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一種適用于被動(dòng)元件之雙面覆膜方法

文檔序號(hào):3257540閱讀:170來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:一種適用于被動(dòng)元件之雙面覆膜方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明是關(guān)于一種適用于被動(dòng)元件之雙面覆膜方法。
背景技術(shù)
現(xiàn)有的被動(dòng)元件雙面電極層成膜是于被動(dòng)元件本體的表面上網(wǎng)版印刷銀漿,之后進(jìn)行150到200攝氏度的預(yù)烤,另一面電極層亦使用相同制程,再以高溫爐加熱約800至900攝氏度的高溫?zé)Y(jié)此被動(dòng)元件以確保銀漿附著。然而,使用網(wǎng)版雙面印刷制程耗時(shí)接近一小時(shí),相對(duì)于使用雙面沉積方法而言不僅耗時(shí)費(fèi)工,且成本極高,對(duì)于高溫制程所造成的環(huán)保問(wèn)題也是一大詬病。即現(xiàn)有的網(wǎng)版雙面印刷制程需高溫加熱達(dá)數(shù)十分鐘,不但耗費(fèi)能源且造成環(huán)境溫度升高。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于背景技術(shù)提及的各項(xiàng)問(wèn)題,本發(fā)明提出一種適用于被動(dòng)元件之雙面覆膜方法,以解決現(xiàn)有技術(shù)存在的問(wèn)題。本發(fā)明提出一種適用于被動(dòng)元件之雙面覆膜方法,包括下列步驟:(a)提供一適用于被動(dòng)元件之雙面覆膜設(shè)備,該適用于被動(dòng)元件之雙面覆膜設(shè)備包括:第一低壓腔體;至少一個(gè)空間的制程腔體,第一低壓腔體以及制程腔體之間具有閘門;
`
第二低壓腔體,制程腔體以及第二低壓腔體之間具有閘門;以及,輸送系統(tǒng),輸送系統(tǒng)位于第一低壓腔體、制程腔體、以及第二低壓腔體的內(nèi)部,輸送系統(tǒng)可輸送一待鍍物,使得待鍍物依序通過(guò)第一低壓腔體、制程腔體以及第二低壓腔體,當(dāng)制程腔體包括若干個(gè)空間時(shí),制程腔體的各個(gè)空間分別為第一沉積空間以及第二沉積空間,第一沉積空間以及第二沉積空間彼此連通,待鍍物被傳輸而進(jìn)入制程腔體后,待鍍物依序通過(guò)第一沉積空間以及第二沉積空間,爾后再進(jìn)入第二低壓腔體,第一沉積空間具有單個(gè)或多個(gè)靶材,當(dāng)?shù)谝怀练e空間具有的靶材為多個(gè)時(shí),第一沉積空間的各靶材的材料選擇性地彼此相同或相異,第二沉積空間具有單個(gè)或多個(gè)靶材,當(dāng)?shù)诙练e空間具有的靶材為多個(gè)時(shí),第二沉積空間的各靶材的材料選擇性地彼此相同或相異;(b)使得待鍍物位于輸送系統(tǒng)上; (C)使輸送系統(tǒng)輸送待鍍物至第一低壓腔體;(d)進(jìn)行一抽高真空動(dòng)作以及一加熱動(dòng)作于第一低壓腔體;(e)打開(kāi)第一低壓腔體以及制程腔體之間的閘門,以使輸送系統(tǒng)輸送待鍍物至制程腔體內(nèi)的第一沉積空間,關(guān)閉第一低壓腔體以及制程腔體之間的閘門,再進(jìn)行一沉積制程于待鍍物的單一表面或若干個(gè)第一表面;(f)使輸送系統(tǒng)輸送待鍍物至制程腔體內(nèi)的第二沉積空間,再進(jìn)行另一沉積制程于待鍍物的另一單一表面或若干個(gè)第二表面,另一單一表面與單一表面彼此背對(duì)背對(duì)應(yīng);
