印刷板蝕刻廢液處理系統(tǒng)和方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種印刷板蝕刻廢液處理系統(tǒng)和方法。該印刷板蝕刻廢液處理系統(tǒng),包括:儲(chǔ)液槽、第一電解緩沖槽、電解槽、離子膜電解槽、冷卻槽、過濾池及第二電解緩沖槽。上述系統(tǒng)與蝕刻線相互連接后,通過先絡(luò)合后電解的方式實(shí)現(xiàn)銅的回收,并在電解槽及離子膜電解槽的電解過程中得到氯化氫和氫氧化鈉。
【專利說明】印刷板蝕刻廢液處理系統(tǒng)和方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及印刷電路板生產(chǎn)領(lǐng)域,特別是涉及一種含有氯化銅的印刷板蝕刻廢液的處理系統(tǒng)及處理方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在印制電路板制作工藝中,酸性氯化銅蝕刻液的回收再生始終困擾著印刷線路板企業(yè),不可再生的酸性氯化銅蝕刻液中每升含有約100克至180克的銅,僅廣東省每個(gè)月產(chǎn)生的這類廢蝕刻液的含銅量就有數(shù)千噸之多,如能回收這類金屬銅并將廢蝕刻液循環(huán)再生使用必然有著十分重大的經(jīng)濟(jì)效益和環(huán)保價(jià)值。
[0003]傳統(tǒng)的印制板蝕刻廢液處理方法只單一提取銅,而提銅后廢液直接排放,并未對(duì)蝕刻液中其他成分進(jìn)行回收,造成二次污染等問題。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]基于此,有必要提供一種既能回收銅,而且還可回收印刷板蝕刻廢液其他成分的處理系統(tǒng)及處理方法。
[0005]一種印刷板蝕刻廢液處理系統(tǒng),包括:儲(chǔ)液槽、第一電解緩沖槽、電解槽、離子膜電解槽、冷卻槽、過濾池及第二電解緩沖槽,其中,
[0006]所述儲(chǔ)液槽用于存儲(chǔ)印刷板蝕刻廢液,所述印刷板蝕刻廢液的成分包括氯化銅、氯化氫和氯化鈉;
[0007]所述第一電解緩沖槽與所述儲(chǔ)液槽相連,用于所述印刷板蝕刻廢液中的部分氯化銅轉(zhuǎn)化為銅氨絡(luò)合物;
[0008]所述電解槽與所述第一電解緩沖槽相連,用于將所述銅氨絡(luò)合物電解為銅粉和氨氣,經(jīng)過所述電解槽電解后的電解液重新注入所述第一電解緩沖槽;
[0009]所述離子膜電解槽包括陽(yáng)極區(qū)、緩沖區(qū)及陰極區(qū),所述陽(yáng)極區(qū)與所述緩沖區(qū)由陰離子膜分隔,所述緩沖區(qū)與所述陰極區(qū)由陽(yáng)離子膜分隔,所述陽(yáng)極區(qū)和所述緩沖區(qū)注入來(lái)自所述第一電解緩沖槽的經(jīng)過所述電解槽電解后的電解液,所述陽(yáng)極區(qū)電解產(chǎn)生氯氣,所述陰極區(qū)電解產(chǎn)生銅粉和氫氧化鈉溶液;
[0010]所述冷卻槽與所述離子膜電解槽相連,用于將所述離子膜電解槽的陽(yáng)極區(qū)電解產(chǎn)生氯氣冷凝吸收后形成鹽酸;
[0011]所述過濾池與所述離子膜電解槽相連,用于過濾收集所述銅粉;
[0012]所述第二電解緩沖槽與所述過濾池相連,用于收集所述氫氧化鈉溶液。
[0013]在優(yōu)選的實(shí)施例中,所述電解槽電解產(chǎn)生的氨氣通入到所述第一電解緩沖槽中,以將所述印刷板蝕刻廢液中的部分氯化銅轉(zhuǎn)化為`銅氨絡(luò)合物。
[0014]在優(yōu)選的實(shí)施例中,所述離子膜電解槽還包括暫存槽,所述暫存槽與所述陽(yáng)極區(qū)相通,用于存儲(chǔ)經(jīng)過所述陽(yáng)極區(qū)電解之后的電解液。
[0015]在優(yōu)選的實(shí)施例中,所述暫存槽與所述第一電解緩沖槽相連,并將經(jīng)過所述陽(yáng)極區(qū)電解之后的電解液注入所述第一電解緩沖槽。
[0016]在優(yōu)選的實(shí)施例中,所述第二電解緩沖槽與所述離子膜電解槽相連,并將所述第二電解緩沖槽內(nèi)的氫氧化鈉溶液注入所述第二離子膜電解槽的陰極區(qū)。
