專利名稱：蒸鍍掩模板及其制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種蒸鍍掩模板及其制作方法，尤其涉及一種用于制作有機電致發(fā)光器件的掩模板極其制作方法。
背景技術：
場致發(fā)光器件是一種有效的光學設備，其具有:寬敞的可視角，高質(zhì)量的對比度及較快的相應速度等有點。有機場致發(fā)光器件和無機發(fā)光器件組成場致發(fā)光器件。二者的區(qū)別是基于形成場致發(fā)光層的物質(zhì)種類的不同。有機場致發(fā)光器件與無機場致發(fā)光器件相t匕，具有更高的清晰度及更快的響應速度。而且，其具有更好的彩色顯示性能。有機場致發(fā)光器件包括一下幾個部分:透明基片；具有預定圖案第一電極(如陽極)，形成在所述透明基片上；有機發(fā)光層，其通過真空沉積法蒸鍍在具有電極的所述透明基片上；第二電極(如陰極)，其以與所述第一電極交叉的方向形成在所述有機發(fā)光層上。在制造有機場致發(fā)光器件的過程中，第一電極由ITO制成。ITO的圖案通常通過光刻法制成。即通過濕蝕刻法使用含有氯化鐵的蝕刻液來形成圖案。由于在制作第二電極時，如果還是用蝕刻的方法做，水分可能進入到有機發(fā)光層與第二電極之間的間隙，從而影響到有機場致發(fā)光器件的性能，嚴重會影響其使用壽命。所以現(xiàn)在采用真空沉積法來形成有機場致發(fā)光層的有機場致發(fā)光材料。此過程中具有和第二電極相同圖案的掩模可被設置在場致發(fā)光層上，并且用于形成第二電極的物質(zhì)可被沉積。對比文件200410 087462.8中提到一種具有細小間距圖案的主掩模和另一具有圖標圖案的可分離的掩模，用于在有機發(fā)光層形成圖標圖案。該種圖標成型方法存在一定的問題:
圖標圖案固定，不可變，蒸鍛圖標圖案具有局限性；
具有圖標圖案的掩模條與主掩模的結(jié)合會產(chǎn)生松動，在蒸鍍過程中會產(chǎn)生精度偏差；蒸鍍過程需要掩模板緊貼基板，而這種掩模組合體會產(chǎn)生掩模整體板面不平整現(xiàn)象，影響蒸鍍效果；
雖然可以改變圖標而不改變掩模圖形區(qū)域，但該種掩模板制作工藝繁瑣，成本高。因此，需要一種新的掩模板解決上述問題，并且形成圖標圖案。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術問題是提供一種蒸鍍掩模板及其制作方法，掩模板一體成型，在蒸鍍過程中不會發(fā)生松動，不會產(chǎn)生精度偏差，圖標圖案可變，蒸鍍精度高。為了解決上述技術問題，本發(fā)明采取的技術方案如下:一種蒸鍍掩模板的制作方法，其特征在于，包括以下步驟:
第一步:基材前處理；
第二步:貼膜；
第三步:曝光、顯影；
第四步:蝕刻；
第五步:脫膜。所述第一步包括對基材進行雙面噴砂，清除基材面的雜質(zhì)，提高干膜與基材之間的結(jié)合力。所述第二步包括對處理后的基材進行雙面貼膜。所述第三步包括:對貼膜后的基材進行雙面曝光，曝光區(qū)域為除開口圖形及圖標圖形以外的干膜區(qū)域；對曝光后的基材進行顯影，并去除未曝光干膜，即開口圖形和圖標圖形區(qū)域的干膜。所述第四步包括對曝光顯影后的基材進行蝕刻，蝕刻區(qū)域為無干膜區(qū)域，即開口圖形和圖標圖形區(qū)域。所述蝕刻的參數(shù)如下:蝕刻參數(shù)如下:蝕刻有效長度為5-10m;蝕刻溫度為50土 1°C ;蝕刻液成分為氯化鐵、氯酸鈉、濃鹽酸；蝕刻液比重為1.35-1.50g/cm3 ;蝕刻傳送速度為30-50HZ ;蝕刻液pH為1.5-1.7。所述第五步包括對蝕刻后的基材進行脫膜處理?；臑橐蛲吆辖?、鎳鐵合金、鎳鈷合金或純鎳。一種蒸鍍掩模板，其特征在于，用上述的方法制作而成。在所述蒸鍍掩膜板上設有開口圖形區(qū)域及圖標圖案區(qū)域，所述圖標圖案為通孔；所述的圖標圖案和開口圖形一體成型。 所述蒸鍍掩模板的材料為因瓦合金、鎳鐵合金、鎳鈷合金或純鎳。所述蒸鍍掩模板的厚度為20-100 μ m。本發(fā)明提供一種蒸鍍掩模板及其制作方法，開口圖形和圖標圖案一體成型，制作成本低，圖標圖案可變，蒸鍍精度高，工藝簡單，具有廣闊的市場前景。


