專利名稱：濺射靶材的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及濺射靶材。更具體地說，本發(fā)明涉及具有提高濺射板材料利用率這樣設(shè)計(jì)的濺射靶材。
背景技術(shù)：
本發(fā)明的實(shí)施例涉及用于濺射工藝室的濺射靶材。濺射靶材包括濺射板和支承板。在集成電路和顯示器的制作中，濺射室用于濺射沉積材料至基片上。在當(dāng)前技術(shù)中，濺射室已是眾所周知，其被描述在下列專利中=Allen等人的美國(guó)專利申請(qǐng)公開第2008/0308416號(hào)，其題為“具有增加壽命和濺射均勻性的濺射靶材”;Fu的美國(guó)專利第6183614號(hào)，其題為“旋轉(zhuǎn)的磁控濺射組件”;Gopalraja等人的美國(guó)專利第6274008號(hào)，其題為“電鍍填空鍍銅的集成工藝”，所有這些均通過引用的方式結(jié)合到本申請(qǐng)中。典型地，濺射室包括屏蔽罩、工藝區(qū)、氣體激發(fā)器和排氣口，其中，屏蔽罩在濺射靶材周圍且濺射靶材正對(duì)著基片支撐件，工藝區(qū)用于導(dǎo)入工藝氣體，氣體激發(fā)器用于對(duì)工藝氣體供能，排氣口用于排氣和控制室內(nèi)工藝氣體的壓力。在被激發(fā)的氣體里形成的激活離子轟擊濺射靶材，促使要被濺射的材料脫離濺射板并沉積在基片上成膜。濺射室也可具有磁場(chǎng)發(fā)生器，其用于成形和限定濺射靶材周圍的磁場(chǎng)，從而提高濺射靶材的濺射板材料的濺射。濺射板材料可以是金屬的，比如鋁、鑰、銅、鎢、鈦、鈷、鎳、鉭或合金。可以用像氬氣或氪氣這樣的惰性氣體濺射基元材料，而且可采用像氮?dú)饣蜓鯕膺@樣的氣體濺射基元材料，從而形成像氮化鉭、氮化鎢、氮化鈦或氧化鋁這樣的化合物。然而，在這樣的濺射工藝中，濺射板的一部分可以以比其它部分更高的濺射速率濺射，這會(huì)導(dǎo)致在處理一批基片之后，該濺射板表現(xiàn)出不均勻的橫截面厚度或表面外形。濺射板的這種不均勻?yàn)R射可能源于局部等離子密度的不同，而這些不同是由濺射室的幾何形狀、靶材周圍的磁場(chǎng)形狀、靶材中感應(yīng)的渦電流和其它因素引起的。不均勻?yàn)R射也可能是由晶粒尺寸的差異或?yàn)R射板材料結(jié)構(gòu)的不同引起的。例如，人們已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，濺射板的不均勻?yàn)R射可導(dǎo)致形成凹陷，材料在此凹陷處以比周圍區(qū)域更高的速率從濺射板濺射。當(dāng)凹陷變得更深時(shí)，濺射板后的室壁和支承板便暴露出來且可被濺射出去，這會(huì)導(dǎo)致基片被這些材料污染。而且，具有可變非均勻表面輪廓的濺射板可導(dǎo)致基片表面濺射材料不均勻厚度的沉積。因此，通常在形成于濺射板上的任意凹陷變得太深、太寬或太多之前，將濺射靶材從濺射室移走。結(jié)果，大部分厚度的濺射板依舊還沒有被用，因?yàn)闉R射靶材不得不過早地被從濺射室移走。因此，需要具有提高濺射板材料利用率這樣設(shè)計(jì)的濺射靶材。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一方面是提供了一種濺射靶材，其包括支承板和安裝在該支承板上的濺射板，所述的支承板包括前表面和后表面，所述的濺射板包括濺射表面和后表面。所述濺射靶材的另一方面是所述的濺射板具有平面形狀。
所述濺射靶材的另一方面在于，所述濺射板的后表面包括凹槽，相對(duì)于所述濺射板的鄰近區(qū)域，所述凹槽成形且大小對(duì)應(yīng)于所述濺射板的更高濺射的被觀察區(qū)。所述的支承板包括第一材料，所述的濺射板包括第二材料，插入塊包括第三材料。所述的第一、第二和第三材料互不相同。將插入塊置于所述的凹槽里。所述濺射靶材的另一方面在于，所述支承板的前表面包括凹槽，相對(duì)于所述濺射板的鄰近區(qū)域，所述凹槽成形且大小對(duì)應(yīng)于所述濺射板的更高濺射的被觀察區(qū)。所述的支承板包括第一材料，所述的濺射板包括第二材料，插入塊包括第三材料。所述的第一、第二和第三材料互不相同，且將插入塊置于所述的凹槽里。所述濺射靶材的另一方面在于，所述支承板的后表面包括凹槽，相對(duì)于所述濺射板的鄰近區(qū)域，所述凹槽成形且大小對(duì)應(yīng)于所述濺射板的更高濺射的被觀察區(qū)。