金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)及其傳輸承載腔與傳輸方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，其包括：反應(yīng)腔、傳輸承載腔。所述反應(yīng)腔頂部具有噴淋組件，所述反應(yīng)腔底部具有與所述噴淋組件相對(duì)設(shè)置的基座。所述傳輸承載腔內(nèi)設(shè)置有機(jī)械手，所述傳輸承載腔內(nèi)還設(shè)置有部件承載單元，所述部件承載單元至少能夠承載兩片板部件，所述板部件可被所述機(jī)械手在所述傳輸承載腔與反應(yīng)腔之間傳輸。本發(fā)明的金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的傳輸承載腔有效地減少了所述金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的占地面積并且提高了生產(chǎn)效率。本發(fā)明同時(shí)還提供了所述金屬化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的傳輸承載腔及其傳輸方法。
【專利說(shuō)明】金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)及其傳輸承載腔與傳輸方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及化學(xué)氣相沉積【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)及其傳輸承載腔與傳輸方法。
【背景技術(shù)】
[0002]金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MetalOrganic Chemical Vapor Deposition,MOCVD)是在氣相外延生長(zhǎng)(VPE)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的一種新型氣相外延生長(zhǎng)技術(shù)。它是以III族、II族元素的有機(jī)化合物和V、VI族元素的氫化物等作為晶體生長(zhǎng)源材料，以熱分解反應(yīng)方式在襯底上進(jìn)行氣相外延，生長(zhǎng)各種II1-V族、I1-VI族化合物半導(dǎo)體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。通常MOCVD系統(tǒng)中的晶體生長(zhǎng)都是在常壓或低壓(IO-1OOT0rr)下通H2的冷壁石英(不銹鋼)反應(yīng)室中進(jìn)行，襯底溫度為500-1200°C，用射頻感應(yīng)加熱石墨基座(襯底基片在石墨基座上方)，H2通過(guò)溫度可控的液體源鼓泡攜帶金屬有機(jī)物到生長(zhǎng)區(qū)。
[0003]以下對(duì)現(xiàn)有的MOCVD裝置進(jìn)行說(shuō)明。請(qǐng)參見圖1，現(xiàn)有技術(shù)中的MOCVD裝置100包括:傳輸腔102以及設(shè)置在所述傳輸腔周圍的加載/卸載腔103和反應(yīng)腔104。所述MOCVD裝置中所述承載腔與所述反應(yīng)腔相互分離或者直接連接。所述傳輸腔102內(nèi)設(shè)置有機(jī)械手，通過(guò)所述機(jī)械手101將晶片(圖未示)從承載腔運(yùn)送到所述反應(yīng)腔104，待晶片在所述反應(yīng)腔中加工完成后，再由所述機(jī)械手從所述反應(yīng)腔中取出加工后的晶片。所述傳輸腔102與加載/卸載腔103之間設(shè)置有閥門。所述加載/卸載腔103為聯(lián)系傳輸腔和外界設(shè)備的中介設(shè)備。工作時(shí)，當(dāng)所述晶片傳輸?shù)剿黾虞d/卸載腔中后，封閉所述加載/卸載腔，并將其抽成真空，再打開所述加載/卸載腔與所述傳輸腔之間的閥門，將所述晶片傳輸?shù)剿鰝鬏斍?，然后，再由所述機(jī)械手，將所述晶片傳輸?shù)剿龇磻?yīng)腔中?，F(xiàn)有技術(shù)中的加載/卸載腔103和反應(yīng)腔104設(shè)置在所述傳輸腔的周圍，因此，無(wú)法避免的是所述傳輸腔的占地面積十分大，而且體積也很大，在維護(hù)過(guò)程中，排氣的時(shí)間也特別長(zhǎng)，影響生產(chǎn)效率。