[0017]一種印刷板蝕刻廢液處理方法,包括如下步驟:
[0018]使用儲(chǔ)液槽存儲(chǔ)印刷板蝕刻廢液,所述印刷板蝕刻廢液的成分包括氯化銅和氯化氫和氯化鈉;
[0019]將所述儲(chǔ)液槽內(nèi)的印刷板蝕刻廢液注入第一電解緩沖槽,并將所述印刷板蝕刻廢液中的部分氯化銅轉(zhuǎn)化為銅氨絡(luò)合物;
[0020]將所述銅氨絡(luò)合物注入電解槽,并使所述銅氨絡(luò)合物轉(zhuǎn)化為銅粉和氨氣;
[0021]將經(jīng)過電解后的電解液注入離子膜電解槽的緩沖區(qū),在所述離子膜電解槽的陽(yáng)極區(qū)電解產(chǎn)生氯氣;使位于所述緩沖區(qū)的電解液的銅離子和鈉離子進(jìn)入所述離子膜電解槽的陰極區(qū),在所述陰極區(qū)電解產(chǎn)生銅粉和氫氧化鈉溶液;
[0022]將所述氯氣通入冷卻槽冷凝吸收后形成鹽酸;
[0023]使用過濾池過濾收集所述銅粉;及
[0024]使用第二電解緩沖槽收集所述氫氧化鈉溶液。
[0025]在優(yōu)選的實(shí)施例中,所述銅氨絡(luò)合物電解產(chǎn)生的氨氣通入到所述第一電解緩沖槽中,使所述印刷板蝕刻廢液中的部分氯化銅轉(zhuǎn)化為銅氨絡(luò)合物。
[0026]在優(yōu)選的實(shí)施例中,經(jīng)過電解槽電解后的電解液注入所述第一電解緩沖槽,然后進(jìn)入離子膜電解槽的陽(yáng)極區(qū)進(jìn)行循環(huán)。
[0027]在優(yōu)選的實(shí)施例中,經(jīng)過離子膜電解槽的陽(yáng)極區(qū)電解之后的電解液注入所述第一電解緩沖槽進(jìn)行循環(huán)。
[0028]在優(yōu)選的實(shí)施例中,所述氫氧化鈉溶液注入所述離子膜電解槽的陰極區(qū)進(jìn)行循環(huán)。
[0029]上述系統(tǒng)與蝕刻線相互連接后,通過先絡(luò)合后電解的方式實(shí)現(xiàn)銅的回收,并在電解槽及離子膜電解槽的電解過程中得到氯化氫和氫氧化鈉。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0030]圖1為一實(shí)施例的印刷板蝕刻廢液的處理系統(tǒng)的架構(gòu)圖;
[0031]圖2為一實(shí)施例的印刷板蝕刻廢液的處理方法的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0032]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂,下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】做詳細(xì)的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來(lái)實(shí)施,本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似改進(jìn),因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施的限制。
[0033]為了解決傳統(tǒng)的印制板蝕刻廢液處理方法只單一提取銅,而提銅后廢液直接排放,并未對(duì)蝕刻液中其他成分進(jìn)行回收,造成二次污染等問題,本方案采用電解、電滲析技術(shù),不僅能將蝕刻液中的銅得以99.99%回收,而且采用膜電解的方法還可回收HC1、NaOH,整個(gè)系統(tǒng)不產(chǎn)生二次污染,蝕刻液得到了資源循環(huán)利用。[0034] 在以下描述中,“液接管”指的是一種液體能夠從中流動(dòng)的管道;“氣接管”指的是一種氣體能夠從中流動(dòng)的管道。在本發(fā)明中,兩設(shè)備之間的管道無(wú)論是傳輸氣體還是液體均可以理解成流體相通。液體或氣體的流動(dòng)都可以通過驅(qū)動(dòng)裝置的加壓或減壓等方式來(lái)實(shí)現(xiàn),為了更好的說明本發(fā)明的原理,這些驅(qū)動(dòng)裝置的描述被省略。
