專利名稱：鍍膜方法及其鍍膜裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及鍍膜，特別是一種通過離子輔助方式進(jìn)行鍍膜的鍍膜方法及其鍍膜裝置。
背景技術(shù)：
物理蒸鍍法作為形成無機(jī)膜和有機(jī)膜的方法被廣泛應(yīng)用。物理蒸鍍法根據(jù)鍍膜方法的不同，大致分為真空蒸鍍法、濺射法、和離子電鍍方法。
在上述的真空蒸鍍法或是濺射法等物理方法中，離子輔助的鍍膜方法已被知曉。在真空鍍膜腔室內(nèi)，鍍膜材料在基板表面上沉積進(jìn)行鍍膜時(shí)，通過離子照射鍍膜材料的蒸汽及沉積在基板上形成的薄膜，對(duì)所形成的薄膜的致密性等的改善工藝過程稱之為離子輔助蒸鍍。例如，對(duì)應(yīng)于傘狀的基板支架，蒸汽和離子對(duì)整個(gè)基板支架進(jìn)行照射的鍍膜裝置。例如在專利文獻(xiàn)I (參見特開平I O — I 2 3 3 O I號(hào)公報(bào))中，公示了使用離子輔助方式的鍍膜方法生產(chǎn)光學(xué)產(chǎn)品。還有，例如，在專利文獻(xiàn)2 (參見特開2 0 0 7 - 2 4 8 8 2 8號(hào)公報(bào))中，公示
了使用離子輔助方式的鍍膜方法制備光學(xué)薄膜。還有，例如，在專利文獻(xiàn)3 (參見特開2 0 1 0 - 1 0 6 3 3 9號(hào)公報(bào))中，公示了
離子輔助方式的鍍膜方法。還有，例如，在專利文獻(xiàn)4 (參見特開平2003 — 82462號(hào)公報(bào))中，公示
了使用離子輔助方式的鍍膜方法的真空鍍膜裝置。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的課題
本發(fā)明要解決的課題是使用離子輔助方式的鍍膜方法時(shí)，通過離子輔助難于提高形成的薄膜的致密化效果。本發(fā)明解決課題的方法
一種鍍膜方法，在鍍膜腔室中設(shè)有固定基板的基板支架；使鍍膜材料在基板上沉積，在所述基板上形成所述鍍膜材料的薄膜，這樣的鍍膜工序；相對(duì)所述基板支架區(qū)域，用具有濃度梯度的離子向整個(gè)基板支架區(qū)域進(jìn)行照射，在所述膜上照射離子，對(duì)所述膜進(jìn)行致密化的照射工序。所述本發(fā)明的鍍膜方法，其特征在于，在鍍膜腔室中設(shè)有固定基板的基板支架；使鍍膜材料在基板上沉積，在基板上形成鍍膜材料的薄膜，進(jìn)而，相對(duì)基板支架的區(qū)域用具有濃度梯度的離子向整個(gè)基板支架的區(qū)域進(jìn)行照射，在膜上照射離子對(duì)膜進(jìn)行致密化。所述發(fā)明的鍍膜方法，其特征在于，對(duì)所述基板支架的部分區(qū)域照射高濃度離子，對(duì)所述基板支架的其余區(qū)域照射低濃度離子。
所述發(fā)明的鍍膜方法，其特征在于，在所述離子照射工序上，使所述基板邊進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)邊進(jìn)行照射，實(shí)現(xiàn)所述基板交替地通過高濃度離子區(qū)域和低濃度離子區(qū)域。所述發(fā)明的鍍膜方法，其特征在于，在所述離子照射工序上，使所述基板邊轉(zhuǎn)動(dòng)邊照射，實(shí)現(xiàn)所述基板以一定的周期交替地通過高濃度離子區(qū)域和低濃度離子區(qū)域。