專利名稱：摻氟氧化錫薄膜的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種摻氟氧化錫(FTO)薄膜的制備方法，具體涉及ー種成本更低、エ藝更簡單的利用射頻磁控濺射技術(shù)制備摻氟氧化錫薄膜的方法。
背景技術(shù)：
FTO透明導(dǎo)電玻璃具有優(yōu)良的光電性能，被廣泛用于太陽能電池的窗ロ材料、低損耗光波導(dǎo)電材料及各種顯示器和非晶硅太陽能電池中作為透明玻璃電極等，與生活息息相關(guān)。在薄膜太陽電池上的應(yīng)用太陽能電池是利用光伏效應(yīng)，在半導(dǎo)體p-n結(jié)直接將太陽光的福射能轉(zhuǎn)化成電能的ー種光電器件。TCO薄膜是太陽電池關(guān)鍵材料之一，可作為染 料敏化太陽電池(dye-sensitized solar cells, DSCS)等的透明電極,對它的要求是具有低電阻率；高陽光輻射透過率，即吸收率與反射率要盡可能低；化學(xué)和力學(xué)穩(wěn)定性好的特點(diǎn)。在薄膜太陽電池中，透明導(dǎo)電膜充當(dāng)電極，具有太陽能直接透射到作用區(qū)域幾乎不衰減、形成p-n結(jié)溫度較低、低接觸電阻、可同時作為防反射薄膜等優(yōu)點(diǎn)。在顯示器上的應(yīng)用顯示器件能將外界事物的光、聲、電等信息，經(jīng)過變換處理，以圖像、圖形、數(shù)碼、字符等適當(dāng)形式加以顯示。顯示技術(shù)的發(fā)展方向是平板化。在眾多平板顯示器中，薄膜電致發(fā)光顯示由于其主動發(fā)光、全固體化、耐沖擊、視角大、適用溫度寬、エ序簡單等優(yōu)點(diǎn)，引起廣泛關(guān)注，并發(fā)展迅速。FTO薄膜具有可見光透過率高、電阻率低、較好的耐蝕性和化學(xué)穩(wěn)定性，因此被廣泛用作平板顯示器的透明電極。在氣敏元件上的應(yīng)用氣體傳感器是把氣體的物理、化學(xué)性質(zhì)變換成易處理的光、電、磁等信號的轉(zhuǎn)換元件。半導(dǎo)體氣體傳感器是采用金屬氧化物或金屬半導(dǎo)體氧化物材料做成的元件，與氣體相互作用時產(chǎn)生表面吸附或反應(yīng)，引起以載流子運(yùn)動為特征的電導(dǎo)率或伏安特性或表面電位變化。ニ氧化錫薄膜氣敏器件具有靈敏度高、響應(yīng)速度和恢復(fù)速度快、功耗低等特點(diǎn)，更重要的是容易集成。隨著微電子技術(shù)的發(fā)展，傳感器不斷向智能化、微型化方向發(fā)展。在建筑幕墻玻璃及透明視窗上的應(yīng)用FT0薄膜能用于陽光節(jié)能玻璃，對可見光高透射，但對紅外光高反射，其反射率大于70%。讓陽光中可見光部分透過，而紅外部分和遠(yuǎn)紅外反射。陽光中的可見光部分對室內(nèi)采光是必需的，但可將紅外部分的熱能輻射反射回去，能有效調(diào)節(jié)太陽光的入射和反射。利用FTO薄膜在可見光區(qū)的高透射性和對紅外光的高反射性，可作為玻璃的防霧和防冰霜薄膜。FTO透明導(dǎo)電玻璃的制備方法目前主要有，物理方法真空蒸發(fā)鍍膜法、離子輔助沉積鍍膜法等；化學(xué)方法噴霧熱解法、溶膠-凝膠法和化學(xué)氣相沉積法等。目前適合批量生產(chǎn)且研發(fā)較多的有真空蒸發(fā)鍍膜法、化學(xué)氣相沉積法和噴霧熱解等方法?；瘜W(xué)氣相沉積法和真空鍍膜法制備的薄膜和玻璃基板的結(jié)合強(qiáng)度不夠，溶膠-凝膠法制備的導(dǎo)電薄膜電阻較高。濺射法由于具有良好的可控性和易于獲得大面積均勻的薄膜而在薄膜材料和器件產(chǎn)品的生產(chǎn)上應(yīng)用廣泛。