專利名稱：金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積加熱器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及LED發(fā)光芯片的核心生產(chǎn)設(shè)備里的一種加熱器，具體涉及一種金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積加熱器。
背景技術(shù)：
金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉淀(MOCVD)是在氣相外延生長(zhǎng)(VPE)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種新型氣相外延生長(zhǎng)技術(shù)。MOCVD設(shè)備是LED發(fā)光芯片的核心生產(chǎn)設(shè)備。MOCVD技術(shù)的關(guān)鍵之一是，加熱器能夠提供一個(gè)均勻、穩(wěn)定的溫度場(chǎng)。另外，為了降低LED芯片的生產(chǎn)成本，提高生產(chǎn)效率的最便捷的方式是增加反應(yīng)室的容積，增加單爐芯片的數(shù)量和容納更大尺寸的藍(lán)寶石襯底，例如目前藍(lán)寶石襯底的尺寸正從4英寸向6英寸甚至8英寸轉(zhuǎn)變, 這需要加熱器提供更大的與之匹配的加熱面積。目前的加熱器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)使得這種增加加熱面積的成本非常高昂，而且難度更大。
另一方面，加熱器有一定的使用壽命，屆時(shí)昂貴的MOCVD加熱器成本增加了產(chǎn)品的成本。
現(xiàn)有的電阻加熱體形式:
第一種，加熱體為螺旋狀鎢絲，螺旋狀鎢絲在一個(gè)平面上按照一定的形狀均勻排布，螺旋狀鎢絲下面有難熔金屬支撐片。優(yōu)點(diǎn)是，成本低，可以很方便的通過增加加熱絲的數(shù)量來增加加熱面積。缺點(diǎn)是(I)螺旋狀絲的加熱面的平面度不高，影響加熱均勻性；(2) 加熱絲截面積小，承載電流低，升降溫需要時(shí)間長(zhǎng)(3)而且鎢絲非常容易斷。
第二種，采用難熔金屬板材，如鎢、鎢合金或者錸板，采用加工手段加工成一定的圖形。優(yōu)點(diǎn)是加熱體截面積大，可通過電流高，平面度好。缺點(diǎn)是，這種加熱器均采用整體的稀有金屬板材加工而成，而鎢或者錸都是昂貴的稀有金屬，而且這些金屬在采用軋制方法形成板材時(shí)，加工難度大，材料利用率低，非常難以獲得大尺寸的平板，導(dǎo)致這種加熱體的價(jià)格昂貴。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)存在的以上問題，提供一種金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積加熱器。
為實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，達(dá)到上述技術(shù)效果，本發(fā)明通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):
金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積加熱器，其特征在于:包括支座，所述支座上設(shè)有絕緣層，所述絕緣層上設(shè)置有若干支架，所述支架上連接 有加熱體。
進(jìn)一步的，所述加熱體由若干根加熱絲并排組成。
優(yōu)選的，所述加熱體彎曲成螺旋線或漸開線狀。
優(yōu)選的，所述加熱體彎曲成三相加熱所需的形狀。
優(yōu)選的，所述加熱體彎曲成單相加熱所需的形狀。
進(jìn)一步的，所述加熱絲截面為矩形，每邊長(zhǎng)度為1-3_。
進(jìn)一步的，所述支座為難熔金屬。
進(jìn)一步的，所述加熱絲材質(zhì)為鎢。
進(jìn)一步的，所述加熱絲材質(zhì)為鎢錸合金。
本發(fā)明的有益效果是:
(I)電阻絲布置更均勻，溫度均勻性高；
(2)承載電流的截面積增加，功率高，可以實(shí)現(xiàn)快速的升溫和降溫；
(3)矩形界面的加熱絲排布好后，加熱平面的高低一致性非常好；
(4)制造工藝簡(jiǎn)單，成本比板材加工的加熱體大幅降低；
(5)單相阻值便于調(diào)整，保溫時(shí)的單相加熱加熱功率的自動(dòng)化控制更容易，提高溫度均勻性；
(6)當(dāng)需要增大加熱面積實(shí)現(xiàn)更多芯片沉積，加熱面積可以用過增加圈數(shù)N來增加加熱面積，成本相對(duì)較低，而且容易實(shí)現(xiàn)。
上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段， 并可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，以下以本發(fā)明的較佳實(shí)施例并配合附圖詳細(xì)說明如后。 本發(fā)明的具體實(shí)施方式