所述的支承板包括第一材料，所述的濺射板包括第二材料，插入塊包括第三材料。所述的第一、第二和第三材料互不相同。將插入塊置于所述的凹槽里。所述濺射靶材的另一方面在于，至少所述濺射板的后表面、所述支承板的前表面或所述支承板的后表面的其中之一包括凹槽，相對(duì)于所述濺射板的鄰近區(qū)域，所述凹槽成形且大小對(duì)應(yīng)于所述濺射板的更高濺射的被觀察區(qū)。所述的支承板包括第一材料，所述的濺射板包括第二材料，插入塊包括第三材料。所述的第一、第二和第三材料互不相同，且將插入塊置于所述的凹槽里。所述的第一材料至少包括下列材料之一銅、銅合金、不銹鋼、鋁、鋁合金、銅/鉻、鋁/銅或它們的其它合金；所述的第二材料至少包括下列材料之一鋁、鋁合金、鑰、鑰合金、銅、銅合金、鎢、鈦、鉭、任意其它的非磁性材料或合金、或者任意其它的非金屬材料或合金；第三材料包括Ni、不銹鋼、變壓器鋼或磁導(dǎo)率大于20的鐵磁材料。其中，所述插入塊的形狀為矩形或具有矩形橫截面的環(huán)形。所述的無磁性材料和非金屬材料或合金選自這樣的組合，其由碳、碳化物、娃、娃化物、鍺、鍺合金、導(dǎo)電氧化物和導(dǎo)電氧化物組分組成。所述濺射靶材的另一方面在于，所述的第一材料包括CuCr合金，而所述的第二材料包括鋁或鑰。所述濺射靶材的另一方面在于，插入塊安裝在所述支承板的后表面上。此外，另一方面在于插入塊位于所述濺射板的后表面和所述支承板的前表面之間。此外，另一方面在于隔板位于所述濺射板的后表面和所述支承板的前表面之間。另外，所述濺射靶材的另一方面是一種控制濺射靶材電磁特性的方法，所述的濺射靶材包括安裝在支承板上的濺射板，該方法包括提供包括第一材料的支承板；至少形成一個(gè)凹槽，其位于所述濺射板的后表面、所述支承板的前表面或所述支承板的后表面的其中之一或更多；用具有與所述第一材料不同電磁特性的第二材料填充所述至少一個(gè)凹槽。所述的第一材料至少包括下列材料之一銅、不銹鋼或鋁和鋁合金。所述的第二材料包括磁性材料，所述的磁性材料包括Ni、不銹鋼、變壓器鋼或磁導(dǎo)率大于20的鐵磁材料。所述插入塊的形狀為矩形或具有矩形橫截面的環(huán)形。
另外，所述濺射靶材的另一方面是一種控制濺射靶材電磁特性的方法，所述的濺射靶材包括安裝在支承板上的濺射板，該方法包括將插入塊安裝在所述支承板的后表面上，所述的支承板包括第一材料；所述的插入塊包括第二材料；所述的第一和第二材料具有不同的電磁特性。所述方法此外還包括將插入塊放置在所述支承板的前表面和所述濺射板的后表面之間。下面，以示意圖的形式顯示和描述本發(fā)明的實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域那些技術(shù)人員來說，有關(guān)這些實(shí)施例的下列描述使得本發(fā)明的優(yōu)勢(shì) 變得更加明顯。所要明白的是，本發(fā)明適用于其它和不同的實(shí)施例，而且其細(xì)節(jié)可在各方面做出修改。


從本文的描述和權(quán)利要求以及結(jié)合顯示結(jié)構(gòu)細(xì)節(jié)和示意性實(shí)施例的附圖中，可以明白本發(fā)明的這些和其它方面，其中在下面將要描述的本發(fā)明實(shí)施例中，通過例子的形式，參照所列簡(jiǎn)圖，特別闡述本發(fā)明的這些和其它特色及它們的優(yōu)勢(shì)，其中圖IA示出濺射靶材的實(shí)施例；圖IB示出濺射靶材的另一實(shí)施例；圖2A示出根據(jù)本發(fā)明制作的濺射板的第一實(shí)施例；圖2B示出根據(jù)本發(fā)明制作的濺射板的第二實(shí)施例；圖3A示出根據(jù)本發(fā)明制作的濺射板的第一實(shí)施例；圖3B示出根據(jù)本發(fā)明制作的濺射板的第二實(shí)施例；圖4A示出根據(jù)本發(fā)明制作的支承板的第一實(shí)施例；圖4B示出根據(jù)本發(fā)明制作的支承板的第二實(shí)施例；圖5A示出根據(jù)本發(fā)明制作的支承板的第一實(shí)施例；圖5B示出根據(jù)本發(fā)明制作的支承板的第二實(shí)施例；圖6A示出根據(jù)本發(fā)明制作的支承板的第三實(shí)施例；圖6B示出根據(jù)本發(fā)明制作的支承板的第四實(shí)施例；圖7A示出根據(jù)本發(fā)明制作的支承板的第三實(shí)施例；圖7B示出根據(jù)本發(fā)明制作的支承板的第四實(shí)施例；圖8A示出根據(jù)本發(fā)明制作的濺射靶材的第一實(shí)施例；圖8B示出根據(jù)本發(fā)明制作的濺射靶材的第二實(shí)施例；圖9A示出根據(jù)本發(fā)明制作的支承板的第五實(shí)施例；和圖9B示出根據(jù)本發(fā)明制作的支承板的第六實(shí)施例。