`[0004]為此，美國(guó)專利US 2002/0031420A1提供了一種化學(xué)氣相沉積裝置，以解決上述提到的傳輸腔占地面積大、生產(chǎn)效率低的問(wèn)題。具體地，所述美國(guó)專利將傳輸腔和承載腔合二為一，即一個(gè)傳輸承載腔。所以，將傳輸承載腔抽成真空后，直接可以將待處理基片運(yùn)送到反應(yīng)腔。相較于原來(lái)的技術(shù)，減少了占地面積，減少了成本。
[0005]然而，上述現(xiàn)有技術(shù)中的承載腔和反應(yīng)腔只負(fù)責(zé)加工單片基片。這樣需要制造出多個(gè)承載腔和對(duì)應(yīng)的反應(yīng)腔才能提高生產(chǎn)量，這樣的裝置不但成本高，而且會(huì)增加占地面積。
[0006]因此需要制造出一種同時(shí)承載和加工多個(gè)基片的系統(tǒng)，以此提高效率，提升產(chǎn)量，同時(shí)減少占地面積。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的目的是提供一種金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)及其傳輸承載腔與傳輸方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的占地面積大和生產(chǎn)效率低的問(wèn)題。[0008]根據(jù)本發(fā)明的一方面，本發(fā)明提供了一種金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，包括:反應(yīng)腔、傳輸承載腔，所述反應(yīng)腔頂部具有噴淋組件，所述反應(yīng)腔底部具有與所述噴淋組件相對(duì)設(shè)置的基座，用以放置處理承載基片的板部件，所述傳輸承載腔內(nèi)設(shè)置有機(jī)械手，其特征在于，所述傳輸承載腔內(nèi)還設(shè)置有部件承載單元，所述部件承載單元至少能夠承載兩片板部件，所述板部件可被所述機(jī)械手在所述傳輸承載腔與所述反應(yīng)腔之間傳輸。
[0009]優(yōu)選地，所述基座上至少可以同時(shí)承載兩片所述的板部件。
[0010]優(yōu)選地，所述板部件至少用于可承載兩片基片，所述基片包括待處理基片、處理基片或處理完畢的基片中的一種或多種。
[0011]優(yōu)選地，所述部件承載單元包括部件承載部和用于驅(qū)動(dòng)所述部件承載部升降運(yùn)動(dòng)的升降驅(qū)動(dòng)部。
[0012]優(yōu)選地，所述升降驅(qū)動(dòng)部具有位置感測(cè)單元，當(dāng)所述機(jī)械手伸入到所述部件承載部?jī)?nèi)，所述位置感測(cè)單元能向所述升降驅(qū)動(dòng)部發(fā)送升降驅(qū)動(dòng)信號(hào)，以升降所述承載部，使得所述機(jī)械手在不碰撞所述部件承載部的情形下而被傳輸?shù)剿龇磻?yīng)腔內(nèi)。
[0013]優(yōu)選地，所述部件承載部包括部件承載板與溫度控制單元，所述部件承載板用以承載所述板部件或基片所述待處理或者處理完畢的基片。
[0014]優(yōu)選地，所述溫度控制單元包括水冷單元，所述水冷單元具有設(shè)置在所述部件承載板內(nèi)的水流通道。
[0015]優(yōu)選地，所述溫度控制單元有包括氣冷單元，所述氣冷單元具有設(shè)置在所述部件承載板內(nèi)的氣流通道。
[0016]優(yōu)選地，所述溫度控制單元為冷卻板，所述冷卻板設(shè)置在所述部件承載板的上方。
[0017]優(yōu)選地，所述溫度控制單元為冷卻管，所述冷卻管設(shè)置在所述部件承載板的四周。
[0018]優(yōu)選地，所述部件承載板的數(shù)量為至少兩個(gè)，且所述部件承載板沿豎直方向上間
隔層疊設(shè)置。
[0019]優(yōu)選地，所述傳輸承載腔包括第一區(qū)與第二區(qū)，所述第一區(qū)設(shè)置有可以伸縮運(yùn)動(dòng)的所述機(jī)械手，所述第二區(qū)設(shè)置有所述承載單元，所述第一區(qū)的體積小于所述第二區(qū)的體積。
[0020]優(yōu)選地，所述機(jī)械手具有承載子部，所述部件承載板具有承載子部收容腔，用以當(dāng)所述機(jī)械手伸入到所述部件承載部?jī)?nèi)時(shí)收容所述基片承載子部，使得在所述機(jī)械手的運(yùn)動(dòng)與所述部件承載部的運(yùn)動(dòng)配合過(guò)程中，所述機(jī)械手不會(huì)碰撞所述部件承載板。
[0021]優(yōu)選地，所述基座具有加熱單兀，所述加熱單兀用于將基座加熱到最聞1500攝氏度。
