專利名稱：硅片鍍膜用碳碳載板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種硅片鍍膜用碳碳載板，具體地說是一種硅片鍍膜用PECVD載板。
背景技術(shù)：
PECVD載板是硅片鍍膜設(shè)備的一種重要裝置，其工作原理為待鍍膜的硅片需平整的放置在載板的工位上，經(jīng)傳輸部件運(yùn)輸?shù)焦杵兡ぴO(shè)備中的等離子腔室，然后在一定工藝條件下進(jìn)行鍍膜。隨著太陽能光伏行業(yè)的迅速發(fā)展，市場對硅片鍍膜的質(zhì)量和產(chǎn)量和產(chǎn)能均提出了更高的要求。常規(guī)載板的載片容量由于載板結(jié)構(gòu)尺寸上的制約已無法滿足市場的需求，為此本實用新型發(fā)明了一種大載片量的PECVD載板，較好的解決了上述問題。
發(fā)明內(nèi)容本實用新型的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足，提供一種能夠提高生產(chǎn)能力同時也降低了成本的硅片載體框，使該載板在相同的設(shè)備、動力、反應(yīng)氣體等工藝條件下將產(chǎn)能增加22%以上。按照本實用新型提供的技術(shù)方案，硅片鍍膜用碳碳載板，包括PECVD載板框本體和太陽能硅片孔，太陽能硅片孔呈陣列狀分布于PECVD載板框本體上。所述太陽能硅片孔呈5X 10的陣列狀分布于PECVD載板框本體上。位于頂排的太陽能硅片孔的頂壁邊到PECVD載板框本體的頂邊框的距離與位于底排的太陽能硅片孔的底壁邊到載體框本體的底邊框的距離相同。位于左列的太陽能硅片孔的左壁邊到PECVD載板框本體的左邊框的距離與位于右列的太陽能硅片孔的右壁邊到PECVD載板框本體的右邊框的距離相同。位于頂排的太陽能硅片孔的頂壁邊到PECVD載板框本體的頂邊框的距離均為 l(T20mm ；位于底排的太陽能硅片孔的底壁邊到PECVD載板框本體的底邊框的距離均為 l(T20mm。位于左列的太陽能硅片孔的左壁邊到PECVD載板框本體的左邊框的距離均為 84、4mm ；位于右列的太陽能硅片孔的右壁邊到PECVD載板框本體的右邊框的距離均為 84 94mm。所述太陽能硅片孔中同行相鄰兩個太陽能硅片孔中心間距均為16廣171mm ；所述太陽能硅片孔中同列相鄰兩個太陽能硅片孔中心間距均為16廣171mm。所述PECVD載板框本體的寬度為990-1010mm，高度為145(Tl780mm。本實用新型的有益效果本實用新型中載板載片工位的重新布置，使載板載片量相對之前增加了 22%以上；在設(shè)備尺寸允許的情況下，增加了載板長度方向的尺寸，因此載板的抗彎強(qiáng)度不會因為增加載片工位而削弱；本實用新型僅將原來的載板框本體的高度稍微增大，就能較大地增多太陽能硅片孔的數(shù)量，提高生產(chǎn)能力，同時也降低了成本。

圖1本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
如圖1所示，包括PECVD載板框本體1和太陽能硅片孔2，太陽能硅片孔2呈陣列狀分布于PECVD載板框本體1上。所述太陽能硅片孔2呈5X 10的陣列狀分布于PECVD載板框本體1上。位于頂排的太陽能硅片孔2的頂壁邊到PECVD載板框本體1的頂邊框的距離與位于底排的太陽能硅片孔2的底壁邊到載體框本體1的底邊框的距離相同。位于左列的太陽能硅片孔2的左壁邊到PECVD載板框本體1的左邊框的距離與位于右列的太陽能硅片孔2的右壁邊到PECVD載板框本體1的右邊框的距離相同。位于頂排的太陽能硅片孔2的頂壁邊到PECVD載板框本體1的頂邊框的距離均為 l(T20mm ；位于底排的太陽能硅片孔2的底壁邊到PECVD載板框本體1的底邊框的距離均為 l(T20mm。位于左列的太陽能硅片孔(2)的左壁邊到PECVD載板框本體1的左邊框的距離均為84、4mm ；位于右列的太陽能硅片孔2的右壁邊到PECVD載板框本體1的右邊框的距離均為 84、4mm。