(g)打開(kāi)制程腔體以及第二低壓腔體之間的閘門,以使輸送系統(tǒng)輸送已被覆膜的待鍍物至第二低壓腔體;以及,(h)關(guān)閉制程腔體以及第二低壓腔體之間的閘門。其中,該適用于被動(dòng)元件的雙面覆膜設(shè)備還包括:載入腔體;等離子清潔腔體;以及,載出腔體,載入腔體以及等離子清潔腔體的間具有閘門,等離子清潔腔體以及第一低壓腔體之間具有閘門,第二低壓腔體以及載出腔體的間具有閘門,輸送系統(tǒng)位于載入腔體、等離子清潔腔體、第一低壓腔體、制程腔體、第二低壓腔體以及載出腔體的內(nèi)部,輸送系統(tǒng)可輸送待鍍物,使得待鍍物依序通過(guò)載入腔體、等離子清潔腔體、第一低壓腔體、制程腔體、第二低壓腔體以及載出腔體,第一沉積空間及第二沉積空間為輝光放電沉積腔體、蒸鍍腔體、離子鍍腔體、電弧鍍腔體或化學(xué)氣相沈積腔體,第一低壓腔體及第二低壓腔體之壓力系介于10_2托(torr)至10_6托(torr)之間,沉積制程為輝光放電沉積制程、蒸鍍制程、離子鍍制程、電弧鍍制程或化學(xué)氣相沈積制程。其中,步驟(b)還包括送入待鍍物于載入腔體內(nèi),并使得待鍍物位于輸送系統(tǒng)上。其中,步驟(b)以及步驟 (C)之間還包括下列步驟:(i)進(jìn)行一初步抽真空動(dòng)作于載入腔體;(j)打開(kāi)載入腔體以及等離子清潔腔體之間的閘門,以使輸送系統(tǒng)輸送待鍍物至等離子清潔腔體;(k)關(guān)閉載入腔體以及等離子清潔腔體之間的閘門,再進(jìn)行一等離子清潔動(dòng)作于待鍍物;以及,(I)打開(kāi)等離子清潔腔體以及第一低壓腔體之間的閘門。其中,步驟(d)還包括:關(guān)閉等離子清潔腔體以及第一低壓腔體之間的閘門,再進(jìn)行抽高真空動(dòng)作以及加熱動(dòng)作于第一低壓腔體。其中,制程腔體的各空間分別為第一沉積空間、第二沉積空間、第一緩沖空間以及第二緩沖空間,第一緩沖空間、第一沉積空間、第二沉積空間以及第二緩沖空間彼此連通,待鍍物被傳輸而進(jìn)入制程腔體后,待鍍物依序通過(guò)第一緩沖空間、第一沉積空間、第二沉積空間以及第二緩沖空間,爾后再進(jìn)入第二低壓腔體。其中,步驟(e)還包括:使輸送系統(tǒng)輸送待鍍物至制程腔體內(nèi)的第一緩沖空間。其中,步驟(e)以及步驟(f)之間還包括步驟:(m)關(guān)閉第一低壓腔體以及制程腔體之間的閘門,并進(jìn)行第一緩沖動(dòng)作于待鍍物;以及,步驟(f)以及步驟(g)之間還包括步驟:(η)使輸送系統(tǒng)輸送待鍍物至制程腔體內(nèi)的第二緩沖空間,并進(jìn)行第二緩沖動(dòng)作于已被覆膜的待鍍物。其中,第一緩沖動(dòng)作為令待鍍物于原處等待或者調(diào)整輸送系統(tǒng)的傳輸速度,第二緩沖動(dòng)作為令已被覆膜的待鍍物于原處等待或者調(diào)整輸送系統(tǒng)的傳輸速度。其中,步驟(h)之后還包括下列步驟:(O)打開(kāi)第二低壓腔體以及載出腔體之間的閘門,以使輸送系統(tǒng)輸送已被覆膜的待鍍物至載出腔體,再進(jìn)行一通氣體回常壓動(dòng)作于載出腔體;以及,(P)取出載出腔體中已被覆膜的待鍍物。