下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施方式
作進一步詳細的說明。圖1為蒸鍍掩模板的結(jié)構(gòu) 圖2為圖1A部分放大 圖中I為掩模板，2為開口圖形區(qū)域，3為圖標圖案區(qū)域，4為開口，5為圖標。
具體實施例方式實施例1: 一種蒸鍍掩模板的制作方法，具體的工藝步驟如下:基材前處理一貼膜一曝光一顯影—蝕刻一脫膜。
其中前處理:對基材進行雙面噴砂，清除基材面的雜質(zhì)，提高干膜與板之間的結(jié)合力。對處理后的基材進行雙面貼膜。貼膜后進行雙面曝光，曝光特征在于曝光區(qū)域為除開口圖形及圖標圖形以外的干膜區(qū)域。對曝光后的基材 進行顯影工藝，除去未曝光干膜，即開口圖形區(qū)域和圖標圖形區(qū)域的干膜?？梢愿鶕?jù)不同需求曝出任意圖標圖案，工藝簡單。所述蝕刻參數(shù)如下:
蝕刻有效長度為5-10m ；
蝕刻溫度為50±1°C ;
蝕刻液成分為氯化鐵、氯酸鈉、濃鹽酸；
蝕刻液比重為1.35-1.50g/cm3 ；
蝕刻傳送速度為30-50HZ ；
蝕刻液pH為1.5-1.7。蝕刻區(qū)域為無干膜區(qū)域，即開口圖形區(qū)域和圖標圖形區(qū)域。通過對蝕刻參數(shù)的控制，達到對圖標圖案的清晰度及耐清洗程度的控制。對蝕刻后的基材進行脫膜處理。蝕刻的圖標圖形上下面平整，蒸鍍工藝中，掩模板需與基板緊密貼合，否則會造成蒸鍍過程中成膜材料滲入掩模板與基板之間的縫隙中，降低有機材料的成膜率。如圖1-2所示，一種蒸鍍掩模板，包括開口圖形區(qū)域2、圖標圖案區(qū)域3，開口 4和圖標5。所述圖標5的圖案為通孔；開口 4為狹縫，所述帶有圖標圖案和開口圖形的蒸鍍掩模板一體成型。所述蒸鍍掩模板的材料為因瓦合金。所述蒸鍍掩模板的厚度為20-100 μ m。本發(fā)明涉及的一種蒸鍍掩模板是用于制作有機電致發(fā)光器件的掩模板，具體是用于該有機發(fā)光器件的一個薄層的制作。實施例2:
一種蒸鍍掩模板的制作方法，具體的工藝步驟如下:基材前處理一貼膜一曝光一顯影—蝕刻一脫膜。其中前處理:對基材進行雙面噴砂，清除基材面的雜質(zhì)，提高干膜與板之間的結(jié)合力。對處理后的基材進行雙面貼膜。貼膜后進行雙面曝光，曝光特征在于曝光區(qū)域為除開口圖形及圖標圖形以外的干膜區(qū)域。對曝光后的基材進行顯影工藝，除去未曝光干膜，即開口圖形區(qū)域和圖標圖形區(qū)域的干膜。可以根據(jù)不同需求曝出任意圖標圖案，工藝簡單。所述蝕刻參數(shù)如下:
蝕刻有效長度為6-10m ；
蝕刻溫度為50±1°C ;
蝕刻液成分為氯化鐵、氯酸鈉、濃鹽酸；
蝕刻液比重為1.39-1.47g/cm3 ；蝕刻傳送速度為30-50HZ ；
蝕刻液pH為1.5-1.7。蝕刻區(qū)域為無干膜區(qū)域，即開口圖形區(qū)域和圖標圖形區(qū)域。通過對蝕刻參數(shù)的控制，達到對圖標圖案的清晰度及耐清洗程度的控制。對蝕刻后的基材進行脫膜處理。蝕刻的圖標圖形上下面平整，蒸鍍工藝中，掩模板需與基板緊密貼合，否則會造成蒸鍍過程中成膜材料滲入掩模板與基板之間的縫隙中，降低有機材料的成膜率。如圖1-2所示，一種蒸鍍掩模板，包括開口圖形區(qū)域2、圖標圖案區(qū)域3，開口 4和圖標5。所述圖標5的圖案為通孔；開口 4為狹縫，所述帶有圖標圖案和開口圖形的蒸鍍掩模板一體成型。所述蒸鍍掩模板的材料為鎳鐵合金。所述蒸鍍掩模板的厚度為20-100 μ m。本發(fā)明涉及的一種蒸鍍掩模板是用于制作有機電致發(fā)光器件的掩模板，具體是用于該有機發(fā)光器件的一個薄層的制作。實施例3:
