專利名稱：成膜方法、成膜裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在半導(dǎo)體晶片等被處理基板上成膜包含氧化鋯(ZrO2)膜的電介質(zhì)膜的成膜方法和成膜裝置以及存儲(chǔ)介質(zhì)。
背景技術(shù)：
最近，根據(jù)大規(guī)模集成電路(LSI)的高集成化、高速化的要求，構(gòu)成LSI的半導(dǎo)體 元件的設(shè)計(jì)規(guī)則(design rule)日益微細(xì)化。與之相隨，要求提高用于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)的電容器的容量，并要求提高用于其中的電介質(zhì)膜的介電常數(shù)。作為用于這種DRAM的電容器中的高介電常數(shù)的電介質(zhì)膜，研究了氧化鋯(ZrO2)膜。作為成膜氧化鋯膜的方法，已知有一種原子層沉積(ALD)工藝，其使用例如四(乙基甲基氨基)鋯(TEMAZ)作為原料氣體(前體)，使用例如O3氣體作為氧化劑，將它們交替地供給。然而，單獨(dú)應(yīng)用氧化鋯膜作為DRAM電容器的電介質(zhì)膜時(shí)，難以使作為下一代的DRAM的電介質(zhì)膜所要求的高介電常數(shù)化和低泄漏電流化得到兼顧。與此相對(duì)，以往，通過(guò)使用ZrO2膜和TiO2膜等含有Ti的金屬氧化物膜的2層結(jié)構(gòu)的膜作為電介質(zhì)膜的電容器，可以達(dá)成高介電常數(shù)化和低泄漏電流化。

發(fā)明內(nèi)容
_9] 發(fā)明要解決的問(wèn)題然而，由于氧化鋯膜是容易引起氧缺損的膜，即使單純使用ZrO2膜與TiO2膜等含有Ti的金屬氧化物膜的2層結(jié)構(gòu)的電介質(zhì)膜，也不容易使高介電常數(shù)化和低泄漏電流化達(dá)到目標(biāo)水平。本發(fā)明是鑒于上述情況而做出的，其目的是提供包含氧化鋯膜的電介質(zhì)膜的成膜方法和成膜裝置，該電介質(zhì)膜能夠兼顧DRAM電容器的電介質(zhì)膜所要求的高介電常數(shù)化和低泄漏電流化。此外，本發(fā)明的目的是提供存儲(chǔ)有執(zhí)行這種成膜方法的程序的存儲(chǔ)介質(zhì)。用于解決問(wèn)題的方案為了解決上述課題，在本發(fā)明的第一個(gè)方面中，提供一種成膜方法，其特征在于，其是包含氧化鋯膜的電介質(zhì)膜的成膜方法，該成膜方法具有供給由在結(jié)構(gòu)中含有環(huán)戊二烯基環(huán)的鋯化合物構(gòu)成的鋯原料和氧化劑，在被處理基板上形成氧化鋯膜的工序；供給由在結(jié)構(gòu)中含有環(huán)戊二烯基環(huán)的鈦化合物構(gòu)成的鈦原料和氧化劑，在上述氧化鋯膜上形成氧化鈦膜的工序。在本發(fā)明的第二個(gè)方面中，提供一種成膜裝置，其特征在于，其是成膜包含氧化鋯膜的電介質(zhì)膜的成膜裝置，該裝置具備可保持真空的立式的呈筒體狀的處理容器，將被處理基板以保持多段的狀態(tài)保持在上述處理容器內(nèi)的保持部件，設(shè)置在上述處理容器的外周的加熱裝置，將鋯原料供給到上述處理容器內(nèi)的鋯原料供給機(jī)構(gòu)，將鈦原料供給到上述處理容器內(nèi)的鈦原料供給機(jī)構(gòu)，將氧化劑供給到上述處理容器內(nèi)的氧化劑供給機(jī)構(gòu)，以及控制上述鋯原料供給機(jī)構(gòu)、上述鈦原料供給機(jī)構(gòu)和上述氧化劑供給機(jī)構(gòu)的控制機(jī)構(gòu)，所述控制機(jī)構(gòu)進(jìn)行控制以進(jìn)行如下工序?qū)⒃诮Y(jié)構(gòu)中含有環(huán)戊二烯基環(huán)的鋯化合物作為鋯原料供給上述處理容器內(nèi)，并供給氧化劑，在被處理基板上形成氧化鋯膜的工序；將在結(jié)構(gòu)中含有環(huán)戊二烯基環(huán)的鈦化合物作為鈦原料供給上述處理容器內(nèi)，并供給氧化劑，在上述氧化鋯膜上形成氧化鈦膜的工 序。