依據(jù)本發(fā)明提供的適用于被動(dòng)元件之雙面覆膜方法,待鍍物于制程腔體內(nèi)即可完成被動(dòng)元件的雙面覆膜之制程。本發(fā)明適用于被動(dòng)元件的雙面覆膜方法無(wú)需反復(fù)地進(jìn)行破真空動(dòng)作、抽真空動(dòng)作或加熱動(dòng)作,進(jìn)一步精簡(jiǎn)了被動(dòng)元件的雙面覆膜之制程周期,進(jìn)而降低了制程之復(fù)雜度以及成本。另外,本發(fā)明的待鍍物是于制程腔體內(nèi)完成被動(dòng)元件的雙面覆膜的制程,亦即進(jìn)行雙面覆膜的制程時(shí),可維持制程腔體內(nèi)的低壓的一致性,待鍍物的雙面覆膜層不易產(chǎn)生彼此的膜特征相異的情形。此外,待鍍物可于第一緩沖空間或第二緩沖空間內(nèi),被進(jìn)行緩沖動(dòng)作,可進(jìn)一步增加進(jìn)行被動(dòng)元件的雙面覆膜之制程時(shí)的流暢度。


圖1為本發(fā)明實(shí)施例的被動(dòng)元件之雙面覆膜設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本發(fā)明實(shí)施例的被動(dòng)元件之雙面覆膜方法之部分步驟示意圖。圖3為本發(fā)明實(shí)施例的被動(dòng)元件之雙面覆膜方法之部分步驟示意圖。圖4為本發(fā)明實(shí)施例的被動(dòng)元件之雙面覆膜方法之部分步驟示意圖。圖中:1:載入腔體、2:等離子清潔腔體、3:第一低壓腔體、4:制程腔體、41:第一緩沖空間、42:第一沉積空間、43:第二沉積空間、44:第二緩沖空間、5:第二低壓腔體、6:載出腔體、7:輸送系統(tǒng)、001:步驟、100 101:步驟、200 201:步驟、300 301:步驟、400 404:步驟、500 501:步驟、600 601:步驟、A:待鍍物、B:革巴材。
具體實(shí)施例方式以下將參照相關(guān) 附圖,說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例提供的被動(dòng)元件之雙面覆膜方法,為使便于理解,下述實(shí)施例中相同元件是以相同的符號(hào)標(biāo)示來(lái)說(shuō)明。首先,如附圖1所示,本實(shí)施例所采用的適用于被動(dòng)元件之雙面覆膜設(shè)備包括載入腔體1、等離子清潔腔體2、第一低壓腔體3、制程腔體4、第二低壓腔體5、載出腔體6以及輸送系統(tǒng)7。載入腔體I以及等離子清潔腔體2之間具有閘門。等離子清潔腔體2以及第一低壓腔體3之間具有閘門。第一低壓腔體3以及制程腔體4之間具有閘門。制程腔體4以及第二低壓腔體5之間具有閘門。第二低壓腔體5以及載出腔體6之間具有閘門。輸送系統(tǒng)7位于載入腔體1、等離子清潔腔體2、第一低壓腔體3、制程腔體4、第二低壓腔體5以及載出腔體6的內(nèi)部。輸送系統(tǒng)7可輸送待鍍物A,使得待鍍物A依序通過(guò)載入腔體1、等離子清潔腔體2、第一低壓腔體3、制程腔體4、第二低壓腔體5以及載出腔體6。前述第一低壓腔體3及第二低壓腔體5之壓力系介于10_2托(torr)至10_6托(torr)之間。制程腔體4包括至少一個(gè)空間。