專利名稱：批量式處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及批量式處理裝置。
背景技術(shù)：
以往，例如為了對(duì)在液晶顯示器、有機(jī)EL等平板顯示器(以下稱作FPD)、太陽(yáng)電池模塊的制造中使用的作為被處理體的玻璃基板進(jìn)行成膜、蝕刻等處理，從處理速度、控制性的觀點(diǎn)出發(fā)，多使用等離子處理，并使用單張式處理裝置，以避免批量式的裝置構(gòu)造的復(fù)雜性、提高等離子體的性能，由此來(lái)滿足與處理能力(through — put)有關(guān)的要求。然而，當(dāng)然，與利用單張式的裝置進(jìn)行處理相比，利用批量式的裝置進(jìn)行處理在處理能力方面效率高，近年來(lái)，也開(kāi)發(fā)出了基于批量式處理的處理裝置，例如專利文獻(xiàn)I中記載有這樣的批量式處理裝置。
另一方面，隨著形成于玻璃基板上的TFT (Thin Film Transistor :薄膜晶體管)微細(xì)化，由等離子體對(duì)作為柵極等而形成于玻璃基板上的薄膜造成的損傷嚴(yán)重，并且，在有機(jī)EL等的制造中，需要更低的溫度的工藝(process)，根據(jù)這些要求，重新研究不使用等離子體的基于氣體的工藝。在像這樣的不產(chǎn)生等離子體而使用基于氣體的處理的處理裝置的情況下，由于處理裝置的構(gòu)造比使用等離子體的處理裝置的構(gòu)造簡(jiǎn)單，所以更容易采用批量式處理裝置。專利文獻(xiàn)I :日本特開(kāi)平8 — 8234號(hào)公報(bào)但是，若欲簡(jiǎn)單地在大的工藝室內(nèi)排列多個(gè)玻璃基板、對(duì)多個(gè)玻璃基板同時(shí)進(jìn)行處理，則會(huì)發(fā)生處理氣體的使用效率降低的情況。這是由于工藝室的容量變大。并且，在薄膜成膜的領(lǐng)域中，如下的原子層堆積法(以下稱作ALD法)受到關(guān)注使基板的表面上交替流過(guò)有兩種以上的前驅(qū)體氣體，通過(guò)在形成于基板表面上的吸附位置(adsorption site)吸附這些前驅(qū)體氣體而以原子層等級(jí)成膜薄膜。這是因?yàn)榭紤]到如下情況:ALD法的臺(tái)階覆蓋性、膜厚均勻性、薄膜控制性優(yōu)異，對(duì)于形成更加微細(xì)化的元件來(lái)說(shuō)是極其有效的。例如，當(dāng)前，在對(duì)具有730mmX920mm 2200mmX2500mm的大小、面積比半導(dǎo)體晶片的面積大很多的玻璃基板等的薄膜成膜中，為了實(shí)現(xiàn)薄膜的高質(zhì)量化，開(kāi)始研究ALD法的采用。但是，若欲對(duì)多個(gè)大面積的玻璃基板同時(shí)使用ALD法，則除了玻璃基板自身的面積大之外，收納多個(gè)玻璃基板的工藝室自身的容量也變得巨大，因此難以對(duì)多個(gè)玻璃基板的表面分別均勻地進(jìn)行前驅(qū)體氣體的供給、排氣。因此，例如難以在玻璃基板的表面分別均勻地形成吸附位置，難以實(shí)現(xiàn)前驅(qū)體氣體與吸附位置之間的均勻且穩(wěn)定的反應(yīng)，無(wú)法得到期待質(zhì)量的薄膜。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供處理氣體的使用效率高、且即便被處理體的面積巨大也能夠應(yīng)用ALD法的批量式處理裝置。
本發(fā)明的一個(gè)方式所涉及的批量式處理裝置是對(duì)多個(gè)被處理體同時(shí)實(shí)施處理的批量式處理裝置，具備主室；在上述主室內(nèi)沿該主室的高度方向?qū)盈B設(shè)置、且用于載置上述被處理體的多個(gè)工作臺(tái)；以及針對(duì)每個(gè)上述工作臺(tái)分別設(shè)置一個(gè)、且遮蓋載置于上述工作臺(tái)的上述被處理體的多個(gè)罩，利用上述多個(gè)工作臺(tái)與上述多個(gè)罩，以包圍載置于上述多個(gè)工作臺(tái)的上述多個(gè)被處理體中的各個(gè)被處理體的方式，形成容量小于上述主室的容量的處理用小空間。根據(jù)本發(fā)明，能夠提供處理氣體的使用效率高、并且即便被處理體的面積巨大也能夠應(yīng)用ALD法的批量式處理裝置。


圖I是示出具備本發(fā)明的第一實(shí)施方式的一例所涉及的批量式處理裝置的處理 系統(tǒng)的一例的水平剖視圖。圖2是沿著圖I中的II — II線的剖視圖。圖3中，(A)圖是示出使罩上升后的狀態(tài)的圖，(B)圖是示出使罩下降后的狀態(tài)的圖。圖4中，(A)圖是示出使升降器上升后的狀態(tài)的圖，(B)圖是示出使升降器下降后的狀態(tài)的圖。圖5是示出工作臺(tái)與罩分離后的狀態(tài)的立體圖。圖6中，(A)圖是氣體噴出孔形成區(qū)域附近的俯視圖，(B)圖是沿著(A)圖中的VIB — VIB線的剖視圖。圖7中，(A)圖是排氣槽附近的俯視圖，(B)圖是沿著(A)圖中的沿VIIB — VIIB線的剖視圖。圖8是示出處理用小空間內(nèi)的氣體的流動(dòng)的圖。圖9中，(A) (F)是示出被處理體G的搬入、搬出動(dòng)作的一例的剖視圖。圖10中，(A)圖是第一變形例所涉及的批量式處理裝置的俯視圖，(B)圖是沿著(A)圖中的XB — XB線的剖視圖。圖11中，(A) (C)是示出處理用小空間的形成例的剖視圖。圖12中，(A)圖是示出第三變形例所涉及的批量式處理裝置的使工作臺(tái)下降后的狀態(tài)的圖，(B)圖是示出使工作臺(tái)上升后的狀態(tài)的圖。圖13是示出第三變形例所涉及的批量式處理裝置的使升降器上升后的狀態(tài)的圖。圖14是示出垂直氣體噴出方式的一例的剖視圖。圖15是示出水平氣體噴出方式的一例的剖視圖。圖16中，(A)圖是示出第四變形例所涉及的批量式處理裝置的使升降器下降后的狀態(tài)的圖，(B)圖是示出使升降器上升后的狀態(tài)的圖。圖17是示出工作臺(tái)的銷狀升降器收納部附近的剖視圖。圖18中，(A)圖是示出第五變形例所涉及的批量式處理裝置的使罩上升后的狀態(tài)的圖，(B)圖是示出使罩下降后的狀態(tài)的圖。圖19是示出本發(fā)明的第二實(shí)施方式的一例所涉及的批量式處理裝置的工作臺(tái)及罩與其附近的剖視圖。圖20是示出本發(fā)明的第三實(shí)施方式的一例所涉及的批量式處理裝置的工作臺(tái)及罩與其附近的剖視圖。圖21是示出本發(fā)明的第三實(shí)施方式的變形例所涉及的批量式處理裝置的工作臺(tái)及罩與其附近的剖視圖。圖22是示出本發(fā)明的第四實(shí)施方式的一例所涉及的批量式處理裝置的工作臺(tái)及罩的剖視圖。圖23中，(A)圖及(B)圖是沿著圖22中XXIII — XXIII線的剖視圖。圖24中，(A)圖及(B)圖是將排氣槽附近放大示出的剖視圖。
圖25是示出第四實(shí)施方式的第一變形例所涉及的批量式處理裝置的工作臺(tái)及罩的剖視圖。圖26是示出第四實(shí)施方式的第二變形例所涉及的批量式處理裝置的工作臺(tái)及罩的剖視圖。圖27是示出第四實(shí)施方式的第三變形例所涉及的批量式處理裝置的工作臺(tái)及罩的剖視圖。圖28是示出第四實(shí)施方式的第四變形例所涉及的批量式處理裝置的工作臺(tái)及罩的剖視圖。圖29是示出第四實(shí)施方式的第五變形例所涉及的批量式處理裝置的工作臺(tái)及罩的剖視圖。圖30是示出第一實(shí)施方式的一例所涉及的批量式處理裝置的工作臺(tái)及罩的剖視圖。圖31是示出本發(fā)明的第五實(shí)施方式的一例所涉及的批量式處理裝置的工作臺(tái)及罩的剖視圖。圖32是將第五實(shí)施方式的一例所涉及的批量式處理裝置的排氣槽附近放大示出的剖視圖。圖33是將第五實(shí)施方式的第一變形例所涉及的批量式處理裝置的排氣槽附近放大示出的剖視圖。圖34是示出第五實(shí)施方式的第二變形例所涉及的批量式處理裝置的工作臺(tái)及罩的剖視圖。圖35是示出第五實(shí)施方式的第三變形例所涉及的批量式處理裝置的工作臺(tái)及罩的剖視圖。圖36是將第五實(shí)施方式的第三變形例所涉及的批量式處理裝置的排氣槽附近放大示出的剖視圖。圖37是示出第五實(shí)施方式的第四變形例所涉及的批量式處理裝置的工作臺(tái)及罩的剖視圖。圖38是示出第一實(shí)施方式的一例所涉及的批量式處理裝置的工作臺(tái)及罩的剖視圖。圖39是示出本發(fā)明的第六實(shí)施方式的一例所涉及的批量式處理裝置的工作臺(tái)及罩的剖視圖。
圖40是示出拾取器的變形例的俯視圖。標(biāo)號(hào)說(shuō)明G…被處理體；31a…主室;101a IOly…工作臺(tái);102a 102y…罩;103…罩升降支柱；105…被處理體載置面；106…處理用小空間；107…升降器；108…升降器升降支柱；IllUlla Illc…氣體供給管；113…排氣通道；114…排氣管；117、117a 117c…氣體噴出孔；118…排氣槽；119…氣體排氣口 ;120…O型圈;121…環(huán)狀的槽;130a、130b…形成處理用小空間的凹部；140…工作臺(tái)升降支柱；160…銷狀升降器；170…擋板；171…整流部；181…傾斜部;184…圓形部；190…工作臺(tái)調(diào)溫機(jī)構(gòu)；192…罩調(diào)溫機(jī)構(gòu)。
具體實(shí)施例方式以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。在該說(shuō)明中參照的所有附圖中，對(duì)相同的部分賦予相同的參照標(biāo)號(hào)。 (第一實(shí)施方式)圖I是示出具備本發(fā)明的第一實(shí)施方式的一例所涉及的批量式處理裝置的處理系統(tǒng)的一例的水平剖視圖，圖2是沿著圖I中的II 一 II線的剖視圖。對(duì)于圖I及圖2所示的處理系統(tǒng)而言，作為被處理體而使用在FPD的制造、太陽(yáng)電池模塊中使用的玻璃基板，是對(duì)該玻璃基板實(shí)施成膜處理、熱處理的處理系統(tǒng)。如圖I所示，處理系統(tǒng)I包括加載互鎖(load lock)真空室2、批量式處理裝置3a、3b以及共用搬運(yùn)室4。在加載互鎖真空室2中，在大氣側(cè)與減壓側(cè)之間進(jìn)行壓力變換。在批量式處理裝置3a及3b中，對(duì)被處理體G、例如玻璃基板實(shí)施成膜處理、熱處理。被處理體G的尺寸的一例是730mmX920mm 2200mmX 2500mm的矩形。本例中，加載互鎖真空室2、批量式處理裝置3a、3b以及共用搬運(yùn)室4是真空裝置，分別具備能夠?qū)⒈惶幚眢wG置于規(guī)定的減壓狀態(tài)下、且氣密地構(gòu)成的室21、31a、31b以及41。在室21、31a、31b以及41，為了使內(nèi)部為減壓狀態(tài)，經(jīng)由排氣口與真空泵等排氣裝置5連接。圖2示出設(shè)于室31a的排氣口 32以及設(shè)于室41的排氣口 42。此外，在室21、31a、31b 以及 41 設(shè)有開(kāi)口部 23a、23b、33a、33b、43a、43b 以及 43c。被處理體G經(jīng)由這些開(kāi)口部被搬入、搬出。