在本發(fā)明的第三個(gè)方面中，提供了一種存儲(chǔ)介質(zhì)，其特征在于，其是存儲(chǔ)有在計(jì)算機(jī)上運(yùn)行的、用于控制成膜裝置的程序的存儲(chǔ)介質(zhì)，所述程序在執(zhí)行時(shí)使計(jì)算機(jī)控制所述成膜裝置，以進(jìn)行上述第一個(gè)方面的成膜方法。


圖I所示為適用于本發(fā)明的成膜方法的成膜裝置的一個(gè)例子的縱向剖面圖。圖2所示為適用于本發(fā)明的成膜方法的成膜裝置的一個(gè)例子的橫向剖面圖。圖3所示為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的成膜方法的流程圖。圖4所示為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的成膜方法的氧化鋯膜成膜中氣體供給的時(shí)間安排的時(shí)間圖。圖5所示為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的成膜方法的氧化鈦膜成膜中氣體供給的時(shí)間安排的時(shí)間圖。圖6為說(shuō)明使用在結(jié)構(gòu)中含有環(huán)戊二烯基環(huán)的鋯化合物形成ZrO2膜時(shí)的鋯化合物的分子狀態(tài)的模式圖。圖7所示為使用作為Zr源的Cp系鋯化合物CPDTMZ和非Cp系鋯化合物TEMAZ成膜ZrO2膜時(shí)的雜質(zhì)濃度的圖。圖8所示為在內(nèi)部深槽芯片(de印trench chip)上分別使用CPDTMZ和TEMAZ形成ZrO2膜時(shí)的階梯覆蓋率(step coverage)的掃描型電子顯微鏡(SEM)照片。圖9所示為使用TEMAZ作為Zr源成膜的ZrO2膜與使用CPDTMZ作為Zr源成膜的ZrO2膜的密度比較圖。圖10所示為分別使用CPDTMZ和TEMAZ成膜的膜的利用Hg探針測(cè)得的泄漏特性的圖。圖11所示為分別使用CPDTMZ和TEMAZ成膜的膜的EOT與泄漏電流的關(guān)系圖。圖12所示為分別使用MCPDTMT和TIPT作為Ti源成膜的TiO2膜的雜質(zhì)濃度的圖。圖13所示為用于把握分別使用MCPDTMT和TIPT作為Ti源成膜的TiO2膜的階梯覆蓋率的掃描型電子顯微鏡(SEM)照片。圖14所示為分別使用MCPDTMT作為Ti源形成的TiO2膜和使用TIPT形成的TiO2膜在剛沉積(as depo)的狀態(tài)下的X射線衍射譜圖。圖15所示為使用TIPT作為Ti源成膜的TiO2膜和使用MCPDTMT成膜的TiO2膜的膜厚變化(膜收縮)的圖。圖16所示為，對(duì)于使用CPDTMZ在TiN膜上形成ZrO2膜的樣品和使用MCPDTMT在該ZrO2膜上分別以lnm、3nm、5nm的目標(biāo)膜厚形成TiO2膜的樣品,通過(guò)二次離子質(zhì)譜分析法調(diào)查深度方向的Ti02、H、C的分布的結(jié)果圖。圖17為，對(duì)于使用ZrO2膜單膜作為電介質(zhì)膜、使用TiN膜作為上下電極的MM平板電容器樣品，以及使用本發(fā)明的ZrO2-TiO2兩層膜作為電介質(zhì)膜、使用TiN膜作為上下電極的MIM平板電容器樣品，以EOT為橫軸、以泄漏電流值為縱軸的曲線圖。圖18為，對(duì)于使用ZrO2膜單膜作為電介質(zhì)膜、使用TiN膜作為上下電極的MM平板電容器樣品，以及使用本發(fā)明的ZrO2-TiO2兩層膜作為電介質(zhì)膜、使用TiN膜作為上下電極的MIM平板電容器樣品，以ZrO2膜為橫軸、以EOT和泄漏電流值為縱軸的曲線圖。
