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坩堝裝置、坩堝裝置控制方法、膜厚測量裝置及包含它的薄膜沉積設備的制作方法

文檔序號:3258167閱讀:107來源:國知局
專利名稱:坩堝裝置、坩堝裝置控制方法、膜厚測量裝置及包含它的薄膜沉積設備的制作方法
技術領域
本發(fā)明涉及一種供應薄膜沉積時所需要的有機物質的坩堝裝置、控制該坩堝裝置的方法、測量所沉積薄膜厚度的裝置及包含它的薄膜沉積設備。
背景技術
有機發(fā)光二極管(0LED organic light emitting diode)是一種利用突光性有機化合物上通電流后發(fā)光的電致發(fā)光現(xiàn)象來發(fā)光的自身發(fā)光型有機物質?;谠撚袡C發(fā)光二極管的顯示器(Display)可以在較低的電壓驅動、可制成較薄形狀、具有較寬的視角與較快的響應速度,因此與一般IXD(liquid crystal display)不同地,即使在旁邊觀看也不會出現(xiàn)畫質變化,畫面上也不會出現(xiàn)殘像。而且,在小型屏幕方面,由于具有超過IXD的畫質 及單純的制造工藝而擁有價格競爭力,因此被視為新一代顯示元件而備受矚目。利用有機發(fā)光二極管制造移動通信終端用顯示器或電視等產品時需要使用薄膜沉積設備。薄膜沉積設備是一種制造有機發(fā)光二極管的重要設備之一,其在基板沉積有機物質而形成薄膜。圖I是一般薄膜沉積設備的結構概略圖。如圖I所示,薄膜沉積設備包括腔室(chamber) 910,基板905 (以下將省略圖形標記)位于腔室910的上部空間,為了在基板905上沉積薄膜而供應有機物質的坩堝裝置(請參考圖形標記920、930)則配置在腔室910的下部空間。坩堝裝置包括內部裝載有機物質的坩堝920及纏繞在坩堝920整體外周的電熱線930。憑借電熱線930加熱坩堝920時裝在坩堝920里的有機物質將蒸發(fā)。這樣蒸發(fā)的有機物質通過坩堝920上的噴射手段被放出而上升,從而到達位于腔室910的上部空間的基板并沉積而在基板上形成薄膜。電熱線930對整體坩堝920加熱,在薄膜沉積工序中沒有蒸發(fā)而留在坩堝920的一部分有機物質從工序初期開始繼續(xù)暴露于電熱線930的高熱,坩堝920因為有機物質蒸發(fā)而空出來的上部被電熱線930的熱量不必要地繼續(xù)加熱。不必要地長時間暴露于高熱的有機物質會因為熱分解之類的原因而變性,可能無法作為有機薄膜材料使用。而且,在薄膜沉積工序中對整體坩堝920持續(xù)加熱時在能量效率方面屬于非常沒有效率的方法。另外,腔室910的內部可以具備膜厚測量裝置,其能夠測量從坩堝920的有機物質蒸發(fā)量而算出沉積在基板上的薄膜厚度(把所蒸發(fā)的有機物質量換算成所沉積的薄膜厚度)。大韓民國注冊實用新型第0218573號記載了膜厚測量裝置,其包括膜厚測量儀(film thickness monitor),在監(jiān)視頭(monitor head)上安裝有晶體傳感器(crystalsensor);格子(grid),具有網狀結構,在膜厚測量儀的前面遮蔽所蒸發(fā)的一部分有機物質而減少沉積到晶體傳感器上的有機物質;格子支撐架,支持格子。
前述大韓民國注冊實用新型第0218573號所記載的膜厚測量裝置在測量初期雖然可以憑借格子(grid)遮蔽一部分有機物質并測量膜厚度,之后卻隨著時間的經過而在格子上積累有機物質而可能堵塞網狀結構的格子,從而讓膜厚測量不準確或者無法測量。

發(fā)明內容
本發(fā)明提供一種可以把坩堝所裝載的有機物質有效地加熱、蒸發(fā)的坩堝裝置及其控制方法、以及包含它的薄膜沉積設備。而且,本發(fā)明還提供一種可以提高膜厚測量的可靠性的膜厚測量裝置及包含它的薄膜沉積設備。本發(fā)明需要解決的課題不限于上述課題,一般技術人員(在本發(fā)明所屬技術領域中具有通常知識者)可以從下列記載內容中明確地理解所沒有提及的其它課題。本發(fā)明實施例的坩堝裝置包括坩堝,內部裝載有機物質;升降式加熱單元,能夠沿著上下方向移動地配置在上述坩堝上并且一邊移動一邊供熱讓有機物質蒸發(fā);驅動單 元,驅使上述升降式加熱單元移動。本發(fā)明實施例的坩堝裝置還包括控制單元,其控制上述驅動單元以便讓上述升降式加熱單元隨著上述坩堝所裝載有機物質的量而移動。本發(fā)明實施例的坩堝裝置還包括冷卻上述坩堝內部有機物質的冷卻單元。而且,上述冷卻單元能夠與上述升降式加熱單元一起移動地配置在上述升降式加熱單元的下部。上述控制單元包括檢測傳感器,檢測上述坩堝內部的有機物質量;控制部,根據來自上述檢測傳感器的檢測信號而控制上述驅動單元的運轉?;蛘撸鲜隹刂茊卧z測傳感器,檢測來自上述坩堝的有機物質蒸發(fā)量;控制部,根據來自上述檢測傳感器的檢測信號而控制上述驅動單元的運轉。上述升降式加熱單元由上下方向配置的多個單位加熱單元構成,上述單位加熱單元能夠各自調節(jié)加熱溫度。上述升降式加熱單元在插入上述坩堝外周的狀態(tài)下進行上下移動,上述升降式加熱單元上的加熱源中至少一部分位于距上述坩堝外周的間隔位置不同的間隔位置。上述升降式加熱單元的上部還具備有和上述升降式加熱單元一起移動的輔助加熱單元。上述輔助加熱單元供熱以使得從上述坩堝蒸發(fā)的有機物質維持氣體狀態(tài)。本發(fā)明實施例的坩堝裝置包括坩堝,內部裝載有機物質;多個固定式加熱單元,在上述坩堝上沿著上下方向互相隔離地配置并且供熱讓有機物質蒸發(fā);控制單元,根據上述坩堝所裝載有機物質的量而選擇性地打開(on)、關閉(off)上述固定式加熱單元。前述坩堝裝置還包括冷卻上述坩堝所裝載有機物質的冷卻單元。上述固定式加熱單元具有各自圍繞上述坩堝的外周的結構,其加熱溫度由上述控制單元各自調節(jié)。而且,在上述固定式加熱單元之間各自配置著能夠防止上述相鄰固定式加熱單元之間的熱干涉的隔熱構件。本發(fā)明實施例的坩堝裝置還包括為上述坩堝供應有機物質的供應單元。而且,上述控制單元控制上述供應單元以便讓上述供應單元根據上述坩堝所裝載有機物質的量而為上述坩堝供應有機物質。上述坩堝具有凹凸結構以增加與內部所裝載有機物質之間的接觸面積。
