專利名稱：SiCOH低K膜的氣相沉積法的制作方法
SiCOH低K膜的氣相沉積法相關(guān)申請案的交叉引用本申請主張2010年2月17日提交的美國臨時申請第61/305，491號的權(quán)益，其全部內(nèi)容以引用的方式并入本文中。
權(quán)利要求
1.一種在基質(zhì)上形成SiCOH膜層的方法，所述方法包括以下步驟 -提供安置有至少一個基質(zhì)的反應(yīng)室； -向反應(yīng)室中引入含Si-(CH2)n-Si的前驅(qū)體，其中n=l或2，含Si-(CH2)n-Si的前驅(qū)體選自由以下組成的組
2.根據(jù)權(quán)利要求I的方法，其中該含乙烯基的前驅(qū)體選自由乙烯基二乙氧基硅烷、乙稀基~■甲氧基娃燒、乙稀基二甲氧基娃燒、乙稀基二乙氧基娃燒、乙稀基甲基_■甲氧基娃燒和乙稀基甲基_■乙氧基娃燒組成的組，優(yōu)選為乙稀基二乙氧基娃燒或乙稀基甲基_■乙氧基硅烷。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2的方法，其中致孔劑為經(jīng)取代或未經(jīng)取代的雙環(huán)[2.2. I]庚-2，5- 二烯。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項的方法，其中沉積方法為單頻PECVD。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項的方法，其進一步包含使SiCOH膜變得多孔的步驟。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項的方法，其中Rl至R4不為H。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的方法，其中含Si-(CH2)n-Si的前驅(qū)體選自由(EtO) 3Si-CH2-Si (OEt) 2H、Me (OEt) 2Si_CH2_Si (OEt) 2H、Me (OEt) 2Si_CH2_Si (OEt) HMe、Me2(OEt)Si-CH2-Si (OEt)2H' (EtO)Me2SiCH2Si (OMe)2H, Me2(OEt)Si-CH2-Si (OEt) HMe、(OEt)3Si-CH2-Si (OEt) HMe、(EtO)3Si-CH2-Si (OMe) HMe、Me(OMe)2Si-CH2-Si (OMe)2H,Me(OMe)2Si-CH2-Si (OMe) HMe、Me2(OMe)SiCH2Si (OMe)2H 和 Me2(OEt)Si-CH2-Si (OMe)HMe 組成的組，優(yōu)選 Me (OEt)2Si-CH2-Si (OEt) 2H、Me2(OEt)Si-CH2-Si(OEt)2H 和Me (OEt) 2Si-CH2-Si (OEt) HMe。
8.根據(jù)權(quán)利要求6的方法，其中含Si-(CH2)n-Si的前驅(qū)體選自由(EtO) 3Si-CH2CH2-Si (OEt) 2H、Me (OEt) 2Si_CH2CH2_Si (OEt) 2H、Me (OEt) 2Si-CH2CH2-Si (OEt)HMe、Me2(OEt)Si-CH2CH2-Si (0Et)2H、(EtO)Me2Si-CH2CH2Si (0Me)2H、Me2 (OEt)Si-CH2CH2-Si (OEt) HMe、(OEt)3Si-CH2CH2-Si (OEt) HMe、(EtO)3Si-CH2CH2-Si (OMe)HMe、Me (OMe)2Si-CH2CH2-S i (OMe)2H、Me (OMe)2Si-CH2CH2-Si (OMe)HMe、Me2 (OMe) Si-CH2CH2Si (OMe) 2H 和 Me2(OEt)Si-CH2CH2-Si(OMe)HMe 組成的組，優(yōu)選 Me(OEt)2Si-CH2CH2-Si (OEt)2H, Me2(OEt)Si-CH2CH2-Si (OEt)2H 和Me (OEt) 2Si-CH2CH2-Si (OEt) HMe。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項的方法，其中Rl至R3中僅一個為H。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的方法，其中含Si-(CH2)n-Si的前驅(qū)體選自由MeH(OMe)Si-CH2-Si (OMe) HMe、(EtO)2HSi-CH2-Si(OEt)2H' (EtO)HMeSi-CH2-Si (OEt)HMe 和(iPrO)HMeSi-CH2-Si (OiPr) HMe 組成的組。
11.根據(jù)權(quán)利要求6的方法，其中SiCOH膜具有低于以下兩者的介電常數(shù)(1)由含Si-(CH2)n-Si的前驅(qū)體和致孔劑形成的SiCOH膜的介電常數(shù)；和(2)由含乙烯基的前驅(qū)體和致孔劑形成的SiCOH膜的介電常數(shù)。
12.根據(jù)權(quán)利要求1-11中任一項的方法形成的膜。
13.根據(jù)權(quán)利要求12的膜，其中所述膜具有在約2.0至約2. 7、優(yōu)選約2. 0至約2. 5的范圍內(nèi)的介電常數(shù)，及在約4GPa至約lOGPa、優(yōu)選約5GPa至約IOGPa的范圍內(nèi)的楊氏模量。
全文摘要
公開了適于沉積具有適于后代介電膜的介電常數(shù)和楊氏模量的SiCOH膜的前驅(qū)體。
文檔編號C23C16/30GK102762763SQ201180010066
公開日2012年10月31日 申請日期2011年2月17日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月17日
發(fā)明者C·安德森, C·迪薩拉, F·多尼亞, J·J·F·麥克安德魯 申請人:喬治洛德方法研究和開發(fā)液化空氣有限公司