加載互鎖真空室2的室21經(jīng)由開(kāi)口部23a以及閘閥(gate valve)室6a與處理系統(tǒng)I的外部、即大氣側(cè)連通。在閘閥室6a收納有開(kāi)閉開(kāi)口部23a的閘閥GV。此外，室21經(jīng)由開(kāi)口部23b、閘閥室6b以及開(kāi)口部43a與室41連通。在閘閥室6b收納有開(kāi)閉開(kāi)口部23b的閘閥GV0批量式處理裝置3a的室31a經(jīng)由開(kāi)口部33a、收納有開(kāi)閉該開(kāi)口部33a的閘閥GV的閘閥室6c、以及開(kāi)口部43b而與室41連通。同樣，批量式處理裝置3b的室31b經(jīng)由開(kāi)口部33b、收納有開(kāi)閉該開(kāi)口部33b的閘閥GV的閘閥室6d、以及開(kāi)口部43c而與室41連通。共用搬運(yùn)室4的室41的俯視形狀在本例中為矩形。在矩形的四邊中的三邊設(shè)有開(kāi)口部43a、43b、43c。在共用搬運(yùn)室4的內(nèi)部設(shè)置有搬運(yùn)裝置7。搬運(yùn)裝置7從加載互鎖真空室2向批量式處理裝置3a或者3b、從批量式處理裝置3a或者3b向批量式處理裝置3b或者3a、從批量式處理裝置3a或者3b向加載互鎖真空室2搬運(yùn)被處理體G。因此，搬運(yùn)裝置7除了能夠進(jìn)行使被處理體G升降的升降動(dòng)作以及使被處理體G旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)動(dòng)作之夕卜，還能夠進(jìn)行使被處理體G進(jìn)入加載互鎖真空室2、批量式處理裝置3a及3b的內(nèi)部或從內(nèi)部退避的動(dòng)作。搬運(yùn)裝置7構(gòu)成為包括拾取單元72，該拾取單元72具備對(duì)被處理體G進(jìn)行支承的支承部件亦即拾取器71 ;使拾取單元72滑動(dòng)的滑動(dòng)單元73 ;以及驅(qū)動(dòng)滑動(dòng)單元73的驅(qū)動(dòng)單元74。拾取器71在室41的高度方向?qū)盈B地設(shè)置有多個(gè)，多張被處理體G在室41的高度方向水平地載置在拾取器71上，從而構(gòu)成為能一次搬運(yùn)多個(gè)被處理體G。在滑動(dòng)單元73設(shè)有滑動(dòng)基座73a，拾取單元72安裝于滑動(dòng)基座73a，并在滑動(dòng)基座73a上前后滑動(dòng)。由此，拾取單元72前進(jìn)、后退，從室41的內(nèi)部進(jìn)入室21、31a、31b的內(nèi)部，或從室21、31a、31b的內(nèi)部向室41的內(nèi)部退避。此外，利用驅(qū)動(dòng)單元74使滑動(dòng)單元73升降以及旋轉(zhuǎn)。由此，滑動(dòng)單元73例如在共用搬運(yùn)室4內(nèi)升降以及旋轉(zhuǎn)。像這樣的處理系統(tǒng)I的各部的控制以及搬運(yùn)裝置7的控制由控制部8進(jìn)行。控制 部8例如具有由微處理器(計(jì)算機(jī))構(gòu)成的工藝控制器81。為了使操作人員對(duì)處理系統(tǒng)I進(jìn)行管理，在控制器81連接有由進(jìn)行指令的輸入操作等的鍵盤、可視化地顯示處理系統(tǒng)I的運(yùn)轉(zhuǎn)狀況的顯示器等構(gòu)成的用戶界面82。此外，在工藝控制器81連接有存儲(chǔ)部83。存儲(chǔ)部83儲(chǔ)存有用于利用工藝控制器81的控制來(lái)實(shí)現(xiàn)在處理系統(tǒng)I執(zhí)行的各種處理的控制程序、用于根據(jù)處理?xiàng)l件使處理系統(tǒng)I的各部執(zhí)行處理的準(zhǔn)則(recipe)。準(zhǔn)則例如存儲(chǔ)于存儲(chǔ)部83中的存儲(chǔ)介質(zhì)。存儲(chǔ)介質(zhì)可以是硬盤、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，也可以是⑶一 ROM、DVD、閃存等移動(dòng)式存儲(chǔ)介質(zhì)。并且，也可以從其他的裝置經(jīng)由例如專用線路而適當(dāng)?shù)貍魉蜏?zhǔn)則。根據(jù)需要，按照來(lái)自用戶界面82的指示等從存儲(chǔ)部83讀取準(zhǔn)則，工藝控制器81執(zhí)行基于所讀取到的準(zhǔn)則的處理，從而處理系統(tǒng)I以及搬運(yùn)裝置7在工藝控制器81的控制下實(shí)施所希望的處理、控制。第一實(shí)施方式所涉及的處理系統(tǒng)I所具備的批量式處理裝置3a、3b之中的批量式處理裝置3a是本發(fā)明的第一實(shí)施方式的一例所涉及的批量式處理裝置。當(dāng)然，批量式處理裝置3b可以使用第一實(shí)施方式所涉及的批量式處理裝置，也可以使用現(xiàn)有的批量式處理裝置。以下，對(duì)批量式處理裝置3a進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。如圖I及圖2所示，批量式處理裝置3a具備室31a。以下，將該室31a稱作主室31a。如圖2及圖3所示，在主室31a內(nèi)具備在該主室31a的高度方向?qū)盈B設(shè)置、用于載置被處理體G的多個(gè)工作臺(tái)101a、101b、...、101x、101y ;以及針對(duì)每個(gè)上述工作臺(tái)IOla IOly分別設(shè)置一個(gè)、且遮蓋載置于工作臺(tái)IOla IOly的被處理體G的多個(gè)罩102a、102b、…、102x、102yo在本例中，工作臺(tái)IOla IOly由未圖示的固定機(jī)構(gòu)固定于主室31a，而罩102a 102y在主室31a內(nèi)升降。在主室31a內(nèi)，設(shè)有用于使罩102a 102y —起升降的例如4根罩升降支柱103。罩102a 102y經(jīng)由固定部104固定于上述罩升降支柱103。通過(guò)使罩升降支柱103在主室31a的高度方向升降而使罩102a 102y —起升降。若使罩102a 102y從工作臺(tái)IOla IOly —起上升，則工作臺(tái)IOla IOly在主室31a的內(nèi)部空間露出。由此，成為能夠?qū)⒈惶幚眢wG交接至工作臺(tái)IOla IOly的被處理體載置面105上的狀態(tài)。圖3A示出使罩102a 102y之中的罩102a 102c —起上升后的狀態(tài)。相反，若使罩102a 102y —起向工作臺(tái)IOla IOly下降，并使工作臺(tái)IOla IOly與罩102a 102y氣密地抵接，則在工作臺(tái)IOla IOly的被處理體載置面105上分別形成有處理用小空間106，該處理用小空間106分別包圍在工作臺(tái)IOla IOly的被處理體載置面105上分別載置有一張的被處理體G，且容量小于主室31a的內(nèi)部空間的容量。圖3B示出使罩102a 102y之中的罩102a 102c —起下降后的狀態(tài)。在工作臺(tái)IOla IOly的邊緣部，設(shè)有與拾取器71之間交接被處理體G的升降器107。在本例中，例如設(shè)有4個(gè)升降器107，分別支承被處理體G的邊緣部分。在主室31a內(nèi)，設(shè)有用于使升降器107 —起升降的、例如4根升降器升降支柱108。升降器107經(jīng)由固定部109固定于這些升降器升降支柱108。通過(guò)使升降器升降支柱108在主室31a的高度方向升降而使升降器107 —起升降。圖4A示出使設(shè)于工作臺(tái)IOla IOlc的邊緣部的升 降器107 —起上升后的狀態(tài)，相反，圖4B示出使之一起下降后的狀態(tài)。如圖I所示，從氣體供給機(jī)構(gòu)、例如氣箱(gas box) 110經(jīng)由氣體供給管Illa Illc向處理用小空間106的內(nèi)部供給在處理中使用的氣體。在本例中,氣體供給管的根數(shù)為3根，但氣體的種類、數(shù)量根據(jù)在處理用小空間106的內(nèi)部進(jìn)行的處理而變化，因此氣體供給管的根數(shù)是任意的。并且，本例的批量式處理裝置3a假定進(jìn)行ALD成膜。因此，例如，從氣體供給管Illa供給第一前驅(qū)體氣體,從氣體供給管Illb供給吹掃氣體(purge gas),從氣體供給管Illc供給第二前驅(qū)體氣體。前驅(qū)體氣體的種類根據(jù)要成膜的膜而進(jìn)行各種選擇，但例如在形成硅氧化膜的情況下，作為第一前驅(qū)體氣體供給硅原料氣體、作為第二前驅(qū)體氣體供給含有氧化劑的氣體即可。吹掃氣體是惰性氣體，例如可以舉出氮?dú)鉃橐焕?。并且，利用排氣裝置112經(jīng)由排氣通道113以及排氣管114對(duì)處理用小空間106的內(nèi)部進(jìn)行排氣。另外，作為排氣裝置112，也可以利用圖2所示的排氣裝置5。圖5示出工作臺(tái)IOla與罩102a分離后的狀態(tài)的立體圖。另外，其他的工作臺(tái)IOlb 101y、罩102b 102y也是相同的結(jié)構(gòu)。此處，作為代表例對(duì)工作臺(tái)IOla以及罩102a的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。如圖5所示，在工作臺(tái)IOla的被處理體載置面105形成有升降器收納部115，下降后的升降器107被收納于該升降器收納部115。在升降器107下降后，升降器107被收納于升降器收納部115，由此能夠避免升降器107比被處理體載置面105的表面向上突出，從而被處理體G能夠水平地載置于被處理體載置面105。此外，在上述被處理體載置面105的周緣部的一部分設(shè)有供來(lái)自氣體供給管Illa Illc的氣體噴出的氣體噴出孔形成區(qū)域116。圖6A示出氣體噴出孔形成區(qū)域附近的俯視圖，圖6B示出沿著圖6A中的VIB - VIB線的截面。如圖6A及圖6B所示，從氣箱110延伸出的氣體供給管Illa在工作臺(tái)10 Ia的附近沿與被處理體G的搬入、搬出方向正交的X方向延伸，且連接于工作臺(tái)IOla的一端側(cè)。此外，氣體供給管Illa在工作臺(tái)IOla的內(nèi)部向與X方向交叉、例如正交的Y方向(被處理體G的搬入、搬出方向)彎曲，并朝工作臺(tái)IOla的另一端側(cè)延長(zhǎng)形成。在氣體供給管Illa的沿Y方向延長(zhǎng)形成的部分，形成有從氣體供給管Illa到達(dá)上述被處理體載置面105的表面的多個(gè)氣體噴出孔117a。氣體供給管Illb同樣沿X方向延伸，且連接于工作臺(tái)IOla的端部中央。氣體供給管Illb在工作臺(tái)IOla的內(nèi)部、且在氣體供給管Illb的延長(zhǎng)形成部分的近前側(cè)朝一端側(cè)及另一端側(cè)分支，并分別沿Y方向延長(zhǎng)形成。在氣體供給管Ulb的沿Y方向延長(zhǎng)形成的部分形成有從氣體供給管Illb到達(dá)上述被處理體載置面105的表面的多個(gè)氣體噴出孔117b。氣體供給管Illc同樣沿X方向延伸，且連接于工作臺(tái)IOla的另一端側(cè)。氣體供給管11 Ic在工作臺(tái)IOla的內(nèi)部向Y方向彎曲，并與氣體供給管11 Ia相反地朝工作臺(tái)IOla的一端側(cè)延長(zhǎng)形成。