本發(fā)明實施例的坩堝裝置控制方法包括下列步驟驅使能夠沿著上下方向移動地配置在坩堝上的升降式加熱單元移動到預先設定的高度;隨著上述坩堝所裝載有機物質蒸發(fā)導致有機物質量減少而驅使上述移動后的升降式加熱單元下降。本發(fā)明實施例的坩堝裝置控制方法包括下列步驟隨著上述坩堝所裝載有機物質的量而讓能夠沿著上下方向移動地配置在坩堝上的升降式加熱單元移動到預先設定的高度;隨著上述坩堝所裝載有機物質蒸發(fā)導致有機物質量減少而驅使上述移動后的升降式加熱單元下降。驅使上述移動后的升降式加熱單元下降的步驟可以通過下列方式實現(xiàn),從上述坩堝的有機物質蒸發(fā)量低于預定的設定量時按照預定距離驅使上述加熱單元下降。本發(fā)明實施例的坩堝裝置控制方法包括下列步驟把在上下方向互相隔離地配置于坩堝的多個固定式加熱單元全部打開(on);隨著上述坩堝所裝載有機物質蒸發(fā)導致有機物質量減少而依次關閉(off)上述固定式加熱單元。 在此,上述固定式加熱單元的數量為3個以上,在打開上述固定式加熱單元的步驟中,最上側的固定式加熱單元維持在有機物質蒸發(fā)溫度,位于相對下側的固定式加熱單元們維持在有機物質預熱溫度。而且,還包括下列步驟,上述固定式加熱單元被關閉時,把鄰接該關閉的固定式加熱單元的下側固定式加熱單元從有機物質預熱溫度轉換到有機物質蒸發(fā)溫度的過程持續(xù)到位于最下側的固定式加熱單元轉換到有機物質蒸發(fā)溫度為止。本發(fā)明實施例的坩堝裝置控制方法包括下列步驟隨著上述坩堝所裝載有機物質蒸發(fā)導致有機物質的量減少而依次打開在上下方向互相隔離地配置于坩堝的多個固定式加熱單元;隨著上述坩堝所裝載有機物質蒸發(fā)導致有機物質的量減少而依次關閉上述處于打開狀態(tài)的固定式加熱單元。本發(fā)明實施例的膜厚測量裝置包括膜厚測量儀,根據從坩堝蒸發(fā)的有機物質的狀態(tài)而算出沉積到沉積對象的薄膜的厚度;導引罩,形成為筒形,連接到上述膜厚測量儀以便把上述坩堝所蒸發(fā)的有機物質的一部分導引到上述膜厚測量儀側。本發(fā)明實施例的膜厚測量裝置還包括對上述導弓I罩加熱的罩加熱單元。上述導引罩包括固定部,安裝在上述膜厚測量儀的本體;導引部,在上述固定部的前面以筒形結構較長地連接并導弓I蒸發(fā)物質流入。本發(fā)明實施例的薄膜沉積設備包括沉積室,具備沉積空間;基板支撐裝置,在上述沉積空間上部支持基板;上述坩堝裝置,在上述沉積空間下部為了在上述基板支撐裝置所支持的基板上沉積薄膜而供應有機物質。本發(fā)明實施例的薄膜沉積設備包括沉積室,具備沉積空間;基板支撐裝置,在上述沉積空間上部支持基板;坩堝裝置,在上述沉積空間下部為了在上述基板支撐裝置所支持的基板上沉積薄膜而供應有機物質;上述膜厚測量裝置,在上述沉積空間配置于上述被支持的基板與上述坩堝裝置之間并且測量沉積在基板上的薄膜的厚度。如前所述的本發(fā)明主要課題的解決手段將通過下面說明的實施例(具體實施方式
)或附圖等得到更具體的闡述而得以明確化,下面也將進一步提出上述本發(fā)明主要課題解決手段之外的各種課題的解決手段。本發(fā)明可以大幅提升對于作為有機薄膜材料的有機物質加熱蒸發(fā)的工藝效率性。亦即,本發(fā)明可以發(fā)揮出節(jié)能、作業(yè)性提升、有機物質損失大幅減少等優(yōu)點。
而且,本發(fā)明在測量所沉積的薄膜的厚度時即使長時間使用也能維持測量的可靠性,不必停止薄膜沉積工序也能連續(xù)進行,還能大幅提升工藝效率性。


圖I是一般薄膜沉積設備的構成圖。圖2是本發(fā)明第一實施例的薄膜沉積設備的構成圖。圖3是圖2所示坩堝裝置的分解立體圖。圖4及圖5是圖3所示噴射孔開閉單元的動作立體圖。圖6是控制圖3所示加熱器(加熱單元)驅動單元的運轉的控制單元方塊圖。圖7是圖3所示加熱單元的下降狀態(tài)立體圖。 圖8是圖2所示膜厚測量裝置的分解立體圖。圖9是圖8所示導引罩的剖視圖。圖10到圖12是圖9所示導引罩的各種變形例的剖視圖。圖13與圖14是本發(fā)明第二實施例的薄膜沉積設備的主要部分立體圖。圖15是控制圖13與圖14所示加熱器(加熱單元)的運轉的控制單元的方塊圖。圖16到圖18是圖15所示控制單元對加熱器(加熱單元)的控制過程的剖視圖。圖19是本發(fā)明第三實施例的薄膜沉積設備的主要部分方塊圖。圖20是本發(fā)明第四實施例的薄膜沉積設備的主要部分構成圖。圖21是控制圖20所示加熱器(加熱單元)驅動單元與有機物質供應泵的控制單元的方塊圖。圖22到圖24是圖21所示控制單元控制加熱器(加熱單元)下降過程的構成圖。圖25是本發(fā)明第五實施例的薄膜沉積設備的主要部分構成圖。圖26是本發(fā)明第六實施例的薄膜沉積設備的主要部分構成圖。附圖標記I :基板2 :沉積室3 :基板支撐裝置4 :坩堝裝置4C :坩堝4F :有機物質供應單元4H:坩堝加熱手段4R:坩堝冷卻單元7 :膜厚測量裝置22 :沉積空間45、45-1、45-2、45-3、45_4 :坩堝加熱單元(加熱器)46,46-1 :加熱器驅動單元 47、47_1 :控制單元48:隔熱構件71 :膜厚測量儀72 :本體73 :晶體傳感器75:導引罩79:罩加熱單元
