專利名稱：一種硅片拋光用游輪片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種硅片拋光用游輪片，特別是一種用于大直徑硅片雙面拋光的游輪片。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體工業(yè)沿著摩爾定律的急速發(fā)展，微電子器件特征尺寸的不斷減小，給硅材料的完整性、均勻性、表面質(zhì)量等提出了越來越苛刻的要求。同時(shí)，為了滿足器件廠家提高生產(chǎn)率降低制造成本的需要，超大規(guī)模集成電路用硅材正向大尺寸方向發(fā)展，硅片尺寸已經(jīng)由150mm和200mm轉(zhuǎn)到300mm。為了解決硅片拋光過程中因尺寸的增大而帶來的平整度的問題，雙面拋光代替單面拋光，從而獲得集成電路用大尺寸硅拋光片。雙面拋光過程中硅片的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)完全不同于單面拋光，硅片不用固定在陶瓷板上，而是被安放在游輪片內(nèi)，在中心齒輪和邊緣齒輪的帶動(dòng)下自轉(zhuǎn)和以大盤為中心公轉(zhuǎn)。由于硅片是像三明治一樣“懸浮”在上下大盤之間，自由度增加，拋光工藝變得更加復(fù)雜。在雙面拋光過程中，游輪片起到非常重要的作用，極大的影響著拋光后的表面幾何參數(shù)。很多的研究表明，游輪片的厚度越接近硅片的最終厚度，硅片的邊緣的幾何參數(shù)越好。雙面拋光用的游輪片的材質(zhì)一般有幾種，一種是不銹鋼游輪片，優(yōu)點(diǎn)是邊緣齒輪強(qiáng)度好，不易磨損，壽命相對(duì)較長(zhǎng)，但缺點(diǎn)是不銹鋼材質(zhì)容易造成硅片邊緣損傷，另一種是碳纖維游輪片，邊緣易破損。使用最多的是樹脂游輪片，制造成本低。在雙面拋光過程中，游輪片的厚度在一定程度上決定了拋光后的硅片的幾何參數(shù)，因此對(duì)游輪片厚度的監(jiān)控是非常重要的。在實(shí)際的生產(chǎn)過程中，樹脂游輪片有一個(gè)非常致命的缺點(diǎn)，就是強(qiáng)度太低，在拋光過程中損耗較快，與硅片接觸的邊緣的厚度很容易變薄，這樣就會(huì)加大控制硅片幾何參數(shù)的難度，增加了連續(xù)生產(chǎn)的不穩(wěn)定性?，F(xiàn)行的做法是定期檢測(cè)游輪片的厚度，超出控制范圍就更換。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是提供一種硅片拋光用游輪片，該新型的優(yōu)點(diǎn)游輪片邊緣齒輪耐磨性好，與硅片接觸處對(duì)硅片邊緣損傷小，拋光過程中因?yàn)閾p耗對(duì)硅片的幾何參數(shù)影響較小，提高雙面拋光的制備性能與成品率。為達(dá)到上述發(fā)明目的本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案；這種硅片拋光用游輪片包括由不銹鋼制作而成游輪片，游輪片的厚度為0. 5 Imm,游輪片中放娃片的內(nèi)圓處鑲嵌一圈碳纖維材料。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是游輪片不銹鋼邊緣齒輪耐磨性好，與硅片接觸處的碳纖維材料對(duì)硅片邊緣損傷小，耐磨性也好，拋光過程中因?yàn)閾p耗對(duì)硅片的幾何參數(shù)影響較小，提高雙面拋光的制備性能與成品率。
圖I :樹脂或碳纖維游輪片示意圖圖2 :本實(shí)用新型提供的一種游輪片示意圖圖3a :圖2中附有局部位置標(biāo)示a的本實(shí)用新型游輪片圖圖3b :圖3a的局部放大圖
具體實(shí)施方式
如圖I、圖2、圖3a、圖3b所示，硅片拋光用游輪片包括以不銹鋼材料制作的游輪片I，在游輪片中放硅片的內(nèi)圓處鑲嵌一圈的碳纖維2，碳纖維材料市場(chǎng)有售。 本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是游輪片不銹鋼邊緣齒輪耐磨性好，與硅片接觸處的碳纖維材料對(duì)硅片邊緣損傷小，耐磨性也好，拋光過程中因?yàn)閾p耗對(duì)硅片的幾何參數(shù)影響較小，提高雙面拋光的制備性能與成品率。
權(quán)利要求1.一種硅片拋光用游輪片，其特征在于由不銹鋼制作而成游輪片，游輪片的厚度為0. 5 Imm,游輪片中放娃片的內(nèi)圓處鑲嵌一圈碳纖維材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種硅片拋光用游輪片，其特征在于所述的鑲嵌一圈碳纖維材料的厚度為0. 5 1mm。
專利摘要一種硅片拋光用游輪片，它包括由不銹鋼制作而成游輪片，游輪片的厚度為0.5～1mm，游輪片中放硅片的內(nèi)圓處鑲嵌一圈碳纖維材料。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是游輪片不銹鋼邊緣齒輪耐磨性好，與硅片接觸處的碳纖維材料對(duì)硅片邊緣損傷小，耐磨性也好，拋光過程中因?yàn)閾p耗對(duì)硅片的幾何參數(shù)影響較小，提高雙面拋光的制備性能與成品率。
文檔編號(hào)B24B29/02GK202428296SQ20112050319
公開日2012年9月12日 申請(qǐng)日期2011年12月6日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月6日
發(fā)明者葉松芳, 庫(kù)黎明, 索思卓, 葛鐘, 閆志瑞, 魯進(jìn)軍 申請(qǐng)人:有研半導(dǎo)體材料股份有限公司