膜均勻性的鍍膜裝置上靶倉的正視結(jié)構(gòu)示意圖，圖5是本實用新型用于改善磁控濺射鍍膜均勻性的鍍膜裝置上靶倉內(nèi)的結(jié)構(gòu)示意圖。由圖可知，本實用新型是在現(xiàn)有技術(shù)的基礎(chǔ)上，在鍍膜裝置的靶材和基片之間設(shè)有均勻鍍膜構(gòu)件。通過該均勻鍍膜構(gòu)件來改善濺射鍍膜的均勻性，是的所鍍膜層的厚度達(dá)到理想的均勻分布。本實用新型用于改善磁控濺射鍍膜均勻性的鍍膜裝置結(jié)構(gòu)上包括有靶倉1和靶材2，所述的靶材2為位于靶倉1內(nèi)部的一對平行設(shè)置的圓柱靶，靶倉1的底部開口正對待鍍膜的基片3。在靶材2和基片3之間設(shè)有均勻鍍膜構(gòu)件，該均勻鍍膜構(gòu)件固定于所述的靶倉1上。上述的均勻鍍膜構(gòu)件包括有墊條41、底板51和調(diào)片52。其中，墊條41為兩條，分別固定于靶倉1底部開口位置的兩側(cè)。在墊條41的底部分別固定有一個底板51，該底板 51的一側(cè)向靶倉1的開口部位延伸。底板51和墊條41之間通過多個螺絲M固定，每側(cè)的底板51和墊條41之間用兩個螺絲M進(jìn)行固定。該底板51上固定有多個平行排列的調(diào)片 52，調(diào)片52向靶倉1開口的中部延伸，并且調(diào)片52的延伸長度可以調(diào)節(jié)。在實際應(yīng)用中，由于底板51和墊條41設(shè)有螺孔，用以安裝起到連接作用的螺絲 M。實際上螺孔比較大以利于螺絲M安裝，但是卻導(dǎo)致底板51和墊條41之間會出現(xiàn)位置偏差。為了克服這個確定，我們在墊條41上設(shè)計了一個銷釘42，并在底板51上設(shè)計了銷孔。這樣，再安裝時，先讓銷釘42穿過銷孔保證底板51和墊條41之間的精確定位，然后再利用螺絲M來將二者固定。為了能夠?qū)崿F(xiàn)調(diào)片52的延伸長度調(diào)節(jié)功能，在調(diào)片52的中部設(shè)計一個長條孔，該調(diào)片52通過螺釘53穿過長條孔固定于底板51上。長條孔的長度方向平行于調(diào)片52的長度方向。這樣，可以通過松緊螺釘53來調(diào)節(jié)調(diào)片52固定在底板51上的位置，進(jìn)而實現(xiàn)調(diào)片52的延伸長度調(diào)節(jié)。在實現(xiàn)了調(diào)片52的長度調(diào)節(jié)以后，多個平行固定在底板51上的調(diào)片52的前端可以根據(jù)需要進(jìn)行調(diào)節(jié)，從而形成一個適合形狀，以便在靶材2和基片3之間形成阻擋。通過調(diào)節(jié)調(diào)片52的延伸長度，多個平行的調(diào)片52前端延伸至靶材2的下部，調(diào)片52的前端組成了弧形線條。由于墊條41和底板51均有兩個，分別位于靶艙1底部開口的兩側(cè)，因此由調(diào)片52前端所形成的弧形線條也有兩條。由于調(diào)片52前端形成的弧形線條決定了阻擋在靶材2和基片3的形狀，因此根據(jù)需要對該弧形線條進(jìn)行調(diào)節(jié)。根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)中基片3上膜層的厚度所決定的光譜分布曲線圖可知靶中心位置波長較長，兩端波長較短。因此有必要減小基片中部的膜層厚度，故而弧形線條的中部向靶倉1開口對稱突出，如圖5所示。每片調(diào)片52的長度形狀由在未加裝鍍膜裝置所鍍單層光譜均勻性分布圖確定，波長偏長的位置調(diào)片長，波長偏短的位置調(diào)片短，所以中間的調(diào)片長兩端的調(diào)片短。通過加裝均勻鍍膜構(gòu)件以后，本實用新型的鍍膜裝置制造出來的單層鍍膜產(chǎn)品的光譜分布如圖6所示。由圖可知，該鍍制單層產(chǎn)品若在光譜透過率為85%取波長值，圖中可以看到在對應(yīng)靶上位置50mm——230mm這個范圍，光譜的均勻性分布范圍為lOnm，比起原來不安裝實用新型磁控濺射鍍膜裝置的均勻性有很大改善。
權(quán)利要求1.一種可改善磁控濺射鍍膜均勻性的鍍膜裝置，該鍍膜裝置包括有靶倉(1)和靶材 (2)，所述的靶材(2)為位于靶倉(1)內(nèi)部的一對平行設(shè)置的圓柱靶，靶倉(1)的底部開口正對待鍍膜的基片(3)，其特征在于，在所述的靶材(2)和基片(3)之間設(shè)有均勻鍍膜構(gòu)件，該均勻鍍膜構(gòu)件固定于所述的靶倉(1)上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種可改善磁控濺射鍍膜均勻性的鍍膜裝置，其特征在于， 所述的均勻鍍膜構(gòu)件包括有墊條(41)、底板(51)和調(diào)片(52)，所述的墊條(41)為兩條，分別固定于靶倉(1)底部開口位置的兩側(cè)，所述墊條(41)的底部分別固定有一個底板(51)， 該底板(51)的一側(cè)伸向靶倉(1)的開口部位，該底板(51)上固定有多個平行排列的調(diào)片 (52)，所述的調(diào)片(52)可調(diào)節(jié)地向靶倉(1)開口的中部延伸。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種可改善磁控濺射鍍膜均勻性的鍍膜裝置，其特征在于， 所述調(diào)片(52)的中部設(shè)有長條孔，該調(diào)片(52)通過螺釘穿過長條孔固定于底板(51)上。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的一種可改善磁控濺射鍍膜均勻性的鍍膜裝置，其特征在于，多個平行的調(diào)片(52)前端延伸至靶材(2)的下部，調(diào)片(52)的前端組成兩條弧形線條。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種可改善磁控濺射鍍膜均勻性的鍍膜裝置，其特征在于， 所述弧形線條的中部向靶倉(1)開口對稱突出。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種可改善磁控濺射鍍膜均勻性的鍍膜裝置，其特征在于， 在所述的墊條(41)上設(shè)有銷釘(42)，在底板(51)上設(shè)有對應(yīng)的銷孔。
專利摘要本實用新型涉及到一種可改善磁控濺射鍍膜均勻性的鍍膜裝置，該鍍膜裝置包括有靶倉(1)、靶材(2)和均勻鍍膜構(gòu)件，所述的靶材(2)為位于靶倉(1)內(nèi)部的一對平行設(shè)置的圓柱靶，靶倉(1)的底部開口正對待鍍膜的基片(3)，在所述的靶材(2)和基片(3)之間設(shè)有均勻鍍膜構(gòu)件，該均勻鍍膜構(gòu)件固定于所述的靶倉(1)上。本實用新型的鍍膜裝置在鍍膜時能夠改善鍍膜均勻性，使其滿足實際工作需要。
文檔編號C23C14/35GK202193839SQ20112028298
公開日2012年4月18日 申請日期2011年8月5日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月5日
發(fā)明者劉毅楠, 張欽廉, 曹嘉寰, 李傳文, 班超, 程春生, 符東浩, 趙浩 申請人:平湖中天合波通信科技有限公司