利用濺射法制備FTO透明導(dǎo)電玻璃其生產(chǎn)エ藝簡單，操作方便，利于控制，成本較低，原料易得。派射鍍膜(sputtering deposition)是指用離子轟擊祀材表面，使靶材的原子被轟擊出來，濺射產(chǎn)生的原子沉積在基體表面形成薄膜。濺射鍍膜有ニ級、三級或四級濺射、磁控濺射、射頻濺射、偏壓濺射、反應(yīng)濺射、離子束濺射等裝置。磁控濺射法是在高真空充入 適量的氬氣，在陰極(柱狀靶或平面靶)和陽極(鍍膜室壁)之間施加幾百KV直流電壓，在鍍膜室內(nèi)產(chǎn)生磁控型異常輝光放電，使氬氣發(fā)生電離。氬離子被陰極加速并轟擊陰極靶表面，將靶材表面原子濺射出來沉積在基底表面上形成薄膜。通過更換不同材質(zhì)的靶和控制不同的濺射時間，便可以獲得不同材質(zhì)和不同厚度的薄膜。磁控濺射法具有鍍膜層與基材的結(jié)合力強(qiáng)、鍍膜層致密、均勻等優(yōu)點(diǎn)。濺射分為直流濺射和射頻濺射兩類。射頻濺射的基本原理是射頻輝光放電。國內(nèi)外射頻濺射普遍選用的射頻電源頻率為13.56MHz，以防止射頻信號與無線電信號的相互干擾。射頻濺射適合于任何一種類型的阻抗耦合，電極和靶材并不需要是導(dǎo)體，射頻濺射非常適合于制備半導(dǎo)體、絕緣體等高熔點(diǎn)材料的薄膜。在靶材表面施加射頻電壓，當(dāng)濺射處于上半周時，由于電子的質(zhì)量比離子的質(zhì)量小很多，故其遷移率很高，用很短時間就可以飛向靶面，中和其表面積累的正電荷，從而實(shí)現(xiàn)對絕緣材料的濺射，并且在靶表面又迅速積累起了大量的電子，使其表面因空間電荷而呈現(xiàn)負(fù)電位，導(dǎo)致在射頻濺射正半周期，也可吸引離子轟擊靶材。從而實(shí)現(xiàn)了在電壓正、負(fù)半周期，均可濺射。磁場的作用是將電子與高密度等離子體束縛在靶材表面，可以提高濺射速度。濺射過程中，入射離子在進(jìn)入樣品的過程中與樣品原子發(fā)生彈性碰撞，入射離子的一部分動能會傳給樣品原子，當(dāng)后者的動能超過由其周圍存在的其它樣品原子所形成的勢壘時，這種原子從晶格點(diǎn)陣被碰出，產(chǎn)生離位原子，并進(jìn)一歩和附近的樣品原子依次反復(fù)碰撞，產(chǎn)生所謂的碰撞級聯(lián)。當(dāng)這種碰撞級聯(lián)到達(dá)樣品表面時，如果靠近樣品表面的原子的動能遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過表面結(jié)合能，樣品原子就會從樣品表面放出并進(jìn)入真空。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，粉末靶相對于塊狀靶平均勢壘更小、相對于塊狀靶材的表面結(jié)合能更低，因此在相同的條件(功率、氣體成分、氣壓、濺射時間等)下，可以得到更高的濺射產(chǎn)額，從而提高了濺射效率。真空磁控濺射鍍膜機(jī)(通常稱為濺射儀)是制造真空環(huán)境實(shí)現(xiàn)濺射鍍膜的設(shè)備。主要包括真空室、樣品臺、濺射靶、電源、控制柜等部分。使用時先打開冷卻水，確認(rèn)冷卻水流動后打開控制柜總電源開關(guān)；檢查各閥門是否處于正確位置；調(diào)節(jié)好靶距；打開機(jī)械泵，真空室壓カ達(dá)到數(shù)Pa數(shù)量后啟動電磁閥，打開分子泵，將真空室壓力盡量抽至本底真空度；清洗管道雜氣，打開氬氣供氣源開關(guān)至一定壓力，打開氬氣進(jìn)氣開關(guān)，調(diào)節(jié)流量計(jì)和分子泵閘板閥開度，控制真空室壓カ至設(shè)定參數(shù)。打開射頻電源開關(guān)預(yù)熱約20min，開始輸入射頻功率直至起輝。