[0035]圖1顯示了一實(shí)施例的印刷板蝕刻廢液的處理系統(tǒng)的架構(gòu)示意圖。請(qǐng)參閱圖1,一實(shí)施例的印刷板蝕刻廢液的處理系統(tǒng)100包括:儲(chǔ)液槽10、第一電解緩沖槽20、電解槽30、離子膜電解槽40、冷卻槽50、過濾池60及第二電解緩沖槽70。
[0036]印刷板蝕刻廢液從生產(chǎn)印刷電路板的蝕刻線流入并存儲(chǔ)在儲(chǔ)液槽10里。所述印刷板蝕刻廢液的成分包括氯化銅、氯化氫和氯化鈉。根據(jù)蝕刻廢液的不同,也可能包括鉀、鐵、鎳等其他金屬離子。所述氯化銅中的銅離子在印刷板蝕刻廢液中的存在形式一般為絡(luò)合物形式。
[0037]第一電解緩沖槽20通過液接管11與儲(chǔ)液槽10相連。印刷板蝕刻廢液能夠通過液接管11進(jìn)入到第一電解緩沖槽20內(nèi),所述印刷板蝕刻廢液中的部分氯化銅在外部添加的氨氣的作用下,能夠轉(zhuǎn)化為銅氨絡(luò)合物。反應(yīng)方程式如下:
[0038]Cu2++4NH3 — [Cu (NH3) 4]2+
[0039]為使反應(yīng)加速進(jìn)行,第一電解緩沖槽20內(nèi)還設(shè)有攪拌裝置23。
[0040]電解槽30通過液接管21與第一電解緩沖槽20相連。含有銅氨絡(luò)合物的印刷板蝕刻廢液通過液接管21進(jìn)入電解槽30后,發(fā)生電解,在陰極區(qū)和陽(yáng)極區(qū)分別產(chǎn)生銅粉和氨氣。
[0041 ]陰極反應(yīng):〔Cu (NH3) 4〕2++2e — Cu+4NH3
[0042]陽(yáng)極反應(yīng):2NH3+2H20— 2 (NH4) ++20H_
[0043]2 OH — I /202+H20+2e_
[0044] 電解槽30還通過液接管22與第一電解緩沖槽20相連。經(jīng)過電解槽30電解后的電解液通過液接管22重新注入第一電解緩沖槽20內(nèi),從而實(shí)現(xiàn)循環(huán)。經(jīng)過多次循環(huán)后,第一電解緩沖槽20余下的是含有少量銅離子及富含NaCl的電解液。
[0045]本實(shí)施例中,電解槽30還通過氣接管31與第一電解緩沖槽20相連。電解槽30的陰極區(qū)產(chǎn)生的氨氣通過氣接管31進(jìn)入第一電解緩沖槽20,從而將氯化銅沉淀轉(zhuǎn)化為銅氨絡(luò)合物,以實(shí)現(xiàn)氨氣的循環(huán)利用。可以理解,如果通入第一電解緩沖槽20的氨氣是從外部引入的,則氣接管31也可省略。
[0046]離子膜電解槽40包括陽(yáng)極區(qū)42、緩沖區(qū)44及陰極區(qū)46。陽(yáng)極區(qū)42與緩沖區(qū)44由陰離子膜421分隔,緩沖區(qū)44與陰極區(qū)46由陽(yáng)離子膜461分隔。陰離子膜421能夠使陰離子通過而阻止陽(yáng)離子通過;陽(yáng)離子膜461能夠使陽(yáng)離子通過而阻止陰離子通過。離子膜電解槽40還包括暫存槽48。暫存槽48與陽(yáng)極區(qū)42相通,用于存儲(chǔ)經(jīng)過陽(yáng)極區(qū)42電解之后的電解液。
[0047]離子膜電解槽40通過液接管24與第一電解緩沖槽20相連。具體的,液接管24的末端被分成通往緩沖區(qū)44的液接管24a和通往陽(yáng)極區(qū)42的液接管24b。第一電解緩沖槽20中經(jīng)過電解槽30電解后的電解液進(jìn)入液接管24后分成兩部分,一部分通過液接管24a進(jìn)入到緩沖區(qū)44內(nèi),另一部分通過液接管24b進(jìn)入陽(yáng)極區(qū)42內(nèi)。經(jīng)過電解槽30電解后的電解液內(nèi)具有少量的銅離子,鈉離子和一部分氯離子。在陰離子膜421和陽(yáng)離子膜461的作用下,銅離子和鈉離子被集中到陰極區(qū)46,而氯離子被集中到陽(yáng)極區(qū)42。
[0048]發(fā)生電解時(shí),陰極區(qū)46發(fā)生如下化學(xué)反應(yīng):
[0049]Cu2++2e_ — Cu
[0050]2H20+2e— H2+20H