[0022]優(yōu)選地,所述基座具有旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)控制單元與旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)單元,所述旋轉(zhuǎn)控制單元可以控制所述基座的旋轉(zhuǎn)角度，以便于所述機(jī)械手能夠在較短的運(yùn)動(dòng)路程下在所述傳輸承載腔與所述反應(yīng)腔之間傳輸所述板部件放置所述板部件基片。
[0023]優(yōu)選地，所述傳輸承載腔具有排氣裝置與進(jìn)氣裝置。
[0024]優(yōu)選地 ，還包括基座頂升裝置，所述頂升裝置用于控制所述板部件在所述反應(yīng)腔內(nèi)的升降。
[0025]優(yōu)選地，所述頂升裝置包括頂針與升降控制裝置，在板部件被傳輸?shù)剿龇磻?yīng)腔內(nèi)時(shí)，所述頂針可被所述升降控制裝置升起至一處于傳輸位置用以承接所述板部件，并被所述升降控制裝置降低到一處理位置，以使得所述頂針帶到所述板部件下降到處理位置。當(dāng)所述基片被處理時(shí)，所述頂針帶動(dòng)所述板部件下降，處于處理位置。
[0026]優(yōu)選地，所述板部件為扇形或圓形。
[0027]優(yōu)選地，所述板部件為扇形，所述板部件可以拼接為圓形或圓環(huán)形。
[0028]優(yōu)選地，所述板部件之間為無(wú)縫拼接，以避免所述基座受到污染。
[0029]優(yōu)選地，所述板部件之間為有縫拼接，以便所述板部件之間拼接方便。
[0030]根據(jù)本發(fā)明的又一方面，本發(fā)明提供了一種金屬化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的傳輸承載腔，包括:機(jī)械手、部件承載單元，所述部件承載單元至少能夠承載兩片板部件，所述金屬化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)包括:反應(yīng)腔及與所述反應(yīng)腔相連的所述傳輸承載腔，所述板部件可被所述機(jī)械手在所述傳輸承載腔與所述反應(yīng)腔之間傳輸。
[0031]優(yōu)選地，所述反應(yīng)腔頂部設(shè)置有噴淋組件，所述反應(yīng)腔底部設(shè)置有基座，所述基座至少可承載兩片所述板部件。
[0032]優(yōu)選地，所述板部件至少可承載兩片基片，所述基片包括待處理基片、處理基片或處理完畢的基片中的一種或多種。
[0033]優(yōu)選地，所述部件承載單元包括部件承載部和用于驅(qū)動(dòng)所述部件承載部升降運(yùn)動(dòng)的升降驅(qū)動(dòng)部。
[0034]優(yōu)選地，所述升降驅(qū)動(dòng)部具有位置感測(cè)單元，當(dāng)所述機(jī)械手伸入到所述部件承載部?jī)?nèi)，所述位置感測(cè)單元能向所述升降驅(qū)動(dòng)部發(fā)送升降驅(qū)動(dòng)信號(hào)，以升降所述承載部，使得所述機(jī)械手在不碰撞所述部件承載部的情形下而被傳輸?shù)剿龇磻?yīng)腔內(nèi)。
[0035]優(yōu)選地，所述部件`承載部包括部件承載板與溫度控制單元，所述部件承載板用以承載所述板部件或基片。
[0036]優(yōu)選地，所述溫度控制單元包括水冷單元，所述水冷單元具有設(shè)置在所述部件承載板內(nèi)的水流通道。
[0037]優(yōu)選地，所述部件承載板的數(shù)量為至少兩個(gè)，且所述部件承載板沿豎直方向上間
隔層疊設(shè)置。
[0038]優(yōu)選地，所述傳輸承載腔包括第一區(qū)與第二區(qū)，所述第一區(qū)設(shè)置有可以伸縮運(yùn)動(dòng)的所述機(jī)械手，所述第二區(qū)設(shè)置有所述承載單元，所述第一區(qū)的體積小于所述第二區(qū)的體積。
[0039]優(yōu)選地，所述機(jī)械手具有承載子部，所述部件承載板具有承載子部收容腔，用以當(dāng)所述機(jī)械手伸入到所述部件承載部?jī)?nèi)時(shí)收容所述基片承載子部，使得在所述機(jī)械手的運(yùn)動(dòng)與所述部件承載部的運(yùn)動(dòng)配合過(guò)程中，所述機(jī)械手不會(huì)碰撞所述部件承載板。
[0040]優(yōu)選地，還包括基座頂升裝置，所述頂升裝置用于控制所述板部件在所述反應(yīng)腔內(nèi)的升降。
[0041]優(yōu)選地，所述頂升裝置包括頂針與升降控制裝置，所述頂針可被所述升降控制裝置升起至一傳輸位置用以承接所述板部件，并被所述升降控制裝置降低到一處理位置，以使得所述頂針帶到所述板部件下降到處理位置。
[0042]優(yōu)選地，所述板部件為扇形或圓形。
[0043]優(yōu)選地，所述板部件為扇形，所述板部件可以拼接為圓形或圓環(huán)形。