在氣體供給管Illc的沿Y方向延長(zhǎng)形成的部分形成有從氣體供給管Illc到達(dá)上述被處理體載置面105的表面 的多個(gè)氣體噴出孔117c。供給至氣體供給管Illa Illc的氣體從多個(gè)氣體噴出孔117a 117c朝處理用小空間106的內(nèi)部噴出。在本例中，氣體供給管Illa Illc不在升降器107的部分中斷，而是通過(guò)升降器107的下方、且遍及從一端側(cè)到另一端側(cè)的范圍延長(zhǎng)形成。由此，不僅從升降器107之間向處理用小空間106的內(nèi)部供給氣體，也能夠從升降器107與一端側(cè)之間、升降器107與另一端側(cè)之間向處理用小空間106供給氣體。根據(jù)該方法，與僅從升降器107間供給氣體的情況相比，能夠更均勻地向處理用小空間106的內(nèi)部供給氣體。在上述被處理體載置面105的與氣體噴出孔形成區(qū)域116相對(duì)一側(cè)的周緣部設(shè)有排氣槽118。圖7A示出排氣槽附近的俯視圖，圖7B示出沿著圖7A中的VIIB — VIIB線的截面。排氣槽118從工作臺(tái)IOla的一端側(cè)朝向另一端側(cè)地沿Y方向形成。在工作臺(tái)IOla的端部中央、例如是升降器107之間的部分，連接有與上述排氣管114連接的排氣通道113。排氣槽118經(jīng)由氣體排氣口 119與排氣通道113連接。供給至處理用小空間106的內(nèi)部的氣體從排氣槽118被吸引，經(jīng)由氣體排氣口 119被引導(dǎo)至排氣通道113，從而從排氣通道113經(jīng)由排氣管114排氣。本例的排氣槽118也與氣體供給管Illa Illc相同，不在升降器107的部分中斷，而是通過(guò)升降器107的下方，遍及從一端側(cè)向另一端側(cè)的范圍形成。由此，與僅從升降器107之間排氣的情況相比，能夠更均勻地對(duì)處理用小空間106的內(nèi)部進(jìn)行排氣。對(duì)于形成有處理用小空間106后的氣體的流動(dòng)，如圖8所示，從基板載置面105沿氣體噴出孔117a 117c向垂直方向噴出氣體，利用罩102a使氣體的流動(dòng)方向轉(zhuǎn)換為水平方向而朝向相反一側(cè)的排氣槽118。此外，在排氣槽118的上方再次進(jìn)行方向轉(zhuǎn)換而轉(zhuǎn)換為垂直方向，從而朝氣體排氣口 119排氣。其次，對(duì)被處理體G的搬入、搬出動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明。另外，對(duì)于本說(shuō)明，作為代表例對(duì)相對(duì)于由工作臺(tái)IOla及罩102a形成的處理用小空間106的搬入、搬出動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明，但相對(duì)于由其他的工作臺(tái)IOlb 101y、罩102b 102y形成的處理用小空間的搬入、搬出動(dòng)作也相同。圖9A 圖9F是示出被處理體G的搬入、搬出動(dòng)作的一例的剖視圖。首先，如圖9A所示，使罩102a上升至拾取器71能夠進(jìn)入的位置。其次，如圖9B所示，使支承有被處理體G的拾取器71從共用搬運(yùn)室4的內(nèi)部進(jìn)入主室31a內(nèi)的工作臺(tái)IOla的被處理體載置面105的上方。其次，如圖9C所示，使升降器107上升，從拾取器71接收被處理體G。其次，如圖9D所示，當(dāng)升降器107接收被處理體G后，使拾取器71向共用搬運(yùn)室4的內(nèi)部后退。其次，如圖9E所示，使升降器107下降，將被處理體G載置在被處理體載置面105上。最后，如圖9F所示，使罩102a下降，使罩102a與工作臺(tái)IOla氣密地抵接。由此，在被處理體G的周圍形成有處理用小空間106。根據(jù)這樣的批量式處理裝置3a，通過(guò)形成有包圍被處理體G、且容量小的處理用小空間106，與例如使多個(gè)被處理體G暴露在主室31a的情況相比，能夠減少不參與成膜的處理氣體的量，能夠提高處理氣體的使用效率。并且，由于處理用小空間106的容量小于主室31a的容量，所以與相對(duì)于主室31a的氣體供給以及氣體排氣相比，相對(duì)于處理用小空間106的氣體供給以及氣體排氣能夠在更短的時(shí)間完成。因此，能夠縮短氣體供給、氣體排氣所需要的時(shí)間，并能夠?qū)⑸a(chǎn)節(jié)拍時(shí) 間設(shè)定得較短。由于能夠?qū)⑸a(chǎn)節(jié)拍時(shí)間設(shè)定得較短，結(jié)果能夠進(jìn)一步得到處理能力良好的批量式處理裝置。此外，由于處理用小空間106的容量小，從而也能夠得到以下優(yōu)點(diǎn)例如在現(xiàn)狀中的具有730mmX 920mm 2200mmX 2500mm的大小的玻璃基板中，也能夠采用ALD法。其次，對(duì)批量式處理裝置3a的幾個(gè)變形例進(jìn)行說(shuō)明。(第一變形例氣密性的改善)圖IOA是第一變形例所涉及的批量式處理裝置的俯視圖，圖IOB是沿著圖IOA中的XB - XB線的剖視圖。為了提高上述的工作臺(tái)IOla與罩102a之間的氣密性，也可以在工作臺(tái)IOla的靠被處理體載置面105側(cè)的表面設(shè)置密封部件，例如設(shè)置O型圈120。O型圈120抵接于罩102a的與工作臺(tái)IOla抵接的抵接面。此外，在第一變形例所涉及的批量式處理裝置3c中，尤其如圖IOB所示，在O型圈120與處理用小空間106之間設(shè)有環(huán)狀的槽121。罩102a以覆蓋O型圈120及環(huán)狀的槽121的上方的方式與工作臺(tái)IOla抵接。環(huán)狀的槽121與氣體供給管122連接。例如從氣箱110向氣體供給管122供給惰性氣體、例如氮?dú)?N2),所供給的氮?dú)獗凰腿氕h(huán)狀的槽121的內(nèi)部。例如利用排氣裝置112經(jīng)由排氣管114及/或者與排氣管114分開(kāi)設(shè)置的排氣管114a對(duì)被送入環(huán)狀的槽121的氮?dú)膺M(jìn)行排氣。在環(huán)狀的槽121內(nèi)流動(dòng)的氮?dú)鈱?shí)現(xiàn)如下作用將欲從處理用小空間106自工作臺(tái)10Ia與罩102a之間的極小的間隙漏出的氣體推回至處理用小空間106，或者將其誘入環(huán)狀的槽121、并與氮?dú)庖黄鸾?jīng)由排氣管114以及/或者排氣管114a排氣。這樣，通過(guò)在工作臺(tái)102a的靠被處理體載置面105側(cè)的表面設(shè)置密封部件，在本例中為設(shè)置O型圈120，能夠提高工作臺(tái)IOla與罩102a之間的氣密性。此外，除了設(shè)置O型圈120之外，在O型圈與處理用小空間106之間設(shè)置環(huán)狀的槽121，使環(huán)狀的槽121中流過(guò)有惰性氣體。由此，能夠進(jìn)一步提高工作臺(tái)IOla與罩102a之間的氣密性。并且，通過(guò)使環(huán)狀的槽121中流過(guò)有惰性氣體，能夠抑制處理用小空間106內(nèi)的例如具有化學(xué)反應(yīng)性的環(huán)境氣與O型圈120直接接觸。因此，也能夠得到如下優(yōu)點(diǎn)能夠抑制密封部件、例如O型圈120的隨時(shí)間推移的劣化的加劇，能夠減少O型圈120的更換頻率。另外，在上述第一變形例中，與O型圈120并用地設(shè)置槽121，但是也可以不設(shè)置O型圈120而僅設(shè)置槽121。在該情況下，通過(guò)使從槽121供給的氮?dú)夥种Ф謩e向處理用小空間106與主室內(nèi)流動(dòng)，能夠得到將處理用小空間106與主室內(nèi)遮斷的效果。(第二變形例處理用小空間的形成例)圖IlA 圖IlC是示出處理用小空間的形成例的剖視圖。圖IIA所示的例子是上述的批量式處理裝置3a。在批量式處理裝置3a中，工作臺(tái)IOla是平坦的，在罩102a形成有用于形成處理用小空間106的凹部130a。在該類型中，如參照?qǐng)D8說(shuō)明的那樣，經(jīng)由工作臺(tái)IOla的被處理體載置面105進(jìn)行相對(duì)于處理用小空間106的氣體供給以及氣體排氣。相反，圖IlB所示的批量式處理裝置3d是罩102a平坦、在工作臺(tái)IOla設(shè)有用于形成處理用小空間106的凹部130b的例子。 在該類型中，經(jīng)由工作臺(tái)IOla的凹部130b的側(cè)面進(jìn)行相對(duì)于處理用小空間106的氣體供給以及氣體排氣。在該情況下，例如，氣體噴出孔117設(shè)在凹部130b的一個(gè)側(cè)面，氣體排氣口 119設(shè)在凹部130b的與上述一個(gè)側(cè)面相對(duì)的另一個(gè)側(cè)面。這樣，若將氣體噴出孔117以及氣體排氣口 119設(shè)于凹部130b的相互相對(duì)的側(cè)面，則從氣體供給管111供給的氣體的流動(dòng)的行進(jìn)方向在處理用小空間106的內(nèi)部從氣體噴出孔117至氣體排氣口 119為止都不會(huì)改變。因此，能夠得到如下優(yōu)點(diǎn)在處理用小空間106的內(nèi)部，容易使在處理中使用的氣體形成層流。通過(guò)使在處理用小空間106的內(nèi)部流動(dòng)的氣體成為層流，例如能夠進(jìn)一步得到如下優(yōu)點(diǎn)能夠進(jìn)一步提高對(duì)成膜的薄膜的膜厚以及薄膜質(zhì)量的控制性。圖IlC所示的批量式處理裝置3e是在工作臺(tái)IOla及罩102a雙方設(shè)有用于形成處理用小空間106的凹部130a及130b的例子。這樣，用于形成處理用小空間106的凹部130a及130b也能夠設(shè)于工作臺(tái)IOla及罩102a雙方。(第三變形例罩固定、工作臺(tái)升降)第三變形例所涉及的批量式處理裝置與第一實(shí)施方式所涉及的批量式處理裝置3a的不同之處在于罩102a 102y固定于主室31a內(nèi)，工作臺(tái)IOla IOly—起升降。圖12A是示出第三變形例所涉及的批量式處理裝置的使工作臺(tái)下降后的狀態(tài)的圖，圖12B是示出使工作臺(tái)上升后的狀態(tài)的圖。如圖12A及圖12B所示，在第三變形例所涉及的批量式處理裝置3f的主室內(nèi)，設(shè)有用于使工作臺(tái)IOla IOly —起升降的例如4根工作臺(tái)升降支柱140。罩102a 102y通過(guò)未圖示的固定機(jī)構(gòu)固定于主室31a。工作臺(tái)IOla IOly經(jīng)由固定部141固定于上述工作臺(tái)升降支柱140。通過(guò)使工作臺(tái)升降支柱140在主室的高度方向升降，能夠使工作臺(tái)IOla IOly—起升降。另外，圖12A及圖12B示出使工作臺(tái)IOla IOly之中的工作臺(tái)IOla IOlc —起升降后的狀態(tài)。在升降器107形成于工作臺(tái)IOla IOly的各自的邊緣部的情況下，升降器107也與工作臺(tái)IOla IOly的升降聯(lián)動(dòng)地升降。