[0051]OF+Na+ ^ NaOH
[0052]由此產(chǎn)生銅粉和氫氧化鈉溶液。
[0053]陽(yáng)極區(qū)42發(fā)生如下化學(xué)反應(yīng):
[0054]H2O — l/202+2H++2e_
[0055]2CF — Cl2+2e_
[0056]2C12+H20 — 2HC10+2HC1
[0057]冷卻槽50通過氣接管51與離子膜電解槽40的陽(yáng)極區(qū)42相連。冷卻槽50的上方設(shè)有冷凝器52,從氣接管51通入的氯氣和氯化氫氣體的溫度可以在冷凝器中被冷卻至5~10°C,當(dāng)冷凝成液體后,氯化氫氣體會(huì)被冷卻槽50內(nèi)的水所吸收形成鹽酸。
[0058]在陽(yáng)極區(qū)42電解之后剩余的電解液進(jìn)入暫存槽48。在本實(shí)施例中,暫存槽48通過液接管25與第一電解緩沖槽20相連,并將經(jīng)過離子膜電解槽40電解后的電解液(主要含有氯化銅和氯化鈉)通過液接管25注入第一電解緩沖槽20中,由此形成循環(huán)。
[0059]過濾池60與離子膜電解槽40的陰極區(qū)46通過液接管62相連,并過濾收集銅粉。
[0060]第二電解緩沖槽70通過液接管72與過濾池60相連,并收集氫氧化鈉溶液。
[0061]本實(shí)施例中,第二電解緩沖槽70還通過液接管74與離子膜電解槽40的陰極區(qū)46相連,并不斷的將氫氧化鈉溶液注入離子膜電解槽40的陰極區(qū)46,以補(bǔ)充陰極區(qū)46消耗的水分。
[0062]請(qǐng)參閱圖2,一實(shí)施例的印刷板蝕刻廢液的處理方法,包括如下步驟:
[0063]步驟S101、使用儲(chǔ)液槽存儲(chǔ)印刷板蝕刻廢液,所述印刷板蝕刻廢液的成分包括氯化銅和氯化氫和氯化鈉。
[0064]例如,印刷板蝕刻廢液可以存儲(chǔ)在儲(chǔ)液槽10中。
[0065]步驟S102、將所述儲(chǔ)液槽內(nèi)的印刷板蝕刻廢液注入第一電解緩沖槽,并將所述印刷板蝕刻廢液中的部分氯化銅轉(zhuǎn)化為銅氨絡(luò)合物。
[0066]例如,可將儲(chǔ)液槽10中的印刷板蝕刻廢液注入到第一電解緩沖槽20內(nèi),然后加入氨氣,使印刷板蝕刻廢液中的部分氯化銅轉(zhuǎn)化為銅氨絡(luò)合物。
[0067]步驟S103、將所述銅氨絡(luò)合物注入電解槽,并使所述銅氨絡(luò)合物轉(zhuǎn)化為銅粉和氨氣。
[0068]例如,含有銅氨絡(luò)合物的印刷板蝕刻廢液通過液接管21注入電解槽30,發(fā)生電解,在陰極區(qū)和陽(yáng)極區(qū)分別產(chǎn)生銅粉和氨氣。
[0069]經(jīng)過電解槽30電解后的電解液通過液接管22重新注入第一電解緩沖槽20內(nèi),從而實(shí)現(xiàn)循環(huán)。
[0070]優(yōu)選的,電解槽30的陰極區(qū)產(chǎn)生的氨氣通過氣接管31進(jìn)入第一電解緩沖槽20,從而將氯化銅沉淀轉(zhuǎn)化為銅氨絡(luò)合物,以實(shí)現(xiàn)氨氣的循環(huán)利用。
[0071]步驟S104、將經(jīng)過電解后的電解液注入離子膜電解槽的緩沖區(qū),在所述離子膜電解槽的陽(yáng)極區(qū)電解產(chǎn)生氯氣;使位于所述緩沖區(qū)的電解液的銅離子和鈉離子進(jìn)入所述離子膜電解槽的陰極區(qū),在所述陰極區(qū)電解產(chǎn)生銅粉和氫氧化鈉溶液。
[0072]例如,第一電解緩沖槽20中經(jīng)過電解槽30電解后的電解液進(jìn)入液接管24后分成兩部分,一部分通過液接管24a進(jìn)入到緩沖區(qū)44內(nèi),另一部分通過液接管24b進(jìn)入陽(yáng)極區(qū)42內(nèi)。經(jīng)過電解槽30電解后的電解液內(nèi)具有少量的銅離子,鈉離子和一部分氯離子。在陰離子膜421和陽(yáng)離子膜461的作用下,銅離子和鈉離子被集中到陰極區(qū)46,而氯離子被集中到陽(yáng)極區(qū)42。電解時(shí),陰極區(qū)46產(chǎn)生銅粉和氫氧化鈉溶液;陰極區(qū)42產(chǎn)生氯氣和氯化氫氣體。