應(yīng)當(dāng)注意的是，所有的附圖都是示意性的，沒有按比例繪制。這些圖中部件的相對(duì)尺寸和比例在大小上或被擴(kuò)大或被縮小，目的是為了附圖的清晰和便捷。按照常規(guī)，對(duì)于不同實(shí)施例中的對(duì)應(yīng)部位或相似部位，采用統(tǒng)一的附圖標(biāo)號(hào)。因此，實(shí)際上將所列附圖和描述看作是示意性的而非限制性的。
具體實(shí)施例方式如本文說明書和權(quán)利要求中采用的那樣，近似語言可用于修飾任意數(shù)量的表述，在與之相關(guān)的基本功能上不引起變化的情況下，可允許該表述改變。因此，采用比如“大約”這樣的詞或短語修飾的值不受限于所規(guī)定的精確值。至少在一些例子中，所述的近似語言可與用于測(cè)量所述值的儀器精度相對(duì)應(yīng)。范圍限制可結(jié)合和/或相互交換，這樣的范圍是一致的且包括文中陳述的所有子范圍，除非上下文或表述具有另外的說明。除了在所述的操作性例子中或其中的另外說明之外，用在所述說明書或所述權(quán)利要求里的所有涉及到成分?jǐn)?shù)量、反應(yīng)條件和類似表達(dá)的數(shù)字或符號(hào)，可理解為像在所有例子中用詞語“大約”修飾的那樣?！翱蛇x的”或“任意地”表明接下來描述的事件或情況可發(fā)生或可不發(fā)生，或者表明接下來指定的材料可存在或可不存在，而且還表明所用的描述包括所述事件或情況發(fā)生的例子或所述材料存在的例子，以及所述事件或情況不發(fā)生的例子或所述材料不存在的例子。如文中所采用的那樣，詞語“包括”、“包含”、“有”或其中任意別的變體，希望涵蓋 非獨(dú)有的包括。例如，一種工藝、一種方法、一件物品或一種設(shè)備，其包括一系列組成部分，但不必僅局限于那些組成部分，且可包括其它的組成部分，只是沒有特意列在或附在這樣的工藝、方法、物品或設(shè)備上。單數(shù)形式“一”、“一個(gè)”和“特指的那個(gè)”包括對(duì)應(yīng)的復(fù)數(shù)指代，除非上下文明確指出不同。圖IA和圖IB顯示的是濺射靶材10的示意性實(shí)施例，所述靶材能夠提供更長(zhǎng)的工藝壽命、更好的濺射均勻性，而且能夠減少因侵蝕凹槽而產(chǎn)生的污染。參看圖IA和圖1B，濺射靶材10包括支承板40，其作為基座支撐濺射板20，該濺射板包括要被濺射進(jìn)濺射室里的濺射材料。濺射板20包括濺射表面21，其被置于直接對(duì)著基片，以便向所述基片提供直接對(duì)傳式的濺射物。濺射板20可與支承板40機(jī)械結(jié)合，或采用別的方法，比如擴(kuò)散結(jié)合。在一實(shí)施例中，濺射板20至少包括下列材料之一鋁和鋁合金、鑰和鑰合金、銅和銅合金、鎢、鈦或鉭、或者是任意其它的無磁性金屬和非金屬材料和合金，包括碳、碳化物、硅、硅化物、鍺、鍺合金、導(dǎo)電氧化物和導(dǎo)電氧化物組分。支承板40具有前表面41和后表面42。前表面41與后表面42是相對(duì)著的。后表面42可適合于形成所述室的外壁或被安裝在室蓋或適配器上。支承板40具有外圍邊緣43，其延伸至濺射板20以外。在一實(shí)施例中，支承板40包括金屬，比如鋁、銅、不銹鋼或它們的其它合金，比如銅/鉻或鋁/銅。在另一實(shí)施例中，支承板40包括銅鉻合金，也就是公知的CuCr合金。在又一實(shí)施例中，支承板40可包括鋁、銅、不銹鋼、銅/鉻、鋁/銅或它們的其它合金的其中的一種或多種。在一實(shí)施例中，濺射板20成形且安裝于支承板40上，成形的濺射板20由要濺射至基片上的材料制成。典型地，濺射板20包括的材料不同于與支承板40的材料。例如，濺射板20可包括金屬，比如鋁、銅、鈷、鑰、鎳、鈀、鉬、鉭、鈦或鎢。在另一實(shí)施例中，濺射板可包括鋁、鋁合金、鑰、鑰合金、銅、銅合金、鈷、鎳、鈀、鉬、鎢、鈦、鉭、碳、碳化物、硅、硅化物、鍺、鍺合金、導(dǎo)電氧化物、導(dǎo)電氧化物組分、任意其它的非磁性金屬材料或其合金、或者是任意其它的非金屬材料或其合金的其中的一種或多種。認(rèn)為濺射板20和支承板40可以是任意合適的形狀，這取決于要處理的基片的形狀，包括但不限于圓形和矩形。