加熱裝置及具有其的cvd設(shè)備的反應(yīng)腔、cvd設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提出一種加熱裝置，包括：加熱組件陣列，加熱組件陣列包括多個(gè)平行排列的加熱組件；多個(gè)調(diào)功器，多個(gè)調(diào)功器中的一部分控制位于加熱組件陣列中部的加熱組件的功率，且另一部分控制位于加熱組件陣列邊緣的加熱組件的功率；電源，用于為加熱組件陣列和多個(gè)調(diào)功器供電；與多個(gè)調(diào)功器相連的控制器，以控制位于加熱組件陣列邊緣的加熱組件的功率大于位于加熱組件陣列中部的加熱組件的功率。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的加熱裝置具有加熱溫度可調(diào)且加熱均勻的優(yōu)點(diǎn)。本發(fā)明還提出了一種用于CVD設(shè)備的反應(yīng)腔以及CVD設(shè)備。
【專利說明】加熱裝置及具有其的CVD設(shè)備的反應(yīng)腔、CVD設(shè)備
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及微電子【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種加熱裝置及具有其的CVD設(shè)備的反應(yīng)腔、CVD設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備(PECVD)廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能電池生產(chǎn)領(lǐng)域、半導(dǎo)體芯片制造以及TFT面板制造領(lǐng)域。在氣相沉積的工藝過程中，需要對(duì)工藝腔內(nèi)的載板及其上的晶片進(jìn)行加熱。目前，加熱方式普遍采用紅外輻射加熱、加熱器傳導(dǎo)加熱等形式。在紅外輻射加熱中，一般采用并排的紅外燈管，通過大功率大面積的輻射加溫，使載板在工藝周期的時(shí)間內(nèi)滿足溫度要求。由于載板及位于載板上的晶片的工藝溫度均勻性對(duì)于成品質(zhì)量至關(guān)重要，因此，加工期間對(duì)腔室進(jìn)行良好的控溫，保證腔室內(nèi)部被加熱載板的溫度均勻性是十分重要的。
[0003]然而，目前采用的紅外輻射加熱方式對(duì)載板進(jìn)行加熱時(shí)，不能精確地控制載板的溫度，導(dǎo)致載板表面的溫度均勻性較差，從而影響工藝效果，影響晶片的成膜質(zhì)量。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明實(shí)施例的目的旨在至少解決上述技術(shù)缺陷之一，
[0005]為此，本發(fā)明的一個(gè)目的在于提出一種加熱溫度可調(diào)且加熱均勻的加熱裝置。
[0006]本發(fā)明的另一目的在于 提出一種用于CVD設(shè)備的反應(yīng)腔。
[0007]本發(fā)明的再一目的在于提出一種CVD設(shè)備。
[0008]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的第一方面實(shí)施例提出了一種加熱裝置，包括加熱組件陣列，所述加熱組件陣列包括多個(gè)平行排列的加熱組件；多個(gè)調(diào)功器，所述多個(gè)調(diào)功器中的一部分控制位于所述加熱組件陣列中部的所述加熱組件的功率，所述多個(gè)調(diào)功器中的另一部分控制位于所述加熱組件陣列邊緣的所述加熱組件的功率；電源，用于為所述加熱組件陣列和所述多個(gè)調(diào)功器供電；以及控制器，所述控制器與所述多個(gè)調(diào)功器相連，以控制位于所述加熱組件陣列邊緣的所述加熱組件的功率大于位于所述加熱組件陣列中部的所述加熱組件的功率。
[0009]根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的加熱裝置，控制器通過控制加熱組件陣列邊緣的加熱組件的功率大于位于加熱組件陣列中部的加熱組件的功率，以使加熱組件陣列邊緣的加熱組件的加熱溫度高于位于加熱組件陣列中部的加熱組件的加熱溫度，具體地，例如對(duì)載板進(jìn)行加熱時(shí)，由于被加熱載板的中間部分可以同時(shí)得到來(lái)自多個(gè)加熱組件陣列中部的多個(gè)加熱組件的加熱，而載板邊緣部分只能得到來(lái)自于多個(gè)加熱組件陣列邊緣的少部分加熱組件的加熱，因此，通過控制加熱組件陣列邊緣的加熱組件的加熱溫度高于位于加熱組件陣列中部的加熱組件的加熱溫度，從而使得對(duì)載板的加熱更加均勻，這樣，能夠提升加熱的均勻性以及加熱效果。
[0010]另外，根據(jù)本發(fā)明上述實(shí)施例的加熱裝置還可以具有如下附加的技術(shù)特征:[0011 ] 在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述加熱組件為紅外燈管。
[0012]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述多個(gè)平行排列的加熱組件的任意相鄰兩個(gè)加熱組件之間間隔開預(yù)定距離。即任意相鄰兩個(gè)加熱組件之間均等間隔分布。
