納米線及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種制造納米線的方法。加熱溶劑。將催化劑加入所述溶劑中。將金屬化合物加入所述溶劑中以形成金屬納米線。精制所述金屬納米線。在所述納米線的精制過程中，可以將所述催化劑和用于把所述催化劑產(chǎn)生的不可溶物質(zhì)轉(zhuǎn)化成可溶物質(zhì)的精制物質(zhì)加入所述溶劑中。所述催化劑包括NaCl以及選自Mg、K、Zn、Fe、Se、Mn、P、Br和I所組成的組中的至少一種。
【專利說(shuō)明】納米線及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本公開涉及一種納米線及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]透明電極應(yīng)用于各種電子產(chǎn)品，例如顯示設(shè)備、太陽(yáng)能電池、移動(dòng)設(shè)備等。人們正在積極地研究具有納米級(jí)直徑的線形結(jié)構(gòu)的納米線作為形成這種透明電極的導(dǎo)電物質(zhì)。
[0003]由于納米線具有優(yōu)良的導(dǎo)電率、柔性和透射比，這些性能使得透明電極具有優(yōu)良的特性。然而，由于很難控制納米線的形成，所以在反應(yīng)過程中會(huì)產(chǎn)生球形、板狀或多面體納米顆粒以及縱橫比低的納米棒等，使得產(chǎn)率降低。另外，由于納米線容易團(tuán)聚而形成納米簇，所以不容易制造納米線。在用于加速納米線形成反應(yīng)的催化劑是不可溶物質(zhì)的情況下，難以進(jìn)行精制，并且用于去除催化劑的離心分離使得很難大批量生產(chǎn)納米線，因此產(chǎn)率減小。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]技術(shù)問題
[0005]實(shí)施例提供了一種能提高生產(chǎn)率和特性的納米線，以及制造所述納米線的方法。
[0006]技術(shù)方案
[0007]在一個(gè)實(shí)施例中，一種制造納米線的方法包括:加熱溶劑；將催化劑加入所述溶劑中；將金屬化合物加入所述溶劑中以形成金屬納米線；以及精制所述金屬納米線，其中，在所述納米線的精制過程中，可以把用于將所述催化劑產(chǎn)生的不可溶物質(zhì)轉(zhuǎn)化成可溶物質(zhì)的精制物質(zhì)被加入所述溶劑中。
[0008]在另一個(gè)實(shí)施例中，一種制造納米線的方法包括:加熱溶劑；將催化劑加入所述溶劑中；將金屬化合物加入所述溶劑中以形成金屬納米線；以及精制所述金屬納米線，其中所述催化劑可以包括NaCl以及選自由Mg、K、Zn、Fe、Se、Mn、P、Br和I所組成的組中的至少一種。
[0009]有益效果
[0010]在根據(jù)本發(fā)明的制造納米線的方法中，在精制納米線的過程中，通過加入能將不可溶物質(zhì)轉(zhuǎn)化成可溶物質(zhì)的物質(zhì)，可以從金屬納米線中容易地去除添加劑。由于根據(jù)本實(shí)施例的方法不需要執(zhí)行單獨(dú)的離心分離等過程，所以本方法適于大批量生產(chǎn)并且產(chǎn)率也很優(yōu)良。
[0011]另外，在根據(jù)本發(fā)明的制造納米線的方法中，通過使用粗鹽或精鹽作為催化劑，可以防止金屬納米線的表面被腐蝕和氧化，可以提高導(dǎo)電率并且可以節(jié)約生產(chǎn)成本。
[0012]粗鹽或精鹽中包含的例如Na、Mg、K、Br等金屬或鹵族元素使得金屬納米線形成為長(zhǎng)的形狀(例如，20 μ m或更長(zhǎng))，這在對(duì)于形成網(wǎng)絡(luò)有利。這樣，可以提高使用金屬納米線制造的薄膜的導(dǎo)電率、柔性和透射比。因此，由于金屬納米線可以由粗鹽或精鹽來(lái)穩(wěn)定地形成，所以可以減少封端劑(capping agent)的量并且因此可以防止由于殘留的封端劑而使導(dǎo)電率減小。
