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藍(lán)光led蒸鍍用銦錫氧化物靶的制備方法

文檔序號(hào):3336208閱讀:463來(lái)源:國(guó)知局
專(zhuān)利名稱(chēng):藍(lán)光led蒸鍍用銦錫氧化物靶的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種藍(lán)光LED蒸鍍用銦錫氧化物靶的制備方法。
背景技術(shù)
銦錫氧化物透明導(dǎo)電材料由于具有高導(dǎo)電性和高透過(guò)率的特征,除應(yīng)用于IXD面板外,也廣泛用于藍(lán)光LED芯片的p-GaN上?,F(xiàn)用于藍(lán)光LED上獲得銦錫氧化物膜的銦錫氧化物靶都是采用LCD行業(yè)常規(guī)的銦錫氧化物濺射靶,其本體電阻一般為I. 4X IO-4 Ω ·_,用其通過(guò)濺射獲得的藍(lán)光LED銦錫氧化物膜方塊電阻約為20 30Ω / □,藍(lán)光(450納米左右)透過(guò)率為93%。偏低的導(dǎo)電性和藍(lán)光透過(guò)率影響了藍(lán)光LED的節(jié)能效果。冷等靜壓一燒結(jié)技術(shù)是用于生產(chǎn)銦錫氧化物靶的先進(jìn)技術(shù),一般是將銦錫氧化物復(fù)合粉末,經(jīng)制粒、模壓、冷等靜壓,再在1480 1600°C的高溫?zé)Y(jié)后冷卻得到,采用冷等靜壓 燒結(jié)法降低了銦錫氧化物靶生產(chǎn)成本,但本體電阻并未降低,由此獲得的藍(lán)光LED銦錫氧化物膜的導(dǎo)電性和藍(lán)光透過(guò)率并未得到改善。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明針對(duì)上述不足,提供一種藍(lán)光LED蒸鍍用銦錫氧化物靶的制備方法,該法制備的銦錫氧化物靶具有更高的導(dǎo)電性,用其通過(guò)蒸鍍獲得的銦錫氧化物膜具有更高的導(dǎo)電性和藍(lán)光透過(guò)率。本發(fā)明提供的藍(lán)光LED蒸鍍用銦錫氧化物靶的制備方法,是在目前一般銦錫氧化物靶的常壓燒結(jié)工藝的基礎(chǔ)上,在燒結(jié)后期或燒結(jié)完畢后,再在一定的溫度和氧分壓下進(jìn)行處理,以獲得合理的組織結(jié)構(gòu),從而提高用該銦錫氧化物靶獲得的銦錫氧化物膜的導(dǎo)電性和透過(guò)率。處理方法是將經(jīng)過(guò)一次燒結(jié)得到的銦錫氧化物初靶進(jìn)行二次燒結(jié),燒結(jié)溫度為1450 1480°C,調(diào)整氧分壓至-O. OlMpa -O. 095Mpa,燒結(jié)時(shí)間為2 3小時(shí)。上述二次燒結(jié),可以是將一次燒結(jié)得到的銦錫氧化物初靶降溫到1450 1480°C,調(diào)整氧分壓至-O. OlMpa -O. 095Mpa,保溫2 3小時(shí),進(jìn)行二次燒結(jié)得到銦錫氧化物靶;也可以是將一次燒結(jié)得到的銦錫氧化物初靶降溫到1450 1480°C以下,再升溫到1450 1480°C,調(diào)整氧分壓至-O. OlMpa -O. 095Mpa,保溫2 3小時(shí),進(jìn)行二次燒結(jié)得到銦錫氧化物靶。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn),二次燒結(jié)可以在溫度為1480 °C,氧分壓-O. 05Mpa -O. 095Mpa下進(jìn)行,燒結(jié)時(shí)間為3小時(shí)。作為本發(fā)明的更進(jìn)一步改進(jìn),第二次燒結(jié)時(shí)氧分壓為-O. 095Mpa。本發(fā)明通過(guò)在常規(guī)常壓燒結(jié)后進(jìn)行第二次燒結(jié),第二次燒結(jié)時(shí)通過(guò)采用合適的溫度以及控制燒結(jié)過(guò)程中的氧分壓來(lái)調(diào)節(jié)銦錫氧化物材料的組織結(jié)構(gòu),從而獲得更好的導(dǎo)電性和透過(guò)率。本發(fā)明基于銦錫氧化物材料中氧化錫在氧化銦中的固溶度越高,則材料導(dǎo)電 性越好;用其獲得的銦錫氧化物膜導(dǎo)電性越好、透光率越高的原理。由于氧化錫在氧化銦中的固溶反應(yīng)產(chǎn)生氧氣,降低氧分壓有利于提高氧化錫在氧化銦中的固溶度。故在燒結(jié)致密后在一定的溫度下進(jìn)行真空處理可以提高氧化錫在氧化銦中的固溶度,使得銦錫氧化物靶材料導(dǎo)電性更好,用其獲得的銦錫氧化物膜導(dǎo)電性更好、透過(guò)率更高。因此采用該方法制作的銦錫氧化物靶用在藍(lán)光LED芯片的p-GaN上蒸鍍銦錫氧化物膜,該銦錫氧化物膜具有更高的導(dǎo)電性和更高的藍(lán)光透過(guò)率。