[0073]步驟S105、將所述氯氣通入冷卻槽冷凝吸收后形成鹽酸。
[0074]陰極區(qū)42產(chǎn)生氯氣和氯化氫氣體通過氣接管51通入冷卻槽50,并在冷凝器中被冷卻至5~10°C,當(dāng)冷凝成液體后,氯化氫氣體會(huì)被冷卻槽50內(nèi)的水所吸收形成鹽酸。
[0075]優(yōu)選的,經(jīng)過離子膜電解槽40電解后的電解液(主要含有氯化銅和氯化鈉)進(jìn)入暫存槽48,然后再通過液接管25注入第一電解緩沖槽20中,由此形成循環(huán)。
[0076]步驟S106、過濾收集所述銅粉。
[0077]例如,在陰極區(qū)46生成的銅粉通過液接管62進(jìn)入過濾池60,并在過濾池60被過
濾收集。
[0078]步驟S107、收集所述氫氧化鈉溶液。
[0079]例如,在陰極區(qū)46生成的氫氧化鈉通過液接管72進(jìn)入第二電解緩沖槽70,從而在第二電解緩沖槽70收集得到濃度約為25%的氫氧化鈉溶液。
[0080]優(yōu)選的,第二電解緩沖槽70內(nèi)的氫氧化鈉溶液通過液接管74注入到離子膜電解槽40的陰極區(qū)46進(jìn)行循環(huán),以補(bǔ)充`消耗的水分。
[0081]上述系統(tǒng)與蝕刻線相互連接后,循環(huán)運(yùn)作,在回收金屬銅的同時(shí)可得到HCl及NaOH,回收的酸可實(shí)時(shí)送入蝕刻線再次利用,回收的堿作相應(yīng)的存儲(chǔ)。整個(gè)過程無(wú)任何廢水、廢氣和廢物排放,避免了二次污染,整個(gè)蝕刻工作及回收系統(tǒng)完全實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化控制,保證整個(gè)系統(tǒng)穩(wěn)定、安全地循環(huán)工作。
[0082]對(duì)電解槽30中的氨氣和離子膜電解槽40中氯氣抽取可以加大Cu2+和Cu+的氧化還原反應(yīng)間的化學(xué)勢(shì)能差,促進(jìn)銅的電解。
[0083]可以理解,液接管25、74也可省略。
[0084]以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式,其描述較為具體和詳細(xì),但并不能因此而理解為對(duì)本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是,對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說,在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下,還可以做出若干變形和改進(jìn),這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此,本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種印刷板蝕刻廢液處理系統(tǒng),其特征在于,包括:儲(chǔ)液槽、第一電解緩沖槽、電解槽、離子膜電解槽、冷卻槽、過濾池及第二電解緩沖槽,其中, 所述儲(chǔ)液槽用于存儲(chǔ)印刷板蝕刻廢液,所述印刷板蝕刻廢液的成分包括氯化銅、氯化氫和氯化鈉; 所述第一電解緩沖槽與所述儲(chǔ)液槽相連,用于所述印刷板蝕刻廢液中的部分氯化銅轉(zhuǎn)化為銅氨絡(luò)合物; 所述電解槽與所述第一電解緩沖槽相連,用于將所述銅氨絡(luò)合物電解為銅粉和氨氣,經(jīng)過所述電解槽電解后的電解液重新注入所述第一電解緩沖槽; 所述離子膜電解槽包括陽(yáng)極區(qū)、緩沖區(qū)及陰極區(qū),所述陽(yáng)極區(qū)與所述緩沖區(qū)由陰離子膜分隔,所述緩沖區(qū)與所述陰極區(qū)由陽(yáng)離子膜分隔,所述陽(yáng)極區(qū)和所述緩沖區(qū)注入來(lái)自所述第一電解緩沖槽的經(jīng)過所述電解槽電解后的電解液,所述陽(yáng)極區(qū)電解產(chǎn)生氯氣,所述陰極區(qū)電解產(chǎn)生銅粉和氫氧化鈉溶液; 所述冷卻槽與所述離子膜電解槽相連,用于將所述離子膜電解槽的陽(yáng)極區(qū)電解產(chǎn)生氯氣冷凝吸收后形成鹽酸; 所述過濾池與所述離子膜電解槽相連,用于過濾收集所述銅粉; 所述第二電解緩沖槽與所述過濾池相連,用于收集所述氫氧化鈉溶液。