具體實施例方式下面結合附圖詳細說明本發(fā)明的較佳實施例。作為參考,為了說明本發(fā)明而參考的圖形上所圖示的構成要素的大小或線寬會稍微夸張地表示以便容易理解。而且,說明本發(fā)明時所使用的術語是考慮到其在本發(fā)明中的功能而定義的,因此會根據使用者、運行者意圖及慣例等而有所不同。因此,術語應該以本說明書的整體內容為基礎進行定義。圖2是本發(fā)明第一實施例的薄膜沉積設備的結構概略圖。如圖2所示,本發(fā)明第一實施例的薄膜沉積設備包括沉積室2,內部具備有能夠和外部屏蔽的沉積空間22 ;基板支撐裝置3與坩堝裝置4,各自配置在作為沉積室2內部空間的沉積空間22的上部與下部。沉積室2的墻體上具備有基板出入口 24,其能夠把基板I (以下將省略圖形標記)搬入沉積空間22的上部,也能把搬入的基板搬出?;宄鋈肟?24由出入口開閉裝置5進行開閉。由出入口開閉裝置5開閉的基板出入口 24可以是一個,也可以是相向的兩個。雖然沒有圖示,但沉積空間22可以憑借排氣裝 置形成真空氛圍。基板支撐裝置3在沉積空間22支持基板,坩堝裝置4在沉積空間22的下部為了在基板支撐裝置3所支持的基板上沉積薄膜而供應有機物質?;逯窝b置3以基板的沉積面(形成薄膜沉積的面)朝向坩堝裝置4并暴露的方式支持基板。坩堝裝置4包括坩堝4C與坩堝加熱手段4H。坩堝4C的內部裝載有機物質,坩堝加熱手段4H則供應坩堝4C里所裝載的有機物質蒸發(fā)時所需要的熱。較佳地,基于坩堝加熱手段4H的有機物質蒸發(fā)不采取直接對有機物質加熱的加熱方式而采取對坩堝4C加熱的方式。通過坩堝加熱手段4H從坩堝4C蒸發(fā)排放而上升的有機物質到達基板后沉積并且在基板的沉積面形成薄膜。圖形標記6是擋板(shutter),其能夠在基板支撐裝置3與坩堝裝置4之間遮蔽從坩堝4C朝基板側上升的有機物質的移動路徑或者解除該遮蔽狀態(tài)。擋板6在薄膜沉積工序中能夠維持有機物質移動路徑的遮蔽被解除的狀態(tài),薄膜沉積工序完畢或停止時遮蔽有機物質移動路徑而得以防止基板上繼續(xù)沉積有機物質。圖形標記7是膜厚測量裝置,其能夠在薄膜沉積工序測量沉積在基板的沉積面上的薄膜厚度。膜厚測量裝置7以不會與擋板6發(fā)生干涉地配置在支撐裝置3與坩堝裝置4之間。作為一例,膜厚測量裝置7可以安裝在沉積室2的墻體。下面結合圖3到圖7詳細說明坩堝裝置4。圖3是圖示有坩堝裝置4的立體圖,如圖3所示,坩堝4C包括坩堝本體41,較長地朝旁形成并具有容器狀結構,其上部開放;坩堝蓋42,能夠把坩堝本體41中開放的上部
加以覆蓋。坩堝本體41包括平坦地形成的底板41A及沿著底板41A的邊緣部分豎立的墻體。墻體分成4個墻,即前墻41B與后墻41C及左墻41D與右墻41E。以墻體41B、41C、41D、41E全部垂直地豎立等方式讓相對于坩堝本體41外周的平截面被維持在一定形狀。在朝向旁邊的、較長的前墻41B與后墻41C的兩端側分別連接左墻41D及右墻41E。前、后墻41B,41C具有直線部411與曲線部412互相交替地連續(xù)的形狀。前墻41B的直線部411及曲線部412與后墻41C的直線部411及曲線部412互相相向而對稱地配置。前墻41B與后墻41C的曲線部412朝外側凸出地形成,該外側是互相相向的內側的相反側。左、右墻41D、41E也和曲線部412 —樣地朝外側凸出而形成彎曲形狀。根據具有該形狀的墻體41B、41C、41D、41E,坩堝本體41的平截面具有大略呈啞鈴形狀的凹凸結構,與沒有該凹凸結構而單純地維持平坦形狀的情形相比較時,由于和裝載于內部的有機物質的接觸面積增加而可以大幅縮短基于坩堝加熱手段4H的有機物質蒸發(fā)時間。對于前述坩堝本體41,圖形上雖然只圖示了前、后墻41B、41C的直線部411各為3個的情形,但直線部411及從直線部411延伸的曲線部412的數量可以根據實施條件而適當地增減。而且,只要能讓坩堝本體41的平截面維持一定,坩堝本體41的凹凸結構可以不限于啞鈴型而實現(xiàn)各種變形。而且,坩堝本體41的凹凸結構可以不適用于墻體41B、41C、41D、41E而適用于底板41A,也可以同時適用于底板41A與墻體41B、41C、41D、41E。較佳地,坩堝蓋42形成對應于坩堝本體41的平截面的形狀。坩堝蓋42上形成有作為噴射手段的一個或多個有機物質噴射孔421,其能夠把坩堝加熱手段4H所蒸發(fā)的有機物質噴射到基板支撐裝置3所支持的基板。有機物質噴射孔421由線形(linear)孔422與多個點型(point type)孔423構成,線形(linear)孔422由朝旁邊(坩堝蓋42的長度方向)較長地形成的直線形間隙(slit)構成,點型(point type)孔423在線型孔422上沿著線型孔422的長度方向互相隔離地按照一定間隔(較佳地,采取等間隔)配置。此時,多個點型孔423以能夠在形成地點擴大線型孔422寬度的圓形尺寸形成。亦即,點型孔423的直徑大于線型孔422的寬度。坩堝蓋42由于具備了前述線形及點型孔422、423所構成的組合型有機物質噴射孔421而得以兼具噴嘴作用,其可以憑借線型孔422向基板線形地均勻噴射有機物質,憑借 點型孔423向基板局部地集中噴射有機物質,因此能夠根據薄膜沉積工序條件而靈活地調整薄膜的均勻度。對于有機物質噴射孔421,圖形上雖然只圖示了 4個點型孔423,但點型孔423的數量可能根據實施條件而適當地增減。而且,最外側的兩個點型孔423雖然圖示為分別配置在線型孔422的兩端,但最外側點型孔423的位置可以在線型孔422上從線型孔422的
兩端隔離一段距離。坩堝裝置4還包括線型孔開閉單元43與點型孔開閉單元44。線型孔開閉單元43包括線型孔蓋431,其在坩堝蓋42前后中的一側通過鉸鏈432以能夠在前后方向旋轉地連接并且隨著旋轉方向而覆蓋坩堝蓋42的上部或解除覆蓋狀態(tài);點型孔開閉單元44則包括點型孔蓋441,其在坩堝蓋42前后中的另一側通過鉸鏈442以能夠在前后方向旋轉地連接并且隨著旋轉方向而覆蓋坩堝蓋42的上部或解除覆蓋狀態(tài)。線型孔蓋431具備有可以在覆蓋坩堝蓋42時分別與多個點型孔423維持一致的輔助點型孔433,點型孔蓋441具備有可以在覆蓋坩堝蓋42時雖然不與點型孔423 —致卻與線型孔422 —致的輔助線型孔443。當然,較佳地,輔助點型孔433及輔助線型孔443的形狀與所一致的點型孔423及線型孔422對應。圖4與圖5是圖示了噴射孔開閉單元(亦即,線型孔開閉單元43與點型孔開閉單元44)的動作立體圖。如圖4所示,關閉線型孔蓋431而覆蓋坩堝蓋42時,線型孔422被線型孔蓋431封閉而多個點型孔423則由輔助點型孔433維持開放狀態(tài),被蒸發(fā)的有機物質將通過開放的多個點型孔423噴射。