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一種塑料基材上鍍鋁膜的方法

文檔序號:3326200閱讀:1155來源:國知局
專利名稱:一種塑料基材上鍍鋁膜的方法
技術領域
本發(fā)明屬于磁控濺射鍍膜技術領域,特別是一種塑料基材上鍍鋁膜的方法。
背景技術
磁控濺射鍍膜是一種先進的表面裝飾鍍膜技術,靶材做成陰極平面或圓柱磁控靶置于鍍膜室中,系統(tǒng)抽真空至le-2pa以下,通入工作氣體,在電壓(直流或脈沖)作用下產(chǎn)生真空輝光放電,實現(xiàn)均勻鍍膜。靶材利用率高,工作溫度低,可用于金屬或非金屬,如塑料、玻璃、陶瓷等工件鍍制鋁、銅、鉻、鎳、鈦、金、銀以及不銹鋼等薄膜,通入反應氣體可鍍多種化合物膜,鍍膜層具有均勻、致密、附著力強等特點,廣泛用于家用電器、鐘表、工藝美術、 玩具、車燈反光罩以及儀器儀表等表面裝飾性鍍膜。傳統(tǒng)的裝飾鍍膜方法包括IP電鍍和真空蒸發(fā)鍍膜。他們都具有產(chǎn)量高,成本低廉的優(yōu)點,但是也有各自無法避免的缺點。特別是對于塑料進行電鍍,首先應考慮塑料是非導體,不能直接進行電鍍,在電鍍前應對塑料表面進行預處理,除去塑料表面的油和雜質以保持潔凈,再沉積一層導電的金屬膜,將它作為陰極,即可進行電鍍。同時對于不需要鍍膜的部分需要進行遮擋,對于外形復雜的工件,這一過程會浪費相當多的人力物力。IP電鍍的缺陷在于電鍍液的處理是一大難題,電鍍液中一般都含有各種重金屬有毒物質,目前國家已經(jīng)在著重控制相關污染物的排放,IP電鍍將會逐漸被更先進的方法所替代。真空蒸發(fā)鍍膜是將膜材置于真空室內(nèi)的蒸發(fā)源中,在高真空條件下,通過蒸發(fā)源加熱使其蒸發(fā),當蒸氣分子的平均自由程大于真空室的線性尺寸以后,蒸氣的原子和分子從蒸發(fā)源表面逸出后,很少受到其他分子或原子的沖擊與阻礙,可直接到達被鍍的基片表面上,由于基片溫度較低,變凝結其上而成膜。蒸發(fā)鍍膜時,鋁原子動能比磁控濺射時要小的多,因此蒸發(fā)鍍膜的鋁膜附著力要低于磁控濺射鍍鋁膜。傳統(tǒng)的磁控濺射鍍鋁技術是在本底真空下,直接濺射鍍鋁,在玻璃、不銹鋼、銅工件等基材上得到附著力良好的鏡面鋁膜。在針對塑料的鍍膜中,基材放氣量遠遠大于玻璃、 不銹鋼等材料。基材的放氣是一個持續(xù)不斷的過程,其造成的后果是,在濺射過程中,鋁膜被材料放出的氣體氧化變黃,甚至發(fā)黑,出現(xiàn)鏡面效果差的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明就是針對技術的不足,提出一種塑料基材上鍍鋁膜的方法,有效解決了鋁膜發(fā)黃、鏡面效果差的問題。本發(fā)明所述用于一種塑料基材上鍍鋁膜的方法是采用磁控濺射工藝,并對傳統(tǒng)濺射鍍膜工藝進行改進,以實現(xiàn)塑料基材上進行磁控濺射鍍鋁的方法。其過程如下
第一步將工件經(jīng)過超聲波除油、清洗、烘干后送入磁控濺射裝置,然后抽真空至 5E-3Pa ;
第二步進行磁控濺射鍍摻鋁氧化鋅AZO薄膜,將本底抽真空至5E-3Pa,濺射氣體為氬氣,氣壓0. IPa-O. 9Pa,濺射功率2_5w/cm2,沉積時間為20——50s ; 第三步停止AZO鍍膜,關閉濺射電源,關閉工藝氣體氬氣,將鍍膜室本底真空抽至 5E-3Pa ;
第四步進行磁控濺射鍍鋁薄膜,將本底抽真空至5E-3Pa,濺射氣體為氬氣,濺射氣壓 0. IPa-O. 9Pa,濺射功率2_5w/cm2,沉積時間約70——100s。進一步的,所述的塑料基材上鍍的摻鋁氧化鋅AZO厚度為10——lOOnm,沉積的鋁膜厚度為60——300nm。本發(fā)明的有益效果在于通過在塑料基材上先鍍摻鋁氧化鋅ΑΖ0,有效的避免了塑料基材的放氣,使鍍膜不變黑,具有較好的鏡面效果;同時該方法的利用,有效的解決了在塑料部件上濺射鍍鋁膜時,附著力很差的問題。