當(dāng)制程腔體包括若干個(gè)空間時(shí),各空間分別為第一緩沖空間41、第一沉積空間42、第二沉積空間43以及第二緩沖空間44。第一緩沖空間41、第一沉積空間42、第二沉積空間43以及第二緩沖空間44彼此連通。待鍍物A被傳輸而進(jìn)入制程腔體4后,待鍍物A依序通過(guò)第一緩沖空間41、第一沉積空間42、第二沉積空間43以及第二緩沖空間44,爾后再進(jìn)入第二低壓腔體5。第一沉積空間42具有單個(gè)或多個(gè)靶材B,當(dāng)?shù)谝怀练e空間42具有的靶材B為多個(gè)時(shí),第一沉積空間42的各靶材B的材料選擇性地彼此相同或相異。同樣地,第二沉積空間43具有單個(gè)或多個(gè)靶材B,當(dāng)?shù)诙练e空間43具有的靶材B為多個(gè)時(shí),第二沉積空間43的各靶材的材料選擇性地彼此相同或相異。前述第一沉積空間42及第二沉積空間43例如為輝光放電沉積腔體、蒸鍍腔體、離子鍍腔體、電弧鍍腔體或化學(xué)氣相沈積腔體。參見(jiàn)圖2、圖3和圖4,本實(shí)施例的適用于被動(dòng)元件之雙面覆膜方法包括下列步驟:步驟001:提供如上的適用于被動(dòng)元件之雙面覆膜設(shè)備。步驟100:送入待鍍物于載入腔體內(nèi),并使得待鍍物位于輸送系統(tǒng)上。步驟101:進(jìn)行初步抽真空動(dòng)作于載入腔體。步驟200:打開(kāi)載入腔體以及等離子清潔腔體之間的閘門,以使輸送系統(tǒng)輸送待鍍物至等離子清潔腔體。步驟201:關(guān)閉載入腔體以及等離子清潔腔體之間的閘門,再進(jìn)行等離子清潔動(dòng)作于待鍍物的表面。步驟300:打開(kāi)等離子清潔腔體以及第一低壓腔體之間的閘門,以使輸送系統(tǒng)輸送待鍍物至第一低壓腔體。步驟301:關(guān)閉等離子清潔腔體以及第一低壓腔體之間的閘門,再進(jìn)行抽高真空動(dòng)作以及加熱動(dòng)作于第一低壓腔體。步驟400:打 開(kāi)第一低壓腔體以及制程腔體之間的閘門,以使輸送系統(tǒng)輸送待鍍物至制程腔體內(nèi)的第一緩沖空間。步驟401:關(guān)閉第一低壓腔體以及制程腔體之間的閘門并進(jìn)行緩沖動(dòng)作于待鍍物。前述緩沖動(dòng)作例如為令待鍍物于原處等待或者調(diào)整輸送系統(tǒng)的傳輸速度。步驟402:使輸送系統(tǒng)輸送待鍍物至制程腔體內(nèi)的第一沉積空間,再進(jìn)行沉積制程于待鍍物的單一表面或多個(gè)表面。前述沉積制程例如為輝光放電沉積制程、蒸鍍制程、離子鍍制程、電弧鍍制程或化學(xué)氣相沈積制程。步驟403:使輸送系統(tǒng)輸送待鍍物至制程腔體內(nèi)的第二沉積空間,再進(jìn)行沉積制程于待鍍物的另一單一表面或多個(gè)表面。該另一單一表面與步驟402中單一表面彼此背對(duì)背對(duì)應(yīng)。前述沉積制程例如為輝光放電沉積制程、蒸鍍制程、離子鍍制程、電弧鍍制程或化學(xué)氣相沈積制程。步驟404:使輸送系統(tǒng)輸送待鍍物至制程腔體內(nèi)的第二緩沖空間,并進(jìn)行緩沖動(dòng)作于已被覆膜的待鍍物。前述緩沖動(dòng)作例如為令已被覆膜的待鍍物于原處等待或者調(diào)整輸送系統(tǒng)的傳輸速度。步驟500:打開(kāi)制程腔體以及第二低壓腔體之間的閘門,以使輸送系統(tǒng)輸送已被覆膜的待鍍物至第二低壓腔體。步驟501:關(guān)閉制程腔體以及第二低壓腔體之間的閘門。