專利名稱：硅晶圓拋光制程方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于半導(dǎo)體材料生產(chǎn)應(yīng)用領(lǐng)域，特別是一種硅晶圓拋光制程方法及其制造方法。
背景技術(shù)：
拋光是硅晶圓(以下簡(jiǎn)稱“晶圓”)加工必經(jīng)的一道工序，拋光制程的好壞直接影響到晶圓的品質(zhì)，從而決定最終電子廣品的質(zhì)量。有蠟單面拋光制程包含以下主要步驟貼付前洗凈一貼付一粗拋一中拋一精拋一
剝離一去蠟洗凈。三段拋光增加了制程的繁瑣性，也增加了機(jī)臺(tái)的成本投入。三段拋光都可簡(jiǎn)要分為以下階段減壓水拋一加壓研磨液拋光一減壓水拋，每段拋光結(jié)束后都要將貼有晶圓的陶瓷板搬到下步制程機(jī)臺(tái)，這之間的每步搬送時(shí)間如果超過(guò)5分鐘，晶圓表面很容易產(chǎn)生“白霧”現(xiàn)象。晶圓剝離后一般會(huì)放置在加入表面活性劑的水槽中，但隨著使用時(shí)間的推移，帶入槽內(nèi)的研磨液顆粒以及生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)的環(huán)境顆粒會(huì)在槽內(nèi)逐漸積累，晶圓產(chǎn)品的顆粒污染風(fēng)險(xiǎn)增加。而且更換純水、重新配制溶液也會(huì)占用一部分生產(chǎn)時(shí)間。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種針對(duì)已有制程中存在的不足，有效簡(jiǎn)化了制程、提升制程的合格率的硅晶圓拋光制程方法及其制造方法。本發(fā)明硅晶圓拋光制程方法，包括如下步驟SI，前洗凈；S2，貼付；S3，粗拋；S4，中拋；S5，精拋；S6，剝離；S7，去蠟洗凈；其中所述粗拋、所述中拋及所述精拋分別包括，SI. 1，前減壓水拋；S1. 2，加壓研磨液拋光；SI. 3，后減壓水拋；在所述粗拋及所述精拋中的所述后減壓水拋之后加有減壓表面活性劑拋光步驟。所述減壓表面活性劑拋光中的表面活性劑為聚氧乙烯烷基苯酚醚水溶液。所述聚氧乙烯烷基苯酚醚水溶液的濃度為0. 1% 0. 5%。所述聚氧乙烯烷基苯酚醚水溶液所使用的溶劑為純水，所述純水的電阻率大于17MQ *cm,0. 20 iim粒徑以上顆粒每毫升少于20個(gè)，總有機(jī)碳小于3ppb。本發(fā)明硅晶圓拋光制程方法簡(jiǎn)化了拋光制程，有效降低了固定資產(chǎn)的投入，另外通過(guò)增加“減壓表面活性劑拋光”，有效消除了晶圓表面的“白霧”現(xiàn)象。而采用高品質(zhì)的流動(dòng)純水進(jìn)行剝離后晶圓的短期保存，不僅顆粒問(wèn)題得以改進(jìn)，更換、配制溶液的作業(yè)也無(wú)需進(jìn)行，減輕了作業(yè)負(fù)擔(dān)，制程的合格率也得以提升。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明硅晶圓拋光制程方法，包括如下步驟S1，前洗凈；S2，貼付；S3，粗拋；S4，中拋；S5，精拋；S6，剝離；S7，去蠟洗凈；其中粗拋、中拋及精拋分別包括，SI. 1，前減壓水拋；S1. 2，加壓研磨液拋光；S1. 3，后減壓水拋；在粗拋及精拋中的后減壓水拋之后加有減壓表面活性劑拋光步驟。減壓表面活性劑拋光中的表面活性劑為聚氧乙烯烷基苯酚醚水溶液。聚氧乙烯烷基苯酚醚水溶液的濃度為0. 1% 0. 5%。聚氧乙烯烷基苯酚醚水溶液所使用的溶劑為純水，純水的電阻率大于17MQ cm,0. 20 iim粒徑以上顆粒每毫升少于20個(gè)，總有機(jī)碳小于3ppb0本發(fā)明硅晶圓拋光制程方法將三段拋光整合為兩臺(tái)機(jī)器完成，其中粗拋仍使用一臺(tái)機(jī)器，中拋和精拋整合到一臺(tái)機(jī)器上，因?yàn)橹瞥陶虾笾袙佂瓴恍枰徇\(yùn)陶瓷板了，因此，在“粗拋”和“精拋”的“后減壓水拋”后增加“減壓表面活性劑拋光”。其中，對(duì)中拋研磨液采用循環(huán)使用，精拋研磨液采用直排方式。粗拋和精拋制程中在“減壓水拋”后增加“減壓表面活性劑拋光”，有效解決了因搬送停留時(shí)間長(zhǎng)而導(dǎo)致的晶圓表面的“白霧”現(xiàn)象。