一種蒸鍍掩模板的制作方法，具體的工藝步驟如下:基材前處理一貼膜一曝光一顯影—蝕刻一脫膜。其中前處理:對基材進行雙面噴砂，清除基材面的雜質(zhì)，提高干膜與板之間的結(jié)合力。對處理后的基材進行雙面貼膜。貼膜后進行雙面曝光，曝光特征在于曝光區(qū)域為除開口圖形及圖標圖形以外的干膜區(qū)域。對曝光后的基材進行顯影工藝，除去未曝光干膜，即開口圖形區(qū)域和圖標圖形區(qū)域的干膜?？梢愿鶕?jù)不同需求曝出任意圖標圖案，工藝簡單。所述蝕刻參數(shù)如下:
蝕刻有效長度為6-8m ；
蝕刻溫度為50±1°C ;
蝕刻液成分為氯化鐵、氯酸鈉、濃鹽酸；
蝕刻液比重為1.35-1.47g/cm3 ；
蝕刻傳送速度為30-50HZ ；
蝕刻液pH為1.5-1.7。蝕刻區(qū)域為無干膜區(qū)域，即開口圖形區(qū)域和圖標圖形區(qū)域。通過對蝕刻參數(shù)的控制，達到對圖標圖案的清晰度及耐清洗程度的控制。對蝕刻后的基材進行脫膜處理。蝕刻的圖標圖形上下面平整，蒸鍍工藝中，掩模板需與基板緊密貼合，否則會造成蒸鍍過程中成膜材料滲入掩模板與基板之間的縫隙中，降低有機材料的成膜率。如圖1-2所示，一種蒸鍍掩模板，包括開口圖形區(qū)域2、圖標圖案區(qū)域3，開口 4和圖標5。所述圖標5的圖案為通孔；開口 4為狹縫，所述帶有圖標圖案和開口圖形的蒸鍍掩模板一體成型。所述蒸鍍掩模板的材料為鎳鈷合金。所述蒸鍍掩模板的厚度為20-100 μ m。本發(fā)明涉及的一種蒸鍍掩模板是用于制作有機電致發(fā)光器件的掩模板，具體是用于該有機發(fā)光器件的一個薄層的制作。
實施例4:
一種蒸鍍掩模板的制作方法，具體的工藝步驟如下:基材前處理一貼膜一曝光一顯影—蝕刻一脫膜。其中前處理:對基材進行雙面噴砂，清除基材面的雜質(zhì)，提高干膜與板之間的結(jié)合力。對處理后的基材進行雙面貼膜。貼膜后進行雙面曝光，曝光特征在于曝光區(qū)域為除開口圖形及圖標圖形以外的干膜區(qū)域。對曝光后的基材進行顯影工藝，除去未曝光干膜，即開口圖形區(qū)域和圖標圖形區(qū)域的干膜?？梢愿鶕?jù)不同需求曝出任意圖標圖案，工藝簡單。所述蝕刻參數(shù)如下:
蝕刻有效長度為6-8m ；
蝕刻溫度為50±1°C ;
蝕刻液成分為氯化鐵、氯酸鈉、濃鹽酸；
蝕刻液比重為1.40-1.45g/cm3 ；
蝕刻傳送速度為30-50HZ ；
蝕刻液pH為1.5-1.7。蝕刻區(qū)域為無干膜區(qū)域，即開口圖形區(qū)域和圖標圖形區(qū)域。通過對蝕刻參數(shù)的控制，達到對圖標圖案的清晰度及耐清洗程度的控制。對蝕刻后的基材進行脫膜處理。蝕刻的圖標圖形上下面平整，蒸鍍工藝中，掩模板需與基板緊密貼合，否則會造成蒸鍍過程中成膜材料滲入掩模板與基板之間的縫隙中，降低有機材料的成膜率。如圖1-2所示，一種蒸鍍掩模板，包括開口圖形區(qū)域2、圖標圖案區(qū)域3，開口 4和圖標5。所述圖標5的圖案為通孔；開口 4為狹縫，所述帶有圖標圖案和開口圖形的蒸鍍掩模板一體成型。所述蒸鍍掩模板的材料為純鎳。所述蒸鍍掩模板的厚度為20-50 μ m。

