專利名稱：晶振晶體片的真空鍍膜方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種晶振晶體片的加工方法，特別是一種晶振晶體片的真空鍍膜方法
背景技術(shù)：
晶振的全稱為晶體振蕩器(Crystal Oscillators),其作用在于產(chǎn)生原始的時鐘頻率，晶振經(jīng)過頻率發(fā)生器的放大或縮小后就成了電腦中各種不同的總線頻率。晶體片也稱頻率片，它是晶振的主體部件，在生產(chǎn)晶振時，需要對頻率片進行鍍膜處理，用于調(diào)節(jié)晶體片的頻率，同時起導(dǎo)電作用，形成磁場。現(xiàn)有技術(shù)中對晶體片鍍膜處理時，所鍍的膜為銀材料膜。銀材料膜其缺陷是所鍍的銀膜在使用時不容易附著，容易老化脫落，從而影響了晶振的使用壽命。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種設(shè)計更為合理、鍍膜附著能力強、有效延長了晶振的使用壽命而具有環(huán)保的晶振晶體片的真空鍍膜方法。本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是通過以下的技術(shù)方案來實現(xiàn)的。本發(fā)明是一種晶振晶體片的真空鍍膜方法，其特點是它以硅酸鎵鑭晶體片或者二氧化硅晶體片為載體，采用蒸鍍的方式先在晶體片的正反兩面鍍上鎳材料膜，然后在鎳材料膜上鍍上銀材料膜；蒸鍍時，將晶體片置于分子泵鍍膜機的夾具中，先將鎳材料置于分子泵鍍膜機內(nèi)兩個鑰舟的一個上；啟動分子泵鍍膜機，在真空狀態(tài)下加熱放置鎳材料的鑰舟，至鎳材料升華并鍍至晶體片的一面上形成鎳膜后，翻轉(zhuǎn)夾具，采用相同的方式將鎳材料鍍至晶體片的另一面上；然后重新啟動設(shè)備，再將銀材料置于分子泵鍍膜機內(nèi)兩個鑰舟的另一個上，在真空狀態(tài)下加熱放置銀材料的鑰舟，采用相同的方式分別在鎳膜上鍍上銀膜，即可。本發(fā)明所述的晶振晶體片的真空鍍膜方法技術(shù)方案中鍍膜時，分子泵鍍膜機的真空度優(yōu)選為I. 3 X 1(T2 6. 7 X 1(T3 Mpa0與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明方法設(shè)計合理，可操作性強。采用本發(fā)明方法制成的晶體片，鍍膜的耐高溫能力有效地提高，膜的附著力更強，不容易脫落。按常規(guī)方法制成晶振后， 可以有效地降低其上機不良率，老化率降低，延緩老化，使其性能更穩(wěn)定，有效地提高了晶振的合格率和使用壽命，且具有環(huán)保的作用。
具體實施例方式以下進一步描述本發(fā)明的具體技術(shù)方案，以便于本領(lǐng)域的技術(shù)人員進一步地理解本發(fā)明，而不構(gòu)成對其權(quán)利的限制。實施例1，一種晶振晶體片的真空鍍膜方法，它以硅酸鎵鑭晶體片或者二氧化硅晶體片為載體，采用蒸鍍的方式先在晶體片的正反兩面鍍上鎳材料膜，然后在鎳材料膜上鍍上銀材料膜；蒸鍍時，將晶體片置于分子泵鍍膜機的夾具中，先將鎳材料置于分子泵鍍膜機內(nèi)兩個鑰舟的一個上；啟動分子泵鍍膜機，在真空狀態(tài)下加熱放置鎳材料的鑰舟，至鎳材料升華并鍍至晶體片的一面上形成鎳膜后，翻轉(zhuǎn)夾具，采用相同的方式將鎳材料鍍至晶體片的另一面上；然后重新啟動設(shè)備，再將銀材料置于分子泵鍍膜機內(nèi)兩個鑰舟的另一個上，在真空狀態(tài)下加熱放置銀材料的鑰舟，采用相同的方式分別在鎳膜上鍍上銀膜，即可。取50支按本實施例鍍膜方法得 到的晶體片制得的產(chǎn)品，與50支傳統(tǒng)鍍膜方法制得的晶體片制得的產(chǎn)品進行對比，其室溫頻率對比(老化數(shù)據(jù))參見下表
權(quán)利要求
1.一種晶振晶體片的真空鍍膜方法，其特征在于它以硅酸鎵鑭晶體片或者二氧化硅晶體片為載體，采用蒸鍍的方式先在晶體片的正反兩面鍍上鎳材料膜，然后在鎳材料膜上鍍上銀材料膜；蒸鍍時，將晶體片置于分子泵鍍膜機的夾具中，先將鎳材料置于分子泵鍍膜機內(nèi)兩個鑰舟的一個上；啟動分子泵鍍膜機，在真空狀態(tài)下加熱放置鎳材料的鑰舟，至鎳材料升華并鍍至晶體片的一面上形成鎳膜后，翻轉(zhuǎn)夾具，采用相同的方式將鎳材料鍍至晶體片的另一面上；然后重新啟動設(shè)備，再將銀材料置于分子泵鍍膜機內(nèi)兩個鑰舟的另一個上， 在真空狀態(tài)下加熱放置銀材料的鑰舟，采用相同的方式分別在鎳膜上鍍上銀膜，即可。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的晶振晶體片的真空鍍膜方法，其特征在于鍍膜時，分子泵鍍膜機的真空度為I. 3X 10_2 6. 7 X 10_3 Mpa0
全文摘要
本發(fā)明是一種晶振晶體片的真空鍍膜方法，它采用蒸鍍的方式先在晶體片的正反兩面鍍上鎳材料膜，然后在鎳材料膜上鍍上銀材料膜；蒸鍍時，將晶體片置于分子泵鍍膜機的夾具中，先將鎳材料置于分子泵鍍膜機內(nèi)兩個鉬舟的一個上；在真空狀態(tài)下加熱放置鎳材料的鉬舟，至鎳材料升華并鍍至晶體片的一面上形成鎳膜后，翻轉(zhuǎn)夾具，采用相同方式將鎳材料鍍至晶體片的另一面上；再將銀材料置于兩個鉬舟的另一個上，在真空狀態(tài)下加熱放置銀材料的鉬舟，分別在鎳膜上鍍上銀膜。本發(fā)明方法制成的晶體片，鍍膜的耐高溫能力有效地提高，膜的附著力更強，不容易脫落，其老化率降低，延緩老化，使其性能更穩(wěn)定，有效地提高了晶振的合格率和使用壽命，符合環(huán)保要求。
文檔編號C23C14/54GK102618834SQ20121011049
公開日2012年8月1日 申請日期2012年4月16日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月16日
發(fā)明者朱木典 申請人:東?？h海峰電子有限公司