[0044]根據(jù)本發(fā)明的又一方面，本發(fā)明提供了一種所述的金屬化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的傳輸方法，包括:
[0045]將承載有待處理基片的板部件放入所述部件承載單元內(nèi)；
[0046]所述升降驅(qū)動(dòng)部驅(qū)動(dòng)所述承載部升降到第一高度位置，使得所述機(jī)械手伸入至所述部件承載單元內(nèi)時(shí)能置于所述板部件基片下方；
[0047]所述機(jī)械手伸入至所述部件承載單元內(nèi)；
[0048]所述升降驅(qū)動(dòng)部驅(qū)動(dòng)所述承載部下降到第二高度位置，使得所述板部件基片置于所述機(jī)械手上的同時(shí)所述機(jī)械手不會(huì)碰撞所述部件承載板；
[0049]所述機(jī)械手將所述板部件傳輸至所述反應(yīng)腔內(nèi)。優(yōu)選地，還包括:
[0050]所述頂升裝置將所述頂針升起到所述傳輸位置；
[0051]所述頂針帶動(dòng)所述板部件下降到所述處理位置。優(yōu)選地，還包括:
[0052]升降驅(qū)動(dòng)部驅(qū)動(dòng)所述承載部升降到第三高度位置，所述機(jī)械手從所述反應(yīng)腔內(nèi)取回承載有處理后的基片的板部件，并伸入所述部件承載單元內(nèi)；
[0053]所述升降驅(qū)動(dòng)部驅(qū)動(dòng)所述承載部升降到第四高度位置，所述機(jī)械手將所述處理后的所述承載有基片的板部件放置到所述承載板上。優(yōu)選地，還包括所述承載部對(duì)所述處理后的基片進(jìn)行冷卻的步驟。
[0054]與現(xiàn)有技術(shù)相比較 ，本發(fā)明的金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)及其傳輸承載腔與傳輸方法中，所述傳輸承載腔內(nèi)設(shè)置有部件承載單元，所述部件承載單元至少能夠承載兩片板部件，所述板部件可被所述機(jī)械手在所述傳輸承載腔與所述反應(yīng)腔之間傳輸，減少了所述金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的占地面積，并減少了機(jī)械手在傳輸腔與所述反應(yīng)腔的傳輸路程，提高了生產(chǎn)效率，并減少了對(duì)機(jī)械手的損害，延緩了機(jī)械手的使用壽命。
[0055]其中，所述基座上至少可以同時(shí)承載兩片所述的板部件，提高了反應(yīng)腔的處理效率，使得所述金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)可以批量生產(chǎn)，降低了生產(chǎn)成本。
[0056]其中，所述板部件至少用于可承載兩片基片，所述基片包括待處理基片、處理基片或處理完畢的基片中的一種或多種，這也提高了生產(chǎn)效率，減低了生產(chǎn)成本。
[0057]其中，所述部件承載單元包括部件承載部和用于驅(qū)動(dòng)所述部件承載部升降運(yùn)動(dòng)的升降驅(qū)動(dòng)部。所述升降驅(qū)動(dòng)部具有位置感測(cè)單元，當(dāng)所述機(jī)械手伸入到所述部件承載部?jī)?nèi)，所述位置感測(cè)單元能向所述升降驅(qū)動(dòng)部發(fā)送升降驅(qū)動(dòng)信號(hào)，以升降所述承載部，使得所述機(jī)械手在不碰撞所述部件承載部的情形下而被傳輸?shù)剿龇磻?yīng)腔內(nèi)，也使得所述板部件的傳輸更加自動(dòng)化，避免了機(jī)械手與部件承載部的碰撞，減少了事故率，減少了維修成本。
[0058]其中，所述部件承載部包括部件承載板與溫度控制單元，所述部件承載板用以承載所述板部件或基片所述待處理或者處理完畢的基片。優(yōu)選地，所述溫度控制單元包括水冷單元，所述水冷單元具有設(shè)置在所述部件承載板內(nèi)的水流通道。優(yōu)選地，所述溫度控制單元有包括氣冷單元，所述氣冷單元具有設(shè)置在所述部件承載板內(nèi)的氣流通道。優(yōu)選地，所述溫度控制單元為冷卻板，所述冷卻板設(shè)置在所述部件承載板的上方。優(yōu)選地，所述溫度控制單元為冷卻管，所述冷卻管設(shè)置在所述部件承載板的四周。因?yàn)榻饘儆袡C(jī)化學(xué)氣相沉積的反應(yīng)溫度高達(dá)一千多度，因此，需要較長(zhǎng)的冷卻時(shí)間，在所述部件承載部?jī)?nèi)設(shè)置溫度控制單元可以有效的快速地降低處理后的基片或者承載有基片的板部件的溫度，提高了生產(chǎn)效率。