具體實(shí)施例方式以下參照附圖來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式。<適用于本發(fā)明的成膜方法的成膜裝置的一個(gè)例子>圖I所示為適用于本發(fā)明的成膜方法的成膜裝置的一個(gè)例子的縱向剖面圖，圖2所示為圖I的成膜裝置的橫向剖面圖。其中，在圖2中，省略了加熱裝置。成膜裝置100具有下端開(kāi)口的有頂棚的圓筒體狀的處理容器I。該處理容器I的全體例如由石英形成，該處理容器I內(nèi)的頂棚上設(shè)置石英制的頂棚板2來(lái)密封。另外，例如由不銹鋼成型為圓筒體狀的歧管3經(jīng)由O形圈等密封部件4連接于該處理容器I的下端開(kāi)口部。上述歧管3支撐處理容器I的下端，石英制的晶舟5可從該歧管3的下方插入到處理容器I內(nèi)，所述晶舟5可以多段載置作為被處理體的多個(gè)例如50 100個(gè)半導(dǎo)體晶片(以下簡(jiǎn)稱為晶片)W。該晶舟5具有3根支柱6 (參照?qǐng)D2)，通過(guò)在支柱6上形成的溝，可支撐多個(gè)晶片W。該晶舟5經(jīng)由石英制的保溫筒7載置在工作臺(tái)8上，該工作臺(tái)8被支撐在旋轉(zhuǎn)軸10上，該旋轉(zhuǎn)軸10貫通開(kāi)閉歧管3的下端開(kāi)口部例如不銹鋼制的蓋部9。而且，在該旋轉(zhuǎn)軸10的貫通部上設(shè)置有例如磁性流體密封11，其在氣密密封旋轉(zhuǎn)軸10的同時(shí)可旋轉(zhuǎn)地支撐旋轉(zhuǎn)軸10。另外，蓋部9的周邊部與歧管3的下端部之間插入有例如由O形圈構(gòu)成的密封部件12，由此，保持處理容器I內(nèi)的密封性。上述旋轉(zhuǎn)軸10安裝在例如船式升降機(jī)等升降機(jī)構(gòu)(未圖示)所支撐的臂13的前端，可一體地升降晶舟5和蓋部9等，使其在處理容器I內(nèi)插入和脫離。另外，也可以將上述工作臺(tái)8固定地設(shè)置在上述蓋部9側(cè)，不旋轉(zhuǎn)晶舟5，進(jìn)行晶片W的處理。成膜裝置100具有將氣體狀的氧化劑例如O3氣體供給到處理容器I內(nèi)的氧化劑供給機(jī)構(gòu)14、將Zr源氣體(Zr原料氣體)供給到處理容器I內(nèi)的Zr源氣體供給機(jī)構(gòu)15、將Ti源氣體(Ti原料氣體)供給到處理容器I內(nèi)的Ti源氣體供給機(jī)構(gòu)16。另外，具有將作為吹掃氣體的惰性氣體例如N2氣體供給到處理容器I內(nèi)的吹掃氣體供給機(jī)構(gòu)30。氧化劑供給機(jī)構(gòu)14具有氧化劑供給源17、從氧化劑供給源17引導(dǎo)氧化劑的氧化劑配管18、以及與該氧化劑配管18連接、貫通歧管3的側(cè)壁到內(nèi)側(cè)、向上方彎曲、再垂直延伸的由石英管形成的氧化劑分散噴嘴19。在該氧化劑分散噴嘴19的垂直部分上隔著規(guī)定的間隔形成有多個(gè)氣體噴出孔19a，使得可以由各氣體噴出孔19a以水平方向向處理容器I大致均一地噴出氧化劑，例如O3氣體。作為氧化劑，除了 O3氣體以外，可以使用H2O氣體、O2氣體、NO2氣體、NO氣體、N2O氣體等。還可以設(shè)置等離子體生成機(jī)構(gòu)，將氧化劑等離子化，從而提高反應(yīng)性。另外，可以是使用O2氣體和H2氣體的自由基氧化。使用O3氣體時(shí)，氧化劑供給源17是具有產(chǎn)生O3氣體的臭氧發(fā)生器的裝置。