[0013]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述多個(gè)調(diào)功器中的每個(gè)均與一個(gè)加熱組件相連。
[0014]本發(fā)明第二方面實(shí)施例提出了一種用于CVD設(shè)備的反應(yīng)腔，包括:腔室本體，所述腔室本體內(nèi)限定有腔室；載板，所述載板設(shè)置在所述腔室內(nèi)；以及如上述第一方面實(shí)施例所述的加熱裝置，所述加熱組件陣列平行于所述載板且位于所述載板的上方。
[0015]根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于CVD設(shè)備的反應(yīng)腔，通過控制位于載板上方的加熱組件陣列邊緣的加熱組件的功率大于位于加熱組件陣列中部的加熱組件的功率，由此，有效提高了被加熱的載板的溫度均勻性，進(jìn)而提升工藝效果和基片的成膜質(zhì)量。
[0016]例如對(duì)載板進(jìn)行加熱時(shí)，由于被加熱載板的中間部分可以同時(shí)得到來(lái)自多個(gè)加熱組件陣列中部的多個(gè)加熱組件的加熱，而載板邊緣部分只能得到來(lái)自于多個(gè)加熱組件陣列邊緣的少部分加熱組件的加熱，因此，通過控制加熱組件陣列邊緣的加熱組件的加熱溫度高于位于加熱組件陣列中部的加熱組件的加熱溫度，從而使得對(duì)載板的加熱更加均勻，這樣，能夠提升加熱的均勻性以及 加熱效果
[0017]另外，根據(jù)本發(fā)明上述實(shí)施例的用于CVD設(shè)備的反應(yīng)腔還可以具有如下附加的技術(shù)特征:
[0018]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述反應(yīng)腔還包括:設(shè)置在所述腔室內(nèi)，且位于所述多個(gè)加熱組件上方的反射板。
[0019]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述反應(yīng)腔還包括:多個(gè)溫度檢測(cè)單元，所述多個(gè)溫度檢測(cè)單元設(shè)置在所述載板上，用于檢測(cè)所述載板的溫度并將檢測(cè)到的溫度反饋至所述加熱裝置中的控制器，以使所述控制器根據(jù)所述反饋的溫度對(duì)對(duì)應(yīng)的所述加熱組件的功率進(jìn)行調(diào)節(jié)。
[0020]本發(fā)明的第三方面實(shí)施例提出了一種CVD設(shè)備，包括:如上述第二方面實(shí)施例所述的反應(yīng)腔。
[0021 ] 根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的CVD設(shè)備，在進(jìn)行基片成膜過程中，能夠有效提升基片的成膜質(zhì)量，進(jìn)而提升工藝效果。
[0022]本發(fā)明附加的方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本發(fā)明的實(shí)踐了解到。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0023]本發(fā)明上述的和/或附加的方面和優(yōu)點(diǎn)從下面結(jié)合附圖對(duì)實(shí)施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中:
[0024]圖1為本發(fā)明實(shí)施例的加熱裝置的各個(gè)組成部分的連接示意圖；
[0025]圖2為本發(fā)明實(shí)施例的加熱裝置的加熱組件陣列的示意圖；
[0026]圖3為本發(fā)明實(shí)施例的用于CVD設(shè)備的反應(yīng)腔的示意圖；
[0027]圖4為本發(fā)明另一實(shí)施例的用于CVD設(shè)備的反應(yīng)腔的示意圖；以及
[0028]圖5為本發(fā)明實(shí)施例用于CVD設(shè)備的反應(yīng)腔的加熱裝置的加熱組件對(duì)載板進(jìn)行加熱的加熱功率變化曲線圖?！揪唧w實(shí)施方式】
[0029]下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例，所述實(shí)施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標(biāo)號(hào)表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能解釋為對(duì)本發(fā)明的限制。
[0030]在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術(shù)語(yǔ)“中心”、“縱向”、“橫向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”、“內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡(jiǎn)化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。此外，術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性。
