專利名稱：可單片使用的單銀結(jié)構(gòu)低輻射鍍膜玻璃及工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種新型的可單片使用的單銀結(jié)構(gòu)低輻射鍍膜玻璃及生產(chǎn)工藝。
背景技術(shù)：
市場(chǎng)上目前使用的低輻射鍍膜玻璃，因其膜層中的功能層銀層非常容易被大氣中的氧氣和水所氧化，失去低輻射的功能，這種玻璃都必須生產(chǎn)成中空玻璃，將鍍膜層放置在中空玻璃腔體內(nèi)使用,才有低輻射功能。這樣不僅增加了生產(chǎn)工序,也增加了玻璃幕墻的重量。

發(fā)明內(nèi)容
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為解決前述低輻射玻璃存的問題，本發(fā)明提供一種可單片
使用的單銀結(jié)構(gòu)低輻射鍍膜玻璃及工藝。該玻璃的膜層結(jié)構(gòu)，自玻璃基板向外依次
為
電介質(zhì)層(I)、復(fù)合吸收層(I)、銀層(I)、保護(hù)層(I)、電介質(zhì)層(I)、保護(hù)層(2);
其中電介質(zhì)層(I)為SiNx,膜層厚度為35nm 70nm;
復(fù)合吸收層(I)為金屬鍍層、金屬化合物層、金屬層的三層復(fù)合結(jié)構(gòu)；或金屬鍍層、金屬化合物層二層結(jié)構(gòu)；或金屬化合物層、金屬層二層結(jié)構(gòu)；其中金屬材料為Ti或Ni，或Cr，或Cu,或Zn，或Nb，或Zr,或Sn，或V ;金屬化合物為，ZnOx，或ΑΖ0,或SiNx,或SiO2,或SnO2,或TiOx,或ZrO2,或TiNx,或NbOx,或NbNx ;該復(fù)合吸收層總厚度為5nnT30nm;
該復(fù)合吸收層總厚度為5nnT30nm;
銀層(I)為Ag,膜層厚度為5nnTl5nm;
保護(hù)層(I)為NiCr或Ti，膜層厚度為2nnTl5nm;
保護(hù)層(2)為金屬化合物，ZrO2或NbO2或SiO2或BN或CNx或TiNx或NbNx較致密的材料，膜層厚度為10nnT25nm。本發(fā)明采用真空磁控濺射鍍膜工藝，其中一個(gè)優(yōu)選組合的各膜層的鍍制工藝是
電介質(zhì)層(I )，通過交流陰極的硅鋁靶在氬氮氛圍中濺射；
復(fù)合吸收層(1)，通過直流平靶在氬氣氛圍中濺射鎳鉻合金，其中Ni:Cr=80:20，并在鎳鉻合金層上鍍制由交流陰極的陶瓷氧化鋅靶濺射的ZnOx層，其氬氧比例保持在20 :1. 5，再在氧化鋅層上通過直流平靶在氬氣氛圍中濺射鎳鉻合金，其中Ni:Cr=80:20 ;其總厚度為 5nm 30nm ；
銀層(1)，通過直流平靶在氬氣氛圍中濺射；
保護(hù)層(I)，通過直流平靶在氬氣氛圍中濺射鎳鉻合金，
其中 Ni : Cr=80:20 ；
電介質(zhì)層(I )，通過交流陰極的硅鋁合金靶在氮?dú)宸諊袨R射；
保護(hù)層(2 )，通過直流平靶在氧氣氛圍中濺射氧化鋯。
本發(fā)明優(yōu)點(diǎn)是，在保證鍍膜玻璃低輻射性能的同時(shí)，其膜層保護(hù)性能優(yōu)異，耐磨損性能較好，可以像熱反射鍍膜玻璃一樣進(jìn)行單片使用。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明用平板玻璃雙端連續(xù)式鍍膜機(jī)進(jìn)行生產(chǎn)，其中一種最優(yōu)選的工藝方案，使用3個(gè)交流圓靶，4個(gè)直流單靶，共7個(gè)靶位進(jìn)行生產(chǎn)，制出本發(fā)明的可單片使用的單銀結(jié)構(gòu)低輻射鍍膜玻璃。其工藝參數(shù)和靶位列表如下