Zr源氣體供給機(jī)構(gòu)15具有貯存由在結(jié)構(gòu)中含有環(huán)戊二烯基環(huán)的鋯化合物構(gòu)成的Zr源，例如環(huán)戊二烯基·三(二甲基氨基)合鋯(ZrCp (匪e2)3 ;以下稱為CPDTMZ)、甲基環(huán)戊二烯基·三(二甲基氨基)合鋯(Zr(MeCp) (NMe2)3 ;以下稱為MCPDTMZ)的Zr源貯存 容器20 ;從該Zr源貯存容器20引導(dǎo)液體Zr源的Zr源配管21 ;與Zr源配管21連接、使Zr源氣化的氣化器22 ;引導(dǎo)氣化器22中生成的Zr源氣體的Zr源氣體配管23 ;以及與該Zr源氣體配管23連接、貫通歧管3的側(cè)壁到內(nèi)側(cè)、向上方彎曲、再垂直延伸的由石英管形成的Zr源氣體分散噴嘴24。氣化器22上連接了供給作為載氣的N2氣的載氣配管22a。在Zr源氣體分散噴嘴24上，沿著其長(zhǎng)度方向隔著規(guī)定的間隔形成有多個(gè)氣體噴出孔24a，使得可以從各氣體噴出孔24a以水平方向向處理容器I內(nèi)大致均一地噴出Zr源氣體。Ti源氣體供給機(jī)構(gòu)16具有貯存由在結(jié)構(gòu)中含有環(huán)戊二烯基環(huán)的Ti化合物構(gòu)成的Ti源，例如甲基環(huán)戊二烯基·三(二甲基氨基)合鈦(Ti(MeCp)(匪％)3;以下稱為MCPDTMT)的Ti源貯存容器25 ;從該Ti源貯存容器25引導(dǎo)液體Ti源的Ti源配管26 ;與Ti源配管26連接、使Ti源氣化的氣化器27 ;引導(dǎo)氣化器27中生成的Ti源氣體的Ti源氣 體配管28 ；以及與該Ti源氣體配管28連接、貫通歧管3的側(cè)壁到內(nèi)側(cè)、向上方彎曲、再垂直延伸的由石英管形成的Ti源氣體分散噴嘴29。氣化器27上連接了供給作為載氣的N2氣的載氣配管27a。在Ti源氣體分散噴嘴29上，沿著其長(zhǎng)度方向隔著規(guī)定的間隔形成有多個(gè)氣體噴出孔29a，使得可以從各氣體噴出孔29a以水平方向向處理容器I內(nèi)大致均一地噴出Ti源氣體。此外，吹掃氣體供給機(jī)構(gòu)30具有吹掃氣體供給源31 ;從吹掃氣體供給源31引導(dǎo)吹掃氣體的吹掃氣體配管32 ;以及與該吹掃氣體配管32連接、貫通歧管3的側(cè)壁設(shè)置的吹掃氣體噴嘴33。作為吹掃氣體，可以適宜使用惰性氣體例如N2氣體。在氧化劑配管18上設(shè)置有開(kāi)閉閥18a和質(zhì)量流量控制器之類的流量控制器18b，從而可以控制氣體狀的氧化劑的流量并進(jìn)行供給。另外，在吹掃氣體配管32上還設(shè)置有開(kāi)閉閥32a和質(zhì)量流量控制器之類的流量控制器32b，從而可以在控制吹掃氣體的流量的同時(shí)進(jìn)行供給。 上述Zr源貯存容器20中插入有Zr源壓送配管20a，通過(guò)從Zr源壓送配管20a供給He氣等壓送氣體，將液體Zr源送給Zr源配管21。在上述Zr源配管21上設(shè)置有液體質(zhì)量流量控制器之類的流量控制器21a，在上述Zr源氣體配管23上設(shè)置有閥門23a。上述Ti源貯存容器25中插入有Ti源壓送配管25a，通過(guò)從Ti源壓送配管25a供給He氣等壓送氣體，將液體Ti源送給Ti源配管26。在上述Ti源配管26上設(shè)置有液體質(zhì)量流量控制器之類的流量控制器26a，在上述Ti源氣體配管28上設(shè)置有閥門28a。如圖2所示，用于分散噴出氧化劑的氧化劑分散噴嘴19設(shè)置在處理容器I的凹部Ia內(nèi)，Zr源氣體分散噴嘴24與Ti源氣體分散噴嘴29以在二者之間夾入氧化劑分散噴嘴19的方式設(shè)置。