[0013]此時(shí)，通過使用各種金屬和鹵族元素的量比精鹽大的粗鹽，可以進(jìn)一步增強(qiáng)這種效果。
[0014]同時(shí)，在根據(jù)本發(fā)明的制造納米線的方法中，通過使用具有良好的還原力的催化齊U，可以減小反應(yīng)溫度并且可以使團(tuán)聚現(xiàn)象(agglomerate phenomenon)最小化。結(jié)果,金屬納米線的廣率可以提聞80%或更聞。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0015]圖1是示出根據(jù)實(shí)施例的制造納米線的方法的流程圖。
[0016]圖2是根據(jù)實(shí)施例1制造出的銀納米線的照片。
[0017]圖3是根據(jù)比較例I制造出的銀納米線的照片。
[0018]圖4是根據(jù)比較例2制造出的銀納米線的照片。
[0019]圖5是根據(jù)實(shí)施例2制造出的銀納米線的照片。
[0020]圖6是根據(jù)比較例3制造出的銀納米線的照片。
[0021]圖7是根據(jù)比較例4制造出的銀納米線的照片。
【具體實(shí)施方式】
[0022]現(xiàn)在將詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例，其示例如附圖所示。
[0023]圖1是示出根據(jù)實(shí)施例的制造納米線的方法的流程圖。
[0024]以下，將參照?qǐng)D1來(lái)描述根據(jù)實(shí)施例1的制造納米線的方法。
[0025]參見圖1，根據(jù)實(shí)施例1來(lái)制造納米線的方法包括形成金屬納米線(ST10-ST50)，并且精制納米線(ST60)。在本文中，金屬納米線的形成(ST10-ST50)可以包括:加熱(STlO)溶劑，在溶劑中加入(ST20 )封端劑，在溶劑中加入(ST30 )催化劑，在溶劑中加入(ST40 )金屬化合物，并且在溶劑中額外地加入(ST50)室溫的溶劑。
[0026]這些步驟并不是必需，可以不執(zhí)行有些步驟，并且可以根據(jù)制造方法來(lái)改變這些步驟的順序?，F(xiàn)在將更加詳細(xì)地描述每個(gè)前述步驟。
[0027]在加熱(STlO)溶劑時(shí)，溶劑被加熱到適于形成金屬納米線的反應(yīng)溫度。
[0028]還原溶劑可以用作所述溶劑。還原劑可以起到溫和還原劑以及溶劑的作用，用于將其他物質(zhì)混合以幫助金屬納米線形成。還原劑的例子可以包括乙二醇(EG)、丙二醇(PG)、1，3-丙二醇、二丙二醇、丙三醇、甘油、葡萄糖等?？紤]到溶劑、金屬化合物的種類和特性，可以通過不同的方法來(lái)控制反應(yīng)溫度。
[0029]在實(shí)例中，在使用將銀還原的還原力比乙二醇優(yōu)良的丙二醇來(lái)形成銀納米線的情況中，反應(yīng)溫度可以在80°C至140°C的范圍內(nèi)。如果反應(yīng)溫度低于80°C，反應(yīng)速度慢并且因此反應(yīng)無(wú)法順利地進(jìn)行，使得反應(yīng)時(shí)間變長(zhǎng)。如果反應(yīng)溫度超過140°C，則反應(yīng)速度加快，并且因此金屬的結(jié)晶速度加快，從而發(fā)生團(tuán)聚現(xiàn)象，因此無(wú)法獲得適于銀納米線的形狀并且產(chǎn)率降低。
[0030]因此，在此實(shí)施例中，通過使用具有優(yōu)良的還原力的丙二醇作為溶劑，可以在低于現(xiàn)有技術(shù)的溫度下制造銀納米線(例如，當(dāng)乙二醇用作還原劑時(shí)，反應(yīng)溫度是160°C或更高)。在現(xiàn)有技術(shù)的情況中，由于反應(yīng)溫度非常高，所以會(huì)形成不利于形成網(wǎng)絡(luò)的長(zhǎng)度短(例如，小于15 μ m)的銀納米線，并且產(chǎn)率也很低。同時(shí)，在此實(shí)施例中，通過降低反應(yīng)溫度，可以以較高的產(chǎn)率制造長(zhǎng)度為20 μ m或以上的銀納米線。