與此相反的是,如圖5所示,覆蓋了坩堝蓋42的線型孔蓋431被打開而點型孔蓋441被關閉并且以點型孔蓋441覆蓋坩堝蓋42時,多個點型孔423被點型孔蓋441封閉而線型孔422則由輔助線型孔443維持開放狀態(tài),被蒸發(fā)的有機物質將通過開放的線型孔422噴射。如前所述,利用線型孔及點型孔開閉單元43、44就能在薄膜沉積工序時選擇性地封閉線型孔422與點型孔423之一。另外,關于線型孔及點型孔開閉單元43、44,較佳地,線型孔及線型孔蓋431、441具有能夠憑借自重維持關閉狀態(tài)的重量。當然,也可以根據實施條件而分別利用鎖定手段維持線型孔及點型孔蓋431、441的關閉狀態(tài)。作為一例,鎖定手段可以包含螺栓。更具體地說,線型孔及點型孔蓋431、441各自具備有允許螺栓的螺紋部插入的貫通孔,坩堝蓋42則具備有在線型孔及點型孔蓋431、441被關閉時與線型孔及點型孔蓋431、441的貫通孔各自一致的陰螺紋槽,從而利用螺栓把關閉的線型孔蓋431或點型孔蓋441緊固在坩堝蓋42,從而防止無意中被打開的情形。請參閱圖3,坩堝加熱手段4H包括升降式坩堝加熱單元45 (以下稱為加熱器 ),為坩堝本體41加熱;加熱器驅動單元46,驅使加熱器45升降;控制單元(圖6的圖形標記47),根據薄膜沉積工序時裝載于坩堝本體41的有機物質被蒸發(fā)而減少的量控制加熱器驅動單元46的動作。加熱器45圍繞坩堝本體41的外周(8卩,墻體)。為此,加熱器45形成為具有與坩堝本體41外周(大略為啞鈴型)對應的內周的環(huán)型板結構并插入坩堝本體41的外周。加熱器45因為坩堝本體41的外周一定而可以在插入坩堝本體41的狀態(tài)下在上下方向移動。前述加熱器45被供應電源后就能發(fā)熱,較佳地,利用電阻較大而使得發(fā)熱量相比于電流量 較大的優(yōu)良材料(例如,包含碳化硅的材料)制成。加熱器驅動單元46包括螺旋桿(screw rod) 461,在外周沿著長度方向形成有陽螺紋;移動塊462,與螺旋桿461形成螺旋偶(screw pair)地結合而得以沿著螺旋桿461移動;電機463,驅使螺旋桿461雙向旋轉。螺旋桿461在加熱器45側與加熱器45的移動方向并行地在上下方向配置,在該狀態(tài)下可旋轉地安裝在周圍的其它構成要素(例如,坩堝裝置4的基座等)。移動塊462結合在加熱器45上。電機463可以直接結合在螺旋桿461的上端。電機463可以通過托架等被周圍的其它構成要素(例如,坩堝裝置4的基座等)支持。電機463運轉時,前述加熱器驅動單元46的螺旋桿461旋轉,移動塊462則隨著螺旋桿461的旋轉方向而上升或下降。此時,加熱器54與移動塊462 —起移動而升降。在圖3中,圖形標記464是導引桿。在導引桿464與螺旋桿461之間為坩堝本體41并且導引桿464在加熱器45側與加熱器45的移動方向并行地在上下方向配置,在該狀態(tài)下安裝在周圍的其它構成要素(例如,坩堝裝置4的基座等)。加熱器45以能夠沿著導引桿464滑動移動地結合在導引桿464上,導引桿464可以導引加熱器45的升降運動。圖6是圖示了控制單元47的方塊圖。如圖6所示,控制單元47包括檢測傳感器471,檢測坩堝本體41所裝載的有機物質的剩余量;及控制部472,根據來自檢測傳感器471的檢測信號而讓電機463運轉。裝載于坩堝本體41的有機物質在薄膜沉積工序時蒸發(fā)而使得其量隨著工序時間的經過而減少并逐漸降低高度,因此控制單元47根據該現(xiàn)象而適當地改變基于加熱器45的加熱位置。在此,檢測傳感器471可以適用測量坩堝本體41所裝載有機物質的高度的傳感器或者適用測量坩堝本體41所裝載有機物質的重量的傳感器等。為了薄膜沉積工序而運轉坩堝裝置4時,控制部472驅使電機463運轉而讓加熱器45上升到最高點,然后,對于坩堝本體41內的有機物質量與加熱器45的加熱位置之間的相關關系,在預先設定的加熱器45的位置調整表判讀出對應于來自測傳感器471的測量值的加熱器45最佳位置,再根據其結果運轉電機463而使得加熱器45下降到作為目標的最佳位置,反復進行該下降過程,從而能夠根據坩堝本體41所裝載有機物質的減少量而適當地改變加熱器45的位置。圖7是加熱器45通過該控制過程下降的狀態(tài)。作為參考,這里的加熱器45的最佳位置表示可以把來自加熱器45的熱集中供應到坩堝本體41所裝載有機物質的表層側的位置(高度)。另外,說明時雖然在根據坩堝本體41所裝載有機物質的剩余量而讓加熱器45下降之前先把加熱器45上升到了最高點,但針對加熱器45的控制也可以按照下列方式進行,不讓其上升到最高點而讓其移動到對應于來自檢測傳感器471的測量值的最佳位置后再使其下降。而且,進行加熱器45的下降控制時也可以使用下列方式進行,即省略利用高度測量傳感器或重量測量傳感器檢測坩堝本體41內有機物質量的過程而利用計時器等按照預定時間間隔以一定距離下降。下面結合圖8到圖12具體說明膜厚測量裝置7。如圖2與圖8所示,膜厚測量裝置7包括膜厚測量儀71,其能夠根據坩堝4C所 蒸發(fā)的有機物質的狀態(tài),即根據有機物質的蒸發(fā)量或蒸發(fā)速度等算出沉積到基板的薄膜厚度。膜厚測量儀71可以是適用于薄膜沉積設備的各種公知的膜厚測量儀。正如上述背景技術中參照大韓民國注冊實用新型第0218573號所做的說明,膜厚測量儀71通常在監(jiān)視頭(monitor head)或本體72 (以下統(tǒng)稱為“本體”)的前面具備有晶體(crystal)傳感器73,能夠檢測來自坩堝4C的有機物質的蒸發(fā)量(或蒸發(fā)速度),算出沉積到基板的薄膜的厚度。如圖8與圖9所示,膜厚測量儀71的前面連接有導引罩(shield) 75,其能夠把坩堝4C所蒸發(fā)的有機物質的一部分導引到膜厚測量儀71側。導引罩75為了讓有機物質通過其內部后到達膜厚測量儀71的晶體傳感器73而形成筒形結構。導引罩75包括結合部76,連接到膜厚測量儀71的本體72 ;導入部77,與結合部76的前面連通并形成為長筒形結構而把有機物質朝膜厚測量儀71側導引。作為參考,結合部76與導入部77可以是一體型。