所述發(fā)明的鍍膜方法，其特征在于，在所述照射工序中，通過驅(qū)動(dòng)基板支架使基板進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)。所述發(fā)明的鍍膜方法，其特征在于，在所述鍍膜工序中，使鍍膜速度按照所述的一定的周期性變化進(jìn)行鍍膜。所述發(fā)明的鍍膜方法，其特征在于，使所述基板邊轉(zhuǎn)動(dòng)邊進(jìn)行鍍膜，實(shí)現(xiàn)所述鍍膜工序中在所述鍍膜速度最大的位置上，離子照射工序中離子照射量最大。所述發(fā)明的鍍膜方法，其特征在于，使所述基板邊轉(zhuǎn)動(dòng)邊進(jìn)行鍍膜，實(shí)現(xiàn)所述鍍膜 工序中在所述鍍膜速度最大的位置上，離子照射工序中離子照射量最小。所述發(fā)明的鍍膜方法，其特征在于，在所述基板支架上固定多片基板，進(jìn)行所述鍍膜工序和所述離子照射工序。本發(fā)明的技術(shù)效果
通過本發(fā)明的鍍膜方法，相對(duì)基板支架區(qū)域，用具有濃度梯度的離子全面照射基板支架區(qū)域，通過離子照射膜，對(duì)膜進(jìn)行致密化，因此通過離子輔助方式可以提高所形的薄膜的致密化效果。


圖I是本發(fā)明第一實(shí)施例的鍍膜裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是本發(fā)明第一實(shí)施例的鍍膜裝置的俯視布置示意圖。圖3是本發(fā)明第二實(shí)施例的鍍膜裝置的俯視布置示意圖。圖4是本發(fā)明第一實(shí)施例中，鍍膜速度和離子照射量相對(duì)于基板位置的變化示意圖。圖5是本發(fā)明第二實(shí)施例中，鍍膜速度和離子照射量相對(duì)于基板位置的變化示意圖。圖中
10…鍍膜腔室 11…排氣管 12…真空泵 20…基板支架 30…第一蒸發(fā)源 31…第一遮擋板 32...尚子源 33…離子源遮擋板 34…第二蒸發(fā)源 35…第二遮擋板。
具體實(shí)施例方式下面參照附圖對(duì)本發(fā)明鍍膜方法的實(shí)施方案進(jìn)行說明。<第一實(shí)施例>
[鍍膜裝置的構(gòu)成]
圖I是本發(fā)明第一實(shí)施例的鍍膜裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。鍍膜腔室10通過排氣管11和真空泵12連接，鍍膜腔室內(nèi)可以達(dá)到所定的壓力值。根據(jù)真空蒸鍍或者是濺射法，在鍍膜時(shí)鍍膜腔室10內(nèi)背壓，例如為I O—2 I O—5Pa左右。在真空鍍膜腔室10內(nèi)設(shè)置有固定基板的基板支架20，其形狀為傘狀。在基板支架·20上固定一片或多片基板，基板的鍍膜面朝向蒸發(fā)源的方向，以傘柄作為回轉(zhuǎn)軸，設(shè)有使其傘狀基板支架20轉(zhuǎn)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)。在鍍膜腔室10內(nèi)，設(shè)置有第一蒸發(fā)源30。例如作為蒸發(fā)源，在真空蒸鍍法進(jìn)行鍍膜時(shí)，可以使用電子槍加熱型(EB)蒸發(fā)源，阻蒸型(RH)蒸發(fā)源，激光加熱型蒸發(fā)源，空心陰極加熱型蒸發(fā)源等。使用濺射型蒸發(fā)源，即使用濺射法進(jìn)行鍍膜時(shí)，用帶電粒子撞擊通電的鍍膜材料，得到鍍膜材料的汽體。以下對(duì)上述的各種類型的蒸發(fā)源統(tǒng)稱為蒸發(fā)源。