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的印刷板蝕刻廢液處理系統(tǒng),其特征在于,所述電解槽電解產(chǎn)生的氨氣通入到所述第一電解緩沖槽中,以將所述印刷板蝕刻廢液中的部分氯化銅轉(zhuǎn)化為銅氨絡(luò)合物。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述 的印刷板蝕刻廢液處理系統(tǒng),其特征在于,所述離子膜電解槽還包括暫存槽,所述暫存槽與所述陽(yáng)極區(qū)相通,用于存儲(chǔ)經(jīng)過所述陽(yáng)極區(qū)電解之后的電解液。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的印刷板蝕刻廢液處理系統(tǒng),其特征在于,所述暫存槽與所述第一電解緩沖槽相連,并將經(jīng)過所述陽(yáng)極區(qū)電解之后的電解液注入所述第一電解緩沖槽。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的印刷板蝕刻廢液處理系統(tǒng),其特征在于,所述第二電解緩沖槽與所述離子膜電解槽相連,并將所述第二電解緩沖槽內(nèi)的氫氧化鈉溶液注入所述第二離子膜電解槽的陰極區(qū)。
6.一種印刷板蝕刻廢液處理方法,其特征在于,包括如下步驟: 使用儲(chǔ)液槽存儲(chǔ)印刷板蝕刻廢液,所述印刷板蝕刻廢液的成分包括氯化銅和氯化氫和氯化鈉; 將所述儲(chǔ)液槽內(nèi)的印刷板蝕刻廢液注入第一電解緩沖槽,并將所述印刷板蝕刻廢液中的部分氯化銅轉(zhuǎn)化為銅氨絡(luò)合物; 將所述銅氨絡(luò)合物注入電解槽,并使所述銅氨絡(luò)合物轉(zhuǎn)化為銅粉和氨氣; 將經(jīng)過電解后的電解液注入離子膜電解槽的緩沖區(qū),在所述離子膜電解槽的陽(yáng)極區(qū)電解產(chǎn)生氯氣;使位于所述緩沖區(qū)的電解液的銅離子和鈉離子進(jìn)入所述離子膜電解槽的陰極區(qū),在所述陰極區(qū)電解產(chǎn)生銅粉和氫氧化鈉溶液; 將所述氯氣通入冷卻槽冷凝吸收后形成鹽酸; 使用過濾池過濾收集所述銅粉;及 使用第二電解緩沖槽收集所述氫氧化鈉溶液。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的印刷板蝕刻廢液處理方法,其特征在于,所述銅氨絡(luò)合物電解產(chǎn)生的氨氣通入到所述第一電解緩沖槽中,使所述印刷板蝕刻廢液中的部分氯化銅轉(zhuǎn)化為銅氨絡(luò)合物。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的印刷板蝕刻廢液處理方法,其特征在于,經(jīng)過電解槽電解后的電解液注入所述第一電解緩沖槽,然后進(jìn)入離子膜電解槽的陽(yáng)極區(qū)進(jìn)行循環(huán)。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的印刷板蝕刻廢液處理方法,其特征在于,經(jīng)過離子膜電解槽的陽(yáng)極區(qū)電解之后的電解液注入所述第一電解緩沖槽進(jìn)行循環(huán)。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的印刷板蝕刻廢液處理方法,其特征在于,所述氫氧化鈉溶液注入所述離子膜電解槽的陰極區(qū)進(jìn)行循環(huán)。
【文檔編號(hào)】C23F1/46GK103628092SQ201210309879
【公開日】2014年3月12日 申請(qǐng)日期:2012年8月28日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月28日
【發(fā)明者】陳亞東, 范瓊, 潘加永 申請(qǐng)人:庫(kù)特勒自動(dòng)化系統(tǒng)(蘇州)有限公司