[0031]在本發(fā)明的描述中，需要說明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語(yǔ)“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機(jī)械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通。對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以具體情況理解上述術(shù)語(yǔ)在本發(fā)明中的具體含義。
[0032]以下結(jié)合附圖首先描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的加熱裝置。
[0033]參見圖1和圖2，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的加熱裝置100包括加熱組件陣列110、多個(gè)調(diào)功器120、電源130以及控制器140。其中:
[0034]電源130用于為加熱組件陣列110和多個(gè)調(diào)功器120供電。
[0035]加熱組件陣列110包括多個(gè)平行排列的加熱組件111。如圖1或圖3所示，在一些示例中，加熱組件111為紅外 燈管，結(jié)合圖3，多個(gè)紅外燈管平行排列為一個(gè)陣列且多個(gè)紅外燈管位于一個(gè)平面上。
[0036]多個(gè)調(diào)功器120中的一部分控制位于加熱組件陣列110中部的加熱組件111的功率，多個(gè)調(diào)功器120中的另一部分控制位于加熱組件陣列110邊緣的加熱組件111的功率。例如，調(diào)功器120的個(gè)數(shù)為兩個(gè)，將其中一個(gè)調(diào)功器120控制加熱組件陣列110中部的加熱組件111，進(jìn)一步地，中部的加熱組件111例如為全部加熱組件111的40%-60%，另一個(gè)調(diào)功器120控制加熱組件陣列110兩個(gè)邊緣的加熱組件111，相應(yīng)地，兩個(gè)邊緣的加熱組件111分別為全部加熱組件111的20%-30%。在本發(fā)明的另一示例中，調(diào)功器120的個(gè)數(shù)為三個(gè)，這樣，一個(gè)例如控制中部的加熱組件111，兩個(gè)分別控制兩個(gè)邊緣的加熱組件111，進(jìn)一步地,例如中部的加熱組件111為全部加熱組件111的30-70%，相應(yīng)地，兩個(gè)邊緣的加熱組件111分別為全部加熱組件111的35%-15%。
[0037]可以理解的是，對(duì)于上述示例中兩個(gè)調(diào)功器120而言，如果中部的加熱組件111為全部加熱組件111的40%，則兩個(gè)邊緣的加熱組件111分別為全部加熱組件111的30%，反之，如果中部的加熱組件111為全部加熱組件111的60%，則兩個(gè)邊緣的加熱組件111分別為全部加熱組件111的20%。當(dāng)然，當(dāng)具有兩個(gè)調(diào)功器120時(shí)，中部的加熱組件111為全部加熱組件111的百分比以及兩個(gè)邊緣的加熱組件111分別為全部加熱組件111的百分比均可調(diào)整，例如中部為20%-40%，兩個(gè)邊緣分別為30%-40%。同理，對(duì)于三個(gè)調(diào)功器120，其對(duì)控制加熱組件111的控制方式和對(duì)兩個(gè)調(diào)功器120的控制方式類似，不做贅述。[0038]在另一示例中，多個(gè)調(diào)功器120中的每個(gè)均與一個(gè)加熱組件111相連。即調(diào)功器120的個(gè)數(shù)與加熱組件111的個(gè)數(shù)相同，每一個(gè)加熱組件111的功率均由一個(gè)調(diào)功器120進(jìn)行控制。每一個(gè)加熱組件111的功率均可通過一個(gè)調(diào)功器120單獨(dú)控制，提升了加熱組件陣列110的加熱靈活性，加熱溫度可控性更強(qiáng)，進(jìn)而能夠更加有效地改變加熱強(qiáng)度的分布，使被加熱物體，如載板的整個(gè)加熱面積上的加熱分布更加均勻，提升載板的溫度均勻性。結(jié)合圖3，多個(gè)平行排列的加熱組件111的任意相鄰兩個(gè)加熱組件111之間間隔開預(yù)定距離D。這樣，可簡(jiǎn)化調(diào)功器120對(duì)加熱組件的功率的控制、以及減少調(diào)功器120個(gè)數(shù)的目的，進(jìn)而具有控制簡(jiǎn)單且成本低的優(yōu)點(diǎn)。例如，對(duì)于圖3所示的加熱組件的個(gè)數(shù)為12個(gè)，從左到右依次記為I至12號(hào)加熱組件，由于任意相鄰加熱組件之間的距離均為D，多個(gè)加熱組件111均勻分布，這樣，對(duì)于I號(hào)和12號(hào)、2號(hào)和11號(hào)、3號(hào)和10號(hào)、4號(hào)和9號(hào)、5號(hào)和8號(hào)、6號(hào)和7號(hào)加熱組件111進(jìn)行加熱時(shí)的加熱功率大致相同，可分別由一個(gè)調(diào)功器120進(jìn)行控制，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)上述目的。