在第一蒸發(fā)源30的附近，設(shè)置有第一遮擋板31。由第一蒸發(fā)源30產(chǎn)生的鍍膜材料的蒸汽，按照C O S η Θ的分布法則擴(kuò)散的同時(shí)，擴(kuò)散到基板支架20的全體區(qū)域或是部分區(qū)域，在被固定于基板支架20上的基板上形成鍍膜材料的薄膜。為了實(shí)現(xiàn)如上所述的、使蒸汽擴(kuò)散到所期望的基板支架的全體區(qū)域或是部分區(qū)域，第一蒸發(fā)源30與基板支架要離開一定的距離。例如，鍍膜材料的蒸汽從第一蒸發(fā)源30在一對(duì)雙點(diǎn)劃線人3。之間的區(qū)域蒸發(fā)，在被固定于基板支架20上的基板上沉積形成鍍膜材料的薄膜。雙點(diǎn)劃線A 3。之間可以覆蓋基板支架20的全部區(qū)域，或部分區(qū)域。在真空鍍膜腔室10內(nèi)，例如設(shè)置有離子源32。使離子源32產(chǎn)生離子，照射被汽化的鍍膜材料的蒸汽及在基板上沉積后形成的薄膜，對(duì)所形成的薄膜進(jìn)行致密化。離子源32產(chǎn)生的離子，相對(duì)基板支架20的區(qū)域具有一定的濃度梯度，并且，照射基板支架20的整個(gè)區(qū)域。離子源32產(chǎn)生的離子可以是氦、氬等惰性氣體的離子，也可以使用其它活性氣體的尚子。還有，在靠近離子源32處，設(shè)置有離子源遮擋板33。該離子源遮擋板33具有控制離子的擴(kuò)散及防止離子源被污染的功效。通過離子源32，在一對(duì)虛線A 3 2之間的區(qū)域被照射高濃度的離子，在其外部單點(diǎn)劃線方，2的區(qū)域被照射低濃度的離子。整個(gè)基板支架或是被照射低濃度離子，或被照射高濃度離子。在本實(shí)施例的鍍膜裝置上，設(shè)置了第二蒸發(fā)源34。第二蒸發(fā)源和第一蒸發(fā)源一樣，可使用電子槍加熱型(EB)蒸發(fā)源，阻蒸型(RH)蒸發(fā)源，激光加熱型蒸發(fā)源，空心陰極加熱型蒸發(fā)源等；或者也可以使用濺射型的蒸發(fā)源。還有，在靠近第二蒸發(fā)源34處，安裝了第二遮擋板35。第一遮擋板31和第二遮擋板35，可以防止不被兩個(gè)蒸發(fā)源所蒸發(fā)出的蒸汽相互干擾。例如，來自第二蒸發(fā)源34的鍍膜材料的蒸汽在一對(duì)雙點(diǎn)劃線A 34之間的區(qū)域蒸發(fā)，沉積到固定在基板支架20上的基板上，形成鍍膜材料的薄膜。雙點(diǎn)劃線A 3 4可以覆蓋基板支架20的全部區(qū)域，也可以是部分區(qū)域。關(guān)于本實(shí)施例，一個(gè)基板支架可以固定單片基板或是多片基板，在基板上進(jìn)行鍍膜。在通常所說的以罩為單位生產(chǎn)的鍍膜裝置上，對(duì)本實(shí)施例進(jìn)行說明。實(shí)施本方案的鍍膜裝置，不僅限于以罩為單位的鍍膜裝置，在以連續(xù)方式進(jìn)行鍍 膜、基板在鍍膜腔室中以步進(jìn)式或者是行進(jìn)式連續(xù)地被運(yùn)送的鍍膜裝置中同樣適用。圖2是本發(fā)明第一實(shí)施例的鍍膜裝置的俯視布置示意圖，是相對(duì)于基板支架20，第一蒸發(fā)源30、第一遮擋板31、離子源32、離子源遮擋板33、第二蒸發(fā)源34、以及第二遮擋板35的分布圖。圖中還劃分出被高濃度離子照射的區(qū)域A 3 2，和被低濃度離子照射的區(qū)域