步驟600:打開(kāi)第二低壓腔體以及載出腔體之間的閘門,以使輸送系統(tǒng)輸送已被覆膜的待鍍物至載出腔體,再進(jìn)行破真空動(dòng)作于載出腔體。前述第一沉積空間及第二沉積空間例如為輝光放電沉積腔體、蒸鍍腔體、離子鍍腔體、電弧鍍腔體或化學(xué)氣相沈積腔體。步驟601:取出載出腔體中已被覆膜的待鍍物。需特別說(shuō)明,本發(fā)明實(shí)施例的被動(dòng)元件是指應(yīng)用于微小待鍍物的被動(dòng)元件,例如為陶瓷電容、突波吸收器、熱敏電阻等被動(dòng)元件。由于并非本發(fā)明的要點(diǎn)所在,故于此不再贅述。綜上,本發(fā)明提供的適用于被動(dòng)元件的雙面覆膜方法至少具有下述優(yōu)點(diǎn):1.精簡(jiǎn)了被動(dòng)元件的雙面覆膜的制程周期,進(jìn)而降低了被動(dòng)元件制程的復(fù)雜度以及成本:依據(jù)本發(fā)明的整體設(shè)計(jì),待鍍物于制程腔體內(nèi)即可完成被動(dòng)元件的雙面覆膜的制程。因此,無(wú)需于待鍍物進(jìn)行單面覆膜完畢后,先在載出腔體內(nèi)進(jìn)行通氣體回常壓動(dòng)作以將待鍍物取出,將待鍍物翻面,再將待鍍物重新置入制程腔體,并重新加熱及抽真空。亦即本發(fā)明無(wú)需反復(fù)地進(jìn)行破·真空動(dòng)作、抽真空動(dòng)作或加熱動(dòng)作,進(jìn)一步精簡(jiǎn)了被動(dòng)元件的雙面覆膜的制程周期,進(jìn)而降低了被動(dòng)元件的雙面覆膜制程的復(fù)雜度以及成本。2.進(jìn)行被動(dòng)元件的雙面覆膜的制程時(shí),可維持制程腔體內(nèi)的低壓的一致性:本發(fā)明的待鍍物是于制程腔體內(nèi)完成被動(dòng)元件的雙面覆膜的制程,亦即進(jìn)行被動(dòng)元件雙面覆膜的制程時(shí),可維持制程腔體內(nèi)的低壓的一致性,待鍍物的雙面覆膜層不易產(chǎn)生彼此的膜特征相異的情形。3.可增加進(jìn)行雙面覆膜的制程時(shí)的流暢度:待鍍物可于第一緩沖空間或第二緩沖空間內(nèi),被進(jìn)行緩沖動(dòng)作。例如已被覆膜的待鍍物于原處等待或者調(diào)整輸送系統(tǒng)的傳輸速度。如此一來(lái),可增加進(jìn)行雙面覆膜的制程時(shí)的流暢度。4.本發(fā)明降低了能源損耗,節(jié)能又環(huán)保:本發(fā)明提供的適用于被動(dòng)元件的雙面覆膜方法無(wú)需高溫加熱,可降低能源損耗,節(jié)能又環(huán)保。以上僅為舉例性,而非為限制性實(shí)施例。任何未脫離本發(fā)明的精神與范疇,而對(duì)其進(jìn)行的等效修改或變更,均應(yīng)包含于本申請(qǐng)專利范圍中。
權(quán)利要求
1.一種適用于被動(dòng)元件之雙面覆膜方法,其特征在于,包括下列步驟: (a)提供一適用于被動(dòng)元件之雙面覆膜設(shè)備,該適用于被動(dòng)元件之雙面覆膜設(shè)備包括: 第一低壓腔體; 至少一個(gè)空間的制程腔體,第一低壓腔體以及制程腔體之間具有閘門; 第二低壓腔體,制程腔體以及第二低壓腔體之間具有閘門;以及, 