[0039]控制器140與多個(gè)調(diào)功器120相連，以控制位于加熱組件陣列110邊緣的加熱組件111的功率大于位于加熱組件陣列110中部的加熱組件111的功率。即控制器根據(jù)傳統(tǒng)的紅外燈管加熱方式對(duì)載板進(jìn)行加熱分析，可知由于多個(gè)紅外燈管在對(duì)載板進(jìn)行加熱時(shí)功率相同，這樣被加熱載板中間部分可以同時(shí)得到來(lái)自上方及左右兩側(cè)燈管的輻射，例如，5號(hào)加熱組件111對(duì)載板加熱的區(qū)域，同時(shí)能夠受到4號(hào)和6號(hào)等加熱組件111對(duì)上述區(qū)域進(jìn)行加熱，而被加熱載板邊緣部分只能得到上方及左側(cè)(載板右側(cè)邊緣)或者右側(cè)加熱組件111的輻射，這樣被加熱載板邊緣部分得到的加熱量小于處于被加熱載板中部得到的加熱量，即載板邊緣部分的溫度低于載板中間部分的溫度。因此，本發(fā)明的上述實(shí)施例通過控制加熱組件陣列110邊緣的加熱組件111的功率大于加熱組件陣列110中部的加熱組件111的功率，以使載板的整個(gè)區(qū)域的加熱量相對(duì)平均，以提升載板溫度均勻性。
[0040]根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的加熱裝置，控制器通過控制加熱組件陣列邊緣的加熱組件的功率大于位于加熱組件陣列中部的加熱組件的功率，以使加熱組件陣列邊緣的加熱組件的加熱溫度高于位于加熱組件陣列中部的加熱組件的加熱溫度，因此，通過控制加熱組件陣列邊緣的加熱組件的加熱溫度高于位于加熱組件陣列中部的加熱組件的加熱溫度，從而使得對(duì)載板的加熱更加均勻，這樣，能夠提升對(duì)載板的加熱的均勻性以及加熱效果。
[0041]參見圖3，并結(jié)合圖1，本發(fā)明的進(jìn)一步實(shí)施例提出了一種用于CVD設(shè)備的反應(yīng)腔，包括腔室本體310、載板320和上述實(shí)施例所述的加熱裝置。其中:
[0042]腔室本體310內(nèi)限定有腔室311。載板320設(shè)置在腔室311內(nèi)。加熱裝置的加熱組件陣列110平行于載板320且位于載板320的上方，如圖3所示的載板320和加熱組件陣列110的位置。
[0043]如圖5所示，本發(fā)明實(shí)施例的加熱裝置的加熱組件111對(duì)載板320進(jìn)行加熱的加熱功率變化曲線圖。具體地，根據(jù)上述的對(duì)傳統(tǒng)的紅外燈管加熱方式對(duì)載板進(jìn)行加熱的分析結(jié)果，在本發(fā)明的示例中，為了提升載板320的溫度均勻性，應(yīng)使越接近于載板邊緣(如圖3所示的載板320的左側(cè)和右側(cè)邊緣)上方的加熱組件111的加熱功率越大，從而改善傳統(tǒng)的多個(gè)加熱組件111，如多個(gè)紅外燈管均采用相同功率對(duì)載板320進(jìn)行加熱造成的載板320邊緣溫度低于載板320中間部分溫度的問題，通過本發(fā)明實(shí)施例的控制加熱組件陣列110從中間部分的加熱組件111到兩個(gè)邊緣的加熱組件111的加熱功率越來(lái)越大，以使對(duì)載板320加熱更加均勻，保證整個(gè)載板320的溫度相同或者更加接近相同。
[0044]根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于CVD設(shè)備的反應(yīng)腔，通過控制位于載板上方的加熱組件陣列邊緣的加熱組件的功率大于位于加熱組件陣列中部的加熱組件的功率，由此，有效提高了被加熱的載板的溫度均勻性，進(jìn)而提升工藝效果和基片的成膜質(zhì)量
[0045]結(jié)合圖3，本發(fā)明的進(jìn)一步實(shí)施例還包括反射板330。反射板330設(shè)置在腔室311內(nèi)且位于多個(gè)加熱組件111上方。反射加熱組件111更多的輻射量至載板320上，由此提升加熱組件111的加熱效率，降低能耗。
[0046]如圖4所示，在一些示例中，還包括多個(gè)溫度檢測(cè)單元330。多個(gè)溫度檢測(cè)單元330設(shè)置在載板320上，用于檢測(cè)載板的溫度并將檢測(cè)到的溫度反饋至加熱裝置中的控制器140，以使控制器140根據(jù)反饋的溫度對(duì)對(duì)應(yīng)的加熱組件111的功率進(jìn)行調(diào)節(jié)。具體地，結(jié)合圖4所示，沿載板320的左右方向設(shè)置多個(gè)溫度檢測(cè)單元，既能夠檢測(cè)到載板320中間部分的溫度，也能夠檢測(cè)到載板320左右兩個(gè)邊緣部分的溫度?？刂破?40根據(jù)設(shè)置在不同部位的溫度檢測(cè)單元反饋的溫度，通過相應(yīng)的調(diào)功器120調(diào)整相應(yīng)的加熱組件111的加熱功率，例如，當(dāng)某一個(gè)溫度檢測(cè)單元檢測(cè)到載板320上的某個(gè)區(qū)域的溫度低于其他溫度檢測(cè)單元檢測(cè)到載板320其他區(qū)域的溫度，控制器140將增加對(duì)溫度相對(duì)較低區(qū)域進(jìn)行加熱的加熱組件111的功率，從而根據(jù)多個(gè)溫度檢測(cè)單元反饋的溫度，調(diào)整相應(yīng)的加熱組件111的功率，從而保證載板320的不同區(qū)域的溫度接近于相同或者相同，進(jìn)一步提升載板320的溫度均勻性。