圓形用于圓基片，比如半導(dǎo)體片，而矩形用于矩形基片，比如顯示板。參看圖2A和圖2B，可以看出，濺射板20具有后表面22，其與濺射表面21是相對(duì)著的。在濺射板20的一實(shí)施例中，濺射板20的后表面22具有一個(gè)或多個(gè)的凹槽30。凹槽30的深度小于濺射板20的厚度。因此，在凹槽30的基底31與濺射表面21之間存在濺射靶材材料。參照?qǐng)D3A和圖3B，在濺射板20的一些實(shí)施例中，將插入塊50置于后表面22的凹槽30里，其中，在這些實(shí)施例的大 多數(shù)中，插入塊50的尺寸對(duì)應(yīng)于凹槽30的尺寸。在一些實(shí)施例中，插入塊50占據(jù)凹槽30的約1%至100%。在其它的實(shí)施例中，插入塊50占據(jù)凹槽30的約25%至99%。在另外一些實(shí)施例中，插入塊50占據(jù)凹槽30的約50%至98%。在另外一些實(shí)施例中，插入塊50占據(jù)凹槽30的約75%至97%。在一些實(shí)施例中，凹槽30里沒有被插入塊50占據(jù)的空間里填充有焊料。相對(duì)于鄰近的由試驗(yàn)或建模決定的濺射板區(qū)域，凹槽30成形且大小對(duì)應(yīng)于更高濺射板20侵蝕的被觀察區(qū)。例如，對(duì)于許多濺射靶材10 (其沒有凹槽30和插入塊50)來說，濺射板20高侵蝕區(qū)域的位置和形狀可之前通過繪制所述的濺射板侵蝕區(qū)域來決定，在預(yù)選的工藝條件下，在室中通過多重濺射工藝，運(yùn)行所述的濺射靶材?；谒龅挠^察侵蝕凹槽，選取一個(gè)以上凹槽30的形狀和尺寸。因此，所述的一個(gè)以上凹槽30的形狀和尺寸也會(huì)改變，這取決于所述室采用的工藝條件和其它的工藝參數(shù)以及所要安裝濺射靶材10的濺射室的幾何形狀。一個(gè)以上凹槽30的結(jié)構(gòu)也可能取決于所述的靶材材料本身、用于從濺射靶材10濺射材料的能量場(chǎng)的形狀和對(duì)稱性以及甚至濺射過程中運(yùn)用的穿過濺射靶材10的磁場(chǎng)的形狀。因此，本發(fā)明的范圍不應(yīng)局限于文中用于示意性目的而演示的凹槽的形狀。在一實(shí)施例中，當(dāng)插入塊50由與用于形成支承板40的第一材料不同的第二材料形成時(shí)，凹槽30也可用于改變?yōu)R射靶材10的磁特性。選擇所述的第二材料，以便改變插入塊50周圍的電特性或磁特性，從而也改變插入塊50位置處的渦電流。在另一實(shí)施例中，當(dāng)插入塊50由與用于形成濺射板20的第一材料不同的第二材料形成時(shí)，凹槽30也可用于改變?yōu)R射靶材10的磁特性。選擇所述的第二材料，以便改變插入塊50周圍的電特性或磁特性，從而也改變插入塊50位置處的渦電流。在一實(shí)施例中，當(dāng)插入塊50由與用于形成支承板40的第一材料和用于形成派射板20的第二材料均不相同的第三材料形成時(shí)，凹槽30也可用于改變?yōu)R射靶材10的磁特性。選擇所述的第三材料，以便改變插入塊50周圍的電特性或磁特性，從而也改變插入塊50位置處的渦電流。所述的第一、第二、第三材料互不相同。在一實(shí)施例中，通過膠粘劑、擴(kuò)散結(jié)合、機(jī)械法、錫焊、攪拌摩擦焊、銅焊或電鍍法，將插入塊50粘附或粘結(jié)在凹槽30里。在典型的實(shí)施例中，插入塊50包括磁性材料(比如Ni，變壓器鋼或磁導(dǎo)率大于20的鐵磁材料)。在一實(shí)施例中，通過挑選基于所述材料電磁特性的材料，比如它的相對(duì)磁導(dǎo)率(μ )和電導(dǎo)率(σ )，選擇插入塊50的材料來控制所述渦電流的數(shù)量。取決于所要的應(yīng)用，插入塊50的材料可以是(i)相對(duì)磁導(dǎo)率略小于I的反磁性體(其中，I表示真空的相對(duì)磁導(dǎo)率)，比如銀；(ii)相對(duì)磁導(dǎo)率略高于I的順磁性體，比如鋁；或(“)相對(duì)磁導(dǎo)率遠(yuǎn)大于I的鐵磁體，比如相對(duì)磁導(dǎo)率μ約為100的鎳、μ約為200的鐵、鋼、鐵-鎳-鉻合金和μ為20，000的“Mu-金屬”。