B 3 2。對(duì)整個(gè)基板支架20的全部區(qū)域，或是處于所述的高濃度離子照射區(qū)域A 3 2，或是處于低濃度離子照射區(qū)域B 3 2。高濃度離子照射區(qū)A 3 2和低濃度離子照射區(qū)B 3 2的分界，可以根據(jù)離子源遮擋板33所設(shè)置的位置及結(jié)構(gòu)等進(jìn)行調(diào)整。在圖I和圖2中，所述的分界位于傘狀基板支架20的回轉(zhuǎn)軸附近，也可以根據(jù)需要進(jìn)行改變。[鍍膜材料]
鍍膜材料，可根據(jù)使用目的和膜系特性做出適當(dāng)?shù)剡x擇。例如，當(dāng)鍍膜材料為硅、氧化硅、氧化鉭等無機(jī)材料時(shí)，可以采用電子槍加熱型蒸發(fā)源或?yàn)R射型蒸發(fā)源。使用等離子發(fā)生器(圖中未表示)產(chǎn)生的等離子，在鍍膜過程中或是鍍膜后進(jìn)行等離子處理，可以使膜氧化。例如當(dāng)鍍膜材料是氟化碳系化合物或全氟烷基硅氮烷等硅氧樹脂等有機(jī)材料時(shí)，可使用阻蒸加熱型蒸發(fā)源。另外，也可用使用適用于真空蒸鍍法或?yàn)R射法等物理蒸鍍法的鍍膜材料。第一蒸發(fā)源30和第二蒸發(fā)源34，兩者既可以均為形成無機(jī)膜的鍍膜材料，亦可以均為形成有機(jī)膜的鍍膜材料。還有，在真空鍍膜腔室10內(nèi)也可以有3個(gè)以上的鍍膜材料的蒸發(fā)源。在這種情況下，可以是形成有機(jī)膜或是無機(jī)膜兩者中的一種蒸發(fā)源。通過本發(fā)明的鍍膜裝置，將具有一定濃度梯度的離子照射基板支架的整個(gè)區(qū)域，用離子照射膜，可以得到膜的致密化。因此通過離子輔助方式，可以提高膜的致密性的效
果O[鍍膜方法]
接下來，對(duì)本實(shí)施例的鍍膜方法進(jìn)行說明。例如，使用所述的鍍膜裝置進(jìn)行鍍膜。首先，將單片或多片基板的鍍膜面朝向蒸發(fā)源，固定在鍍膜腔室10中的基板支架20上。然后，按照指定的真空度對(duì)鍍膜腔室10抽真空，基本支架20以其中心為軸進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的同時(shí)，第一蒸發(fā)源30，通過電子槍加熱或阻蒸加熱等各種蒸發(fā)源具備的加熱方法或?yàn)R射方法等生成鍍膜材料的蒸汽，使其沉積到固定于基板支架20上的基板上。在基板上形成鍍膜材料的薄膜。其次，例如使離子源32產(chǎn)生離子，照射汽化的鍍膜材料的蒸汽和在基板上形成的薄膜，為形成致密化的薄膜而進(jìn)行照射。離子源32產(chǎn)生的離子，例如氦和氬等惰性氣體的離子。也還可用使用其它的活性離子。這里，離子源32產(chǎn)生的離子，對(duì)于基板20的區(qū)域具有一定的濃度梯度，并且，照射基板支架20的整個(gè)區(qū)域。 利用所述離子源32發(fā)產(chǎn)生的離子，對(duì)沉積形成的薄膜進(jìn)行致密化處理。在本實(shí)施例的鍍膜方法中，也可在第二蒸發(fā)源34上，通過電子槍加熱或阻蒸加熱等各種蒸發(fā)源具備的加熱方法或?yàn)R射方法等生成鍍膜材料的蒸汽，使其沉積到基板支架20上固定的基板上。例如第一蒸發(fā)源30可以使用形成硅、氧化硅、氧化鉭等無機(jī)膜的鍍膜材料，第二蒸發(fā)源可以使用形成氟化碳系化合物或全氟烷基硅氮烷等硅氧樹脂等有機(jī)膜的鍍膜材料。也可以從3個(gè)以上的蒸發(fā)源分別產(chǎn)生鍍膜材料的蒸汽，進(jìn)行鍍膜。在這種情況下，可以是有機(jī)膜或是無機(jī)膜兩者中的一種鍍膜材料的蒸發(fā)源。