在處理容器I的與氧化劑分散噴嘴19、Zr源氣體分散噴嘴24和Ti源氣體分散噴嘴29的相反側(cè)的部分上，設(shè)置有用于將處理容器I內(nèi)抽真空的排氣口 37。這些排氣口 37通過(guò)沿上下方向削去處理容器I的側(cè)壁而形成為細(xì)長(zhǎng)形狀。處理容器I的與該排氣口 37對(duì)應(yīng)的部分上，以覆蓋排氣口 37的方式，通過(guò)熔接安裝有成型為截面字狀”的排氣口覆蓋部分38。該排氣口覆蓋部件38沿著處理容器I的側(cè)邊延伸到上方，在處理容器I的上方設(shè)定有氣體出口 39。而且，通過(guò)未圖示的包含真空泵等的抽真空機(jī)構(gòu)從該氣體出口 39抽真空。而且，以包圍該處理容器I的外周的方式設(shè)置有加熱該處理容器I和其內(nèi)部的晶片W的筒體狀的加熱裝置40。成膜裝置100的各構(gòu)成部的控制，例如利用開(kāi)閉閥18a、23a、28a、32a的開(kāi)閉進(jìn)行的各氣體的供給和停止，利用流量控制器18b、21a、26a、32b進(jìn)行的氣體或液體源的流量的控制，引入到處理容器I中的氣體的切換、加熱裝置40的控制等，例如通過(guò)由微處理器(計(jì) 算機(jī))構(gòu)成的控制器50來(lái)進(jìn)行。控制器50上連接有用于操作者管理成膜裝置100而進(jìn)行命令輸入操作等的鍵盤，或由可視化顯示成膜裝置100的運(yùn)轉(zhuǎn)狀況的顯示器等構(gòu)成的用戶界面51。另外，控制器50上連接有存儲(chǔ)有用于通過(guò)控制器50的控制來(lái)實(shí)現(xiàn)在成膜裝置100中執(zhí)行的各種處理的控制程序，或者用于根據(jù)處理?xiàng)l件使成膜裝置100的各構(gòu)成部執(zhí)行處理的程序即處方(recipe)的存儲(chǔ)部52。處方存儲(chǔ)在存儲(chǔ)部52中的存儲(chǔ)介質(zhì)中。存儲(chǔ)介質(zhì)可以是硬盤等固定性設(shè)置的存儲(chǔ)介質(zhì)，也可以是CDR0M、DVD、閃存等便攜性的存儲(chǔ)介質(zhì)。另夕卜，也可以經(jīng)由例如專用線路由其他裝置適當(dāng)傳送處方。而且，根據(jù)需要，通過(guò)來(lái)自用戶界面51的指示等，從存儲(chǔ)部52找出任意的處方，使其在控制器50上執(zhí)行，從而在控制器50的控制下在成膜裝置100中進(jìn)行所需處理。即，在存儲(chǔ)部52的存儲(chǔ)介質(zhì)中存儲(chǔ)有執(zhí)行以下說(shuō)明的成膜方法的程序(即處理處方)，該程序使控制器50控制成膜裝置100，以執(zhí)行以下說(shuō)明的本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的成膜方法。<本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的成膜方法>接著說(shuō)明使用如以上構(gòu)成的成膜裝置進(jìn)行的本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的成膜方法。首先，在常溫下，通過(guò)使例如搭載有50 100個(gè)晶片W的狀態(tài)的晶舟5在預(yù)先控制于規(guī)定溫度的處理容器I內(nèi)從其下方上升，進(jìn)行加載，通過(guò)用蓋部9密閉歧管3的下端開(kāi)口部，使處理容器I內(nèi)形成密閉空間。接著，將處理容器I內(nèi)抽真空，維持在規(guī)定的工藝壓力的同時(shí)，控制加熱裝置40的供給電力，使晶片溫度上升，維持在工藝溫度，在使晶舟5旋轉(zhuǎn)的狀態(tài)下開(kāi)始成膜處理。