在此,只要其結構能夠堅固地連接到膜厚測量儀71的本體72,結合部76可以隨著膜厚測量儀71的本體72結構而采取各種變形。導入部77可以采取讓有機物質流入的各種筒形結構,例如,圖9所示地具有一定周緣(直徑)的筒形結構、圖10或圖11所示地其周緣越接近末端(有機物質流入的入口側)越擴張或越縮小的筒形結構、周緣反復擴張與縮小的筒形結構(未圖示)等。較佳地,為了有機物質的流入效率而如圖2所示地讓導入部77的末端朝向坩堝4C的噴射手段(亦即,有機物質噴射孔421)側較長地配置。作為參考,圖9到圖11中的同一構成要素使用了同一圖形標記。較佳地,前述導引罩75為了維持剛性并盡量較少有機物質的粘附而由不銹鋼制成,也可以利用噴砂(sand blast)進行表面處理。在圖2中,圖形標記79是罩加熱單元,其對導引罩75加熱以防止有機物質粘附或沉積在導引罩75而導致導引罩75被污染或導引罩75內部(通路)的局部堵塞。罩加熱單元79可以是纏繞在導引罩75外部的線圈型加熱器。除了線圈型加熱器以外,罩加熱單元79還可以是能夠加熱導引罩75的各種加熱單元。例如,在導引罩75側安裝激光加熱裝置后對導引罩75加熱。圖12例示了可以在與導入部77會合的結合部76的末端部分或者與結合部76會合的導入部77的末端部分形成能夠讓導引罩75的內部與外部相通的一個或兩個以上的貫通孔78。貫通孔78可以使有機物質順暢地流入導引罩75的內部。作為參考,在圖12中,與圖9到圖11相同的構成要素使用了同一圖形標記。下面查看具有與第一實施例相似構成之其它實施例。為了說明時的明了性等目的,將以和第一實施例相比時不同之處為主說明其它實施例,圖形也僅圖示該部分。圖13與圖14是作為本發(fā)明第二實施例的薄膜沉積設備的主要部分坩堝裝置的立體圖,圖15是控制圖13及圖14所示坩堝裝置的加熱器的控制單元的方塊圖。如圖13到圖15所示,本發(fā)明第二實施例的薄膜沉積設備與第一實施例相比,其它構成及其作用全部相同,差異主要在于,具備有多個加熱器45-1、45-2、45-3并且不是升降式而是固定式,控制單元47-1根據坩堝本體41所裝載有機物質的量選擇性地把加熱器45-1、45-2、45-3打開(on)或關閉(off)、還包括隔熱構件48等差異。下面將具體說明這些差異。請參閱圖13與圖14,較佳地,具備有3個以上的加熱器45-1、45-2、45-3,這里以具備有3個加熱器45-1、45-2、45-3的情形進行說明。加熱器45_1、45_2、45_3在坩堝本體41上沿著上下方向互相隔離地按照一定間隔安裝。加熱器45-1、45-2、45-3的其它構成及·形狀等由于和第一實施例相同而省略其說明。加熱器45-1、45-2、45-3的加熱溫度由控制單元47-1各自進行調節(jié)。作為參考,對于加熱器45-1、45-2、45-3的加熱溫度調節(jié)可以由各自供應給加熱器45_1、45-2、45-3的電流量而以可變方式實現(xiàn)。在加熱器45-1、45-2、45-3之間至少各自配置一個隔熱構件48以防止上下相鄰的加熱器45-1、45-2、45-3之間的輻射熱干涉。隔熱構件48和加熱器45_1、45_2、45_3 —樣形成為具有與坩堝本體41外周對應的內周的環(huán)型并且被插入坩堝本體41外周地安裝而圍繞在坩堝本體41的外周。較佳地,隔熱構件48的寬度大于加熱器45-1、45-2、45-3。這樣的隔熱構件48可以避免各加熱器45-1、45-2、45-3的加熱領域的溫度調節(jié)難度。請參閱圖15,控制單元47-1包括檢測傳感器471-1,檢測坩堝本體41所裝載有機物質的剩余量(由于在薄膜沉積工序時蒸發(fā),其量隨著工序時間的經過而減少并逐漸降低高度);控制部472-1,根據來自檢測傳感器471-1的檢測信號而選擇性地把加熱器45-1、45-2、45-3打開(on)或關閉(off)。此時,檢測傳感器471-1可以適用測量坩堝本體41所裝載有機物質的高度的傳感器或者適用測量坩堝本體41所裝載有機物質的重量的傳感器等。為了薄膜沉積工序而運轉坩堝裝置時,控制部472-1把加熱器45-1、45-2、45-3全部控制成打開(On)狀態(tài),然后,對于坩堝本體41所裝載有機物質的量與上下配置的加熱器45-1、45-2、45-3的加熱領域之間的相關關系,在預先設定的加熱器45_1、45_2、45_3控制表判讀出對應于來自檢測傳感器471-1的測量值的有機物質剩余量及隨之而定的作為控制對象的加熱器45-1、45-2、45-3,然后從最上側加熱器45-1開始依次關閉(Off)。亦即,坩堝本體41所裝載有機物質的量減少(高度降低)而脫離上部加熱器45-1的加熱領域(可以是預定的設定領域)時關閉(Off)上部加熱器45-1,之后,有機物質的量繼續(xù)減少而脫離中間加熱器45-2的加熱領域時關閉中間加熱器45-2,有機物質的量進一步減少而脫離下部加熱器45-3的加熱領域時(可以是有機物質完全耗盡或幾乎耗盡的狀態(tài))時關閉下部加熱器45-3,按照前述方式根據坩堝本體41所裝載有機物質的減少量而適當地改變基于加熱器45的加熱位置。另外,說明時雖然在根據坩堝本體41所裝載有機物質的剩余量而把加熱器45-1、45-2、45-3關閉(off)之前先把加熱器45-1、45-2、45-3全部打開(on),但針對加熱器45-1、45-2、45-3的控制也可以按照下列方式進行,不全部打開而把具有對應于來自檢測傳感器471-1的測量值的加熱領域的加熱器及位于其下側的加熱器全部打開后,從該處于打開狀態(tài)的加熱器中最上側加熱器開始依次關閉。亦即,為了薄膜沉積工序而運轉坩堝裝置時,如果對應于來自檢測傳感器471-1的測量值的有機物質剩余量脫離上部加熱器45-1的加熱領域,則僅打開中間加熱器45-2與下部加熱器45-3,然后根據坩堝本體41所裝載有機物質的減少量而從中間加熱器45-2開始依次關閉。把加熱器45-1、45-2、45-3控制成打開(on)狀態(tài) 時,控制部472-1把控制成打開(on)狀態(tài)的加熱器中最上側的加熱器維持在讓有機物質蒸發(fā)的有機物質蒸發(fā)溫度,位于相對下側的其余加熱器則維持在對有機物質進行預熱的有機物質預熱溫度(請參考圖16)。