當(dāng)僅使升降器107升降時(shí),例如,在工作臺(tái)IOla IOlc下降后的狀態(tài)下，使升降器升降支柱108升降。圖13示出在工作臺(tái)IOla IOlc下降后的狀態(tài)下使升降器107上升后的狀態(tài)。并且，也可以構(gòu)成為，使升降器107與工作臺(tái)IOla IOlc同時(shí)下降，并使升降器107在被處理體G的交接位置停止，之后，使工作臺(tái)IOla IOlc進(jìn)一步下降。由此,能夠得到與使升降器107從工作臺(tái)IOla IOlc上升的情況相同的效果。如第三變形例那樣，在將罩102a 102y固定于主室31a內(nèi)、使工作臺(tái)IOla IOly一起升降的情況下，罩102a 102y無(wú)法移動(dòng)，因此能夠容易地在罩102a 102y安裝氣體噴出孔117以及氣體排氣口 119。進(jìn)而，如果將氣體噴出孔117以及氣體排氣口 119安裝于罩102a 102y，則氣體噴出方式能夠選擇如下兩種方式中的任一種方式從垂直方向?qū)Ρ惶幚眢wG的被處理面噴出氣體的垂直氣體噴出方式(即氣體噴淋(gas shower));以及從水平方向?qū)Ρ惶幚眢wG的被處理面噴出氣體的水平氣體噴出方式。圖14示出垂直氣體噴出方式的一例，圖15示出水平氣體噴出方式的一例。如圖14所示，批量式處理裝置3f - I的罩102a — I具有用于形成處理用小空間106的凹部130a，并且，在其內(nèi)部具備氣體擴(kuò)散空間150。氣體擴(kuò)散空間150與氣體供給管111連接，并由氣體供給管111供給在處理中使用的氣體。在罩102a — I的面向被處理體G 的表面形成有多個(gè)氣體噴出孔117。多個(gè)氣體噴出孔117分別與氣體擴(kuò)散空間150及處理用小空間106連通，例如與被處理體G的俯視形狀相匹配而在罩102a — I形成為格子狀。另外，多個(gè)氣體噴出孔117的配置不限定于格子狀，能夠選擇適于得到與處理內(nèi)容相匹配的適當(dāng)?shù)臍怏w分布的各種方式。并且，批量式處理裝置3f — I經(jīng)由圖2所示的對(duì)主室內(nèi)進(jìn)行排氣的排氣口 32來(lái)進(jìn)行處理用小空間106內(nèi)的排氣。因此，罩102a - I并未與工作臺(tái)IOla完全抵接，而以帶有排氣用縫隙151的方式在該罩102a - I與工作臺(tái)IOla之間形成處理用小空間106。處理用小空間106內(nèi)的環(huán)境氣經(jīng)由排氣用縫隙151而向主室內(nèi)排氣，并進(jìn)一步經(jīng)由形成于主室的排氣口 32排氣。并且，如圖15所示，批量式處理裝置3f — 2的罩102a — 2也具有用于形成處理用小空間106的凹部130a。氣體噴出孔117設(shè)于凹部130a的一個(gè)側(cè)面，氣體排氣口 119設(shè)于凹部130a的與上述一個(gè)側(cè)面相對(duì)的側(cè)面。在本例的情況下，罩102a — 2與工作臺(tái)IOla氣密地抵接。對(duì)于處理用小空間106內(nèi)的排氣，從氣體排氣口 119經(jīng)由排氣通道113以及排氣管114來(lái)進(jìn)行排氣。當(dāng)然，在批量式處理裝置3f - 2中，也可以與批量式處理裝置3f — I相同，在罩102a - 2與工作臺(tái)IOla之間設(shè)置排氣用縫隙，通過(guò)上述排氣用縫隙而從排氣口 32進(jìn)行處理用小空間106的排氣。這樣，根據(jù)第三變形例，由于使工作臺(tái)IOla IOly能夠升降，并將罩102a 102y固定于主室內(nèi)，因此能夠得到如下的優(yōu)點(diǎn)氣體噴出方式能夠選擇垂直氣體噴出方式以及水平氣體噴出方式中的任一種方式，氣體供給方式的選擇的自由度提高。(第四變形例銷狀升降器)圖16A是示出第四變形例所涉及的批量式處理裝置的使升降器下降后的狀態(tài)的圖，圖16B是示出使升降器上升后的狀態(tài)的圖。另外，圖16A及圖16B僅示出工作臺(tái)IOla 101y、罩102a 102y之中的工作臺(tái)101a、罩102a。如圖16A及圖16B所示，第四變形例所涉及的批量式處理裝置3g與第一實(shí)施方式所涉及的批量式處理裝置3a的不同之處在于，升降器107是銷狀升降器160，并非對(duì)被處理體G的周緣部進(jìn)行支承，而是呈點(diǎn)狀地對(duì)被處理體G的面內(nèi)的多處位置進(jìn)行支承。這樣，升降器也能夠置換為銷狀升降器160，并且也能夠同樣應(yīng)用于第一 第三變形例中。并且，如圖17所示，在作為升降器而使用銷狀升降器160的情況下，在處理用小空間106與主室之間形成有經(jīng)由形成于工作臺(tái)IOla的銷狀升降器收納部161與銷狀升降器160之間的微小的縫隙漏氣的新的漏氣通路162。因此，為了遮斷漏氣通路162，也可以在銷狀升降器收納部161與銷狀升降器160的例如頭部下表面163之間設(shè)有密封部件、例如設(shè)有O型圈164。通過(guò)設(shè)置O型圈164，能夠抑制經(jīng)由通過(guò)上述微小的縫隙形成的漏氣通路162的漏氣。(第五變形例被處理體升降機(jī)構(gòu)的削減)并且，若作為升降器使用銷狀升降器160，則也能夠得到以下優(yōu)點(diǎn)能夠從批量式 處理裝置削減使升降器升降的被處理體升降機(jī)構(gòu)、例如在第一實(shí)施方式中為升降器升降支柱108以及驅(qū)動(dòng)升降器升降支柱108的機(jī)構(gòu)。圖18A是示出第五變形例所涉及的批量式處理裝置的使罩上升后的狀態(tài)的圖，圖18B是示出使罩下降后的狀態(tài)的圖。另外，圖18A及圖18B示出使設(shè)置于工作臺(tái)IOla IOly的銷狀升降器160之中的設(shè)置于工作臺(tái)IOla IOlc的銷狀升降器160 —起升降后的狀態(tài)。如圖18A及圖18B所示，對(duì)于第五變形例所涉及的批量式處理裝置3h，作為被處理體升降機(jī)構(gòu)的升降器具有銷狀升降器160，該銷狀升降器160貫通設(shè)于工作臺(tái)IOla IOlc的銷狀升降器收納部161而懸架于工作臺(tái)。此外，當(dāng)使罩102a 102c上升時(shí)，銷狀升降器160的下端與位于下方的罩102a 102c的上表面抵接。由此,銷狀升降器160與罩102a 102c的上升對(duì)應(yīng)地上升。并且，若從圖18A所示的狀態(tài)開(kāi)始使罩下降，則銷狀升降器160的下端從位于下方的罩102a 102c的上表面離開(kāi),并且,銷狀升降器160被收納于銷狀升降器收納部161。這樣，根據(jù)第五變形例，使驅(qū)動(dòng)銷狀升降器160升降的被處理體升降機(jī)構(gòu)與使罩升降的罩升降機(jī)構(gòu)聯(lián)動(dòng)。例如，在本例中，通過(guò)使銷狀升降器160與罩102a 102c的升降對(duì)應(yīng)地升降，能夠得到如下優(yōu)點(diǎn)能夠從批量式處理裝置削減使升降器升降的被處理體升降機(jī)構(gòu)、例如升降器升降支柱108以及對(duì)升降器升降支柱108進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的機(jī)構(gòu)。通過(guò)從批量式處理裝置削減被處理體升降機(jī)構(gòu)，主室的容量降低，且從主室內(nèi)去掉了驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，因此能夠得到可抑制顆粒的產(chǎn)生的優(yōu)點(diǎn)。當(dāng)然，由于從主室內(nèi)去掉了驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，因此也能夠抑制批量式處理裝置的制造成本。(第二實(shí)施方式)在第一實(shí)施方式中，將氣體供給機(jī)構(gòu)設(shè)置于工作臺(tái)IOla IOly以及罩102a 102y之中的被固定的一方。第二實(shí)施方式是研究將氣體供給機(jī)構(gòu)設(shè)置于工作臺(tái)IOla IOly以及罩102a 102y之中的能夠升降的一方的例子。圖19是示出本發(fā)明的第二實(shí)施方式的一例所涉及的批量式處理裝置的工作臺(tái)以及罩與其附近的剖視圖。另外，圖19僅示出罩102a 102y之中的罩102a。
如圖19所示，第二實(shí)施方式所涉及的批量式處理裝置3i與第一實(shí)施方式的批量式處理裝置3a的主要不同之處在于，在使罩102a 102y —起升降的罩升降支柱103的內(nèi)部以及固定部104的內(nèi)部形成有氣體供給管111。這樣，通過(guò)在罩升降支柱103的內(nèi)部以及固定部104的內(nèi)部形成氣體供給管111，能夠?qū)怏w供給管111以及氣體噴出孔117的氣體供給機(jī)構(gòu)設(shè)于能夠升降的罩102a 102yo并且，在本例中，將罩102a構(gòu)成為與圖14所示的罩102a — I相同的垂直氣體噴出方式(氣體噴淋)。并且，工作臺(tái)IOla IOly固定。因此，相對(duì)于處理用小空間106的氣體噴出方式采用垂直氣體噴出方式，關(guān)于從處理用小空間106排氣的氣體排氣方式，能夠形成為從被處理體載置面105的表面經(jīng)由排氣槽118、氣體排氣口 119吸引氣體的方式。并且，本例的排氣槽118并非如第一實(shí)施方式那樣沿工作臺(tái)IOla的一邊形成為一條線狀，而能夠以包圍載置在工作臺(tái)IOla上的被處理體G的邊緣的方式形成為環(huán)狀。這是 由于從工作臺(tái)IOla的內(nèi)部去掉了例如圖6所示的氣體供給管Illa 111c。在相對(duì)于處理用小空間106的氣體噴出方式構(gòu)成為垂直氣體噴出方式(氣體噴淋)的情況下，若從處理用小空間106排氣的氣體排氣方式為利用形成為環(huán)狀的排氣槽118進(jìn)行排氣，則能夠得到可促進(jìn)從處理用小空間106的排氣的均勻化的優(yōu)點(diǎn)。(第三實(shí)施方式)圖20示出第三實(shí)施方式。第三實(shí)施方式與第一實(shí)施方式、第二實(shí)施方式的不同之處在于，通過(guò)固定部104向工作臺(tái)IOla供給的氣體從工作臺(tái)IOla與罩102a接觸的接觸部被供給至罩102a，并從設(shè)于罩102a的氣體噴淋器通過(guò)多個(gè)氣體噴出孔117向處理用空間106供給。對(duì)于從處理用空間106的氣體的排氣，可以在工作臺(tái)IOla設(shè)置排氣口(未圖示)來(lái)進(jìn)行排氣，或者也可以通過(guò)罩102a與工作臺(tái)IOla之間的間隙進(jìn)行排氣。但是，在罩102a與工作臺(tái)IOla接觸的接觸部中的設(shè)置有氣體通路的位置，需要以包圍氣體通路的方式利用密封部件確保氣密性。根據(jù)第三實(shí)施方式，由于載置被處理體G的工作臺(tái)IOla固定，所以能夠減少對(duì)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)的負(fù)荷，且能夠減少被處理體G破損的危險(xiǎn)性，并且，由于能夠利用噴淋噴頭從升降的罩供給氣體，因此能夠均勻地對(duì)被處理體G進(jìn)行處理。