專利名稱：用于電容式觸控屏生產(chǎn)的磁控濺鍍方法
技術領域：
本發(fā)明涉及磁控濺鍍領域，特別是涉及一種用于電容式觸控屏生產(chǎn)的磁控濺鍍方法。
背景技術：
隨著科技的高速發(fā)展，電子類產(chǎn)品已發(fā)生了天翻地覆的變化，隨著近來觸控式電子產(chǎn)品的問世，觸控產(chǎn)品已越來越多地受到人們的追捧，不僅其可節(jié)省空間，方便攜帶，而且用戶通過手指或者觸控筆等就可直接操作，使用舒適，非常便捷。例如，目前市場常見的個人數(shù)字處理(PDA)、觸控類手機、手提式筆記本電腦等等，都已加大對觸控技術的投入，所以觸控式裝置將來必在各個領域有更加廣泛的應用。目前，電容式觸控面板的結構是由導電材料的載體基材、蓋板玻璃、FPC軟排線構成。其中導電材料的載體玻璃又叫ITO(氧化銦錫)基材，其制造工藝很復雜，占據(jù)電容屏的成本比重較高。習知技術稱為濺鍍，通常指的是磁控濺鍍，屬于高速低溫濺鍍法，如圖1， 采用轟擊射線轟擊靶材，使導電材料如細小的雪花狀落在載體基材上。該工藝要求真空度在I X 10-3Torr左右，即I. 3X 10_3Pa的真空狀態(tài)在一腔體的濺鍍空間內充入惰性氣體氬氣，并在導電材料載體基材(陽極)和金屬靶材(陰極)之間加上高壓直流電，由于輝光放電產(chǎn)生的電子激發(fā)情性氣體，產(chǎn)生等離子體，等離子體將金屬靶材的原子轟出，使得靶材上的材料隨機沉積在導電材料載體基材上；然后使用指定的Mask(掩膜板)光照網(wǎng)板覆蓋在 ITO上，用化學液體蝕刻，或者激光蝕刻的方式對基材上的ITO導電材料進行線路刻蝕，刻蝕出客戶需求的ITO導電材料圖形。在電容屏的生產(chǎn)過程中，一般需要2 5層掩膜板，才能刻蝕出客戶需求的ITO導電材料圖形。此種濺鍍方法的優(yōu)點在于大批量生產(chǎn)快捷，但其對于設備、操作人員、操作環(huán)境的空氣潔凈度都有嚴格的要求，對于現(xiàn)在流行的定做樣屏這樣的小批量生產(chǎn)，工藝復雜，成本高昂。為了克服上述缺點，雖然目前業(yè)界也針對性地提出了一些解決辦法，比如通過使用軟性膜材料印刷導電材料的方式，但是膜材料的材料特質使得其高溫可靠性，透光率都會有明顯的下降，壽命會比玻璃基材短很多，小批量生產(chǎn)雖然有優(yōu)勢，但是當客戶認可了樣屏，轉為大量生產(chǎn)時，這種方式的成本依然很高。因此需要為廣大用戶提供一種更加簡便，低成本的方法來解決以上問題。

發(fā)明內容
本發(fā)明主要解決的技術問題是提供一種用于電容式觸控屏生產(chǎn)的磁控濺鍍方法， 無需多層掩膜板，可一次性濺鍍出客戶需求的ITO導電材料圖形，實現(xiàn)低成本打樣。為解決上述技術問題，本發(fā)明采用的一個技術方案是提供一種用于電容式觸摸屏生產(chǎn)的磁控濺鍍方法，所述的方法包括提供一具有濺鍍空間的腔體；令一基材設于所述腔體的濺鍍空間內；
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令一靶材設于所述腔體的濺鍍空間內，并位于所述基材的一側，在所述靶材上連接一電極；在所述祀材的正下方設置一磁場偏轉線圈；令所述濺鍍空間內部呈真空狀態(tài)，并通入等離子體轟擊所述靶材；所述靶材的原子被濺出，并受到所述磁場偏轉線圈的偏轉，有目標地沉積在所述基材上。在本發(fā)明一個較佳實施例中，所述磁場偏轉線圈包括行偏轉線圈和列偏轉線圈。在本發(fā)明一個較佳實施例中，所述行偏轉線圈通有由一行掃描電路提供的鋸齒波電流，產(chǎn)生在水平方向線性變化的磁場。在本發(fā)明一個較佳實施例中，所述列偏轉線圈通有由一列掃描電路提供的鋸齒波電流,產(chǎn)生在垂直方向線性變化的磁場。在本發(fā)明一個較佳實施例中，所述真空狀態(tài)的真空度保持在I. 3X l(T3Pa。本發(fā)明的有益效果是本發(fā)明通過控制靶材下落的路徑，可一次性濺鍍出客戶需求的ITO導電材料圖形，減少了掩膜板的費用，方法簡便，既明顯節(jié)約了材料，又顯著降低了成本，可同時滿足小批量的客制化產(chǎn)品試做需求和大批量生產(chǎn)需求。


圖I是習知技術濺鍍過程的示意圖；圖2是本發(fā)明用于電容式觸控屏生產(chǎn)的磁控濺鍍方法的結構示意圖；圖3是本發(fā)明用于電容式觸控屏生產(chǎn)的磁控濺鍍方法的流程圖。附圖中各部件的標記如下1、靶材，2、基材，3、等離子體，4、行偏轉線圈，5、列偏轉線圈，6、電極，7、腔體，8、濺鍍空間。