把加熱器45-1、45-2、45-3控制成關閉(off)狀態(tài)時,控制部472-1把控制成關閉(off)狀態(tài)的加熱器(例如,上部加熱器45-1)的相鄰的下側加熱器(例如,中間加熱器45-2)從有機物質預熱溫度轉換到有機物質蒸發(fā)溫度的過程一直進行到最下側加熱器45-3轉換到有機物質蒸發(fā)溫度的時刻為止。與此相關地,圖17圖示了有機物質的量脫離上部加熱器45-1的加熱領域而關閉上部加熱器45-1并且讓中間加熱器45-2從有機物質預熱溫度轉換到有機物質蒸發(fā)溫度的狀態(tài)。圖18圖示了有機物質的量進一步減少并脫離中間加熱器45-2的加熱領域而關閉中間加熱器45-2并且讓下部加熱器45-3從有機物質預熱溫度轉換到有機物質蒸發(fā)溫度的狀態(tài)。另外,加熱器45-1、45-2、45-3的關閉(off)及從有機物質預熱溫度到有機物質蒸發(fā)溫度的轉換也可以使用下列方式進行,即省略利用高度測量傳感器或重量測量傳感器等的檢測過程而利用計時器等按照預先設定的時間間隔實現(xiàn)。根據前述的控制單元47-1,第二實施例不僅可以避免有機物質長時間暴露于高熱而變性的情形,由于預熱有機物質后再蒸發(fā)而得以防止有機物質的蒸發(fā)速度被延遲。與前述說明不同的是,為了薄膜沉積工序而讓坩堝裝置運轉時,控制部472-1可以根據減少的有機物質量而依次把加熱器打開成有機物質蒸發(fā)溫度,并且能把控制成打開(on)狀態(tài)的加熱器依次關閉(off)。亦即,從相對地位于較上側的加熱器(例如可以是上部加熱器45-1,也可以是中間加熱器45-2)依次打開,但相對地位于較下側的加熱器被打開成有機物質蒸發(fā)溫度時把被控制成打開(on)狀態(tài)的加熱器的相鄰的上側加熱器關閉(中間加熱器45-2被控制成打開狀態(tài)時關閉上部加熱器45-1),反復進行該過程。此時,與被打開(on)成有機物質蒸發(fā)溫度的加熱器的相鄰的下側加熱器(中間加熱器45-2被控制成打開狀態(tài)時為下部加熱器45-3)可以被控制成有機物質預熱溫度。圖19是本發(fā)明第三實施例的薄膜沉積設備的主要部分方塊圖。如圖19所示,本發(fā)明第三實施例的薄膜沉積設備與第一實施例相比時其它構成及其作用全部相同,但控制單元不檢測有機物質的剩余量而檢測有機物質的蒸發(fā)量,從而控制加熱器驅動單元(圖3的圖形標記46)的電機463。第三實施例的控制單元包括檢測傳感器,其能夠檢測來自坩堝(圖3的圖形標記4C)的有機物質蒸發(fā)量;控制部472,根據來自該檢測傳感器的檢測信號控制電機463的運轉。具體地說,控制部472把加熱器(圖3的圖形標記45)移動到預先設定的高度后,當來自有機物質蒸發(fā)量檢測傳感器的蒸發(fā)量測量值低于預先設定的蒸發(fā)量設定值時控制電機463運轉以便讓加熱器按照預先設定的距離下降,反復進行該下降過程,從而能夠根據坩堝所裝載有機物質的減少量而適當地改變加熱器的位置。檢測有機物質蒸發(fā)量時可以使用膜厚測量儀(圖8的圖形標記71),可以憑借膜厚測量儀的晶體傳感器73檢測有機物質蒸發(fā)量。蒸發(fā)量設定值可以是對于加熱器位于最佳位置時蒸發(fā)的有機物質量的范圍。進行薄膜沉積工序時由于有機物質蒸發(fā)而處于有機物質量(高度)減少的狀態(tài),如果加熱器卻沒有下降,所蒸發(fā)的有機物質量只能逐漸減少。此時,所測到的晶體傳感器73的值將低于蒸發(fā)量設定值,因此控制部472將控制電機463而讓加熱器按照預先設定的距離下降。如前所述的第三實施例也能夠不以第一實施例為基礎而以第二實施例為基礎構成。
圖20是作為本發(fā)明第四實施例薄膜沉積設備的主要部分的坩堝裝置的構成圖,圖21是控制圖20所示加熱器驅動單元46-1與有機物質供應泵的控制單元的方塊圖。如圖20與圖21所示,本發(fā)明第三實施例的薄膜沉積設備與第一實施例相比,其它構成及其作用全部相同,差異主要在于,作為把來自坩堝4C的有機物質噴射到基板上的噴射手段,適用了可裝卸地安裝在坩堝4C上的有機物質噴射器4J、坩堝加熱手段的構成不同、還包括能夠冷卻坩堝4C的坩堝冷卻單元4R及能夠為坩堝4C供應有機物質的有機物質供應單元4F。下面將具體說明這些差異。上述坩堝10可以是截面為圓形的缸形狀,但不必限定于此,作為一例,其截面可以是多角形。有機物質噴射器4J包括有機物質噴射頭210,具備有機物質噴射孔212 ;連接管220,連接有機物質噴射頭210與坩堝4C并且把從坩堝4C蒸發(fā)的有機物質供應給有機物質噴射頭210。較佳地,有機物質噴射頭210配置在坩堝4C的上側。連接管220包括連接到有機物質噴射頭210的第一配管222及連接到坩堝4C的上部的第二配管224,第一配管222與第二配管224通過基于螺栓與螺帽的凸緣結合而可裝卸地互相連接。經由連接管220流入有機物質噴射頭210的有機物質由有機物質噴射孔212噴射。較佳地,有機物質噴射孔212與基板相向地配置。有機物質噴射孔212可以由單一或多個線型孔或點型孔構成,也可以由前述第一實施例所提示的線型孔與點型孔組合成的孔(圖3的圖形標記421)構成。有機物質噴射孔212是由線型孔與點型孔組合而成的孔時,可以在有機物質噴射頭210上安裝第一實施例的線型孔開閉單元(圖3的圖形標記43)與點型孔開閉單元(圖3的圖形標記44)后封閉線型孔或點型孔。坩堝加熱手段包括升降式加熱器45-4 ;加熱器驅動單元46-1,驅使加熱器45_4升降;控制單元(請參考圖21的檢測傳感器與控制部),薄膜沉積工序時根據坩堝4C所裝載有機物質的減少量而控制加熱器驅動單元46-1的運轉。加熱器45-4包括加熱源及內置了加熱源的殼體(housing)。殼體(housing)具有可上下移動地插入坩堝4C外周的結構。加熱源可以是電熱線,但不必限定于此。加熱源可配置成以螺旋形圍繞坩堝4C外周的結構。