[0031 ] 接著，在將封端劑加入(ST20 )到溶劑中的步驟，將弓丨起納米線形成的封端劑加入溶劑中。如果形成金屬納米線的還原發(fā)生得太快，則金屬顆粒團(tuán)聚并且因此變得難以實(shí)現(xiàn)線材形狀。因此，封端劑使得溶劑中的物質(zhì)適當(dāng)?shù)胤稚?，從而防止溶劑中的物質(zhì)團(tuán)聚。另夕卜，封端劑引起溶劑中的物質(zhì)強(qiáng)烈地結(jié)合到銀納米線的多個(gè)結(jié)晶表面中的表面并且因此成長(zhǎng)到表面上。
[0032]多種物質(zhì)可以用作封端劑。封端劑的實(shí)例可以包括聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、十六烷基三甲基溴化銨(CTAB)、十六烷基三甲基氯化銨(CTAC)、聚乙烯醇(PVA)、聚丙烯酰胺等。
[0033]接著，在將催化劑加入溶劑中的加入(ST30)步驟中，加入用于加速金屬納米線形成反應(yīng)的催化劑。催化劑的實(shí)例可以包括AgCl、KBr, K1、CuCl2, PtCl2, H2PtCl4, H2PtCl6,AuC1、AuC13、HAuC14、HAuC12等。這些催化劑可以單獨(dú)使用或?qū)⑵渲械膬煞N或更多種混合來(lái)使用。
[0034]在本文中，催化劑AgCl、PtCl2、AuCl、AuCl3等是水溶液中的不可溶解的物質(zhì)，并且由KBr產(chǎn)生的AgBr也是不可溶物質(zhì)。這些不可溶物質(zhì)可以在隨后金屬納米線的精制(ST60)步驟中通過精制物質(zhì)來(lái)分離。在金屬納米線的精制(ST60)中將會(huì)更詳細(xì)的描述不可溶物質(zhì)的分離。
[0035]接著，在將金屬化合物加入(ST40)到溶劑中的步驟，將金屬化合物加入溶劑中以形成反應(yīng)溶液。
[0036]此時(shí)，在金屬化合物被單獨(dú)的溶劑分解之后，可以將金屬化合物加入包含封端劑和催化劑的溶液中。單獨(dú)的溶劑可以是與最初使用的溶劑相同或不同的物質(zhì)?？梢栽诩尤氪呋瘎┎⑶医?jīng)過了預(yù)定的時(shí)間之后加入金屬化合物。這是為了將溫度穩(wěn)定到合適的反應(yīng)溫度。
[0037]在本文中，金屬化合物是包含形成要制造的金屬納米線的金屬的化合物。在形成銀納米線的情況中，可以使用例如AgN03、KAgCN2等金屬化合物。
[0038]當(dāng)金屬化合物加入已經(jīng)加入了封端劑和催化劑的溶劑中時(shí)，發(fā)生反應(yīng)以開始形成金屬納米線。
[0039]在此實(shí)施例中，對(duì)于100重量份的金屬化合物，例如AgNO3或KAgCN2，可以加入50-300重量份的封端劑。在加入的封端劑小于50重量份的情況中，無(wú)法有效地防止團(tuán)聚現(xiàn)象。在加入的封端劑超過300重量份的情況中，會(huì)產(chǎn)生金屬納米顆?；蛘叻舛藙?huì)留在制造出的金屬納米線中，由此減小導(dǎo)電率。
[0040]對(duì)于100重量份的金屬化合物，可以加入2重量份至30重量份的催化劑。如果加入的催化劑小于2重量份，則無(wú)法有效地加速反應(yīng)，而如果加入的催化劑超過了 30重量份，則催化劑會(huì)留在制造出的金屬納米線中，由此減小導(dǎo)電率。
[0041]接著，在將室溫的溶劑額外加入(ST50)到反應(yīng)溶液中的步驟，將室溫的溶劑額外加入開始反應(yīng)的溶劑中。室溫的溶劑可以是與最初使用的溶劑相同或不同的物質(zhì)?？梢允褂美缫叶肌⒈嫉榷嘣甲鳛槭覝氐娜軇┑膶?shí)例。
[0042]通過連續(xù)加熱開始反應(yīng)的溶劑以便維持反應(yīng)溫度，可以提高溶劑的溫度。因此，如上所述，通過將室溫的溶劑加入開始反應(yīng)的溶劑中以立即降低溶劑的溫度，可以恒定地維持反應(yīng)溫度。
[0043]考慮到反應(yīng)溶液的反應(yīng)時(shí)間和溫度等，可以執(zhí)行一次或多次額外加入(ST50)室溫的溶劑的步驟。另外，由于額外加入(ST50)室溫的溶劑不是必要的，所以可以省略額外加入(ST50)的步驟。