適當(dāng)調(diào)節(jié)射頻電源的匹配電容，使反射功率最小。設(shè)定正式濺射功率，開始預(yù)濺射，一段時間后開始對樣品進(jìn)行了正式濺射。在操作濺射設(shè)備之前，應(yīng)按預(yù)定計(jì)劃安裝好樣品與靶材。靶材可以是金屬靶，也可以是非金屬靶。靶材一般采用致密固體加工成適當(dāng)形狀，粉末態(tài)的原料一般還需要加入粘結(jié)劑壓制成所需形狀后進(jìn)行高溫?zé)Y(jié)(具體燒結(jié)溫度與靶材種類有關(guān)，通常在60(T900°C )，使之形成致密的陶瓷靶(如金屬氧化物類靶材)。也有人直接采用粉末做靶材，但需要ー個容器盛裝靶粉末(此容器為靶托)。相對于陶瓷靶，粉末靶具有更高的濺射活性，但可控性較差。為了提高濺射的可控性，需要更為精細(xì)地控制過程中的各種エ藝參數(shù)，其所考慮的濺射過程エ藝影響因素因此更為復(fù)雜，要求的控制水平更高。在常溫狀態(tài)下濺射制備的多數(shù)氧化物體系薄膜結(jié)晶化程度很低，為體現(xiàn)其特定的功能，還需要采用另外的處理措施提高薄膜的晶化程度，這一般采用退火(通常采用300 800°C的退火溫度)來實(shí)現(xiàn)。退火即是在一設(shè)定的溫度下對樣品進(jìn)行較長時間保溫，以給薄膜物質(zhì)的結(jié)晶提供充分的條件。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供ー種成本更低、エ藝更簡單的利用射頻磁控濺射技術(shù)制備摻氟氧化錫薄膜的方法。本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是摻氟氧化錫薄膜的制備方法，包括如下步驟a、將ニ氧化錫粉末和氟化物混合均勻，然后干燥；b、用步驟a干燥后的混合物制得粉末靶，然后安裝于濺射儀的射頻靶上；將基底 材料進(jìn)行清洗、干燥后安裝于濺射儀真空室的樣品位置上；C、開始濺射過程，制得摻氟氧化錫薄膜。其中，上述方法步驟a中干燥的溫度為50 300°C。進(jìn)ー步的，步驟a中干燥的溫度為100 200°C。其中，上述方法濺射過程中，真空室氣氛為O. 5 IOPa的氬氣，氬氣供氣壓カ為O. I 5MPa。進(jìn)ー步的，預(yù)濺射時間為O. 5^4h,正式濺射時間為20 50min，濺射功率為100 200W，靶距為15 40mm。其中，上述方法所述粉末靶中氟的含量為O. I 2%。其中，上述方法步驟a中所述氟化物為氟化銨、氟氫化銨或氟化氫溶液中的至少ー種。其中，上述方法步驟b中所述基底材料為玻璃、石英、硅晶片或高分子柔性基底。高分子柔性基底包括聚對苯ニ甲酸こニ醇酯PET和聚萘ニ甲酸こニ醇酯PEN。其中，上述方法步驟c制得摻氟氧化錫薄膜后將薄膜靜置在空氣中至少30分鐘。其中，上述方法濺射過程中電源采用射頻電源。本發(fā)明的有益效果是本發(fā)明可以不采用錫的氯化物作為原料，直接采用ニ氧化錫粉末和氟化物(氟化銨、氟氫化銨或氟化氫溶液)直接混合，直接制得粉末靶材用于濺射，相比于現(xiàn)有技術(shù)減少了 600 900°C高溫?zé)Y(jié)陶瓷化的步驟，降低能耗的同時，靶粒子還能獲得更大的運(yùn)動能，形成密度較高的薄膜材料，提高濺射產(chǎn)額和濺射效率。本發(fā)明濺射過程中真空室氣氛為O. 5 IOPa的氬氣即可，不需要引入氧氣。本發(fā)明制得摻氟氧化錫薄膜后將薄膜靜置在空氣中至少30分鐘即可，減少了現(xiàn)有技術(shù)中300 800°C退火的步驟。因此，本發(fā)明制備方法簡單，生產(chǎn)成本低，制得的FTO薄膜也實(shí)現(xiàn)了較好的透光與導(dǎo)電性能，綜合指標(biāo)FTC值較高。