輸送系統(tǒng),輸送系統(tǒng)位于第一低壓腔體、制程腔體、以及第二低壓腔體的內(nèi)部,輸送系統(tǒng)可輸送一待鍍物,使得待鍍物依序通過(guò)第一低壓腔體、制程腔體以及第二低壓腔體,當(dāng)制程腔體包括若干個(gè)空間時(shí),制程腔體的各個(gè)空間分別為第一沉積空間以及第二沉積空間,第一沉積空間以及第二沉積空間彼此連通,待鍍物被傳輸而進(jìn)入制程腔體后,待鍍物依序通過(guò)第一沉積空間以及第二沉積空間,爾后再進(jìn)入第二低壓腔體,第一沉積空間具有單個(gè)或多個(gè)靶材,當(dāng)?shù)谝怀练e空間具有的靶材為多個(gè)時(shí),第一沉積空間的各靶材的材料選擇性地彼此相同或相異,第二沉積空間具有單個(gè)或多個(gè)祀材,當(dāng)?shù)诙练e空間具有的靶材為多個(gè)時(shí),第二沉積空間的各靶材的材料選擇性地彼此相同或相異; (b)使得待鍍物位于輸送系統(tǒng)上; (C)使輸送系統(tǒng)輸送待鍍物至第一低壓腔體; (d)進(jìn)行一抽高真空動(dòng) 作以及一加熱動(dòng)作于第一低壓腔體; (e)打開(kāi)第一低壓腔體以及制程腔體之間的閘門,以使輸送系統(tǒng)輸送待鍍物至制程腔體內(nèi)的第一沉積空間,關(guān)閉第一低壓腔體以及制程腔體之間的閘門,再進(jìn)行一沉積制程于待鍍物的單一表面或若干個(gè)第一表面; (f)使輸送系統(tǒng)輸送待鍍物至制程腔體內(nèi)的第二沉積空間,再進(jìn)行另一沉積制程于待鍍物的另一單一表面或若干個(gè)第二表面,另一單一表面與單一表面彼此背對(duì)背對(duì)應(yīng); (g)打開(kāi)制程腔體以及第二低壓腔體之間的閘門,以使輸送系統(tǒng)輸送已被覆膜的待鍍物至第二低壓腔體;以及 (h)關(guān)閉制程腔體以及第二低壓腔體之間的閘門。
2.如權(quán)利要求1所述的適用于被動(dòng)元件之雙面覆膜方法,其特征在于,其中適用于被動(dòng)元件的雙面覆膜設(shè)備還包括: 載入腔體; 等離子清潔腔體;以及, 載出腔體,載入腔體以及等離子清潔腔體的間具有閘門,等離子清潔腔體以及第一低壓腔體之間具有閘門,第二低壓腔體以及載出腔體之間具有閘門,輸送系統(tǒng)位于載入腔體、等離子清潔腔體、第一低壓腔體、制程腔體、第二低壓腔體以及載出腔體的內(nèi)部,輸送系統(tǒng)可輸送待鍍物,使得待鍍物依序通過(guò)載入腔體、等離子清潔腔體、第一低壓腔體、制程腔體、第二低壓腔體以及載出腔體,第一沉積空間及第二沉積空間為輝光放電沉積腔體、蒸鍍腔體、離子鍍腔體、電弧鍍腔體或化學(xué)氣相沈積腔體,第一低壓腔體及第二低壓腔體之壓力系介于10_2托至10_6托之間,沉積制程為輝光放電沉積制程、蒸鍍制程、離子鍍制程、電弧鍍制程或化學(xué)氣相沈積制程。
3.如權(quán)利要求2所述的適用于被動(dòng)元件之雙面覆膜方法,其特征在于,步驟(b)還包括:送入待鍍物于載入腔體內(nèi),并使得待鍍物位于輸送系統(tǒng)上。
4.如權(quán)利要求3所述的適用于被動(dòng)元件之雙面覆膜方法,其特征在于,步驟(b)以及步驟(c)之間還包括下列步驟: (i)進(jìn)行一初步抽真空動(dòng)作于載入腔體; U)打開(kāi)載入腔體以及等離子清潔腔體之間的閘門,以使輸送系統(tǒng)輸送待鍍物至等離子清潔腔體; (k)關(guān)閉載入腔體以及等離子清潔腔體之間的閘門,再進(jìn)行一等離子清潔動(dòng)作于待鍍物;以及, (I)打開(kāi)等離子清潔腔體以及第一低壓腔體之間的閘門。