在另一實(shí)施例中，插入塊50的材料包括鐵磁性材料，比如鎳或不銹鋼，而所述的支承板包括順磁性材料，比如鋁，插入塊50調(diào)節(jié)濺射板20周圍的磁場(chǎng)，從而在濺射板20的周圍產(chǎn)生凈低磁場(chǎng)，這會(huì)使得濺射表面21在插入塊50上的侵蝕較少。當(dāng)插入塊50包括順磁性材料比如鋁時(shí)，插入塊50調(diào)節(jié)所述的渦電流，以便降低濺射板20周圍的渦電流，從而在濺射板20的周圍產(chǎn)生凈高磁場(chǎng)，這會(huì)使得濺射表面21在插入塊50上的侵蝕較多。
由于渦電流正比于電導(dǎo)率，所以通過選擇包括插入塊50的材料的電導(dǎo)率，也可控制渦電流的數(shù)量。另外一種調(diào)節(jié)濺射靶材10的一部分，比如濺射板20周圍磁場(chǎng)的方法是使插入塊50材料的電導(dǎo)率低于支承板40材料的電導(dǎo)率?？梢钥闯觯J(rèn)為在一些實(shí)施例中，凹槽30和插入塊50的形狀可以是矩形的。在其它的實(shí)施例中，認(rèn)為凹槽30和插入塊50的形狀可以是具有矩形橫截面的環(huán)形，比如墊圈形狀。此外，認(rèn)為在一些實(shí)施例中，凹槽30的深度低于約2cm，例如約O. 3cm至約1cm，比如約
0.5cm。在其它的實(shí)施例中，凹槽30的深度在約O. Icm至約O. 5cm之間。在另外一些實(shí)施例中，凹槽30的寬度在約O. Icm至約20cm之間。此外，在其它的實(shí)施例中，凹槽30的容積在約O. OOlcm3至約2000cm3之間,優(yōu)選的是,在約O. Olcm3至約200cm3之間,最優(yōu)選的是,在約O. Icm3至20cm3之間。然而，相對(duì)于所述濺射板的鄰近區(qū)域，本領(lǐng)域技術(shù)人員可選擇其它形狀與大小的凹槽30和插入塊50，以便對(duì)應(yīng)于所述濺射板的更高濺射的被觀察區(qū)。參看圖4A和圖4B，可以看出，濺射支承板40具有前表面41，其與后表面42是相對(duì)著的。在濺射支承板40的一實(shí)施例中，支承板40的前表面41具有一個(gè)或多個(gè)的凹槽30。凹槽30的深度小于支承板40的厚度。因此，在凹槽30的基底31與支承板40的后表面42之間存在支承板材料。參看圖5A和圖5B，可以看出，插入塊50位于前表面41的凹槽30里。在一些實(shí)施例中，插入塊50占據(jù)凹槽30的約1%至100%。在其它的實(shí)施例中，插入塊50占據(jù)凹槽30的約25%至99%。在另外一些實(shí)施例中，插入塊50占據(jù)凹槽30的約50%至98%。在另外一些實(shí)施例中，插入塊50占據(jù)凹槽30的約75%至97%。在一些實(shí)施例中，凹槽30里沒有被插入塊50占據(jù)的空間里填充有焊料。參看圖6A和圖6B，可以看出，濺射支承板40具有后表面42，其與前表面41是相對(duì)著的。在濺射支承板40的一實(shí)施例中，支承板40的后表面42具有一個(gè)或多個(gè)凹槽30。凹槽30的深度小于支承板40的厚度。因此，在凹槽30的基底31與支承板40的前表面41之間存在支承板材料。參看圖7A和圖7B，插入塊50位于支承板40后表面42的凹槽30里。在一些實(shí)施例中，插入塊50占據(jù)凹槽30的約1%至100%。在其它的實(shí)施例中，插入塊50占據(jù)凹槽30的約25%至99%。在另外一些實(shí)施例中，插入塊50占據(jù)凹槽30的約50%至98%。在另外一些實(shí)施例中，插入塊50占據(jù)凹槽30的約75%至97%。在一些實(shí)施例中，凹槽30里沒有被插入塊50占據(jù)的空間里填充有焊料。此外，認(rèn)為在一些實(shí)施例中，支承板40的前表面41和濺射板20的后表面22 二者均可具有凹槽30。插入塊50可部分地嵌在支承板40前表面41的凹槽30里，部分地嵌在濺射板20后表面22的凹槽30里。在一實(shí)施例中，約1%至25%之間的插入塊50嵌在支承板40的前表面41里，而約75%至99%之間的插入塊50嵌在濺射板20的后表面22里。在另一實(shí)施例中，約25%至50%之間的插入塊50嵌在支承板40的前表面41里，而約50%至75%之間的插入塊50嵌在濺射板20的后表面22里。在另一實(shí)施例中，約75%至99%之間的插入塊50嵌在支承板40的前表面41里，而約1%至25%之間的插入塊50嵌在濺射板20的后表面22里。參看圖8A和圖8B，可以看出，在濺射支承板40的一實(shí)施例中，可將一個(gè)或多個(gè)插入塊50置于濺射板后表面22和支承板前表面41之間。