具體實(shí)施例方式下面通過具體實(shí)施方式
對本發(fā)明作進(jìn)ー步說明。本發(fā)明摻氟氧化錫薄膜的制備方法，包括如下步驟
a、將ニ氧化錫粉末和氟化物混合均勻，然后干燥；b、用步驟a干燥后的混合物制得粉末靶，然后安裝于濺射儀的射頻靶上；將基底材料進(jìn)行清洗、干燥后安裝于濺射儀真空室的樣品位置上；C、開始濺射過程，制得摻氟氧化錫薄膜。所述粉末靶是將步驟a干燥后的粉末混合物填滿于靶托盤的圓柱形孔槽里，粉末頂面稍高于靶托盤邊緣，用一平板將粉末頂面壓平，清理邊緣多余的粉末，即得粉末靶。優(yōu)選的，上述方法步驟a中干燥的溫度為50 300°C。本發(fā)明ニ氧化錫粉末和氟化物也可以進(jìn)行60(T90(TC高溫?zé)Y(jié)陶瓷化，即60(T90(TC范圍內(nèi)的恒溫焙燒O. 5 3h，焙燒的升溫速率O. 5 10°C /min，或者恒溫狀態(tài)下直接放入，焙燒后的冷卻方式包括隨爐冷卻、空氣中冷卻、流水驟冷，但該處理會增加成本。本發(fā)明之所以可以直接采用粉末靶，減少高溫?zé)Y(jié)陶瓷化的過程，主要通過合理的對氬氣供氣壓力、真空室氣氛、濺射時間、功率、靶距的控制，降低能耗的同時，祀粒子還能獲得更大的運(yùn)動能，形成密度較高的薄膜材料，提高 濺射產(chǎn)額和濺射效率。進(jìn)ー步的優(yōu)選的，步驟a中干燥的溫度為100 200°C。優(yōu)選的，上述方法濺射過程中，真空室氣氛為O. 5 IOPa的氬氣，氬氣供氣壓カ為O. I 5MPa。進(jìn)ー步的，預(yù)濺射時間為O. 5^4h,正式濺射時間為20 50min，濺射功率為100 200W，靶距為15 40mm。優(yōu)選的，上述方法所述粉末祀中氟的含量為O. I 2%。氟含量過低時,膜的導(dǎo)電性很差；氟含量過多，形成無效摻雜，増加自由電子的散射中心，增強(qiáng)自由電子的散射程度，膜導(dǎo)電能力反而變差。優(yōu)選的，上述方法步驟a中所述氟化物為氟化銨、氟氫化銨或氟化氫溶液中的至少ー種。本發(fā)明氟化物的選擇范圍較寬，也可以采用現(xiàn)有技術(shù)中的四氟化錫或ニ氟化錫。優(yōu)選的，上述方法步驟b中所述基底材料為玻璃、石英、硅晶片或高分子柔性基底。所述高分子柔性基底為聚對苯ニ甲酸こニ醇酯PET、聚萘ニ甲酸こニ醇酯PEN等。優(yōu)選的，上述方法步驟c制得摻氟氧化錫薄膜后將薄膜靜置在空氣中至少30分鐘。由于薄膜在真空條件下，當(dāng)其置于大氣中時，由于所處環(huán)境改變，大氣成分會與膜表面發(fā)生作用(如吸附等)，從而在從真空室暴露于大氣的短期內(nèi)薄膜的性能是不穩(wěn)定的。為了使薄膜的性能穩(wěn)定，需要在空氣中靜置一段時間。本發(fā)明通過合理的對氬氣供氣壓力、真空室氣氛、濺射時間、功率、靶距的控制，制得的薄膜結(jié)晶化程度較高，只需要將薄膜靜置在空氣中至少30分鐘即可，減少了現(xiàn)有技術(shù)中高溫退火的步驟。優(yōu)選的，上述方法濺射過程中電源采用射頻電源。下面通過實(shí)施例對本發(fā)明的具體實(shí)施方式