由以下實(shí)施例及其附圖詳細(xì)給出。


此處所說明的附圖用來提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分，本發(fā)明的示意性實(shí)施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中:
圖1本發(fā)明剖視圖2加熱體剖視圖3加熱體螺旋線實(shí)施例示意圖4加熱體三相加熱實(shí)施例示意圖5加熱體單相加熱實(shí)施例示意圖中標(biāo)號(hào)說明:1、加熱體，2、支架，3、絕緣層，4、支座，101、加熱絲。
具體實(shí)施方式
下面將參考附圖并結(jié)合實(shí)施例，來詳細(xì)說明本發(fā)明。
參照?qǐng)D1所示，金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積加熱器，其特征在于:包括支座4，所述支座4上設(shè)有絕緣層3，所述絕緣層3上設(shè)置有若干支架2，所述支架2上連接有加熱體1
參照?qǐng)D2所示，進(jìn)一步的，所述加熱體I由若干根加熱絲101并排組成。
參照?qǐng)D3所示，優(yōu)選的，所述加熱體I彎曲成螺旋線或漸開線狀。
參照?qǐng)D4所示,優(yōu)選的,所述加熱體I彎曲成三相加熱所需的形狀。
參照?qǐng)D5所示，優(yōu)選的，所述加熱體I彎曲成單相加熱所需的形狀。
進(jìn)一步的，所述加熱絲101截面為矩形，每邊長(zhǎng)度為l_3mm。
進(jìn)一步的，所述支座4為難熔金屬。
進(jìn)一步的，所述加熱絲101材質(zhì)為鎢。
進(jìn)一步的，所述加熱絲101材質(zhì)為鎢錸合金。
以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和 原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積加熱器，其特征在于包括支座(4)，所述支座(4)上設(shè)有絕緣層(3)，所述絕緣層(3)上設(shè)置有若干支架(2)，所述支架(2)上連接有加熱體 ⑴。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積加熱器，其特征在于所述加熱體(I)由若干根加熱絲(101)并排組成。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積加熱器，其特征在于所述加熱體(I)彎曲成螺旋線或漸開線狀。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積加熱器，其特征在于所述加熱體(I)彎曲成三相加熱所需的形狀。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積加熱器，其特征在于所述加熱體(I)彎曲成單相加熱所需的形狀。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積加熱器，其特征在于所述加熱絲(101)截面為矩形，每邊長(zhǎng)度為l_3mm。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積加熱器，其特征在于所述支座(4)為難熔金屬。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積加熱器，其特征在于所述加熱絲(101)材質(zhì)為鎢。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積加熱器，其特征在于所述加熱絲(101)材質(zhì)為鎢錸合金。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積加熱器，包括支座，所述支座上設(shè)有絕緣層，所述絕緣層上設(shè)置有若干支架，所述支架上連接有加熱體。電阻絲布置更均勻，溫度均勻性高；承載電流的截面積增加，功率高，可以實(shí)現(xiàn)快速的升溫和降溫；矩形截面的加熱絲排布好后，加熱平面的高低一致性非常好；制造工藝簡(jiǎn)單，成本比板材加工的加熱體大幅降低；單相阻值便于調(diào)整，保溫時(shí)的單相加熱加熱功率的自動(dòng)化控制更容易，提高溫度均勻性；當(dāng)需要增大加熱面積實(shí)現(xiàn)更多芯片沉積，加熱面積可以用增加圈數(shù)N來增加加熱面積，成本相對(duì)較低，而且容易實(shí)現(xiàn)。
文檔編號(hào)C23C16/44GK103255390SQ20121003549
公開日2013年8月21日 申請(qǐng)日期2012年2月17日 優(yōu)先權(quán)日2012年2月17日
發(fā)明者都業(yè)志, 李玉花 申請(qǐng)人:蘇州艾默特材料技術(shù)有限公司