(第三實(shí)施方式變形例)圖21示出第三實(shí)施方式的變形例。在第三實(shí)施方式的變形例中，從工作臺(tái)IOla供給至罩102a的氣體并非從噴淋噴頭而是從單一的氣體導(dǎo)入孔供給至處理用空間106。此時(shí)，所供給的氣體填充于罩102a的凹部，因此，因氣體導(dǎo)入口偏置而產(chǎn)生的氣體分布的偏向被緩和，在該狀態(tài)下朝被處理體G供給氣體。在圖21中，從處理用空間106的排氣通過(guò)排氣管114進(jìn)行，但是也可以形成為從罩102a與工作臺(tái)IOla的間隙排氣的結(jié)構(gòu)。并且，在上述第一實(shí)施方式、第二實(shí)施方式、第三實(shí)施方式中，也可以在工作臺(tái)IOla IOly設(shè)置溫度調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)。溫度調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)能夠使用由電阻加熱器等加熱器形成的加熱機(jī)構(gòu)。并且，作為其他的調(diào)溫機(jī)構(gòu)，能夠使用如下機(jī)構(gòu)在工作臺(tái)IOla IOly的內(nèi)部設(shè)置供調(diào)溫介質(zhì)流通的流路，從外部冷機(jī)流通被調(diào)整至規(guī)定的溫度的調(diào)溫介質(zhì)，由此能夠進(jìn)行冷卻或者加熱，或者使雙方適當(dāng)切換。也可以并用由加熱器形成的加熱機(jī)構(gòu)與基于調(diào)溫介質(zhì)的調(diào)溫機(jī)構(gòu)。
在為使用調(diào)溫介質(zhì)的調(diào)溫機(jī)構(gòu)的情況下，為了連接從外部供給調(diào)溫介質(zhì)的供給管，更適合在工作臺(tái)IOla IOly固定的結(jié)構(gòu)中使用，但是，在使用電阻加熱器的加熱機(jī)構(gòu)的情況下，由于只配置向電阻加熱器供給電力的導(dǎo)電線即可，因此在工作臺(tái)10 Ia 10 Iy固定的結(jié)構(gòu)、或者使之升降的結(jié)構(gòu)中均能夠適當(dāng)使用。并且，溫度調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)可以是能夠?qū)ぷ髋_(tái)IOla IOly—起進(jìn)行溫度控制的機(jī)構(gòu)，也可以是能夠?qū)Ω鱾€(gè)工作臺(tái)分別獨(dú)立地進(jìn)行溫度控制的機(jī)構(gòu)。在為能夠分別獨(dú)立地進(jìn)行溫度控制的機(jī)構(gòu)的情況下，能夠防止發(fā)生在工作臺(tái)的上端及下端與中間部溫度不同的情況，能夠在所有的工作臺(tái)以均勻的溫度對(duì)被處理體G進(jìn)行處理。(第四實(shí)施方式)圖22是示出本發(fā)明的第四實(shí)施方式的一例所涉及的批量式處理裝置的工作臺(tái)及罩的剖視圖，圖23A及圖23B是沿著圖22中的XXIII — XXIII線的剖視圖。另外，圖23A示出打開(kāi)罩后的狀態(tài)，圖23B示出關(guān)閉罩后的狀態(tài)。 如圖22、圖23A及圖23B所示，第四實(shí)施方式所涉及的批量式處理裝置3k與第一實(shí)施方式所涉及的批量式處理裝置3a的主要不同之處在于，在工作臺(tái)IOla的被處理體載置面105上還設(shè)有突起物、在本例中為擋板170。除了設(shè)有擋板170之外，其他方面與第一實(shí)施方式幾乎相同。本例的擋板170形成為例如沿排氣槽118在與處理用小空間106中的氣體的流動(dòng)交叉、例如正交的方向延伸，并橫截被處理體載置面105(參照?qǐng)D23A)。并且，擋板170的高度設(shè)定得比處理用小空間106的高度低。由此，當(dāng)工作臺(tái)IOla與罩102a抵接而形成處理用小空間106時(shí)，在處理用小空間106的內(nèi)部，在本例中為在凹部130a的內(nèi)表面與擋板170的上表面之間形成有狹縫狀的間隙(參照?qǐng)D22及圖23B)。狹縫狀的間隙例如沿與處理用小空間106中的氣體的流動(dòng)交叉、例如正交的方向形成，并使處理用小空間106與排氣槽118連通。由此，供給至處理用小空間106內(nèi)的氣體經(jīng)由狹縫狀的間隙從處理用小空間106朝排氣槽118排氣。通過(guò)形成狹縫狀的縫隙，與直接將供給至處理空間106內(nèi)的氣體引入排氣槽118的情況相比，能夠使氣體在處理空間106內(nèi)變得均勻。因此，通過(guò)調(diào)整擋板170的高度等、而適當(dāng)?shù)卣{(diào)整狹縫狀的間隙的大小，狹縫狀的間隙能夠作為整流部171發(fā)揮功能，該整流部171對(duì)處理用小空間106內(nèi)的氣體的流動(dòng)進(jìn)行整流而使之成為例如層流。圖24A及圖24B分別是將排氣槽118附近放大示出的剖視圖。圖24A所示的例子示出不具有擋板170的情況，圖24B示出具有擋板170的情況。如圖24A所示，在不具有擋板170的情況下，供給至處理用小空間106的氣體保持原樣地被引入較大的排氣槽118。與此相對(duì)，如圖24B所示，在具有擋板170的情況下，在本例中形成有成為狹縫狀的間隙的整流部171。與不具有擋板170的情況相比，整流部171的傳導(dǎo)能力小。通過(guò)使傳導(dǎo)能力變小，與不具有擋板170的情況相比，供給至處理用小空間106的氣體的流量在整流部171被限制。這樣，通過(guò)在處理用小空間106的內(nèi)部設(shè)置整流部171來(lái)限制流量，能夠?qū)μ幚碛眯】臻g106內(nèi)部的氣體施以整流作用。通過(guò)利用該整流作用，能夠在處理用小空間106的內(nèi)部更加均勻地形成作為層流的氣體的流動(dòng)。根據(jù)像這樣的第四實(shí)施方式所涉及的批量式處理裝置3k，通過(guò)在處理用小空間106的內(nèi)部具備整流部171，能夠在處理用小空間106的內(nèi)部形成更均勻的層流的氣體的流動(dòng)，與不具有擋板170的情況相比，能夠進(jìn)一步提高對(duì)在被處理體G上成膜的薄膜的膜厚及薄膜質(zhì)量的控制性。進(jìn)而，除了能夠得到該優(yōu)點(diǎn)，還能夠得到能夠進(jìn)一步提高膜厚及薄膜質(zhì)量在被處理體G面內(nèi)的面內(nèi)均勻性的優(yōu)點(diǎn)。(第四實(shí)施方式第一變形例)圖25是示出第四實(shí)施方式的第一變形例所涉及的批量式處理裝置的工作臺(tái)及罩的剖視圖。如圖25所示，第一變形例所涉及的批量式處理裝置3k — I與圖22等所示的一例所涉及的批量式處理裝置3k的主要不同之處在于，利用設(shè)于工作臺(tái)IOla的凹部130b與設(shè)于罩102a的凹部130a形成處理用小空間106。除此以外的方面與上述一例所涉及的批量式處理裝置3k幾乎相同。
這樣，在將用于形成處理用小空間106的凹部(圖25中為標(biāo)號(hào)130a及130b)形成于工作臺(tái)IOla及罩102a雙方的批量式處理裝置3k — I中，也能夠設(shè)置擋板170。進(jìn)而，在第一變形例所涉及的批量式處理裝置3k - I中，也能夠得到與上述一例所涉及的批量式處理裝置3k相同的優(yōu)點(diǎn)。(第四實(shí)施方式第二變形例)圖26是示出第四實(shí)施方式的第二變形例所涉及的批量式處理裝置的工作臺(tái)及罩的剖視圖。如圖26所示，第二變形例所涉及的批量式處理裝置3k — 2與圖22等所示的一例所涉及的批量式處理裝置3k的主要不同之處在于，罩102a平坦，在工作臺(tái)IOla形成用于形成處理用小空間106的凹部130b。除此以外的方面與上述一例所涉及的批量式處理裝置3k幾乎相同。這樣，在將用于形成處理用小空間106的凹部(圖26中為標(biāo)號(hào)130b)僅形成于工作臺(tái)IOla的批量式處理裝置3k - 2中，也能夠設(shè)置擋板170。(第四實(shí)施方式第三變形例)圖27是示出第四實(shí)施方式的第三變形例所涉及的批量式處理裝置的工作臺(tái)及罩的剖視圖。如圖27所示，第三變形例所涉及的批量式處理裝置3k — 3與圖26所示的第二變形例所涉及的批量式處理裝置3k — 2的主要不同之處在于，與圖IlB及圖IlC所示的第一實(shí)施方式的第二變形例所涉及的批量式處理裝置3d、3e相同，經(jīng)由工作臺(tái)IOla的凹部130b的側(cè)面來(lái)進(jìn)行相對(duì)于處理用小空間106的氣體供給及氣體排氣。除此以外的方面與上述一例所涉及的批量式處理裝置3k幾乎相同。這樣，在經(jīng)由工作臺(tái)IOla的凹部130b的側(cè)面進(jìn)行相對(duì)于處理用小空間106的氣體供給及氣體排氣的批量式處理裝置3k - 3中，也能夠設(shè)置擋板170。進(jìn)而，在第三變形例所涉及的批量式處理裝置3k - 3中，也能夠獲得與上述一例所涉及的批量式處理裝置3k、第二變形例所涉及的批量式處理裝置3k - 2等相同的優(yōu)點(diǎn)。(第四實(shí)施方式第四變形例)圖28是示出第四實(shí)施方式的第四變形例所涉及的批量式處理裝置的工作臺(tái)及罩的剖視圖。
如圖28所示，第四變形例所涉及的批量式處理裝置3k — 4與圖27所示的第三變形例所涉及的批量式處理裝置3k - 3的主要不同之處在于，擋板170并非設(shè)于被處理體載置面105上,而設(shè)于罩102a的靠處理用小空間106側(cè)的內(nèi)表面上。由此,在第三變形例中，整流部171形成于擋板170的上表面與罩102a的靠處理用小空間106側(cè)的內(nèi)表面之間，而在第四變形例中，整流部171形成于擋板170的下表面與工作臺(tái)IOla的被處理體載置面105之間。這樣，擋板170并不限于設(shè)于被處理體載置面105上，也能夠設(shè)于罩102a的靠處理用小空間106側(cè)的內(nèi)表面上。進(jìn)而，在第四變形例所涉及的批量式處理裝置3k — 4中，也能夠得到與上述第三變形例所涉及的批量式處理裝置3k - 3等相同的優(yōu)點(diǎn)。此外，作為由第四變形例產(chǎn)生的優(yōu)點(diǎn)，可以舉出以下的優(yōu)點(diǎn)。例如，在像圖27所示的第三變形例那樣將整流部171形成于擋板170的上表面與罩102a的靠處理用小空間106側(cè)的內(nèi)表面之間的情況下，若從被處理體G觀察整流部171 的位置過(guò)高，則在處理中使用的氣體有可能直接通過(guò)被處理體G的被處理面上方，或者在被處理面上方氣體的濃度變低。通過(guò)使用第四變形例，將整流部171形成在擋板170的下表面與工作臺(tái)IOla的被處理體載置面105之間，能夠消除上述的情況。另外，第四變形例同樣也能夠適用于圖22等所示的第四實(shí)施方式的一例、圖25所示的該實(shí)施方式的第一變形例、圖26所示的該實(shí)施方式的第二變形例。(第四實(shí)施方式第五變形例)圖29是示出第四實(shí)施方式的第五變形例所涉及的批量式處理裝置的工作臺(tái)及罩的剖視圖。