作進(jìn)ー步的說明，但并不因此將本發(fā)明的保護(hù)范圍限制至實(shí)施例之中。實(shí)施例一將ニ氧化錫粉末和氟化銨晶體按含F(xiàn)l. 8%混合均勻后，于150°C的溫度環(huán)境中干燥2h，然后填裝于靶托里壓平，安裝于磁控濺射儀的射頻靶上，設(shè)置靶距為30mm，啟動濺射儀抽真空，調(diào)節(jié)氬氣供氣壓カO. 5Mpa，真空室內(nèi)壓カ2. 5Pa氬氣，濺射功率130W，預(yù)濺射O. 5h，正式濺射25min。停機(jī)卸壓，取出樣品于空氣中靜置30min。測量得膜的透光率38. 4%，表面方阻 110 Ω/ ロ，F(xiàn)TC 值 3. 4909。實(shí)施例ニ將ニ氧化錫粉末和氟化銨晶體按含F(xiàn)l. 8%混合均勻后，于200°C的溫度環(huán)境中干燥2h，然后填裝于靶托里壓平，安裝于磁控濺射儀的射頻靶上，設(shè)置靶距為33mm，啟動濺射儀抽真空，調(diào)節(jié)氬氣供氣壓カ2. 5Mpa，真空室內(nèi)壓カ4. OPa氬氣，濺射功率130W，預(yù)濺射O. 5h，正式濺射時間20min。停機(jī)卸壓，取出樣品于空氣中靜置30min。測量得膜的透光率53. 7%，表面方阻 280 Ω/ ロ，F(xiàn)TC 值 I. 9179。實(shí)施例三將ニ氧化錫粉末和氟化銨晶體按含F(xiàn)0. 8%混合均勻后，于750°C焙燒2h，填裝于靶托里壓平，安裝于磁控濺射儀的射頻靶上，設(shè)置靶距為35mm，啟動濺射儀抽真空，調(diào)節(jié)氬 氣供氣壓カ4. 3Mpa，真空室內(nèi)壓カ3. OPa氬氣，濺射功率130W，預(yù)濺射3. 5h，正式濺射時間45min。停機(jī)卸壓，取出樣品于空氣中靜置30min。測量得膜的透光率18. 8%，表面方阻71 Ω/ ロ，F(xiàn)TC 值 2. 6479。實(shí)施例四高導(dǎo)電能力高FTC值FTO薄膜的制備方法。將ニ氧化錫粉末和氟化銨晶體按含F(xiàn)0. 8%混合均勻后，于100°C的溫度環(huán)境中干燥2h，然后填裝于靶托里壓平，安裝于磁控濺射儀的射頻靶上，設(shè)置靶距為33mm，啟動濺射儀抽真空，調(diào)節(jié)氬氣供氣壓カO. 3Mpa，真空室內(nèi)壓カ2. OPa氬氣，濺射功率150W，預(yù)濺射I. Oh,正式濺射時間25min。停機(jī)卸壓，取出樣品于空氣中靜置30min。測量得膜的透光率21. 3%，表面方阻46 Ω/ ロ，F(xiàn)TC值4. 6303。實(shí)施例五將ニ氧化錫粉末和氟化銨晶體按含F(xiàn)l. 2%混合均勻后，快速升溫(>10°C /min)至750°C焙燒2h，填裝于靶托里壓平，安裝于磁控濺射儀的射頻靶上，設(shè)置靶距為15mm，啟動濺射儀抽真空，調(diào)節(jié)氬氣供氣壓カO. 15Mpa，真空室內(nèi)壓カ2. OPa氬氣，濺射功率200W，預(yù)濺射I. 0h，正式濺射時間40min。停機(jī)卸壓，取出樣品于空氣中靜置30min。測量得膜的透光率 57. 6%,表面方阻 243 Ω / ロ，F(xiàn)TC 值 2. 3704。實(shí)施例六將ニ氧化錫粉末和四氟化錫晶體按含F(xiàn)0. 1%混合均勻后，于50°C恒溫干燥2h，填裝于靶托里壓平，安裝于磁控濺射儀的射頻靶上，設(shè)置靶距為35mm，啟動濺射儀抽真空，調(diào)節(jié)氬氣供氣壓カ5. OMpa,真空室內(nèi)壓カ8. OPa氬氣，濺射功率230W，預(yù)濺射I. 5h，正式濺射時間50min。停機(jī)卸壓，取出樣品于空氣中靜置30min。測量得膜的透光率67. 2%，表面方阻671 Ω/ ロ，F(xiàn)TC 值 1.0015。通過實(shí)施例可知，本發(fā)明通過合理的控制原料的配比、氬氣供氣壓力、真空室氣氛、預(yù)濺射時間、正式濺射時間、濺射功率、濺射的靶距等，可以不采用通常使用的原料四氯化錫和ニ氯化錫，并且將原料直接制得粉末靶材用于濺射，節(jié)約能耗同時提高濺射產(chǎn)額和濺射效率本發(fā)明濺射過程中真空室氣氛為O. 5 IOPa的氬氣即可，不需要引入氧氣。本發(fā)明制得摻氟氧化錫薄膜后將薄膜靜置在空氣中至少30分鐘即可，減少高溫退火的過程，進(jìn)一步節(jié)約能耗。本發(fā)明制備方法簡單，生產(chǎn)成本低，制得的FTO薄膜也實(shí)現(xiàn)了較好的透光與導(dǎo)電性能，綜合指標(biāo)FTC值較高。