對(duì)于特定的鍍膜材料，要想使用離子輔助方式得到好的效果的話，用非對(duì)稱的分布、有效地使離子射入。即，在假定鍍膜材料的蒸汽可到達(dá)的基板支架區(qū)域，輔助離子的電流密度分布為高濃度，在假定鍍膜材料的蒸汽達(dá)不到的基板支架區(qū)域，輔助離子的電流密度分布為低濃度，以這樣的方式進(jìn)行照射。如上所述鍍膜方法，即使蒸發(fā)源有兩個(gè)以上，也可使用非對(duì)稱分布使輔助離子射入。使用有機(jī)材料和電介質(zhì)材料作為鍍膜材料時(shí)，離子輔助方式一般多用于電介質(zhì)。有機(jī)材料對(duì)離子源的污染問題可以有效地使用防護(hù)遮擋板來解決。以往的離子輔助方式的鍍膜方法、蒸發(fā)源產(chǎn)生的鍍膜材料的蒸汽在所有的基板上形成薄膜，并通過離子源用一定電流密度的離子束進(jìn)行照射，在被一定電流密度的離子束照射后，這樣的離子輔助的效果、對(duì)形成的薄膜的內(nèi)應(yīng)力、基板上分子的排列、膜表面的物理性能等不能達(dá)到充分的改善。離子輔助源、并不是對(duì)整體都具有均勻的電流密度就是最好的，視情況的不同，有時(shí)會(huì)損傷薄膜表面；也會(huì)使薄膜受到濺射、帶來不良的影響。特別是近年來，為實(shí)現(xiàn)大批量生產(chǎn)，鍍膜裝置趨向大型化，使用以往全面照射的離子輔助鍍膜法在傘狀的基板支架的整體上不能制造出品質(zhì)均一的產(chǎn)品。在大型裝置中的基板上鍍膜時(shí)，因?yàn)槌霈F(xiàn)鍍膜材料的蒸汽在各處分布不均勻，或著出現(xiàn)了鍍膜材料的蒸汽無法到達(dá)的區(qū)域。蒸鍍材料是藥片型使用觸摸式裝置生產(chǎn)防污膜時(shí)，必須在一罩中完成電介質(zhì)材料和有機(jī)材料的鍍膜。
但是，有機(jī)材料會(huì)對(duì)電介質(zhì)鍍膜材料蒸發(fā)源造成污染。通過本發(fā)明的鍍膜方法，相對(duì)基板支架區(qū)域，用具有濃度梯度的離子全面照射基板支架區(qū)域，通過離子照射薄膜，對(duì)薄膜進(jìn)行致密化，因此通過離子輔助方式可以提高所形鍍膜的致密化的效果。特別是使用限定均勻照射區(qū)域的離子源，最適合大批量生產(chǎn)的大型鍍膜裝置，發(fā)揮其最大的能效的鍍膜方法。采用離子電流密度對(duì)于整個(gè)基本支架擁有梯度分布特性的離子源，作為本實(shí)施例的離子源。如上所述，只要是能夠?qū)舛忍荻鹊碾x子照射基板支架的整個(gè)區(qū)域的任何結(jié)構(gòu)都可以?！?br> 一般情況下，輔助用的離子源產(chǎn)生的離子電流，離基板距離越遠(yuǎn)則電流密度越小。如果以鍍膜區(qū)域和非鍍膜區(qū)域比較照射面積的話，非鍍膜區(qū)域的面積大。因此，在基板支架上的一部分區(qū)域限定輔助離子的照射，鍍膜的生產(chǎn)率也會(huì)受到限制。所以，如本實(shí)施例，采用非對(duì)稱的分布，對(duì)鍍膜面的整體連續(xù)地照射輔助離子，可以提聞生廣效率。還有，由于基板支架20的整個(gè)區(qū)域被照射，在鍍膜時(shí)基板會(huì)始終被離子照射，可以提高鍍膜的速度。還有，相對(duì)于基板支架20區(qū)域，離子的密度具有一定的梯度，可以減小所形成的薄膜的內(nèi)應(yīng)力。例如，本實(shí)施例的鍍膜方法，在離子照射工序，其特征在于對(duì)基板支架的部分區(qū)域照射高濃度離子，對(duì)基板支架的其余區(qū)域照射低濃度離子。