墊片(spacer) 60填充在濺射板后表面22和支承板前表面41之間的且沒有被一個(gè)或多個(gè)插入塊50所占據(jù)的剩余區(qū)域。在一實(shí)施例中，墊片60是焊料。然而，認(rèn)為本領(lǐng)域技術(shù)人員可為墊片60選擇采用另外的材料。參看圖9A和圖9B，可以看出，在濺射支承板40的一實(shí)施例中，可將一個(gè)或多個(gè)插入塊50與濺射支承板40的后表面42相粘附。在一實(shí)施例中，支承板40由第一材料制成，濺射板20由第二材料制成，而附著在濺射支承板40后表面42是的一個(gè)或多個(gè)插入塊50則是由第三材料形成的。所述的第一、第二和第三材料互不相同。在另一實(shí)施例中，支承板 40由第一材料制成，而一個(gè)或多個(gè)與濺射支承板40后表面42相粘附的插入塊50則是由與所述第一材料不同的第二材料形成的。在另一實(shí)施例中，濺射板20由第一材料制成，而附著到濺射支承板40后表面42是的一個(gè)或多個(gè)插入塊50則是由與所述第一材料不同的第二材料形成的。認(rèn)為附著在濺射支承板40后表面42上的一個(gè)或多個(gè)插入塊50通過膠粘劑、機(jī)械結(jié)合、錫焊而被附著，或通過電鍍直接形成在支承板40上。在另一實(shí)施例中，附著在濺射支承板40后表面42上的一個(gè)或多個(gè)插入塊50通過焊料粘結(jié)而被安裝，進(jìn)而通過惰性聚合物涂層進(jìn)行密封，從而保護(hù)所述一個(gè)或多個(gè)插入塊50免受腐蝕。因此，認(rèn)為濺射靶材10、濺射板20和支承板40的一些實(shí)施例可具有包含插入塊50的一個(gè)或多個(gè)凹槽30，如圖2A至圖7B所示。此外，認(rèn)為濺射靶材10的一些實(shí)施例具有包含插入塊50的一個(gè)或多個(gè)凹槽30，如圖2A至圖7B所示，而這些實(shí)施例也可具有一個(gè)或多個(gè)插入塊50和墊片60，如圖8A和8B所示。另外，認(rèn)為濺射靶材10的一些實(shí)施例具有包含插入塊50的一個(gè)或多個(gè)凹槽30，如圖2A至圖7B所示，而這些實(shí)施例也可具有一個(gè)或多個(gè)插入塊50和墊片60，如圖8A和8B所示，并且所述一個(gè)或多個(gè)插入塊50可附著到濺射支承板40的后表面42上，如圖9A和9B所示。此外，認(rèn)為濺射靶材10的一些實(shí)施例可具有一個(gè)或多個(gè)插入塊50和墊片60，如圖8A和8B所示，并且一個(gè)或多個(gè)插入塊50可附著到濺射支承板40的后表面42上，如圖9A和9B所示。另外，認(rèn)為濺射靶材10的一些實(shí)施例僅具有一個(gè)或多個(gè)插入塊50和墊片60，如圖8A和8B所示。此外，認(rèn)為濺射靶材10的一些實(shí)施例僅具有一個(gè)或多個(gè)附著在濺射支承板40后表面42上的插入塊50，如圖9A和9B所示。本發(fā)明的另一實(shí)施例包括一種控制濺射靶材10的電磁特性的方法，該濺射靶材包括安裝在支承板40上的濺射板20。在一實(shí)施例中，所述方法包括提供包括第一材料的支承板40 ;在濺射板20的后表面22、所述支承板40的前表面41或所述支承板40的后表面42的其中一個(gè)或多個(gè)上形成至少一個(gè)凹槽30 ;用具有與所述第一材料不同電磁特性的第二材料(插入塊50)填充至少一個(gè)凹槽30。在一實(shí)施例中，所述的第一材料至少包括下列材料之一鋁、銅、不銹鋼、銅/鉻、鋁/銅或這其中的其它合金；所述的第二材料包括磁性材料，比如Ni、不銹鋼、變壓器鋼或磁導(dǎo)率大于20的鐵磁材料。在另一實(shí)施例中，所述的方法包括將插入塊50安裝在支承板40的后表面42上，支承板40包括第一材料；插入塊50包括第二材料。在一些實(shí)施例中，所述的第一和第二材料具有不同的電磁特性。此外，在一些實(shí)施例中，所述方法進(jìn)一步包括將插入塊50放置在支承板40的前表面41和所述濺射板20的后表面22之間。