[0044]由于反應(yīng)溫度低，這樣形成的金屬納米線可以具有40nm至70nm的直徑和20 μ m或更長(zhǎng)的長(zhǎng)度。
[0045]接著，在精制(ST60)納米線的步驟中，從反應(yīng)溶液中精制并收集金屬納米線。
[0046]更具體地講，通過將比水更加非極性的丙酮、四氫呋喃等加入反應(yīng)溶液中，通過殘留在金屬納米線表面上的封端劑，金屬納米線沉淀在反應(yīng)溶液的下部。這就是為什么封端劑良好地分散在所述溶液中但是在丙酮等中不分散而是沉淀的原因。以下，通過棄置上層溶液，去除了 一些封端劑和納米顆粒。
[0047]將蒸餾水加入剩余的溶液中來(lái)將金屬納米線、不可溶的催化劑顆粒和金屬納米顆粒分散，并且額外地加入丙酮等，以使具有高比重的金屬納米線和不可溶催化劑沉淀并且使具有低比重的金屬納米顆粒和不可溶催化劑顆粒分散。在此實(shí)施例中，在將蒸餾水加入剩余的溶液中時(shí)，使能將由催化劑在蒸餾水中產(chǎn)生的不可溶物質(zhì)轉(zhuǎn)化成可溶物質(zhì)的精制物質(zhì)溶解并與蒸餾水一起加入。這樣，在不需要單獨(dú)的額外過程的情況下，可以將不可溶的催化劑轉(zhuǎn)化成可溶物質(zhì)。此后，通過棄置上層溶液，去除了 一些封端劑、金屬納米顆粒和上述可溶物質(zhì)。
[0048]重復(fù)執(zhí)行這個(gè)過程以收集金屬納米線，并且將所收集的金屬納米線存儲(chǔ)在蒸餾水中。通過將金屬納米線存儲(chǔ)在蒸餾水中，可以防止金屬納米線再次團(tuán)聚。
[0049]精制物質(zhì)的實(shí)例可以包括KCN、NaCN, HNO3和ΝΗ40Η。
[0050]利用金屬化合物為AgNO3、催化劑為AgCl和KBr以及精制物質(zhì)為KCN的實(shí)例，將描述能將催化劑和由催化劑形成的不可溶物質(zhì)轉(zhuǎn)化成可溶物質(zhì)的原因。
[0051]用作催化劑的KBr與AgNO3反應(yīng)而產(chǎn)生AgBr。用作催化劑的AgCl以及由KBr與AgNO3反應(yīng)所產(chǎn)生的AgBr是不可溶物質(zhì)。當(dāng)將KCN分別加入上述不可溶物質(zhì)中時(shí)，AgCl和KBr與KCN發(fā)生反應(yīng)，方程式如下，從而產(chǎn)生例如KAg(CN)2和KCl的不可溶物質(zhì)。
[0052]AgCl (s) +2KCN (aq) — KAgCN2 (aq) +KCl (aq)
[0053]AgCl (s) +2KCN (aq) — KAgCN2 (aq) +KCl (aq)
[0054]由于例如KAg(CN)2和KCl的不可溶物質(zhì)位于上層溶液中，當(dāng)棄置上層溶液時(shí)，這些不可溶物質(zhì)自然被去除。
[0055]作為另一個(gè)實(shí)例，當(dāng)HNO3用作精制物質(zhì)時(shí)，反應(yīng)的方程式如下:
[0056]AgCl (s) +2KCN (aq) — KAgCN2 (aq) +KCl (aq)
[0057]AgCl (s) +2KCN (aq) — KAgCN2 (aq) +KCl (aq)
[0058]作為另一個(gè)實(shí)例，當(dāng)HNO3和NH4OH用作精制物質(zhì)時(shí)，反應(yīng)方程式如下:
[0059]AgCl (s) +HNO3 (aq) +3NH40H (aq) — Ag (NH3) 22++NH4N03+0H_+HCl+2H20
[0060]AgCl (s) +HNO3 (aq) +3NH40H (aq) — Ag (NH3) 22++NH4N03+0H_+HCl+2H20
[0061]在本文中，相對(duì)于催化劑的摩爾量，所包含的精制物質(zhì)可以是1.5當(dāng)量至3當(dāng)量。如果所包含的精制物質(zhì)小于1.5當(dāng)量，則存在不可溶的AgCl和AgBr顆粒，并且因此金屬納米線的表面會(huì)被氧化。如果所包含的精制物質(zhì)超過3當(dāng)量，則溶液中CN-等的濃度增加并且因此在精制操作期間金屬納米線會(huì)被氧化。因此，相對(duì)于反應(yīng)溶液中存在的催化劑的摩爾量，精制物質(zhì)的量限定于能將反應(yīng)溶液中存在的催化劑轉(zhuǎn)換成可溶物質(zhì)的上述當(dāng)量范圍。