所述太陽能硅片孔2中同行相鄰兩個太陽能硅片孔2中心間距均為16廣171mm ； 所述太陽能硅片孔2中同列相鄰兩個太陽能硅片孔2中心間距均為16廣171mm。所述PECVD載板框本體1的寬度為990_1010mm，高度為145(Tl780mm。本實用新型將PECVD載板框本體1的高度增大為145(Tl780mm，高度增大百分率為 0. 4%飛％，太陽能硅片孔的數(shù)目增大為5X 10的陣列(以前僅為5X9的陣列)，陽能硅片孔的數(shù)目增大百分率為22%以上。這樣就使得各太陽能電池片生產(chǎn)商在不增加設(shè)備、動力和氣體的情況下較大地提高生產(chǎn)能力，同時也降低了成本。
權(quán)利要求1.硅片鍍膜用碳碳載板，其特征是包括PECVD載板框本體(1)和太陽能硅片孔(2)， 太陽能硅片孔(2)呈陣列狀分布于PECVD載板框本體(1)上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述硅片鍍膜用PECVD載板，其特征是所述太陽能硅片孔(2)呈 5X 10的陣列狀分布于PECVD載板框本體(1)上。
3.根據(jù)權(quán)利要求廣2所述硅片鍍膜用碳碳載板，其特征是位于頂排的太陽能硅片孔 (2)的頂壁邊到PECVD載板框本體(1)的頂邊框的距離與位于底排的太陽能硅片孔(2)的底壁邊到載體框本體(1)的底邊框的距離相同。
4.根據(jù)權(quán)利要求廣2所述硅片鍍膜用碳碳載板，其特征是位于左列的太陽能硅片孔 (2)的左壁邊到PECVD載板框本體(1)的左邊框的距離與位于右列的太陽能硅片孔(2)的右壁邊到PECVD載板框本體(1)的右邊框的距離相同。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述硅片鍍膜用碳碳載板，其特征是位于頂排的太陽能硅片孔(2) 的頂壁邊到PECVD載板框本體(1)的頂邊框的距離均為l(T20mm ；位于底排的太陽能硅片孔 (2)的底壁邊到PECVD載板框本體(1)的底邊框的距離均為l(T20mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述硅片鍍膜用碳碳載板，其特征是位于左列的太陽能硅片孔(2) 的左壁邊到PECVD載板框本體(1)的左邊框的距離均為84、4mm ；位于右列的太陽能硅片孔 (2)的右壁邊到PECVD載板框本體(1)的右邊框的距離均為84、4mm。
7.根據(jù)權(quán)利要求廣2所述硅片鍍膜用碳碳載板，其特征是所述太陽能硅片孔(2)中同行相鄰兩個太陽能硅片孔(2)中心間距均為16廣171mm。
8.根據(jù)權(quán)利要求廣2所述硅片鍍膜用碳碳載板，其特征是所述太陽能硅片孔(2)中同列相鄰兩個太陽能硅片孔(2)中心間距均為16廣171mm。
9.根據(jù)權(quán)利要求廣2所述硅片鍍膜用碳碳載板，其特征是所述PECVD載板框本體(1) 的寬度為 990-1010mm，高度為 145(Tl780mm。
專利摘要本實用新型涉及一種硅片鍍膜用碳碳載板，具體地說是一種硅片鍍膜用PECVD載板。其包括PECVD載板框本體和太陽能硅片孔，太陽能硅片孔呈陣列狀分布于PECVD載板框本體上。所述太陽能硅片孔呈5×10的陣列狀分布于PECVD載板框本體上。位于頂排的太陽能硅片孔的頂壁邊到PECVD載板框本體的頂邊框的距離與位于底排的太陽能硅片孔的底壁邊到載體框本體的底邊框的距離相同。位于左列的太陽能硅片孔的左壁邊到PECVD載板框本體的左邊框的距離與位于右列的太陽能硅片孔的右壁邊到PECVD載板框本體的右邊框的距離相同。本實用新型僅將原來的載板框本體的高度稍微增大，就能較大地增多太陽能硅片孔的數(shù)量，提高生產(chǎn)能力，同時也降低了成本。
文檔編號C23C16/458GK202246857SQ201120341089
公開日2012年5月30日 申請日期2011年9月13日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月13日
發(fā)明者代寧, 尤耀明 申請人:無錫綠波新能源設(shè)備有限公司