具體實(shí)施例方式實(shí)施例I
選取粒度為O. 2 μ m的氧化銦/氧化錫重量比例為95/5的銦錫氧化物復(fù)合粉末,將銦錫氧化物復(fù)合粉末重量3%的分析純聚乙烯醇加入到去離子水中,加熱溶解后與粉末混合,噴霧制粒、模壓、在大于150MPa下冷等靜壓,再在400°C保溫3小時(shí)脫脂,在1550°C氧氣中常壓燒結(jié)6小時(shí)后,降溫到1480°C,氧分壓-O. 095Mpa下燒結(jié)3小時(shí),冷卻得到密度為7. 11 7. 13g/cm3的銦錫氧化物靶(以下實(shí)施例中銦錫氧化物靶密度相同),本體電阻為8. 02X IO-5 Ω -Cm0該銦錫氧化物靶采用電子束蒸發(fā)技術(shù)用于真空蒸鍍銦錫氧化物膜,在電 子束功率為11%的情況下,經(jīng)退火后制得的銦錫氧化物膜(以下銦錫氧化物膜制備方法同此例)方塊電阻8-9Ω/ □,藍(lán)光透過(guò)率99. 2%。相對(duì)現(xiàn)有銦錫氧化物靶及用現(xiàn)有銦錫氧化物靶獲得的藍(lán)光LED的銦錫氧化物膜,實(shí)施例I獲得的銦錫氧化物靶有更高的導(dǎo)電性,用其蒸鍍的藍(lán)光LED的銦錫氧化物膜有更高的導(dǎo)電性和更高的藍(lán)光透過(guò)率。發(fā)明人還進(jìn)行了以下不同條件實(shí)驗(yàn)(實(shí)驗(yàn)組I 6),實(shí)驗(yàn)參數(shù)和產(chǎn)品性能列表如下
權(quán)利要求
1.一種藍(lán)光LED蒸鍍用銦錫氧化物靶的制備方法,其特征是將經(jīng)過(guò)一次燒結(jié)得到的銦錫氧化物初靶進(jìn)行二次燒結(jié),燒結(jié)溫度為1450 1480°C,調(diào)整氧分壓至-O. OlMpa -O. 095Mpa,燒結(jié)時(shí)間為2 3小時(shí)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述藍(lán)光LED蒸鍍用銦錫氧化物靶的制備方法,其特征是將一次燒結(jié)得到的銦錫氧化物初靶降溫到1450 1480°C,調(diào)整氧分壓至-O. OlMpa -O. 095Mpa,保溫2 3小時(shí),進(jìn)行二次燒結(jié)得到銦錫氧化物靶。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述藍(lán)光LED蒸鍍用銦錫氧化物靶的制備方法,其特征是將一次燒結(jié)得到的銦錫氧化物初靶降溫到1450 1480°C以下,再升溫到1450 1480°C,調(diào)整氧分壓至-O. OlMpa -O. 095Mpa,保溫2 3小時(shí),進(jìn)行二次燒結(jié)得到銦錫氧化物靶。
4.根據(jù)權(quán)利要求I 3之一所述藍(lán)光LED蒸鍍用銦錫氧化物靶的制備方法,其特征在于二次燒結(jié)溫度為1480°C,氧分壓-O. 05Mpa -O. 095Mpa,燒結(jié)時(shí)間3小時(shí)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述藍(lán)光LED蒸鍍用銦錫氧化物靶的制備方法,其特征在于第二次燒結(jié)氧分壓為-O. 095Mpa。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種藍(lán)光LED蒸鍍用銦錫氧化物靶的制備方法。該方法包括如下步驟將經(jīng)過(guò)一次燒結(jié)得到的銦錫氧化物初靶進(jìn)行二次燒結(jié),控制二次燒結(jié)時(shí)的溫度為1450~1480℃,氧分壓-0.01Mpa~-0.095Mpa,燒結(jié)時(shí)間為2~3小時(shí)。本發(fā)明能提高氧化錫在氧化銦中的固溶度,使銦錫氧化物靶導(dǎo)電性更好,將此銦錫氧化物靶用于蒸鍍藍(lán)光LED,獲得的銦錫氧化物膜具有更高的導(dǎo)電性和更高的藍(lán)光透過(guò)率。
文檔編號(hào)C23C14/34GK102650042SQ20121013763
公開(kāi)日2012年8月29日 申請(qǐng)日期2012年5月7日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月7日
發(fā)明者陳明飛 申請(qǐng)人:長(zhǎng)沙壹納光電材料有限公司
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