具體實施例方式在具體實施過程中,鍍膜工藝可以根據(jù)需要進行調(diào)整,得到期望的鍍層厚度與附著力,若鍍膜太厚,可能會影響鋁膜色澤,若過渡層摻鋁氧化鋅AZO過薄,則可能會降低附著力。一般情況下的鍍膜流程
第一步將塑料基材超聲波清洗、烘干后,送入磁控濺射鍍膜設備中緩沖室內(nèi),鍍膜面朝向摻鋁氧化鋅AZO陰極靶材;
第二步緩沖室及鍍膜室內(nèi)真空抽至5E-3Pa ;
第三步打開Ar氣流量流量計,流量為340sCCm,微調(diào)后使鍍膜室氣壓為0. 4Pa,穩(wěn)定后打開摻鋁氧化鋅AZO靶材濺射電源,緩慢增加功率至2w/cm2,然后預濺射15min ;
第四步將工件運送至靶材下,進行鍍膜,時間為30s左右,然后關閉摻鋁氧化鋅AZO靶材電源,關閉Ar氣,抽真空至5E-3Pa ;
第五步將工件移出真空室,進入緩沖間,鍍膜面朝向鋁陰極靶材; 第六步緩沖室及鋁膜鍍膜室內(nèi)真空抽至5E-3Pa ;
第七步打開Ar氣流量流量計,流量為380sCCm,微調(diào)后使鍍膜室氣壓為0. 7Pa,穩(wěn)定后打開鋁靶材濺射電源,緩慢增加功率至5w/cm2,然后預濺射15min ; 第八步將工件運送至靶材下,進行鍍膜,時間為90s左右。通過上述八步即可完成鍍膜。一般的,摻鋁氧化鋅AZO厚度為10——lOOnm,沉積的鋁膜厚度為60——300nm。進一步的,摻鋁氧化鋅AZO薄膜可以由各種鍍膜方式獲得,包括中頻濺射、直流濺射;靶材結構可以為平面靶材、圓柱靶材;靶材材料可以為鋁鋅合金靶材、鋁鋅氧化物陶瓷靶材。進一步的,鋁膜可以由各種鍍膜方式獲得,包括中頻濺射、直流濺射;靶材結構可以為平面靶材、圓柱靶材;靶材材料可以為鋁合金材料,也可以為純鋁材料。
權利要求
1.一種塑料基材上鍍鋁膜的方法,包括第一步將工件經(jīng)過超聲波除油、清洗、烘干后送入磁控濺射裝置,然后抽真空至 5E-3Pa ;第二步進行磁控濺射鍍摻鋁氧化鋅AZO薄膜,將本底抽真空至5E-3Pa,濺射氣體為氬氣,氣壓0. IPa-O. 9Pa,濺射功率2_5w/cm2,沉積時間為20——50s ;第三步停止AZO鍍膜,關閉濺射電源,關閉工藝氣體氬氣,將鍍膜室本底真空抽至 5E-3Pa ;第四步進行磁控濺射鍍鋁薄膜,將本底抽真空至5E-3Pa,濺射氣體為氬氣,濺射氣壓 0. IPa-O. 9Pa,濺射功率2_5w/cm2,沉積時間約70——100s。
2.如權利要求1所述的一種塑料基材上鍍鋁膜的方法,其特征在于,所述的塑料基材上鍍的摻鋁氧化鋅AZO厚度為10——lOOnm,沉積的鋁膜厚度為60——300nm。
全文摘要
本發(fā)明所述的一種塑料基材上鍍鋁膜的方法是采用磁控濺射工藝,并對傳統(tǒng)濺射鍍膜工藝進行改進,以實現(xiàn)塑料基材上進行磁控濺射鍍鋁的方法,通過在塑料基材上先鍍摻鋁氧化鋅AZO,有效的避免了塑料基材的放氣,使鍍膜不變黑,具有較好的鏡面效果;同時該方法的利用,有效的解決了在塑料部件上濺射鍍鋁膜時,附著力很差的問題。
文檔編號C23C14/20GK102424950SQ20121000998
公開日2012年4月25日 申請日期2012年1月13日 優(yōu)先權日2012年1月13日
發(fā)明者周志文, 李民英, 趙瑋 申請人:廣東志成冠軍集團有限公司
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