[0059]其中，所述部件承載板的數(shù)量為至少兩個(gè)，且所述部件承載板沿豎直方向上間隔層疊設(shè)置，這樣有利于將傳輸承載腔的面積最小化，也利于機(jī)械手對(duì)于板部件的傳輸。
[0060]其中，所述傳輸承載腔包括第一區(qū)與第二區(qū)，所述第一區(qū)設(shè)置有可以伸縮運(yùn)動(dòng)的所述機(jī)械手，所述第二區(qū)設(shè)置有所述承載單元，所述第一區(qū)的體積小于所述第二區(qū)的體積，這樣進(jìn)一步地減少了傳輸承載腔的占地面積。
[0061]其中，所述機(jī)械手具有承載子部，所述部件承載板具有承載子部收容腔，用以當(dāng)所述機(jī)械手伸入到所述部件承載部?jī)?nèi)時(shí)收容所述基片承載子部，使得在所述機(jī)械手的運(yùn)動(dòng)與所述部件承載部的運(yùn)動(dòng)配合過(guò)程中，所述機(jī)械手不會(huì)碰撞所述部件承載板，避免了事故的發(fā)生
[0062]其中，所述基座具有旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)控制單元與旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)單元，所述旋轉(zhuǎn)控制單元可以控制所述基座的旋轉(zhuǎn)角度，以便于所述機(jī)械手能夠在較短的運(yùn)動(dòng)路程下在所述傳輸承載腔與所述反應(yīng)腔之間傳輸所述板部件。
[0063]其中，所述頂升裝置包括頂針與升降控制裝置，在板部件被傳輸?shù)剿龇磻?yīng)腔內(nèi)時(shí)，所述頂針可被所述升降控制裝置升起至一處于傳輸位置用以承接所述板部件，并被所述升降控制裝置降低到一處理位置，以使得所述頂針帶到所述板部件下降到處理位置。這種設(shè)置僅需機(jī)械手的水平運(yùn)動(dòng)，而無(wú)需機(jī)械手的升降運(yùn)動(dòng)，一方面可以使得所述第一區(qū)的面積減少，另一方面提高了生產(chǎn)效率。
[0064]其中，所述板部件為扇形，所述板部件可以拼接為圓形，所述板部件之間為無(wú)縫拼接，避免了從噴淋組件噴出的氣體直接落到所述基座上，引起對(duì)所述基座的污染，提高了基座的使用壽命，減少了對(duì)所述基座的清洗次數(shù)。其中，所述板部件之間為有縫拼接，以便所述板部件之間拼接方便。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0065]圖1是現(xiàn)有技術(shù)的金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的俯視圖。
[0066]圖2是本發(fā)明的金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的不意圖。
[0067]圖3是本發(fā)明的金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)中傳輸承載腔的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0068]圖4是本發(fā)明的所述板部件放置在所述基座上的俯視圖。
[0069]圖5是本發(fā)明的放置有板部件的基座部分側(cè)面結(jié)構(gòu)不意圖。
[0070]圖6是本發(fā)明的部件承載部的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0071]圖7是本發(fā)明的機(jī)械手伸入至所述部件承載單元內(nèi)的示意圖。
[0072]圖8是本發(fā)明的機(jī)械手的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0073]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】做詳細(xì)的說(shuō)明。
[0074]在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來(lái)實(shí)施，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施例的限制。
[0075]圖2是本發(fā)明的金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的示意圖，該化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)包括傳輸承載腔11以及與所述傳輸承載腔相連的反應(yīng)腔12。在本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)用于生長(zhǎng)LED外延片。