[0047]進(jìn)一步地，本發(fā)明的實(shí)施例還提出了一種CVD設(shè)備，包括上述實(shí)施例所述的反應(yīng)腔。
[0048]根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的CVD設(shè)備，在進(jìn)行基片成膜過程中，能夠有效提升基片的成膜質(zhì)量，進(jìn)而提升工藝效果。
[0049]另外，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例`的CVD設(shè)備的其它構(gòu)成以及操作對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言都是已知的，在此不做描述。
[0050]在本說明書的描述中，參考術(shù)語(yǔ)“一個(gè)實(shí)施例”、“一些實(shí)施例”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結(jié)合該實(shí)施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)包含于本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例或示例中。在本說明書中，對(duì)上述術(shù)語(yǔ)的示意性表述不一定指的是相同的實(shí)施例或示例。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)可以在任何的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例或示例中以合適的方式結(jié)合。
[0051]盡管已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以理解在不脫離本發(fā)明的原理和精神的情況下可以對(duì)這些實(shí)施例進(jìn)行多種變化、修改、替換和變型，本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求及其等同限定。
【權(quán)利要求】
1.一種加熱裝置，其特征在于，包括: 加熱組件陣列，所述加熱組件陣列包括多個(gè)平行排列的加熱組件； 多個(gè)調(diào)功器，所述多個(gè)調(diào)功器中的一部分控制位于所述加熱組件陣列中部的所述加熱組件的功率，所述多個(gè)調(diào)功器中的另一部分控制位于所述加熱組件陣列邊緣的所述加熱組件的功率； 電源，用于為所述加熱組件陣列和所述多個(gè)調(diào)功器供電；以及 控制器，所述控制器與所述多個(gè)調(diào)功器相連，以控制位于所述加熱組件陣列邊緣的所述加熱組件的功率大于位于所述加熱組件陣列中部的所述加熱組件的功率。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加熱裝置，其特征在于，所述加熱組件為紅外燈管。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加熱裝置，其特征在于，所述多個(gè)平行排列的加熱組件的任意相鄰兩個(gè)加熱組件之間間隔開預(yù)定距離。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加熱裝置，其特征在于，所述多個(gè)調(diào)功器中的每個(gè)均與一個(gè)加熱組件相連。
5.一種用于CVD設(shè)備的反應(yīng)腔,其特征在于,包括: 腔室本體，所述腔室本體內(nèi)限定有腔室； 載板，所述載板設(shè)置在所述腔室內(nèi)；以及 如權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的加熱裝置，所述加熱組件陣列平行于所述載板且位于所述載板的上方。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的反應(yīng)腔，其特征在于，還包括: 設(shè)置在所述腔室內(nèi)，且位于所述多個(gè)加熱組件上方的反射板。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的反應(yīng)腔，其特征在于，還包括: 多個(gè)溫度檢測(cè)單元，所述多個(gè)溫度檢測(cè)單元設(shè)置在所述載板上，用于檢測(cè)所述載板的溫度并將檢測(cè)到的溫度反饋至所述加熱裝置中的控制器，以使所述控制器根據(jù)所述反饋的溫度對(duì)對(duì)應(yīng)的所述加熱組件的功率進(jìn)行調(diào)節(jié)。
8.一種CVD設(shè)備，其特征在于，包括: 如權(quán)利要求5-7任一項(xiàng)所述的反應(yīng)腔。
【文檔編號(hào)】C23C16/46GK103572260SQ201210259410
【公開日】2014年2月12日 申請(qǐng)日期:2012年7月25日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月25日
【發(fā)明者】魏曉 申請(qǐng)人:北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司