表面活性劑是選用聚氧乙烯烷基苯酚醚水溶液，根據(jù)實(shí)際情況，可選擇0. 1% 0.5%不同濃度配比。其中溶劑是使用純水，純水要求電阻率大于17MQ. cm，0. 20iim粒徑以上顆粒每毫升少于20個(gè)，總有機(jī)碳小于3ppb，槽中的純水采取溢流方式，根據(jù)實(shí)際情況，可在0. 5L/min 5L/min范圍內(nèi)選擇適宜的溢流量。本表面活性劑也用于晶圓剝離后放置到水槽中等待“去蠟洗凈”時(shí)浸泡使用。本發(fā)明硅晶圓拋光制程方法簡(jiǎn)化了拋光制程，有效降低了固定資產(chǎn)的投入，另外通過(guò)增加“減壓表面活性劑拋光”，有效消除了晶圓表面的“白霧”現(xiàn)象。而采用高品質(zhì)的流動(dòng)純水進(jìn)行剝離后晶圓的短期保存，不僅顆粒問(wèn)題得以改進(jìn)，更換、配制溶液的作業(yè)也無(wú)需進(jìn)行，減輕了作業(yè)負(fù)擔(dān)，制程的合格率也得以提升。以上已對(duì)本發(fā)明創(chuàng)造的較佳實(shí)施例進(jìn)行了具體說(shuō)明，但本發(fā)明創(chuàng)造并不限于所述實(shí)施例，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不違背本發(fā)明創(chuàng)造精神的前提下還可作出種種的等同的變型或替換，這些等同的變型或替換均包含在本申請(qǐng)權(quán)利要求所限定的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.硅晶圓拋光制程方法，包括如下步驟 SI，前洗凈；S2，貼付；S3，粗拋；S4，中拋；S5，精拋；S6，剝離；S7，去蠟洗凈； 其中所述粗拋、所述中拋及所述精拋分別包括，SI. 1，前減壓水拋；S1. 2，加壓研磨液拋光；SI. 3,后減壓水拋； 其特征在于，在所述粗拋及所述精拋中的所述后減壓水拋之后加有減壓表面活性劑拋光步驟。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的硅晶圓拋光制程方法，其特征在于，所述減壓表面活性劑拋光中的表面活性劑為聚氧乙烯烷基苯酚醚水溶液。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的硅晶圓拋光制程方法，其特征在于，所述聚氧乙烯烷基苯酚醚水溶液的濃度為0. 1% 0. 5%。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的硅晶圓拋光制程方法，其特征在于，所述聚氧乙烯烷基苯酚醚水溶液所使用的溶劑為純水，所述純水的電阻率大于17MQ cm,0. 20iim粒徑以上顆粒每毫升少于20個(gè)，總有機(jī)碳小于3ppb。
全文摘要
本發(fā)明硅晶圓拋光制程方法，包括如下步驟S1，前洗凈；S2，貼付；S3，粗拋；S4，中拋；S5，精拋；S6，剝離；S7，去蠟洗凈；其中所述粗拋、所述中拋及所述精拋分別包括，S1.1，前減壓水拋；S1.2，加壓研磨液拋光；S1.3，后減壓水拋；在所述粗拋及所述精拋中的所述后減壓水拋之后加有減壓表面活性劑拋光步驟。本發(fā)明硅晶圓拋光制程方法簡(jiǎn)化了拋光制程，有效降低了固定資產(chǎn)的投入，另外通過(guò)增加“減壓表面活性劑拋光”，有效消除了晶圓表面的“白霧”現(xiàn)象。而采用高品質(zhì)的流動(dòng)純水進(jìn)行剝離后晶圓的短期保存，不僅顆粒問(wèn)題得以改進(jìn)，更換、配制溶液的作業(yè)也無(wú)需進(jìn)行，減輕了作業(yè)負(fù)擔(dān)，制程的合格率也得以提升。
文檔編號(hào)B24B37/02GK102773790SQ20121026611
公開(kāi)日2012年11月14日 申請(qǐng)日期2012年7月30日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月30日
發(fā)明者余圖斌, 李彬, 賀賢漢, 金文明 申請(qǐng)人:上海申和熱磁電子有限公司