例如通過離子源32產(chǎn)生離子，在一對(duì)虛線A 3 2之間的區(qū)域被照射高濃度的離子，在其外部即單點(diǎn)劃線方，2的區(qū)域被照射低濃度的離子。對(duì)基板支架的整個(gè)區(qū)域，或是被照射低濃度的離子，或是被照射高濃度的離子。還有，例如本實(shí)施例的鍍膜方法，在離子照射工序中，其特征在于使基板邊轉(zhuǎn)動(dòng)邊交替地通過高濃度離子區(qū)域和低濃度離子區(qū)域。因?yàn)榛宓霓D(zhuǎn)動(dòng)可以交替地通過高濃度區(qū)域和低濃度區(qū)域，因此，基板始終可以被離子照射，或是低濃度離子或是高濃度離子兩者中的其一。還有，例如本實(shí)施例的鍍膜方法，在離子照射工序中，其特征在于能夠使基板邊轉(zhuǎn)動(dòng)邊按照一定的周期、交替地通過高濃度離子區(qū)域和低濃度離子區(qū)域。因?yàn)橥ㄟ^驅(qū)動(dòng)基板支架轉(zhuǎn)動(dòng)，使基板邊轉(zhuǎn)動(dòng)邊進(jìn)行照射工序。所以可以使基板能夠按照一定的周期交替地通過高濃度離子區(qū)域和低濃度離子區(qū)域。本實(shí)施例中，輔助離子對(duì)傘狀的基板支架照射濃度不均勻離子，同時(shí)是全面地進(jìn)行照射?；逯Ъ芤砸欢ǖ乃俣刃D(zhuǎn)，此時(shí)照射在基板上的離子電流密度發(fā)生周期性變化。該變化影響到輔助效果的強(qiáng)弱，所以可以有意地增強(qiáng)或減弱在基板上的變化效果。本實(shí)施例的鍍膜方法，在鍍膜工序上，其特征在于可以使鍍膜速度以一定的周期性的變化進(jìn)行鍍膜。
例如，通過驅(qū)動(dòng)基板支架使基板邊轉(zhuǎn)動(dòng)邊進(jìn)行鍍膜，可以使鍍膜速度以一定的周期性的變化進(jìn)行鍍膜。本實(shí)施例的鍍膜方法，使基板邊轉(zhuǎn)動(dòng)邊進(jìn)行鍍膜，其特征在于在鍍膜工序中鍍膜速率為最大的位置上，離子照射量也達(dá)到最大。本實(shí)施例的鍍膜方法，使基板邊轉(zhuǎn)動(dòng)邊進(jìn)行鍍膜，其特征在于鍍膜工序中在鍍膜速度最大的位置上，離子照射工序中離子照射量最小。還有，例如本實(shí)施例的鍍膜方法，其特征在于在基板支架上固定多片基板，進(jìn)行鍍膜工序和離子照射工序。利用本實(shí)施例的鍍膜方法，可以使固定在基板支架上的所有基板都能受到同樣的離子輔助效果。本實(shí)施例的鍍膜方法適用于，在鍍膜腔室內(nèi)有旋轉(zhuǎn)基板支架和夾具、普通以罩為單位生產(chǎn)的鍍膜裝置，也適用于基板被連續(xù)輸送、連續(xù)型鍍膜裝置。只要適用于使用離子輔助沉積的鍍膜裝置及方法，都可以采用本發(fā)明的鍍膜方 法，沒有使用上的限制。對(duì)應(yīng)鍍膜材料的濃度分布，輔助用離子源產(chǎn)生的離子電流密度的非均勻性不可能始終保持相同、根據(jù)不同的鍍膜材料的性質(zhì)可以適當(dāng)?shù)馗淖冸x子電流密度的相對(duì)強(qiáng)弱。〈第2實(shí)施例>
[鍍膜裝置的結(jié)構(gòu)]