權(quán)利要求
1.摻氟氧化錫薄膜的制備方法，其特征在于包括如下步驟 a、將二氧化錫粉末和氟化物混合均勻，然后干燥； b、用步驟a干燥后的混合物制得粉末靶，然后安裝于濺射儀的射頻靶上；將基底材料進(jìn)行清洗、干燥后安裝于濺射儀真空室的樣品位置上； C、開始濺射過程，制得摻氟氧化錫薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的摻氟氧化錫薄膜的制備方法，其特征在于步驟a中干燥的溫度為50 300°C。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的摻氟氧化錫薄膜的制備方法，其特征在于步驟a中干燥的溫度為100 200°C。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的摻氟氧化錫薄膜的制備方法，其特征在于濺射過程中，真空室氣氛為O. 5 IOPa的氬氣，氬氣供氣壓力為O. I 5MPa。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的摻氟氧化錫薄膜的制備方法，其特征在于預(yù)濺射時間為O.5 4h，正式濺射時間為20 50min，濺射功率為100 200W，靶距為15 40mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求I至5中任一項(xiàng)所述的摻氟氧化錫薄膜的制備方法，其特征在于所述粉末靶中氟的含量為O. I 2%。
7.根據(jù)權(quán)利要求I至5中任一項(xiàng)所述的摻氟氧化錫薄膜的制備方法，其特征在于步驟a中所述氟化物為氟化銨、氟氫化銨或氟化氫溶液中的至少一種。
8.根據(jù)權(quán)利要求I至5中任一項(xiàng)所述的摻氟氧化錫薄膜的制備方法，其特征在于步驟b中所述基底材料為玻璃、石英、硅晶片或高分子柔性基底。
9.根據(jù)權(quán)利要求I至5中任一項(xiàng)所述的摻氟氧化錫薄膜的制備方法，其特征在于步驟c制得摻氟氧化錫薄膜后將薄膜靜置在空氣中至少30分鐘。
10.根據(jù)權(quán)利要求I至5中任一項(xiàng)所述的摻氟氧化錫薄膜的制備方法，其特征在于濺射過程中電源采用射頻電源。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種成本更低、工藝更簡單的利用射頻磁控濺射技術(shù)制備摻氟氧化錫薄膜的方法，該方法包括如下步驟a、將二氧化錫粉末和氟化物混合均勻，然后干燥；b、用步驟a干燥后的混合物制得粉末靶，然后安裝于濺射儀的射頻靶上；將基底材料進(jìn)行清洗、干燥后安裝于濺射儀真空室的樣品位置上；c、開始濺射過程，制得摻氟氧化錫薄膜。本發(fā)明制備方法簡單，生產(chǎn)成本低，制得的FTO薄膜也實(shí)現(xiàn)了較好的透光與導(dǎo)電性能，綜合指標(biāo)FTC值較高，具有良好的應(yīng)用前景。
文檔編號C23C14/35GK102839348SQ20121037437
公開日2012年12月26日 申請日期2012年9月27日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月27日
發(fā)明者藍(lán)德均, 崔旭梅, 黃雙華, 鄒敏, 陳孝娥 申請人:攀枝花學(xué)院