5.如權(quán)利要求4所述的適用于被動(dòng)元件之雙面覆膜方法,其特征在于,步驟(d)還包括: 關(guān)閉等離子清潔腔體以及第一 低壓腔體之間的閘門,再進(jìn)行抽高真空動(dòng)作以及加熱動(dòng)作于第一低壓腔體。
6.如權(quán)利要求2所述的適用于被動(dòng)元件之雙面覆膜方法,其特征在于,其中制程腔體的各空間分別為第一沉積空間、第二沉積空間、第一緩沖空間以及第二緩沖空間,第一緩沖空間、第一沉積空間、第二沉積空間以及第二緩沖空間彼此連通,待鍍物被傳輸而進(jìn)入制程腔體后,待鍍物依序通過(guò)第一緩沖空間、第一沉積空間、第二沉積空間以及第二緩沖空間,爾后再進(jìn)入第二低壓腔體。
7.如權(quán)利要求6所述的適用于被動(dòng)元件之雙面覆膜方法,其特征在于,步驟(e)還包括: 使輸送系統(tǒng)輸送待鍍物至制程腔體內(nèi)的第一緩沖空間。
8.如權(quán)利要求7所述的適用于被動(dòng)元件之雙面覆膜方法,其特征在于,步驟(e)以及步驟(f)之間還包括步驟: (m)關(guān)閉第一低壓腔體以及制程腔體之間的閘門,并進(jìn)行第一緩沖動(dòng)作于待鍍物;以及, 步驟(f)以及步驟(g)之間還包括步驟: (η)使輸送系統(tǒng)輸送待鍍物至制程腔體內(nèi)的第二緩沖空間,并進(jìn)行第二緩沖動(dòng)作于已被覆膜的待鍍物。
9.如權(quán)利要求8所述的適用于被動(dòng)元件之雙面覆膜方法,其特征在于,其中第一緩沖動(dòng)作為令待鍍物于原處等待或者調(diào)整輸送系統(tǒng)的傳輸速度,第二緩沖動(dòng)作為令已被覆膜的待鍍物于原處等待或者調(diào)整輸送系統(tǒng)的傳輸速度。
10.如權(quán)利要求9所述的適用于被動(dòng)元件之雙面覆膜方法,其特征在于,步驟(h)之后還包括下列步驟: (O)打開(kāi)第二低壓腔體以及載出腔體之間的閘門,以使輸送系統(tǒng)輸送已被覆膜的待鍍物至載出腔體,再進(jìn)行一通氣體回常壓動(dòng)作于載出腔體;以及, (P)取出載出腔體中已被覆膜的待鍍物。
全文摘要
本發(fā)明提供一種適用于被動(dòng)元件之雙面覆膜方法,主要包括下列步驟提供一適用于被動(dòng)元件的雙面覆膜設(shè)備;使輸送系統(tǒng)輸送待鍍物至制程腔體內(nèi)的第一沉積空間,進(jìn)行一沉積制程于待鍍物的單一表面或多個(gè)表面;使輸送系統(tǒng)輸送待鍍物至制程腔體內(nèi)的第二沉積空間,再進(jìn)行另一沉積制程于待鍍物的另一單一表面或多個(gè)表面。本發(fā)明降低了制程的復(fù)雜度以及成本,更可維持制程腔體內(nèi)的低壓的一致性。本發(fā)明可進(jìn)一步增加進(jìn)行雙面覆膜的制程時(shí)的流暢度。
文檔編號(hào)C23C14/56GK103160787SQ201210138370
公開(kāi)日2013年6月19日 申請(qǐng)日期2012年5月7日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月19日
發(fā)明者李智淵, 蔡碩文, 黃耀賢, 蔡俊毅 申請(qǐng)人:鉅永真空科技股份有限公司
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