如圖29所示，第五變形例所涉及的批量式處理裝置3k — 5與圖27所示的第三變形例所涉及的批量式處理裝置3k - 3的主要不同之處在于，將擋板170a及170b分別設(shè)于被處理體載置面105上(標(biāo)號(hào)170a)、以及罩102a的靠處理用小空間106側(cè)的內(nèi)表面上(標(biāo)號(hào)170b)。由此，在第五變形例中，整流部171形成于擋板170a的上表面與擋板170b的下表面之間。這樣，擋板170a及170b能夠分別設(shè)于工作臺(tái)IOla的被處理體載置面105上、以及罩102a的靠處理用小空間106側(cè)的內(nèi)表面上雙方。進(jìn)而，在第五變形例所涉及的批量式處理裝置3k - 5中，也能得到與上述第三變形例所涉及的批量式處理裝置3k — 3等相同的優(yōu)點(diǎn)。并且，根據(jù)第五變形例，能夠得到如下優(yōu)點(diǎn)與第四變形例相同，能夠消除在處理中使用的氣體直接通過(guò)被處理體G的被處理面上方、或者被處理面上方的氣體的濃度降低的可能性。此外，根據(jù)第五變形例，由于擋板170a及170b分別設(shè)于工作臺(tái)IOla的被處理體載置面105上、罩102a的靠處理用小空間106側(cè)的內(nèi)表面上雙方，因此，與第三變形例、第四變形例相比較，能夠?qū)⒄鞑?71的位置設(shè)定在被處理體G的被處理面上方的附近。因此，除了容易在處理用小空間106形成均勻的層流的氣體的流動(dòng)之外，也能夠更加精密地控制氣體的濃度。若能夠更加精密地控制氣體的濃度，則除了能夠提高對(duì)薄膜的膜厚及薄膜質(zhì)量的控制性、以及在被處理體G上的面內(nèi)均勻性之外，也能夠得到例如可進(jìn)行成膜速度的控制的新的優(yōu)點(diǎn)。因而，根據(jù)第五變形例，由于能夠進(jìn)行成膜速度的控制，因此例如能夠進(jìn)一步得到有利于提聞處理能力的優(yōu)點(diǎn)。另外，第五變形例同樣能夠適用于圖22等所示的第四實(shí)施方式的一例、圖25所示的該實(shí)施方式的第一變形例、圖26所示的該實(shí)施方式的第二變形例。此外，上述的第四實(shí)施方式的一例、以及第四實(shí)施方式的第一變形例 第五變形例也能夠適用于第一實(shí)施方式的一例、第一實(shí)施方式的第一變形例 第五變形例、第二實(shí)施方式的一例、以及第三實(shí)施方式的一例及其變形例中的任一方。(第五實(shí)施方式)圖30是作為參考例示出第一實(shí)施方式的一例所涉及的批量式處理裝置的工作臺(tái)及罩的剖視圖。如圖30所示，例如，在像第一實(shí)施方式的一例所涉及的批量式處理裝置3a那樣， 從被處理體載置面105供給在處理中使用的氣體、或者從被處理體載置面105排氣的情況下，氣體有可能在處理用小空間106的角部空間180停滯。雖然滯留在角部空間180的氣體的量是微量的，但在滯留的氣體為前驅(qū)體的情況下等，當(dāng)隨后的氣體流過(guò)來(lái)時(shí)，有可能引發(fā)氣相反應(yīng)而在處理用小空間106內(nèi)產(chǎn)生微量的顆粒。例如通過(guò)充分地進(jìn)行排氣及吹掃，能夠減輕這種可能性。然而，可以預(yù)料即便進(jìn)行了充分的排氣及吹掃，也在角部空間180停滯有極微量的氣體。并且，可以預(yù)料若考慮到今后的工藝的進(jìn)一步高精度化，即便所停滯的氣體極其微量，所產(chǎn)生的顆粒也極其微量，也將對(duì)工藝產(chǎn)生大的影響。第五實(shí)施方式提供如下的批量式處理裝置能夠在構(gòu)造上抑制角部空間180處的氣體的停滯，并能夠應(yīng)對(duì)今后的工藝的進(jìn)一步高精度化。圖31是示出第五實(shí)施方式的一例所涉及的批量式處理裝置的工作臺(tái)及罩的剖視圖。如圖31所示，第五實(shí)施方式的一例所涉及的批量式處理裝置3m與第一實(shí)施方式的一例所涉及的批量式處理裝置3a的主要不同之處在于，在處理用小空間106的角部設(shè)有例如相對(duì)于罩102a的靠處理用小空間106側(cè)的內(nèi)表面傾斜的傾斜部181，以免氣體在角部空間180停滯。除了設(shè)有傾斜部181之外，其他方面與第一實(shí)施方式的一例所涉及的批量式處理裝置3a幾乎相同。根據(jù)第五實(shí)施方式，通過(guò)在處理用小空間106的角部設(shè)有傾斜部181，能夠避免氣體在角部空間180停滯，也能夠在角部空間180穩(wěn)定地形成氣體的流動(dòng)。因此，第五實(shí)施方式中，與在角部不具有傾斜部181的情況相比較，能夠使在角部空間180產(chǎn)生的顆粒更少。根據(jù)這樣的第五實(shí)施方式所涉及的批量式處理裝置3m，通過(guò)在處理用小空間106的角部具備傾斜部181，能夠得到如下優(yōu)點(diǎn)與不具有傾斜部181的情況相比較，能夠減少在處理用小空間106內(nèi)部產(chǎn)生的顆粒，能夠得到可應(yīng)對(duì)今后的工藝的進(jìn)一步高精度化的批量式處理裝置。(第五實(shí)施方式第一變形例)圖32是將第五實(shí)施方式的一例所涉及的批量式處理裝置3m的排氣槽118附近放大示出的剖視圖。如圖32所示，第五實(shí)施方式的一例所涉及的批量式處理裝置3m相對(duì)于第一實(shí)施方式的一例所涉及的批量式處理裝置3a，在處理用小空間106的角部設(shè)有傾斜部181。在批量式處理裝置3a中，當(dāng)工作臺(tái)IOla與罩102a抵接時(shí)，排氣槽118與罩102a的側(cè)部如虛線圓182內(nèi)所示成為被隔離的狀態(tài)。在被隔離的部分，相對(duì)于氣體欲流動(dòng)的方向，在處理用小空間106與排氣槽118之間產(chǎn)生由被處理體載置面105形成的階梯差。因此，與角部空間180相同，有可能使氣體停滯。第一變形例還能夠消除在排氣槽118與罩102a的側(cè)部被隔離的部分產(chǎn)生的氣體的停滯。圖33是示出第五實(shí)施方式的第一變形例所涉及的批量式處理裝置的工作臺(tái)及罩的剖視圖。另外，與圖32相同，圖33的剖視圖是將排氣槽118附近放大示出的圖。如圖33所示，第一變形例所涉及的批量式處理裝置3m — I與圖32所示的批量式處理裝置3m的主要不同之處在于，如虛線圓182內(nèi)所示，排氣槽118與罩102a的側(cè)部未被 隔離，使排氣槽118的邊緣與罩102a的靠?jī)?nèi)表面?zhèn)鹊膫?cè)面相互一致。通過(guò)形成為該結(jié)構(gòu)，在第一變形例所涉及的批量式處理裝置3m - I中，從處理用小空間106朝向排氣槽118流過(guò)來(lái)的氣體如圖32所示那樣不會(huì)由被處理體載置面105阻礙，而是被迅速弓I入排氣槽118。根據(jù)這樣的第一變形例，通過(guò)使排氣槽118與罩102a的靠?jī)?nèi)表面?zhèn)鹊膫?cè)面相互一致，能夠?qū)怏w從處理用小空間106迅速地引入排氣槽118，能夠抑制氣體在排氣槽118與罩102a的側(cè)部之間的被處理體載置面105上方停滯。因而，根據(jù)第一變形例所涉及的批量式處理裝置3m - 1，與一例所涉及的批量式處理裝置3m相比較，能夠得到如下優(yōu)點(diǎn)能夠抑制在排氣槽118與罩102a的側(cè)部之間的被處理體載置面105上方的空間產(chǎn)生的顆粒，并能夠進(jìn)一步減少在處理用小空間106的內(nèi)部產(chǎn)生的顆粒。另外，所謂使排氣槽118的邊緣與罩102a的靠?jī)?nèi)表面?zhèn)鹊膫?cè)面相互一致的方法并不限定用于第五實(shí)施方式，也能夠用于上述的在處理用小空間106的角部不具有傾斜部181的實(shí)施方式中的任一個(gè)。(第五實(shí)施方式第二變形例)圖34是示出第五實(shí)施方式的第二變形例所涉及的批量式處理裝置的工作臺(tái)及罩的剖視圖。如圖34所示，第二變形例所涉及的批量式處理裝置3m — 2與圖33所示的第一變形例所涉及的批量式處理裝置3m - I的主要不同之處在于，利用設(shè)于工作臺(tái)IOla的凹部130b與設(shè)于罩102a的凹部130a形成處理用小空間106。除此之外的方面與上述第一變形例所涉及的批量式處理裝置3m - I幾乎相同。這樣，在將用于形成處理用小空間106的凹部(圖34中為標(biāo)號(hào)130a及130b)形成于工作臺(tái)IOla及罩102a雙方的批量式處理裝置3m — 2中，也能夠設(shè)置傾斜部183。進(jìn)而，在第二變形例所涉及的批量式處理裝置3m - 2中，也能夠得到與上述第一變形例所涉及的批量式處理裝置3m - I等相同的優(yōu)點(diǎn)。(第五實(shí)施方式第三變形例)圖35是示出第五實(shí)施方式的第三變形例所涉及的批量式處理裝置的工作臺(tái)及罩的剖視圖。如圖35所示，第三變形例所涉及的批量式處理裝置3m — 3與圖33所示的第一變形例所涉及的批量式處理裝置3m — I的主要不同之處在于，罩102a平坦，并將用于形成處理用小空間106的凹部130b形成于工作臺(tái)101a。除此以外的方面與上述第一例所涉及的批量式處理裝置3m - I幾乎相同。這樣，在將用于形成處理用小空間106的凹部(圖35中為標(biāo)號(hào)130b)僅形成于工作臺(tái)IOla的批量式處理裝置3m — 3中，也能夠設(shè)置傾斜部181。進(jìn)而，在第三變形例所涉及的批量式處理裝置3m — 3中，也能夠得到與上述第一變形例所涉及的批量式處理裝置3m — I等相同的優(yōu)點(diǎn)。并且，在第三變形例中，傾斜部181例如形成于工作臺(tái)IOla的凹部130b的側(cè)部。因此，在凹部130b的側(cè)部的上表面與罩102a抵接的抵接面產(chǎn)生微小的間隙183。并且，由于微小的間隙183沿罩102a的靠處理用小空間106側(cè)的內(nèi)表面產(chǎn)生，因此在處理中使用的氣體容易進(jìn)入微小的間隙183。為了抑制氣體進(jìn)入這樣的微小的間隙183，如圖36所示，例如，優(yōu)選并用在參照?qǐng)DIOA及圖IOB說(shuō)明的第一實(shí)施方式的第一變形例所涉及的批量式處理裝置3c中實(shí)施的方 法。例如，若在凹部130b的側(cè)壁面的上面形成傾斜部181，則其上表面的寬度變寬。利用該情況，在上表面例如設(shè)置O型圈120，并在O型圈120與處理用小空間106之間設(shè)置環(huán)狀的槽121。進(jìn)而，向環(huán)狀的槽121供給惰性氣體。由此，能夠利用惰性氣體將欲進(jìn)入微小的間隙183的氣體推回處理用小空間106，或者能夠?qū)⑵湔T入環(huán)狀的槽121，并與惰性氣體一起經(jīng)由未圖示的排氣管114等排氣。這樣，在第三變形例中，尤其優(yōu)選與第一實(shí)施方式的第一變形例并用。(第五實(shí)施方式第四變形例)圖37是示出第五實(shí)施方式的第四變形例所涉及的批量式處理裝置的工作臺(tái)及罩的剖視圖。如圖37所示，第四變形例所涉及的批量式處理裝置3m — 4與圖33所示的第一變形例所涉及的批量式處理裝置3m - I的主要不同之處在于，代替在處理用小空間106的角部形成傾斜部181，例如，在罩102a的靠處理用小空間106側(cè)的內(nèi)表面設(shè)有帶有圓角的圓形部184。除此以外的方面與上述第一變形例所涉及的批量式處理裝置3m - I幾乎相同。即便這樣在處理用小空間106的角部設(shè)有圓形部184，氣體也不會(huì)停滯于角部空間180。進(jìn)而，能夠在角部空間180內(nèi)穩(wěn)定地形成氣體的流動(dòng)。因而，第四變形例中，與第五實(shí)施方式的一例、以及第五實(shí)施方式的第一變形例 第三變形例同樣，能夠得到如下優(yōu)點(diǎn)與在角部不具有圓形部184的情況相比較，能夠使在角部空間180產(chǎn)生顆粒更少。另外，第四變形例也能夠用于圖31等所示的第五實(shí)施方式的一例、圖33所示的該實(shí)施方式的第二變形例、圖34所示的該實(shí)施方式的第二變形例、以及圖35等所示的第三變形例。此外，上述的第五實(shí)施方式的一例、以及第五實(shí)施方式的第一變形例 第四變形例也能夠用于第一實(shí)施方式的一例及第一實(shí)施方式的第一變形例 第五變形例、第二實(shí)施方式的一例、第三實(shí)施方式的一例及變形例、以及第四實(shí)施方式的一例及第一變形例 第五變形例中的任一方。(第六實(shí)施方式)