在又一實(shí)施例中，所述方法包括提供包括第一材料的支承板40 ;在濺射板20的后表面22、所述支承板40的前表面41或所述支承板40的后表面42中的一個(gè)或多個(gè)上形成至少一個(gè)凹槽30 ;將由第二材料制成的插入塊50放置在至少一個(gè)凹槽30里。在一些實(shí)施例中，所述的方法包括將由第二材料制成的插入塊50安裝在支承板40的后表面42上。在一些實(shí)施例中，所述方法此外還包括將由第二材料制成的插入塊50放置在所述支承板40的前表面41和派射板20的后表面22之間。在一實(shí)施例中，所述的第二材料具有與所述第一材料不同的電磁特性。在一實(shí)施例中，所述的第一材料至少包括下列材料之一鋁、銅、不銹鋼、銅/鉻、鋁/銅或這其中的其它合金，所述的第二材料包括磁性材料，比如Ni、不銹鋼、變壓器鋼或磁導(dǎo)率大于20的鐵磁材料。結(jié)合上述的具體實(shí)施例，已對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了描述，很明顯，對(duì)于本領(lǐng)域那些技術(shù)人員來說，許多選擇、結(jié)合、修改和變更是顯然的。相應(yīng)地，本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，就如上面闡述的那樣，希望僅是示意性的，而不是限制意義上的。在不脫離本發(fā)明的實(shí)質(zhì)及不超越本發(fā)明的范圍情況下，可做出各種變更。因此，本發(fā)明的技術(shù)范圍不僅僅包括上述的那些實(shí)施例，而且還包括所有含在所附權(quán)利要求范圍內(nèi)的實(shí)施例。此份書面描述采用例子公開本發(fā)明，包括最佳模式，而且也能夠使本領(lǐng)域任何技術(shù)人員實(shí)踐本發(fā)明，包括制作和使用任何裝置或系統(tǒng)以及進(jìn)行任意合并的工藝。本發(fā)明的專利范圍由所述的權(quán)利要求確定，并且可包括本領(lǐng)域那些技術(shù)人員碰到的其它例子。如果這些其它的例子具有的結(jié)構(gòu)組成不同于所述權(quán)利要求字面語言的話，或者如果它們包括等價(jià)的結(jié)構(gòu)組成與所述權(quán)利要求的字面語言沒有實(shí)質(zhì)不同的話，那么它們被確定為在所述的權(quán)利要求范圍以內(nèi)。
權(quán)利要求
1.ー種派射IE材，其包括 支承板和安裝在該支承板上的濺射板，所述的支承板包括具有前表面和后表面的板，所述的濺射板包括濺射表面和后表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的濺射靶材，其中，所述的濺射板具有平面形狀。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的濺射靶材，其中，所述濺射板的后表面包括凹槽，相對(duì)于所述濺射板的鄰近區(qū)域，所述凹槽成形且大小對(duì)應(yīng)于所述濺射板的更高濺射的被觀察區(qū)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的濺射靶材，其中，所述的支承板包括第一材料，所述的濺射板包括第二材料，插入塊包括第三材料；所述的第一、第二、第三材料是互不相同的，其中，所述插入塊定位于所述的凹槽里。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的濺射靶材，其中，所述支承板的前表面包括凹槽，相對(duì)于所述濺射板的鄰近區(qū)域，所述凹槽成形且大小對(duì)應(yīng)于所述濺射板的更高濺射的被觀察區(qū)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的濺射靶材，其中，所述的支承板包括第一材料，所述的濺射板包括第二材料，插入塊包括第三材料；所述的第一、第二、第三材料是互不相同的，其中，所述插入塊定位于所述的凹槽里。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的濺射靶材，其中，所述支承板的后表面包括凹槽，相對(duì)于所述濺射板的鄰近區(qū)域，所述凹槽成形且大小對(duì)應(yīng)于所述濺射板的更高濺射的被觀察區(qū)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的濺射靶材，其中，所述的支承板包括第一材料，所述的濺射板包括第二材料，插入塊包括第三材料；所述的第一、第二、第三材料是互不相同的，其中，所述插入塊定位于所述的凹槽里。