加熱器驅動單元46-1可以是直線電機(linear motor),其包括在上下方向具有較長結構的固定子310、在上下方向相對于固定子310進行直線運動并且連接到加熱器45-4的移動子320。此時,固定子310可以豎立在坩堝裝置的基座49上。憑借控制單元對加熱器驅動單元46-1進行控制的方式可以適用下列方式,第一實施例所揭示的根據有機物質的剩余量而讓加熱器45-4適當地下降的方式、或者第三實施例所揭示的根據有機物質的蒸發(fā)量而讓加熱器45-4適當地下降的方式。坩堝冷卻單元4R在加熱器45-4的下部按照能夠和加熱器45_4在上下方向一起移動的方式配置。坩堝冷卻單元4R可以防止有機物質因為加熱器45-4的高熱而變性的情形。亦即,如圖22到圖24所示,把位于加熱器45-4加熱領域的下側的有機物質加以冷卻以防止有機物質變性。作為參考,圖24圖示了由于加熱器45-4下降而導致坩堝冷卻單元4R脫離坩堝4C的狀態(tài)。前述坩堝冷卻單元4R包含冷卻源。例如,可以具備有允許冷卻水之類的冷卻媒體 經過的冷卻流路。而且,冷卻流路可以形成為以螺旋形圍繞坩堝4C外周的結構。有機物質供應單元4F包括有機物質儲存罐410,儲存有供應給坩堝4C的有機物質;有機物質移送線420,連接有機物質儲存罐410與坩堝4C并且在有機物質儲存罐410與坩堝4C之間形成有機物質移送路徑;有機物質供應泵430,安裝在有機物質移送線420上。有機物質供應泵430運轉時,儲存在有機物質儲存罐410的有機物質沿著有機物質移送線420移送而被供應到坩堝4C。有機物質儲存罐410或有機物質儲存罐410與有機物質供應泵430可以配置在沉積室(圖2的圖形標記2)的外部。較佳地,有機物質移送線420連接到坩堝4C的下部。請參閱圖21,控制部根據來自檢測傳感器的檢測信號控制有機物質供應泵430的運轉。例如,來自檢測傳感器的測量值低于預先設定的剩余量設定值時,為了向坩堝4C供應有機物質而打開(on)有機物質供應泵430的運轉,然后當來自檢測傳感器的測量值超過剩余量設定值時為了停止供應有機物質而關閉(off)有機物質供應泵430的運轉。為此,較佳地,檢測傳感器是可以針對有機物質剩余量而測量高度或重量的傳感器。當坩堝4C內的有機物質剩余量低于剩余量設定值時,可以憑借前述有機物質供應單元4F與控制單元高效率地為坩堝4C填充有機物質。另外,前文雖然以移動子320連接到加熱器45-4的情形進行了說明,但移動子320也可以連接到坩堝冷卻單元4R。圖25是本發(fā)明第五實施例的薄膜沉積設備的主要部分構成圖。如圖25所示,本發(fā)明第五實施例的薄膜沉積設備與第四實施例相比,其它構成及其作用全部相同,差異在于,加熱器45-4由多個單位加熱器101、102、103構成并且可以各自調節(jié)這些單位加熱器101、102、103的加熱溫度。單位加熱器101、102、103在上下方向配置成一列。圖25雖然圖示的是單位加熱器101、102、103互相鄰接,但單位加熱器101、102、103也可以互相隔離。各單位加熱器101、102、103的加熱溫度可以由控制單元(請參考圖21)控制。據此,把單位加熱器101、102、103調節(jié)成互不相同的加熱溫度時,單位加熱器101、102、103中的一部分可以作為把坩堝4C所蒸發(fā)的有機物質維持在氣體狀態(tài)的(防止狀態(tài)變化)輔助加熱器使用,或者作為對需要加熱到有機物質蒸發(fā)溫度的有機物質進行事前預熱的預熱加熱器使用。圖25例示了加熱器45-4由3個單位加熱器101、102、103構成的情形,據此,圖形標記101的單位加熱器可以作為輔助加熱器使用、102的單位加熱器可以作為提供讓有機物質蒸發(fā)的有機物質蒸發(fā)溫度的主加熱器、103則可以作為預熱加熱器使用。亦即,可以根據單位加熱器101、102、103之間的相對位置關系而作為輔助加熱器、主加熱器、預熱加熱器使用。如果讓作為輔助加熱器使用的單位加熱器的加熱溫度高于主加熱器的加熱溫度,可以進一步提高所蒸發(fā)的有機物質的上升速度。圖26是本發(fā)明第六實施例的薄膜沉積設備的主要部分構成圖。如圖26所示,本發(fā)明第六實施例的薄膜沉積設備與第四實施例相比,其它構成及其作用全部相同,只是內置于加熱器45-4的加熱源的至少一部分沒有位于坩堝4C外周的一定距離而位于其它間隔位置。根據前述加熱器45-4的加熱源結構,即使加熱源的加熱溫度相同,所提供的加熱溫度也可能因為加熱源與坩堝4C的間隔距離不同而有差異。亦即,在坩堝4C外周距加熱源相對較遠距離的部分得到相對較低的加熱溫度,與此相反的是,與加熱源的間隔距離相對較近的部分得到相對較高的加熱溫度。在第五實施例中,加熱器45-4由多個單位加熱器 (圖25的圖形標記101、102、103)構成,各自調整這些單位加熱器的加熱源的加熱溫度以便把蒸發(fā)的有機物質維持在氣體狀態(tài)或者提供蒸發(fā)有機物質的加熱溫度或者預熱有機物質,但是在第六實施例中,改變加熱器45-4的加熱源與坩堝4C之間的間隔距離以便把蒸發(fā)的有機物質維持在氣體狀態(tài)或者提供蒸發(fā)有機物質的加熱溫度或者預熱有機物質等。在圖26所示結構中,加熱器45-4的加熱源越接近坩堝4C的上側越遠離坩堝4C的外周,但也可以讓加熱器45-4的加熱源不是越接近坩堝4C的上側而是越接近下側越遠離坩堝4C的外周?;蛘撸訜崞?5-4的加熱源的上部與下部距坩堝4C的外周相對較遠而上部與下部之間的中間部則距坩堝4C的外周相對較近,諸如此類的加熱器45-4的加熱源結構可以根據實施條件而進行各種變化。前文對本發(fā)明進行了說明,但不得因此把本發(fā)明限定在本說明書所記載的實施例及附圖,在本發(fā)明的技術思想范疇內可以由具有通常知識者實現(xiàn)各種變形例。
權利要求
1.一種坩堝裝置,包括 相'禍,內部裝載有機物質; 加熱單元,能夠沿著上下方向移動地配置在上述坩堝上并且一邊移動一邊供熱讓有機物質蒸發(fā); 驅動單元,驅使上述加熱單元移動。
2.根據權利要求I所述的坩堝裝置,其特征在于,還包括控制單元,其控制上述驅動單元以便讓上述加熱單元根據上述坩堝所裝載有機物質的高度而移動。