如圖3的流程圖所示，本實(shí)施方式的成膜方法具有氧化鋯膜成膜工序(工序I)和氧化鈦膜成膜工序(工序2)。I.氧化鋯膜成膜工序(工序I)在工序I的氧化鋯膜的成膜中，使用由在結(jié)構(gòu)中含有環(huán)戊二烯基環(huán)的鋯化合物構(gòu)成的Zr源氣體和氧化劑進(jìn)行成膜。具體而言，如圖4的時(shí)間圖所示，以下列步驟為一次ZrO2成膜操作將Zr源氣體供給到處理容器1，使其在晶片W上吸附的步驟SI，用吹掃氣體吹掃處理容器內(nèi)的步驟S2，向處理容器I中供給作為氣體狀氧化劑的例如O3氣體，使Zr源氣體氧化的步驟S3，用吹掃氣體吹掃處理容器內(nèi)的步驟S4，通過(guò)重復(fù)多次該操作的ALD (原子層沉積)，形成規(guī)定膜厚的ZrO2膜。作為DRAM電容器的電介質(zhì)膜應(yīng)用時(shí)，膜厚為O. I IOnm左右。更優(yōu)選的膜厚為I 8nm。接著，根據(jù)需要進(jìn)行退火，形成結(jié)晶化的氧化鋯系膜。該情況下的退火溫度優(yōu)選為600°C以下。超過(guò)600°C時(shí)，有可能對(duì)設(shè)備產(chǎn)生不良影響。在上述步驟SI中，從Zr源氣體供給機(jī)構(gòu)15的Zr源貯存容器20供給作為Zr源的在結(jié)構(gòu)中含有環(huán)戊二烯基環(huán)的鋯化合物，在氣化器22中使其氣化，產(chǎn)生Zr源氣體，經(jīng)由Zr源氣體配管23和Zr源氣體分散噴嘴24將 Zr源氣體從氣體噴出孔24a以Tl的期間供給到處理容器I內(nèi)。由此，使Zr源氣體吸附在晶片W上。作為用作Zr源的在結(jié)構(gòu)中含有環(huán)戊二烯基環(huán)的鋯化合物，如上所述，可例舉出CPDTMZ和MCPDTMZ，它們的結(jié)構(gòu)式如下所示
權(quán)利要求
1.一種成膜方法，其特征在于，其是成膜包含氧化鋯膜的電介質(zhì)膜的方法，該成膜方法具有: 供給由在結(jié)構(gòu)中含有環(huán)戊二烯基環(huán)的鋯化合物構(gòu)成的鋯原料和氧化劑，在被處理基板上形成氧化鋯膜的成膜工序； 供給由在結(jié)構(gòu)中含有環(huán)戊二烯基環(huán)的鈦化合物構(gòu)成的鈦原料和氧化劑，在所述氧化鋯膜上形成氧化鈦膜的成膜工序。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的成膜方法，其特征在于，成膜所述氧化鋯膜的工序通過(guò)在處 理容器內(nèi)交替地多次供給所述由在結(jié)構(gòu)中含有環(huán)戊二烯基環(huán)的鋯化合物構(gòu)成的鋯原料和所述氧化劑來(lái)實(shí)施， 成膜所述氧化鈦膜的工序是在所述氧化鋯膜的成膜之后通過(guò)在所述處理容器內(nèi)交替地多次供給所述由在結(jié)構(gòu)中含有環(huán)戊二烯基環(huán)的鈦化合物構(gòu)成的鈦原料和所述氧化劑來(lái)實(shí)施的。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的成膜方法，其特征在于， 所述由在結(jié)構(gòu)中含有環(huán)戊二烯基環(huán)的鋯化合物構(gòu)成的鋯原料的供給與所述氧化劑的供給隔著排出所述處理容器內(nèi)的氣體的工序反復(fù)進(jìn)行， 所述由在結(jié)構(gòu)中含有環(huán)戊二烯基環(huán)的鈦化合物構(gòu)成的鈦原料的供給和所述氧化劑的供給隔著排出所述處理容器內(nèi)的氣體的工序反復(fù)進(jìn)行。