圖38是示出第一實(shí)施方式的一例所涉及的批量式處理裝置的工作臺(tái)及罩的剖視圖。在第一實(shí)施方式中，省略了設(shè)于工作臺(tái)IOla的調(diào)溫機(jī)構(gòu)的圖示。若重新簡(jiǎn)要地示出調(diào)溫機(jī)構(gòu)，貝1J如圖38所示。如圖38所示，在工作臺(tái)IOla的內(nèi)部具備工作臺(tái)調(diào)溫機(jī)構(gòu)190。工作臺(tái)調(diào)溫機(jī)構(gòu)190例如具備利用加熱器等的加熱機(jī)構(gòu)、以及利用水等熱介質(zhì)作為制冷劑的冷卻機(jī)構(gòu)、或者它們中的任一方。圖38中作為代表例示出冷機(jī)，并簡(jiǎn)要地示出了供熱介質(zhì)流動(dòng)的熱介質(zhì)流路 191。這樣，例如，通過(guò)在工作臺(tái)IOla的內(nèi)部設(shè)置工作臺(tái)調(diào)溫機(jī)構(gòu)190，能夠?qū)ぷ髋_(tái)IOla進(jìn)行調(diào)溫從而能夠進(jìn)行對(duì)載置于被處理體載置面105上的被處理體G進(jìn)行加熱或冷卻的溫度調(diào)節(jié)。然而，在第一實(shí)施方式 第五實(shí)施方式中，雖然在工作臺(tái)IOla設(shè)有工作臺(tái)調(diào)溫機(jī)構(gòu)190，但是罩102a并不具備調(diào)溫機(jī)構(gòu)。 圖39是示出本發(fā)明的第六實(shí)施方式的一例所涉及的批量式處理裝置的工作臺(tái)及罩的剖視圖。如圖39所示，第六實(shí)施方式的一例所涉及的批量式處理裝置3n與第一實(shí)施方式的一例所涉及的批量式處理裝置3a的主要不同之處在于，除了具備工作臺(tái)調(diào)溫機(jī)構(gòu)190之夕卜，在罩102a具備對(duì)罩102a進(jìn)行調(diào)溫的罩調(diào)溫機(jī)構(gòu)192。除此以外與述第一實(shí)施方式的一例所涉及的批量式處理裝置3a幾乎相同。罩調(diào)溫機(jī)構(gòu)192例如設(shè)于罩102a的內(nèi)部，與工作臺(tái)調(diào)溫機(jī)構(gòu)190同樣例如具備利用加熱器等的加熱機(jī)構(gòu)、以及利用水等熱介質(zhì)作為制冷劑的冷卻機(jī)構(gòu)、或者它們中的任一方。圖39中作為代表例而例示冷機(jī)，并簡(jiǎn)要地示出了供熱介質(zhì)流動(dòng)的熱介質(zhì)流路193。在第六實(shí)施方式的一例中，工作臺(tái)調(diào)溫機(jī)構(gòu)190與罩調(diào)溫機(jī)構(gòu)192構(gòu)成為能夠分別獨(dú)立地調(diào)節(jié)溫度。這樣，由于工作臺(tái)調(diào)溫機(jī)構(gòu)190與罩調(diào)溫機(jī)構(gòu)192能夠分別獨(dú)立地調(diào)節(jié)溫度，所以能夠?qū)⒐ぷ髋_(tái)IOla的溫度與罩102a的溫度分別調(diào)節(jié)為不同的溫度。根據(jù)第六實(shí)施方式，能夠獲得以下的優(yōu)點(diǎn)。例如,在針對(duì)被處理體G的處理是處理用小空間106內(nèi)部的壓力例如低于大氣壓(=101325Pa)的真空處理或者減壓處理的情況下，在處理用小空間106內(nèi)部事實(shí)上不存在傳遞熱的介質(zhì)，或者與大氣壓的情況下相比傳遞熱的介質(zhì)少。因此，在僅利用工作臺(tái)調(diào)溫機(jī)構(gòu)190進(jìn)行的調(diào)溫中，熱不傳遞至罩102a、或者熱難以傳遞至罩102a，從而罩102a的溫度低于工作臺(tái)IOla的溫度。例如，在處理為成膜處理的情況下，原本成膜處理通過(guò)高溫來(lái)實(shí)施，但在低溫下，會(huì)在罩102a的靠處理用小空間106側(cè)的內(nèi)表面上堆積有與原本的成膜處理不同的堆積物。這樣，若在低溫時(shí)在上述內(nèi)表面上成膜有堆積物，則成為在處理用小空間106的內(nèi)部產(chǎn)生顆粒的一個(gè)原因。對(duì)于這樣的情況，根據(jù)第六實(shí)施方式，由于在罩102a也具備罩調(diào)溫機(jī)構(gòu)192,因此能夠?qū)⒄?02a的溫度調(diào)節(jié)至堆積物難以堆積的溫度、或者堆積物不堆積的溫度。這樣，通過(guò)使用罩調(diào)溫機(jī)構(gòu)192調(diào)節(jié)罩102a的溫度，能夠抑制堆積物堆積于罩102a的靠處理用小空間106側(cè)的內(nèi)表面上的情況。這樣，能夠抑制堆積物的產(chǎn)生，結(jié)果，與不具備罩調(diào)溫機(jī)構(gòu)192的情況相比，能夠進(jìn)一步減少在處理用小空間106的內(nèi)部產(chǎn)生顆粒的可能性。并且，在不具備罩調(diào)溫機(jī)構(gòu)192的情況下，例如，為了抑制在處理用小空間106的內(nèi)部產(chǎn)生堆積物，必須對(duì)處理溫度、例如成膜溫度設(shè)定某一范圍的制約。所謂設(shè)定制約，是指縮窄工藝窗口(process window),會(huì)導(dǎo)致批量式處理裝置的通用性降低。對(duì)于該方面，根據(jù)第六實(shí)施方式，由于具備罩調(diào)溫機(jī)構(gòu)192，因此，即便不對(duì)處理溫度、例如成膜溫度設(shè)定某一范圍的制約，也能夠抑制在處理用小空間106的內(nèi)部產(chǎn)生堆積物。并且，在第六實(shí)施方式中，能夠分別獨(dú)立地調(diào)節(jié)工作臺(tái)IOla的溫度與罩102a的溫度。因此，能夠進(jìn)行如下的各種溫度設(shè)定(I)工作臺(tái)IOla的溫度>罩102a的溫度(2)工作臺(tái)IOla的溫度<罩102a的溫度(3)工作臺(tái)IOla的溫度=罩102a的溫度這樣，根據(jù)第六實(shí)施方式，能夠在工作臺(tái)IOla與罩102a之間進(jìn)行各種溫度設(shè)定， 結(jié)果能夠得到如下優(yōu)點(diǎn)能夠擴(kuò)大工藝窗口，能夠進(jìn)一步提高批量式處理裝置的通用性。對(duì)于像這樣的第六實(shí)施方式的一例所涉及的批量式處理裝置3n，還能夠如下的優(yōu)點(diǎn)在處理用小空間106內(nèi)部產(chǎn)生的顆粒減少、且工藝窗口放大，對(duì)于今后進(jìn)一步進(jìn)展的工藝的高精度化也是有利的。另外，第六實(shí)施方式的一例也能夠用于第一實(shí)施方式的一例及第一實(shí)施方式的第一變形例 第五變形例、第二實(shí)施方式的一例、第三實(shí)施方式的一例及變形例、第四實(shí)施方式的一例及第一變形例 第五變形例、以及第五實(shí)施方式的第一變形例 第四變形例中的
任一方。以上，根據(jù)實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了說(shuō)明，但本發(fā)明不限定于上述實(shí)施方式，能夠進(jìn)行各種變形。例如，作為搬運(yùn)裝置7的拾取器71不限定于叉型拾取器，也能夠使用圖40所示的魚骨(fish bone)型拾取器71 — I。并且，在上述實(shí)施方式中，作為批量式處理裝置，假定為使用ALD法、MLD法的成膜裝置，但在僅使用氣體的氣體成膜裝置、熱CVD裝置、僅使用氣體的氣體蝕刻裝置、真空烘焙裝置等中也能夠應(yīng)用本發(fā)明。并且，本發(fā)明也可以用于等離子處理裝置，當(dāng)在處理中使用等離子體的情況下，優(yōu)選使用如下的遠(yuǎn)程等離子方式等離子體不在處理用小空間106產(chǎn)生、而在與處理用小空間106不同的其他的位置產(chǎn)生，并將該等離子體導(dǎo)入處理用小空間106。通過(guò)使用遠(yuǎn)程等離子體方式，無(wú)需針對(duì)每個(gè)處理用小空間106設(shè)置生成等離子體的等離子體生成機(jī)構(gòu)，能夠使工作臺(tái)101的厚度與罩102的厚度的總厚度變薄，即便不在高度方向增大主室，也能夠增加可收納于主室內(nèi)的工作臺(tái)101及罩102的數(shù)量。因此，在欲增加可一次處理的被處理體G的張數(shù)的情況下是有利的。并且，氣體排氣口 119設(shè)置有一處，但也可以設(shè)置有多處。并且，當(dāng)在工作臺(tái)101設(shè)有冷機(jī)、加熱器等對(duì)被處理體G的溫度進(jìn)行調(diào)節(jié)的調(diào)溫機(jī)構(gòu)的情況下，作為冷機(jī)的調(diào)溫介質(zhì)，能夠使用水冷、空冷中的任一方。并且，加熱器也可以使用現(xiàn)有的發(fā)熱體。此外，本發(fā)明能夠在不脫離其主旨的范圍內(nèi)進(jìn)行各種變形。
權(quán)利要求
1.一種批量式處理裝置，該批量式處理裝置對(duì)多個(gè)被處理體同時(shí)實(shí)施處理，其特征在于， 所述批量式處理裝置具備 主室； 在所述主室內(nèi)沿該主室的高度方向?qū)盈B設(shè)置，并載置所述被處理體的多個(gè)工作臺(tái)；以及 針對(duì)每個(gè)所述工作臺(tái)分別設(shè)置一個(gè)，并遮蓋載置于所述工作臺(tái)的所述被處理體的多個(gè)罩， 利用所述多個(gè)工作臺(tái)與所述多個(gè)罩，以包圍載置于所述多個(gè)工作臺(tái)的所述多個(gè)被處理體中的各被處理體的方式，形成容量小于所述主室的容量的處理用小空間。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的批量式處理裝置，其特征在于，所述批量式處理裝置還具備 驅(qū)動(dòng)所述多個(gè)罩或者所述多個(gè)工作臺(tái)升降的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)； 使所述被處理體在所述多個(gè)工作臺(tái)各自的被處理體載置面與該被處理體載置面的上方之間升降的被處理體升降機(jī)構(gòu)； 向所述多個(gè)處理用小空間各自的內(nèi)部供給氣體的氣體供給機(jī)構(gòu)；以及 對(duì)所述多個(gè)處理用小空間各自的內(nèi)部進(jìn)行排氣的排氣機(jī)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的批量式處理裝置，其特征在于， 所述工作臺(tái)的載置所述被處理體的面平坦，在所述罩的與所述工作臺(tái)對(duì)置的面設(shè)有形成所述處理用小空間的凹部。