3.根據權利要求2所述的坩堝裝置,其特征在于,上述控制單元包括 檢測傳感器,檢測上述坩堝所裝載有機物質的高度; 控制部,根據來自上述檢測傳感器的檢測信號而控制上述驅動單元的運轉。
4.根據權利要求2所述的坩堝裝置,其特征在于,上述控制單元包括 檢測傳感器,檢測從上述坩堝蒸發(fā)的有機物質的單位時間蒸發(fā)量; 控制部,根據來自上述檢測傳感器的檢測信號而控制上述驅動單元的運轉。
5.根據權利要求I所述的坩堝裝置,其特征在于,上述加熱單元在插入上述坩堝外周的狀態(tài)下進行上下移動。
6.根據權利要求I所述的坩堝裝置,其特征在于,還包括為上述坩堝供應有機物質的供應單元。
7.根據權利要求I所述的坩堝裝置,其特征在于,還包括冷卻上述坩堝所裝載有機物質的冷卻單元。
8.根據權利要求7所述的坩堝裝置,其特征在于,上述冷卻單元能夠與上述加熱單元一起移動地配置在上述加熱單元的下部。
9.一種坩堝裝置,包括 相'禍,內部裝載有機物質; 多個加熱單元,在上述坩堝上沿著上下方向互相隔離地配置并且供熱讓有機物質蒸發(fā); 控制單元,根據上述坩堝所裝載有機物質的高度而選擇性地打開或關閉上述加熱單J Li o
10.根據權利要求9所述的坩堝裝置,其特征在于,上述加熱單元具有各自圍繞上述坩堝的外周的結構。
11.根據權利要求9或10所述的坩堝裝置,其特征在于,還包括隔熱構件,其配置在上述加熱單元之間并且防止上述相鄰加熱單元之間的熱干涉。
12.根據權利要求9所述的坩堝裝置,其特征在于,上述加熱單元的加熱溫度由上述控制單元各自調節(jié)。
13.根據權利要求I所述的坩堝裝置,其特征在于,上述坩堝具有凹凸結構以增加與內部所裝載有機物質之間的接觸面積。
14.根據權利要求2所述的坩堝裝置,其特征在于,還包括為上述坩堝供應有機物質的供應單元。
15.根據權利要求14所述的坩堝裝置,其特征在于,上述控制單元控制上述供應單元以便從上述供應單元為上述坩堝供應有機物質。
16.根據權利要求9所述的坩堝裝置,其特征在于,還包括冷卻上述坩堝所裝載有機物質的冷卻單元。
17.根據權利要求I所述的坩堝裝置,其特征在于,上述加熱單元由上下方向配置的多個單位加熱單元構成,上述單位加熱單元能夠各自調節(jié)加熱溫度。
18.根據權利要求I所述的坩堝裝置,其特征在于,上述加熱單元在插入上述坩堝外周的狀態(tài)下進行上下移動,在上述加熱單元上沿著上下方向配置的加熱源中至少一部分距上述坩堝外周的間隔距離不同。
19.根據權利要求I所述的坩堝裝置,其特征在于,還包括供熱而使得從上述坩堝蒸發(fā)的有機物質維持氣體狀態(tài)的輔助加熱單元。
20.一種坩堝裝置控制方法,包括下列步驟 檢測上述坩堝所裝載有機物質的高度后驅使能夠沿著上下方向移動地配置在坩堝上的加熱單元移動; 隨著上述坩堝所裝載有機物質蒸發(fā)導致有機物質高度降低而驅使上述移動后的加熱單元下降。
21.根據權利要求20所述的坩堝裝置控制方法,其特征在于,驅使上述加熱單元下降的步驟在檢測上述坩堝所裝載有機物質的高度后根據檢測結果而驅使上述加熱單元下降。
22.根據權利要求20所述的坩堝裝置控制方法,其特征在于,驅使上述加熱單元下降的步驟在檢測上述坩堝所蒸發(fā)的有機物質的單位時間蒸發(fā)量后根據檢測結果而驅使上述加熱單元下降。
23.—種坩堝裝置控制方法,包括下列步驟 把在上下方向互相隔離地配置于坩堝的多個加熱單元全部打開; 隨著上述坩堝所裝載有機物質蒸發(fā)導致有機物質高度降低而從上部依次關閉上述加熱單元。
24.根據權利要求23所述的坩堝裝置控制方法,其特征在于,在打開上述多個加熱單元的步驟中,最上側的加熱單元維持在有機物質蒸發(fā)溫度,位于相對下側的加熱單元維持在預熱有機物質的有機物質預熱溫度,上述控制方法還包括隨著上述加熱單元被依次關閉而把上述有機物質預熱溫度的加熱單元從上部依次轉換到有機物質蒸發(fā)溫度的步驟。
25.—種坩堝裝置控制方法,包括下列步驟 隨著上述坩堝所裝載有機物質蒸發(fā)導致有機物質高度降低而從上部依次打開在上下方向互相隔離地配置于坩堝的多個加熱單元; 根據上述有機物質高度降低而從上部依次關閉上述處于打開狀態(tài)的加熱單元。
26.一種膜厚測量裝置,包括 膜厚測量儀,測量從坩堝蒸發(fā)的有機物質的蒸發(fā)量并算出沉積到沉積對象的膜的厚度; 導引罩,形成為筒形,連接到上述膜厚測量儀以便把上述坩堝所蒸發(fā)的有機物質的一部分導引到上述膜厚測量儀側。
27.根據權利要求26所述的膜厚測量裝置,其特征在于,還包括對上述導引罩加熱的罩加熱單元。
28.根據權利要求26所述的膜厚測量裝置,其特征在于,上述導引罩包括固定部,安裝在上述膜厚測量儀的本體; 導引部,在上述固定部的前面以筒形結構較長地連接并導引蒸發(fā)物質流入。
29.一種薄膜沉積設備,包括 沉積室,具備沉積空間; 基板支撐裝置,在上述沉積空間的上部支持基板; 權利要求I或9所述的坩堝裝置,在上述沉積空間的下部為了在上述基板支撐裝置所支持的基板上沉積薄膜而供應有機物質。
30.一種薄膜沉積設備,包括 沉積室,具備沉積空間; 基板支撐裝置,在上述沉積空間的上部支持基板; 坩堝裝置,在上述沉積空間的下部為了在上述基板支撐裝置所支持的基板上沉積薄膜而供應有機物質; 權利要求26所述的膜厚測量裝置,在上述沉積空間配置于上述被支持的基板與上述坩堝裝置之間并且測量沉積在基板上的薄膜的厚度。
全文摘要
本發(fā)明提供一種在薄膜沉積時根據坩堝內的有機物質剩余量而適當地調整加熱位置地構成的坩堝裝置及其控制方法、能夠更加準確地測量沉積到基板上的薄膜厚度的膜厚測量裝置、及包含該坩堝裝置及/或膜厚測量裝置的薄膜沉積設備。
文檔編號C23C16/44GK102808167SQ20121017999
公開日2012年12月5日 申請日期2012年6月1日 優(yōu)先權日2011年6月2日
發(fā)明者魯俊瑞 申請人:麗佳達普株式會社
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