圖3為本發(fā)明第二實(shí)施例的鍍膜裝置的俯視布置示意圖。第一蒸發(fā)源30、第一蒸發(fā)源遮擋板31、離子源32、離子源遮擋板33、第二蒸發(fā)源34、及第二蒸發(fā)源遮擋板35相對(duì)于基板支架20的布置圖。并表示了離子源32產(chǎn)生的高濃度離子照射的區(qū)域A 3 2，和低濃度離子照射的區(qū)域B32的劃分?；逯Ъ?0的整體始終處于被離子照射的區(qū)域，或是處于所述的高濃度離子照射區(qū)域A 3 2，或是處于低濃度離子照射區(qū)域B 3 2。高濃度離子照射區(qū)A 3 2與第I蒸發(fā)源30和第2蒸發(fā)源34是等距離分布的。根據(jù)第一蒸發(fā)源30和第2蒸發(fā)源34的鍍膜材料的特性及所定的薄膜的特性，可以適當(dāng)改變高濃度離子照射區(qū)域A 3 2和低濃度離子照射區(qū)域B 3 2的劃分。<第一實(shí)施例>
圖4是使用第一實(shí)施例的鍍膜方法進(jìn)行鍍膜時(shí)，鍍膜速度和離子照射量相對(duì)基板位置的變化示意圖。圖4中，實(shí)線a、b、c分別表示基板支架的轉(zhuǎn)速為低速、中速、高速時(shí)，照射在基板上的離子電流密度相對(duì)值(ID)。虛線d、e、f分別表示基板支架的轉(zhuǎn)速為低速、中速、高速時(shí)，沉積在基板上的鍍膜速率的相對(duì)值(DS)。圖中的橫軸表示旋轉(zhuǎn)的基板的位置。離子照射工序中，使基板按照一定周期交替地通過離子高濃度區(qū)域和低濃度區(qū)域進(jìn)而使基板進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)，在鍍膜過程中，使鍍膜速率按上述的所定的周期性變化進(jìn)行鍍膜。本實(shí)施例的鍍膜方法，使基板邊轉(zhuǎn)動(dòng)邊進(jìn)行鍍膜，其特征在于在鍍膜工序中鍍膜速度最大的位置上照射工序中的離子照射量達(dá)到最大。<第二實(shí)施例>圖5是第二實(shí)施例，鍍膜速度和離子照射量相對(duì)基板位置的變化示意圖。圖5中，實(shí)線a、b、c分別表示當(dāng)基板支架的轉(zhuǎn)速為抵速、中速、高速時(shí)，照射在基板上的離子電流密度的相對(duì)值(ID)。虛線d、e、f分別表示當(dāng)基板支架的轉(zhuǎn)速為低速、中速、高速時(shí)，沉積在基板上的鍍膜速度的相對(duì)值(DS)。圖中的橫軸表示旋轉(zhuǎn)的基板的位置。離子照射工序中，轉(zhuǎn)動(dòng)基板使其按照一定周期交替地通過離子高濃度區(qū)域和低濃度區(qū)域，在鍍膜過程中，使鍍膜速率按上述的所定的周期性變化進(jìn)行鍍膜。本實(shí)施例的鍍膜方法，使基板邊轉(zhuǎn)動(dòng)邊進(jìn)行鍍膜，其特征在于在鍍膜工序中鍍膜速度最大的位置上照射工序中的離子照射量達(dá)到最小。在鍍膜時(shí)不適合照射離子的情況下，可以做到在鍍膜速度高的位置上避開離子的照射，進(jìn)行鍍膜。 本發(fā)明不僅限于以上的說明。例如，以上雖然對(duì)使用在真空蒸鍍法及濺射法的實(shí)施方案進(jìn)行了說明，但是也適用于等離子鍍方法中。上述實(shí)施方法中使用真空蒸鍍法蒸鍍無機(jī)膜或有機(jī)膜、也可以適用于連續(xù)蒸鍍有機(jī)膜和無機(jī)膜或是交替地蒸鍍無機(jī)膜和有機(jī)膜的鍍膜方法中。在不超出本發(fā)明要點(diǎn)的前提下，可以有各種各樣的變化方案。
權(quán)利要求