權(quán)利要求
1.一種可單片使用的單銀結(jié)構(gòu)低輻射鍍膜玻璃，其特征在于該鍍膜玻璃的膜層結(jié)構(gòu)，自玻璃基板向外依次為 電介質(zhì)層(I)、復(fù)合吸收層(I)、銀層(I)、保護(hù)層(I)、電介質(zhì)層(I)、保護(hù)層(2); 其中電介質(zhì)層(I)為SiNx,膜層厚度為35nm 70nm; 復(fù)合吸收層(I)為金屬鍍層、金屬化合物層、金屬層的三層復(fù)合結(jié)構(gòu)；或金屬鍍層、金屬化合物鍍層二層結(jié)構(gòu)；或金屬化合物鍍層、金屬鍍層二層結(jié)構(gòu)；其中金屬材料為Ti，或Ni，或Cr，或Cu，或Zn，或Nb，或Zr，或Sn，或V ;金屬化合物為，ZnOx，或AZO，或SiNx，或SiO2,或SnO2,或TiOx,或ZrO2,或TiNx,或NbOx,或NbNx ;該復(fù)合吸收層總厚度為5nnT30nm; 銀層(I)為Ag,膜層厚度為5nnTl5nm; 保護(hù)層(I)為NiCr或Ti，膜層厚度為2nnTl5nm; 保護(hù)層(2)為金屬化合物，ZrO2或NbO2或SiO2或BN或CNx或TiNx或NbNx較致密的材料，膜層厚度為10nnT25nm。
2.按權(quán)利要求I所述可單片使用的單銀結(jié)構(gòu)低輻射鍍膜玻璃的鍍制工藝，其中一種優(yōu)選的各膜層的鍍制工藝是 電介質(zhì)層(I )，通過交流陰極的硅鋁靶在氬氮氛圍中濺射； 復(fù)合吸收層(I )，通過直流平靶在氬氣氛圍中濺射鎳鉻合金，其中Ni : Cr=80:20，并在鎳鉻合金層上鍍制由交流陰極的陶瓷氧化鋅靶濺射的ZnOx層，其氬氧比例保持在20 1.5,再在氧化鋅層上通過直流平靶在氬氣氛圍中濺射鎳鉻合金，其中Ni:Cr=80:20 ;其總厚度為 5nm 30nm ； 銀層(1)，通過直流平靶在氬氣氛圍中濺射； 保護(hù)層(I )，通過直流平靶在氬氣氛圍中濺射鎳鉻合金，其中 Ni : Cr=80:20 ； 電介質(zhì)層(I )，通過交流陰極的硅鋁合金靶在氮?dú)宸諊袨R射； 保護(hù)層(2 )，通過直流平靶在氧氣氛圍中濺射氧化鋯。
全文摘要
本發(fā)明提供一種可單片使用的單銀結(jié)構(gòu)低輻射鍍膜玻璃及鍍制工藝，該玻自玻璃基板向外的結(jié)構(gòu)層依次為玻璃/電介質(zhì)層(1)+復(fù)合吸收層(1)+銀層(1)+保護(hù)層(1)+電介質(zhì)層(1)+保護(hù)層(2)；采用真空磁控濺射鍍膜工藝，優(yōu)點(diǎn)是，將熱反射鍍膜玻璃可單片使用的特性和低輻射鍍膜玻璃優(yōu)良的光學(xué)性能相結(jié)合，使得離線低輻射玻璃能夠單片使用。
文檔編號(hào)C23C14/08GK102886928SQ20121042928
公開日2013年1月23日 申請(qǐng)日期2012年11月1日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月1日
發(fā)明者陳波, 吳斌, 孫大海, 葛劍君, 董華明 申請(qǐng)人:上海耀皮玻璃集團(tuán)股份有限公司, 上海耀皮工程玻璃有限公司