本發(fā)明涉及的一種蒸鍍掩模板是用于制作有機電致發(fā)光器件的掩模板，具體是用于該有機發(fā)光器件的一個薄層的制作。以上實施例目的在于說明本發(fā)明，而非限制本發(fā)明的保護范圍，所有由本發(fā)明簡單變化而來的應用均落在本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種蒸鍍掩模板的制作方法，其特征在于，包括以下步驟: 第一步:基材前處理； 第二步:貼膜； 第三步:曝光、顯影； 第四步:蝕刻； 第五步:脫膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍掩模板的制作方法，其特征在于，所述第一步包括對基材進行雙面噴砂，清除基材面的雜質(zhì)，提高干膜與板之間的結(jié)合力。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍掩模板的制作方法，其特征在于，所述第二步包括對處理后的基材進行雙面貼膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍掩模板的制作方法，其特征在于，所述第三步包括:對貼膜后的基材進行雙面曝光，曝光區(qū)域為除開口圖形及圖標圖形以外的干膜區(qū)域；對曝光后的基材進行顯影，并去除未曝光干膜，即開口圖形和圖標圖形區(qū)域的干膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍掩模板的制作方法，其特征在于，所述第四步包括對曝光顯影后的基材進行蝕刻，蝕刻區(qū)域為無干膜區(qū)域，即開口圖形和圖標圖形區(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的蒸鍍掩模板的制作方法，其特征在于，所述蝕刻的參數(shù)如下:蝕刻有效長度為5-10m ;蝕刻溫度為50土 1°C ;蝕刻液成分為氯化鐵、氯酸鈉、濃鹽酸；蝕刻液比重為1.35-1.50g/cm3 ;蝕刻傳送速度為30-50Hz ;蝕刻液pH為1.5-1.7。
7.一種蒸鍍掩模板，其特征在于，用權(quán)利要求1-6所述的方法制作而成。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的蒸鍍掩模板，其特征在于，在所述蒸鍍掩膜板上設有開口圖形區(qū)域及圖標圖案區(qū)域，所述圖標圖案為通孔；所述的圖標圖案和開口圖形一體成型。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的蒸鍍掩模板，其特征在于，所述蒸鍍掩模板的材料為因瓦合金、、鎳鐵合金、鎳鈷合金或純鎳。
10.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的蒸鍍掩模板，其特征在于，所述蒸鍍掩模板的厚度為20-100 μm。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種蒸鍍掩模板及其制作方法，制作方法包括以下步驟第一步基材前處理；第二步貼膜；第三步曝光、顯影；第四步蝕刻；第五步脫膜。所述蒸鍍掩模板上設有開口圖形區(qū)域及圖標圖案區(qū)域，所述圖標圖案為通孔；所述的圖標圖案和開口圖形一體成型。本發(fā)明提供的蒸鍍掩模板及其制作方法，開口圖形和圖標圖案一體成型，制作成本低，圖標圖案可變，蒸鍍精度高，工藝簡單，具有廣闊的市場前景。
文檔編號C23C14/04GK103205701SQ20121001078
公開日2013年7月17日 申請日期2012年1月16日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月16日
發(fā)明者魏志凌, 高小平, 鄭慶靚 申請人:昆山允升吉光電科技有限公司