1.一種鍍膜方法，其特征在于，在鍍膜腔室中設(shè)置有固定基板的基板支架，所述鍍膜材料在基板上沉積，在基板上形薄膜的鍍膜工序；具有濃度梯度的離子全面照射所述基板支架的整個(gè)區(qū)域，所述薄膜被離子照射使薄膜致密化的照射工序。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的鍍膜方法，其特征在于，所述的照射工序中，對(duì)所述基板支架部分區(qū)域照射高濃度離子，對(duì)所述基板支架的其余區(qū)域照射低濃度離子。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的鍍膜方法，其特征在于，所述的基板在轉(zhuǎn)動(dòng)中交替地通過高濃度離子區(qū)域和低濃度離子區(qū)域。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的鍍膜方法，其特征在于，所述的基板邊轉(zhuǎn)動(dòng)邊以一定的周期、交替地通過高密度離子區(qū)域和低濃度離子區(qū)域。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的鍍膜方法，其特征在于，所述的基板支架旋轉(zhuǎn)使基板進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的鍍膜方法，其特征在于，所述的鍍膜速度按照一定的周期變化形成所述薄膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的鍍膜方法，其特征在于，在所述鍍膜速度最大的位置上，所述的離子照射量最大。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的鍍膜方法，其特征在于，在所述鍍膜速度最大的位置上，離子照射量最小。
9.根據(jù)權(quán)利要求I至5任一項(xiàng)所述的鍍膜方法，其特征在于，所述的基板支架上固定多片基板。
10.實(shí)施權(quán)利要求I至5任一項(xiàng)所述的鍍膜方法的鍍膜裝置，其特征在于，該裝置包括一個(gè)鍍膜腔室(10)，該鍍膜腔室(10)經(jīng)排氣管(11)與真空泵(12)相連，在該鍍膜腔室的上方中軸位置通過旋轉(zhuǎn)軸支撐的繞該旋轉(zhuǎn)軸轉(zhuǎn)動(dòng)的用于固定鍍膜基板的傘狀的基板支架(20)，在所述的基板支架(20)下方的鍍膜腔室分立地設(shè)有第一蒸發(fā)源(30)、第一遮擋板(31)、離子源(32)、離子源遮擋板(33)，所述的第一蒸發(fā)源(30)蒸發(fā)的鍍膜材料通過第一遮擋板(31)定向地射向所述的基板支架(20)的鍍膜基板，所述的離子源(32)發(fā)出的離子通過所述的離子源遮擋板(33)定向地射向所述的基板支架(20)的鍍膜基板，鍍膜基板是固定在所述的基板支架(20)上且鍍膜面朝向所述的蒸發(fā)源和離子源。
全文摘要
關(guān)于在離子輔助方式的鍍膜方法中，通過離子輔助難于提高形成的薄膜的致密化效果。在鍍膜腔室１０中設(shè)置固定基板的基板支架２０，使鍍膜材料在基板上沉積，在基板上形成鍍膜材料的薄膜；進(jìn)一步,使用具有濃度梯度的離子照射基板支架２０的整個(gè)區(qū)域，離子照射薄膜,對(duì)薄膜進(jìn)行致密化。
文檔編號(hào)C23C14/48GK102899632SQ201210353668
公開日2013年1月30日 申請(qǐng)日期2012年9月21日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月5日
發(fā)明者唐健, 范賓, 三浦俊彥, 渡邊優(yōu), 黃志飛 申請(qǐng)人:光馳科技(上海)有限公司