具體實施例方式下面結合附圖對本發(fā)明的較佳實施例進行詳細闡述，以使本發(fā)明的優(yōu)點和特征能更易于被本領域技術人員理解，從而對本發(fā)明的保護范圍做出更為清楚明確的界定。請參閱圖2和圖3，本發(fā)明實施例包括一種用于電容式觸摸屏生產(chǎn)的磁控濺鍍方法，包括以下步驟提供一具有濺鍍空間8的腔體7 ；令一基材2設于所述腔體7的濺鍍空間8內；令一靶材I設于所述腔體7的濺鍍空間8內，并位于所述基材2的一側，在所述靶材I上連接一電極6 ；在所述靶材I的正下方設置一磁場偏轉線圈，所述磁場偏轉線圈包括行偏轉線圈 4和列偏轉線圈5，行偏轉線圈4通有由行掃描電路(圖未示)提供的鋸齒波電流，產(chǎn)生在水平方向上線性變化的磁場，使落下的靶材I作水平方向掃描；列偏轉線圈5通有由列掃描電路(圖未示)提供的鋸齒波電流，產(chǎn)生在垂直方向上線性變化的磁場，使落下的靶材I作垂直方向掃描；通過控制磁偏轉線圈的電流，使所述靶材I有目標地落在所述基材2上，從而形成客戶需求的ITO導電材料圖形，無需使用多層掩膜板；令所述濺鍍空間8內部呈真空狀態(tài)，所述真空狀態(tài)的真空度保持在I. 3X IO-3Pa,向所述濺鍍空間8內通入等離子體3，其中所述等離子體3含有帶正電荷的氬離子，所述等離子體3轟擊所述靶材I ;所述靶材I的原子被濺出，在所述靶材I落下的路徑周圍受到所述磁場偏轉線圈的偏轉，從而使所述靶材I有目標地沉積在所述基材2上。本發(fā)明通過控制靶材I下落的路徑，可一次性濺鍍出客戶需求的ITO導電材料圖形，減少了至少一層掩膜板的費用，方法簡便，既明顯節(jié)約了材料，又顯著降低了成本，可同時滿足小批量的客制化產(chǎn)品試做需求和大批量生產(chǎn)需求。以上所述僅為本發(fā)明的實施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內容所作的等效結構或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關的技術領域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護范圍內。
權利要求
1.一種用于電容式觸摸屏生產(chǎn)的磁控濺鍍方法，其特征在于，所述的方法包括提供一具有濺鍍空間的腔體；令一基材設于所述腔體的濺鍍空間內；令一靶材設于所述腔體的濺鍍空間內，并位于所述基材的一側，在所述靶材上連接一電極；在所述靶材的正下方設置一磁場偏轉線圈；令所述濺鍍空間內部呈真空狀態(tài)，并通入等離子體轟擊所述靶材；所述靶材的原子被濺出，并受到所述磁場偏轉線圈的偏轉，有目標地沉積在所述基材上。
2.根據(jù)權利要求I所述的用于電容式觸摸屏生產(chǎn)的磁控濺鍍方法，其特征在于，所述磁場偏轉線圈包括行偏轉線圈和列偏轉線圈。
3.根據(jù)權利要求2所述的用于電容式觸摸屏生產(chǎn)的磁控濺鍍方法，其特征在于，所述行偏轉線圈通有由一行掃描電路提供的鋸齒波電流，產(chǎn)生在水平方向線性變化的磁場。
4.根據(jù)權利要求2所述的用于電容式觸摸屏生產(chǎn)的磁控濺鍍方法，其特征在于，所述列偏轉線圈通有由一列掃描電路提供的鋸齒波電流，產(chǎn)生在垂直方向線性變化的磁場。
5.根據(jù)權利要求I所述的用于電容式觸摸屏生產(chǎn)的磁控濺鍍方法，其特征在于，所述真空狀態(tài)的真空度保持在I. 3X 10_3Pa。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種用于電容式觸摸屏生產(chǎn)的磁控濺鍍方法，包括提供一具有濺鍍空間的腔體，令一基材設于所述腔體的濺鍍空間內，令一靶材設于所述腔體的濺鍍空間內，并位于所述基材的一側，在所述靶材上連接一電極，在所述靶材的正下方設置一磁場偏轉線圈，令所述濺鍍空間內部呈真空狀態(tài)，并通入等離子體轟擊所述靶材，所述靶材的原子被濺出，并受到所述磁場偏轉線圈的偏轉，有目標地沉積在所述基材上。通過上述方式，本發(fā)明通過控制靶材下落的路徑，可一次性濺鍍出客戶需求的ITO導電材料圖形，無需使用多層掩膜板，方法簡便，既明顯節(jié)約了材料，又顯著降低了成本，可同時滿足小批量的客制化產(chǎn)品試做需求和大批量生產(chǎn)需求。
文檔編號C23C14/35GK102605336SQ20121009616
公開日2012年7月25日 申請日期2012年4月5日 優(yōu)先權日2012年4月5日
發(fā)明者鐘鋼 申請人:江蘇昭陽光電科技股份有限公司