[0062]在根據(jù)本實(shí)施例的制造納米線的方法中，在精制納米線的過程中，通過加入能將不可溶的催化劑轉(zhuǎn)化成可溶物質(zhì)的物質(zhì)，可以容易地從金屬納米線中去除催化劑。由于根據(jù)本實(shí)施例的方法不需要執(zhí)行單獨(dú)的離心分離等過程，所以本方法適于大批量生產(chǎn)并且產(chǎn)率也很優(yōu)良。
[0063]另外，在本實(shí)施例中，通過使用具有強(qiáng)還原力的溶劑來(lái)降低反應(yīng)溫度并且因此減小團(tuán)聚現(xiàn)象，可以提高金屬納米線的產(chǎn)率。例如，可以獲得80%或更高的產(chǎn)率。
[0064]本發(fā)明的實(shí)施方式
[0065]以下將通過實(shí)施例來(lái)更加詳細(xì)地描述本發(fā)明。然而，這些實(shí)施例僅用于說(shuō)明本發(fā)明，并且本發(fā)明不限于這些實(shí)施例。
[0066]實(shí)施例1
[0067]將400ml丙二醇加熱到126°C，加入12g聚乙烯吡咯烷酮并使其溶解，然后加入0.2g KBr和1.0g AgCl作為催化劑。在I小時(shí)30分鐘之后，將4.6g AgNO3溶解在IOOml丙二醇中以獲得AgNO3溶液，然后將AgNO3溶液加入聚乙烯吡咯烷酮、KBr、AgCl和溶劑的混合溶液中。在約30分鐘之后，開始產(chǎn)生銀納米線，然后反應(yīng)持續(xù)約I小時(shí)以完成銀納米線的形成。
[0068]將1600ml丙酮加入完全反應(yīng)的溶液中，然后將分散有丙二醇、銀納米顆粒、聚乙烯吡咯烷酮的上層溶液棄置。
[0069]加入包含0.908g溶解的KCN的IOOml蒸餾水以使團(tuán)聚的銀納米線和銀納米顆粒分散。加入400ml丙酮，然后將分散有丙二醇、銀納米顆粒、聚乙烯吡咯烷酮、KAg(CN)2、KCl和KBr的上層溶液棄置。在重復(fù)此過程三次之后，將剩余的溶液存儲(chǔ)在30ml蒸餾水中。
[0070]比較例I
[0071]除了乙二醇被加熱到160°C并且在精制納米線的過程中使用不包含KCN的蒸餾水之外，按照與實(shí)施例1相同的過程來(lái)制造比較例I的銀納米線。
[0072]比較例2
[0073]除了在精制納米線的過程中使用不包含KCN的蒸餾水之外，按照與實(shí)施例1相同的過程來(lái)制造比較例2的銀納米線。
[0074]表I中示出了根據(jù)實(shí)施例1、比較例I和比較例2制造出的銀納米線的直徑、長(zhǎng)度、產(chǎn)率、精制之后的純度、透射比、霧度和表面電阻。圖2、3和4中分別截取并示出了根據(jù)實(shí)施例1、比較例I和比較例2制造出的銀納米線的照片。
[0075]表I
[0076]
【權(quán)利要求】
1.一種制造納米線的方法，所述方法包括: 加熱溶劑； 將催化劑加入所述溶劑中； 將金屬化合物加入所述溶劑中以形成金屬納米線；以及 精制所述金屬納米線， 其中，在所述納米線的精制過程中，將所述催化劑和用于把所述催化劑產(chǎn)生的不可溶物質(zhì)轉(zhuǎn)化成可溶物質(zhì)的精制物質(zhì)加入所述溶劑中。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述精制物質(zhì)包括選自由KCN、NaCN,HNO3和NH4OH所組成的組中的至少一種。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述催化劑包括選自由AgCl、KBr、K1、CuCl2、PtCl2、H2PtCl4, H2PtCl6, AuCl、AuC13、HAuCl4 和 HAuCl2 所組成的組中的至少一種。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，在所述精制物質(zhì)溶解于蒸餾水中的狀態(tài)下將所述精制物質(zhì)加入所述溶劑中。