專利名稱：一種陶瓷濺射靶的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種磁控濺射靶，具體涉及一種采用陶瓷制成的濺射靶。
背景技術(shù)：
目前，磁控濺射技術(shù)已成為工業(yè)化鍍膜制備各種功能薄膜及器件的常規(guī)手段。濺射鍍膜是由于荷能離子轟擊靶材的濺射效應(yīng)，使靶面的原子(或原子團(tuán)或分子)逸出后，沉積到基底上的過程。在濺射過程中，靶材受荷能離子轟擊吸收能量，其溫度會(huì)逐漸升高。為降低靶材的溫升，通常，將靶材與銅及其合金背板連接的一起，通過冷卻背板以降低靶材的溫升。在透明導(dǎo)電薄膜的制備中，采用氧化物燒結(jié)陶瓷靶濺射鍍膜的工藝性比采用金屬靶反應(yīng)濺射鍍膜優(yōu)越。靶材與銅背板的連接可通過耐熱導(dǎo)電樹脂膠或低熔點(diǎn)釬焊合金連接，其中最為常用的是純h或SnHn合金釬焊的方法。如JP特開平7-48667。但是，用純h或Sn-In合金釬焊的方法，有無法滿足透明導(dǎo)電玻璃大型化而要求靶材的大面積、高厚度化的問題。靶材面積大會(huì)因?yàn)樽陨砺N曲從背板上剝落；靶材厚度增加使其熱阻變大，在較大靶功率密度的生產(chǎn)條件下，產(chǎn)生熱量堆積會(huì)使低熔點(diǎn)的純^或 Sn^n合金釬焊結(jié)合強(qiáng)度不夠，導(dǎo)致靶材剝落。此外，采用稀缺金屬h的含量均大于55%以上，存在著成本較高的問題。針對(duì)上述問題，CN 1880492A提出采用Sn-Si合金作為釬料連接靶材與背板，但是，該方法僅適合于連接以金屬或合金構(gòu)成的靶材。對(duì)于陶瓷靶，由于陶瓷材料的配位鍵主要有離子鍵和共價(jià)鍵兩種，都非常穩(wěn)定，很難被熔化的金屬所潤(rùn)濕；此外，Sn-Si合金中的 Zn很容易被氧化，從而使合金的潤(rùn)濕性下降。為提高靶材與背板連接時(shí)的潤(rùn)濕性要求，可采用在靶材的連接面上濺射或蒸鍍Cu 或M-Cu合金膜的方法。但該方法因成膜設(shè)備較貴，致使生產(chǎn)成本高，同時(shí)工藝復(fù)雜，存在生產(chǎn)效率低下的問題。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是要提供一種陶瓷濺射靶。本實(shí)用新型的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的一種陶瓷濺射靶，在陶瓷靶材一側(cè)設(shè)有燒滲銀層，背板層通過釬焊合金層以及燒滲銀層與陶瓷靶材連接。所述的陶瓷靶材為氧化物燒結(jié)陶瓷。氧化物燒結(jié)陶瓷優(yōu)選AZO靶材或ITO靶材。所述的釬焊合金層是以Sn — Si — h — Bi四元合金。所述的釬焊合金層是以Sn — Si — In三元合金。本實(shí)用新型提供的陶瓷濺射靶，以氧化物燒結(jié)陶瓷為靶材，采用Sn — Si — h — Bi四元合金或Sn — Si — h三元合金為釬焊材料，陶瓷靶材連接面中溫預(yù)燒滲極薄的銀過渡層，實(shí)施陶瓷靶材與Cu或Cu合金背板的連接，能夠低成本、高效率的生產(chǎn)，改善釬料潤(rùn)濕性，提高靶材與銅背板的連接性能，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定濺射的濺射靶。以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明。


圖1為本實(shí)用新型靶材結(jié)構(gòu)圖。
具體實(shí)施方式
一種陶瓷濺射靶，在陶瓷靶材10—側(cè)設(shè)有燒滲銀層11，背板層20通過釬焊合金層 30以及燒滲銀層11與陶瓷靶材10連接。所述的陶瓷靶材10為氧化物燒結(jié)陶瓷靶材，優(yōu)選AZO靶材或ITO靶材。所述的釬焊合金層30是Sn — Si — h — Bi四元合金。所述的釬焊合金層30是Sn — Si — In三元合金。
權(quán)利要求1.一種陶瓷濺射靶，其特征在于在陶瓷靶材(10)—側(cè)設(shè)有燒滲銀層(11)，背板層 (20 )通過釬焊合金層(30 )以及燒滲銀層(11)與陶瓷靶材(10 )連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氧化物陶瓷濺射靶，其特征在于所述的陶瓷靶材(10)為氧化物燒結(jié)陶瓷靶材。
3.根據(jù)要求2所述的氧化物陶瓷濺射靶，其特征在于所述的氧化物燒結(jié)陶瓷陶靶材為AZO靶材或ITO靶材。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷濺射靶，其特征在于所述的釬焊合金層(30)是以Sn-Zn-In- Bi四元合金。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷濺射靶，其特征在于所述的釬焊合金層(30)是以Sn— Zn — In三元合金。
專利摘要一種陶瓷濺射靶，在陶瓷靶材一側(cè)設(shè)有燒滲銀層，背板層通過釬焊合金層以及燒滲銀層與陶瓷靶材連接。所述的陶瓷靶材為氧化物燒結(jié)陶瓷。陶瓷靶材為AZO靶材、ITO靶材。本實(shí)用新型提供的陶瓷濺射靶，以氧化物燒結(jié)陶瓷為靶材，采用Sn－Zn－In－Bi四元合金或Sn－Zn－In三元合金為釬焊材料，陶瓷靶材連接面中溫預(yù)燒滲極薄的銀過渡層，實(shí)施陶瓷靶材與Cu或Cu合金背板的連接，能夠低成本、高效率的生產(chǎn)，改善釬料潤(rùn)濕性，提高靶材與銅背板的連接性能，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定濺射的濺射靶。
文檔編號(hào)C23C14/35GK202208757SQ20112033353
公開日2012年5月2日 申請(qǐng)日期2011年9月7日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月7日
發(fā)明者呂鑫, 孫宜華 申請(qǐng)人:三峽大學(xué), 孫宜華, 湖北三峽新型建材股份有限公司