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的濺射靶材，其中，所述濺射板的后表面、所述支承板的前表面或所述支承板的后表面中的至少ー個(gè)包括凹槽，相對(duì)于所述濺射板的鄰近區(qū)域，所述凹槽成形且大小對(duì)應(yīng)于所述濺射板的更高濺射的被觀察區(qū)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的濺射靶材，其中，所述的支承板包括第一材料，所述的濺射板包括第二材料，插入塊包括第三材料；所述的第一、第二、第三材料是互不相同的，其中，所述插入塊定位于所述的凹槽里。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的濺射靶材，其中，所述的第一材料至少包括下列材料之一銅、銅合金、不銹鋼、鋁、鋁合金、銅/鉻、鋁/銅或它們的其它合金； 所述的第二材料至少包括下列材料之一鋁、鋁合金、鑰、鑰合金、銅、銅合金、鎢、鈦、鉭、任意其它的非磁性材料或合金、或者任意其它的非金屬材料或合金； 所述的第三材料包括Ni、不銹鋼、變壓器鋼或磁導(dǎo)率大于20的鐵磁材料； 其中，所述插入塊的形狀為矩形或具有矩形橫截面的環(huán)形。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的濺射靶材，其中，所述的非磁性材料和非金屬材料或合金選自由碳、碳化物、硅、硅化物、鍺、鍺合金、導(dǎo)電氧化物和導(dǎo)電氧化物組分構(gòu)成的組。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的濺射靶材，其中，所述的第一材料包括CuCr合金，而所述的第二材料包括鋁或鑰。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的濺射靶材，此外還包括安裝在所述支承板后表面上的插入塊。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的濺射靶材，此外還包括位于所述濺射板后表面和所述支承板前表面之間的插入塊。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的濺射靶材，此外還包括位于所述濺射板后表面和所述支承板前表面之間的墊片。
17.—種控制濺射靶材電磁特性的方法，該濺射靶材包括安裝在支承板上的濺射板，此方法包括 提供包括第一材料的支承板； 在所述濺射板的后表面、所述支承板的前表面或所述支承板的后表面中的ー個(gè)或多個(gè)上形成至少ー個(gè)凹槽；和 用具有與所述第一材料不同電磁特性的第二材料填充所述的至少ー個(gè)凹槽。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，所述的第一材料至少包括下列材料之一鋁、銅、不銹鋼、銅/鉻、鋁/銅或它們的其它合金； 所述的第二材料包括磁性材料，所述的磁性材料包括Ni、不銹鋼、變壓器鋼或磁導(dǎo)率大于20的鐵磁材料； 其中，所述插入塊的形狀為矩形或具有矩形橫截面的環(huán)形。
19.一種控制濺射靶材電磁特性的方法，該濺射靶材包括安裝在支承板上的濺射板，此方法包括 將插入塊安裝在所述支承板的后表面上，所述的支承板包括第一材料；所述的插入塊包括第二材料；所述的第一和第二材料具有不同的電磁特性。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，此外還包括將插入塊放置在所述支承板的前表面和所述濺射板的后表面之間。
全文摘要
本發(fā)明的一方面是提供了一種濺射靶材，其包括支承板(40)和安裝在該支承板上的濺射板，所述的支承板包括前表面和后表面，所述的濺射板包括濺射表面和后表面。至少所述濺射板的后表面、所述支承板的前表面或所述支承板的后表面的其中之一具有至少一個(gè)凹槽(30)，相對(duì)于所述濺射板的鄰近區(qū)域，所述凹槽成形且大小對(duì)應(yīng)于所述濺射板的更高濺射的觀察區(qū)。將插入塊(50)置于所述的凹槽里。所述的支承板包括第一材料，所述的濺射板包括第二材料，插入塊包括第三材料。而所述濺射靶材的另一方面是提供了一種控制濺射靶材電磁特性的方法。
文檔編號(hào)C23C14/34GK102844460SQ201180019473
公開日2012年12月26日 申請(qǐng)日期2011年2月16日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月17日
發(fā)明者E.Y.伊瓦諾夫, A.萊波維克, J.里澤 申請(qǐng)人:東曹Smd有限公司