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，相對(duì)于所述催化劑的摩爾量，所包含的所述精制物質(zhì)是1.5當(dāng)量至3當(dāng)量。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述金屬納米線包含銀(Ag)。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，在加熱所述溶劑之后，進(jìn)一步包括將封端劑加入所述溶劑中，并且在將所述金屬化合物加入所述溶劑中之后，進(jìn)一步包括將室溫的溶劑額外地加入反應(yīng)溶液中。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中，相對(duì)于100重量份的所述金屬化合物，所包含的所述封端劑是50重量份至300重量份。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述溶劑包括選自由丙二醇(PG)、1，3-丙二醇和二丙二醇所組成的組中的至少一種，并且在所述加熱所述溶劑的過程中，所述溶劑被加熱到在80°C至120°C的范圍內(nèi)的溫度。
10.一種制造納米線的方法，所述方法包括: 加熱溶劑； 將催化劑加入所述溶劑中； 將金屬化合物加入所述溶劑中以形成金屬納米線；以及 精制所述金屬納米線， 其中，所述催化劑包括NaCl以及選自由Mg、K、Zn、Fe、Se、Mn、P、Br和I所組成的組中的至少一種。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述催化劑包含80重量百分比至90重量百分比的NaCl、3重量百分比至12重量百分比的H20、0.2重量百分比至1.2重量百分比的Mg、0.05重量百分比至0.5重量百分比的K以及I重量百分比至8重量百分比的附加元素，并且所述附加元素包括選自由Zn、Fe、Se、Mn、P、Br和I所組成的組中的至少一種。
12.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述催化劑包括粗鹽和精鹽中的至少一種。
13.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，相對(duì)于100重量份的所述金屬化合物，所包含的所述催化劑是0.005重量份至0.5重量份。
14.如權(quán)利要求10所述的方法，在加熱所述溶劑之后，進(jìn)一步包括將封端劑加入所述溶劑中，并且在將所述金屬化合物加入所述溶劑中之后，進(jìn)一步包括將室溫的溶劑額外地加入反應(yīng)溶液中。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中，相對(duì)于100重量份的所述金屬化合物，所包含的所述封端劑是50重量份至300重量份。
16.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述溶劑包括選自由丙二醇(PG)、1，3-丙二醇和二丙二醇所組成的組的至少一種，并且在加熱所述溶劑的過程中，所述溶劑被加熱到在80°C至140°C的范圍內(nèi)的溫度。
17.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述金屬納米線包含銀(Ag)。
18.如權(quán)利要 求1或17所述的方法，其中，所述金屬納米線具有20μ m或更長(zhǎng)的長(zhǎng)度。
【文檔編號(hào)】B22F9/24GK103443022SQ201180060417
【公開日】2013年12月11日 申請(qǐng)日期:2011年12月14日 優(yōu)先權(quán)日:2010年12月14日
【發(fā)明者】文鐘云, 鄭遇珠, 崔準(zhǔn)洛, 樸性奎, 崔元鐘, 李尚勳, 李容相, 徐赫秀 申請(qǐng)人:Lg伊諾特有限公司, 納米比西斯股份有限公司