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的成膜的方法，其特征在于，在結(jié)構(gòu)中含有環(huán)戊二烯基環(huán)的鋯化合物是環(huán)戊二烯基 三(二甲基氨基)合鋯或甲基環(huán)戊二烯基 三(二甲基氨基)合鋯。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的成膜方法，其特征在于，在結(jié)構(gòu)中含有環(huán)戊二烯基環(huán)的鈦化合物是甲基環(huán)戊二烯基 三(二甲基氨基)合鈦。
6.一種成膜裝置，其特征在于，其是成膜包含氧化鋯膜的電介質(zhì)膜的成膜裝置，該裝置具備 可保持真空的立式的呈筒體狀的處理容器， 將被處理基板以保持為多段的狀態(tài)保持在所述處理容器內(nèi)的保持部件， 設(shè)置在所述處理容器的外周的加熱裝置， 將鋯原料供給到所述處理容器內(nèi)的鋯原料供給機(jī)構(gòu)， 將鈦原料供給到所述處理容器內(nèi)的鈦原料供給機(jī)構(gòu)， 將氧化劑供給到所述處理容器內(nèi)的氧化劑供給機(jī)構(gòu)，以及， 控制所述鋯原料供給機(jī)構(gòu)、所述鈦原料供給機(jī)構(gòu)和所述氧化劑供給機(jī)構(gòu)的控制機(jī)構(gòu)， 所述控制機(jī)構(gòu)進(jìn)行控制以進(jìn)行如下工序 將在結(jié)構(gòu)中含有環(huán)戊二烯基環(huán)的鋯化合物作為鋯原料供給到所述處理容器內(nèi)，并供給氧化劑，在被處理基板上成膜氧化鋯膜的工序；和， 將在結(jié)構(gòu)中含有環(huán)戊二烯基環(huán)的鈦化合物作為鈦原料供給到所述處理容器內(nèi)，并供給氧化劑，在所述氧化鋯膜上成膜氧化鈦膜的工序。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的成膜裝置，其特征在于，所述控制機(jī)構(gòu)進(jìn)行控制以進(jìn)行下述工序 通過(guò)在所述處理容器內(nèi)交替地多次供給所述由在結(jié)構(gòu)中含有環(huán)戊二烯基環(huán)的鋯化合物構(gòu)成的鋯原料和所述氧化劑來(lái)進(jìn)行成膜所述氧化鋯膜的工序，以及，在所述氧化鋯膜的成膜之后通過(guò)在所述處理容器內(nèi)交替地多次供給所述由在結(jié)構(gòu)中含有環(huán)戊二烯基環(huán)的鈦化合物構(gòu)成的鈦原料和所述氧化劑來(lái)進(jìn)行成膜所述氧化鈦膜的工 序。
全文摘要
本發(fā)明涉及成膜含有氧化鋯膜的電介質(zhì)膜的方法，該方法具有供給由在結(jié)構(gòu)中含有環(huán)戊二烯基環(huán)的鋯化合物構(gòu)成的鋯原料和氧化劑，在被處理基板上成膜氧化鋯膜的工序；供給由在結(jié)構(gòu)中含有環(huán)戊二烯基環(huán)的鈦化合物構(gòu)成的鈦原料和氧化劑，在上述氧化鋯膜上成膜氧化鈦膜的工序。
文檔編號(hào)C23C16/455GK102703877SQ201210082649
公開(kāi)日2012年10月3日 申請(qǐng)日期2012年3月26日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月25日
發(fā)明者兩角友一朗, 廣田俊幸, 清村貴利, 秋山浩二, 菅原卓也, 菱屋晉吾 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社, 爾必達(dá)存儲(chǔ)器株式會(huì)社