4.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的批量式處理裝置，其特征在于， 所述罩的與所述工作臺(tái)對(duì)置的面平坦，在所述工作臺(tái)的載置所述被處理體的面設(shè)有形成所述處理用小空間的凹部。
5.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的批量式處理裝置，其特征在于， 在所述工作臺(tái)的載置所述被處理體的面以及所述罩的與所述工作臺(tái)對(duì)置的面分別設(shè)有形成所述處理用小空間的凹部。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的批量式處理裝置，其特征在于， 所述驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)驅(qū)動(dòng)所述多個(gè)罩或者所述多個(gè)工作臺(tái)一起升降。
7.根據(jù)權(quán)利要求2或6所述的批量式處理裝置，其特征在于， 所述多個(gè)工作臺(tái)固定于所述主室， 所述驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)驅(qū)動(dòng)所述多個(gè)罩升降。
8.根據(jù)權(quán)利要求2或6所述的批量式處理裝置，其特征在于， 所述多個(gè)罩固定于所述主室， 所述驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)驅(qū)動(dòng)所述多個(gè)工作臺(tái)升降。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的批量式處理裝置，其特征在于， 所述被處理體升降機(jī)構(gòu)使所述多個(gè)被處理體一起升降。
10.根據(jù)權(quán)利要求2或9所述的批量式處理裝置，其特征在于， 所述被處理體升降機(jī)構(gòu)相對(duì)于所述驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)獨(dú)立。
11.根據(jù)權(quán)利要求2或9所述的批量式處理裝置，其特征在于， 所述被處理體升降機(jī)構(gòu)與所述驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)聯(lián)動(dòng)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的批量式處理裝置，其特征在于， 所述被處理體升降機(jī)構(gòu)具有貫通所述工作臺(tái)而懸架于所述工作臺(tái)的銷狀升降器， 所述銷狀升降器的下端與位于下方的所述罩的上表面抵接，所述銷狀升降器與所述罩的升降對(duì)應(yīng)地升降。
13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的批量式處理裝置，其特征在于， 所述氣體供給機(jī)構(gòu)以及所述排氣機(jī)構(gòu)設(shè)于所述工作臺(tái)。
14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的批量式處理裝置，其特征在于， 所述氣體供給機(jī)構(gòu)以及所述排氣機(jī)構(gòu)設(shè)于所述罩。
15.根據(jù)權(quán)利要求2所述的批量式處理裝置，其特征在于， 當(dāng)形成所述處理用小空間的凹部設(shè)于所述罩時(shí)， 所述氣體供給機(jī)構(gòu)的氣體噴出孔以及所述排氣機(jī)構(gòu)的排氣孔設(shè)于所述工作臺(tái)的被處理體載置面。
16.根據(jù)權(quán)利要求2所述的批量式處理裝置，其特征在于， 當(dāng)形成所述處理用小空間的凹部設(shè)于所述工作臺(tái)時(shí)， 所述氣體供給機(jī)構(gòu)的氣體噴出孔以及所述排氣機(jī)構(gòu)的排氣孔設(shè)于所述凹部的側(cè)面。
17.根據(jù)權(quán)利要求I所述的批量式處理裝置，其特征在于， 所述批量式處理裝置還具備對(duì)所述主室進(jìn)行排氣的主室排氣機(jī)構(gòu)， 在所述工作臺(tái)的上表面與所述罩的下端之間，設(shè)定有使所述處理用小空間與所述主室內(nèi)部連通的間隙， 使用所述主室排氣機(jī)構(gòu)經(jīng)由所述間隙對(duì)所述處理用小空間進(jìn)行排氣。
18.根據(jù)權(quán)利要求I所述的批量式處理裝置，其特征在于， 在所述工作臺(tái)的上表面與所述罩的下端抵接的抵接面具有槽， 所述批量式處理裝置還具備向所述槽噴出惰性氣體的惰性氣體噴出部。
19.根據(jù)權(quán)利要求3所述的批量式處理裝置，其特征在于， 所述工作臺(tái)固定于所述主室， 所述氣體供給機(jī)構(gòu)包括使所述氣體在所述工作臺(tái)內(nèi)流通的工作臺(tái)內(nèi)氣體流路；向所述工作臺(tái)內(nèi)氣體流路導(dǎo)入所述氣體的氣體導(dǎo)入部；使所述氣體在所述罩內(nèi)流通的罩內(nèi)氣體流路；從所述罩內(nèi)氣體流路向所述處理用空間噴出所述氣體的氣體噴出部；以及在所述工作臺(tái)與所述罩接觸的接觸部連結(jié)所述工作臺(tái)內(nèi)氣體流路與所述罩內(nèi)氣體流路、以使所述氣體在所述工作臺(tái)內(nèi)氣體流路與所述罩內(nèi)氣體流路流通的連結(jié)部。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的批量式處理裝置，其特征在于， 所述氣體噴出部是與所述工作臺(tái)對(duì)置且具備多個(gè)氣體噴出孔的噴淋噴頭。
21.根據(jù)權(quán)利要求I 20中任一項(xiàng)所述的批量式處理裝置，其特征在于， 所述工作臺(tái)具備溫度調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的批量式處理裝置，其特征在于， 所述溫度調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)能夠?qū)Χ鄠€(gè)所述工作臺(tái)分別獨(dú)立地進(jìn)行溫度控制。
23.根據(jù)權(quán)利要求I 22中任一項(xiàng)所述的批量式處理裝置，其特征在于， 在所述處理用小空間的內(nèi)部具備對(duì)供給至該處理用小空間內(nèi)的氣體的流動(dòng)進(jìn)行整流的整流部。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的批量式處理裝置，其特征在于， 所述整流部包括設(shè)于所述工作臺(tái)的被處理體載置面與所述罩的靠所述處理用小空間側(cè)的內(nèi)表面之間的至少一個(gè)擋板；以及由該擋板在所述處理用小空間的內(nèi)部形成的間隙。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的批量式處理裝置，其特征在于， 所述擋板沿與所述處理用小空間中的氣體的流動(dòng)交叉的方向延伸形成。
26.根據(jù)權(quán)利要求24或25所述的批量式處理裝置，其特征在于， 所述擋板設(shè)于下述位置中的任一個(gè)位置所述工作臺(tái)的被處理體載置面上；所述罩的靠處理用小空間側(cè)的內(nèi)表面上；以及所述工作臺(tái)的被處理體載置面上與所述罩的靠處理用小空間側(cè)的內(nèi)表面上雙方。
27.根據(jù)權(quán)利要求I 26中任一項(xiàng)所述的批量式處理裝置，其特征在于， 在所述處理用小空間的角部設(shè)有傾斜部或者圓形部。
28.根據(jù)權(quán)利要求2 27中任一項(xiàng)所述的批量式處理裝置，其特征在于， 當(dāng)所述排氣機(jī)構(gòu)設(shè)于所述工作臺(tái)、且所述排氣機(jī)構(gòu)具備形成于所述被處理體載置面的排氣槽時(shí)，所述排氣槽的邊緣與所述罩的靠?jī)?nèi)表面?zhèn)鹊膫?cè)面相互一致。
29.根據(jù)權(quán)利要求I 28中任一項(xiàng)所述的批量式處理裝置，其特征在于， 所述罩具備對(duì)該罩進(jìn)行溫度調(diào)節(jié)的罩調(diào)溫機(jī)構(gòu)。
30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的批量式處理裝置，其特征在于， 當(dāng)所述工作臺(tái)具備對(duì)該工作臺(tái)進(jìn)行溫度調(diào)節(jié)的工作臺(tái)調(diào)溫機(jī)構(gòu)時(shí)， 所述罩調(diào)溫機(jī)構(gòu)與所述工作臺(tái)調(diào)溫機(jī)構(gòu)分別獨(dú)立地調(diào)節(jié)溫度。
31.根據(jù)權(quán)利要求29或30所述的批量式處理裝置，其特征在于， 當(dāng)對(duì)所述被處理體實(shí)施處理時(shí)，使所述處理用小空間的內(nèi)部的壓力低于大氣壓。
全文摘要
本發(fā)明提供處理氣體的使用效率高、且即便被處理體的面積巨大也能夠應(yīng)用ALD法的批量式處理裝置。具備主室(31a)；在主室(31a)內(nèi)沿該主室的高度方向?qū)盈B設(shè)置，并載置被處理體(G)的多個(gè)工作臺(tái)(101a～101y)；以及針對(duì)每個(gè)工作臺(tái)(101a～101y)分別設(shè)置一個(gè)、并遮蓋載置于工作臺(tái)(101a～101y)的被處理體(G)的多個(gè)罩(102a～102y)，利用多個(gè)工作臺(tái)(101a～101y)與多個(gè)罩(102a～102y)，以包圍載置于多個(gè)工作臺(tái)(101a～101y)的多個(gè)被處理體(G)中的各被處理體(G)的方式，形成容量小于主室(31a)的容量的處理用小空間(106)。
文檔編號(hào)C23C16/44GK102839360SQ20121021101
公開(kāi)日2012年12月26日 申請(qǐng)日期2012年6月20日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月21日
發(fā)明者里吉?jiǎng)?wù), 石田寬 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社