[0076]所述傳輸承載腔11設(shè)置有機(jī)械手110、部件承載單元11a、進(jìn)氣裝置16與排氣裝置17。在本發(fā)明的某些其他的實(shí)施方式中，所述傳輸承載腔11也可以不設(shè)置所述進(jìn)氣裝置
16。所述傳輸承載單元Ila包括部件承載部14以及位于所述部件承載部14下方用于驅(qū)動(dòng)所述部件承載部14升降運(yùn)動(dòng)的升降驅(qū)動(dòng)部15。所述進(jìn)氣裝置16位于所述傳輸承載腔11的上部。該進(jìn)氣裝置16與載氣源或還原氣體源中的一種或兩種相連，用以清潔所述傳輸承載腔內(nèi)的板部件及其基片。在本發(fā)明的某些優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述載氣源為惰性氣體源，所述還原氣體源為氫氣。該排氣裝置17位于傳輸承載腔11的下部，其作用是排出傳輸承載腔11中的氣體，并使傳輸承載腔11處于真空狀態(tài)。所述機(jī)械手110用于傳送板部件(圖中未顯示)或基片。所述板部件用以承載至少兩片基片，所述基片包括待處理基片、處理基片或處理完畢的基片中的一種或多種。這樣就提高了生產(chǎn)效率，減低了生產(chǎn)成本。在本發(fā)明的某些優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述機(jī)械手110傳送的是所述板部件，以提高生產(chǎn)效率。所述反應(yīng)腔12頂部設(shè)置有噴淋組件121及與所述噴淋組件121相對(duì)設(shè)置的基座122。所述噴淋組件121與氣體源相連，所述氣體源包括反應(yīng)前體、載氣、吹掃氣體中的一種或多種。所述反應(yīng)前體包括III族金屬有機(jī)物和V族氫化物。所述III族金屬有機(jī)物包括Ga(CH3) 3、In(CH3)3、A1(CH3)3、Ga(C2H5)3、Zn (C2H5) 3氣體中的一種或多種。所述V族氫化物包括NH3.PH3.AsH3氣體中的一種或多種。所述基座122位于反應(yīng)腔底部，用以放置承載有基片的所述板部件或者基片。所述傳輸承載腔11和所述反應(yīng)腔12之間設(shè)置有閥門13，所述閥門13連接所述傳輸承載腔11和所述反應(yīng)腔12。當(dāng)所述閥門13打開時(shí)，所述機(jī)械手110可以通過(guò)閥門13在所述傳輸承載腔11與所述反應(yīng)腔之間傳輸所述板部件。這樣的設(shè)計(jì)減少了機(jī)械手在傳輸腔與所述反應(yīng)腔的傳輸路程，提高了生產(chǎn)效率，并減少了對(duì)機(jī)械手的損害，延緩了機(jī)械手的使用壽命。
[0077]圖3是本發(fā)明的化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)中傳輸承載腔11的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖3所示，所述升降驅(qū)動(dòng)部15位于所述部件承載部14底部。所述升降驅(qū)動(dòng)部15用以升降整個(gè)部件承載部14。所述升降驅(qū)動(dòng)部15設(shè)`置有位置感測(cè)單位(圖未示)，當(dāng)所述機(jī)械手110伸入到所述部件承載部14，所述位置感測(cè)單元(圖未示)能向所述升降驅(qū)動(dòng)部15發(fā)送升降驅(qū)動(dòng)信號(hào)，以升降所述承載部，使得機(jī)械手在不碰撞所述部件承載板的情形下將板部件傳輸?shù)剿龇磻?yīng)腔內(nèi)。這樣的設(shè)計(jì)也使得所述板部件的傳輸更加自動(dòng)化，避免了機(jī)械手與部件承載部的碰撞，減少了事故率，減少了維修成本。所述傳輸承載腔11分為第一區(qū)和第二區(qū)。所述機(jī)械手110設(shè)置在所述第一區(qū)71內(nèi)，所述承載單元Ila設(shè)置在所述第二區(qū)72內(nèi)。由于所述機(jī)械手的體積很小，而且為單臂機(jī)械手，由于本發(fā)明的承載單元Ila能夠沿豎直方向升降運(yùn)動(dòng)，因此所述機(jī)械手僅需要做伸縮運(yùn)動(dòng)，因而使得，所述第一區(qū)71的體積可以很小，遠(yuǎn)小于所述第二區(qū)72。這樣，就極大地減少了傳輸承載腔11的占地面積。
[0078]圖4是所述板部件放置在所述基座上的俯視圖。如圖4所述，所述板部件123的結(jié)構(gòu)為扇形或圓形，所述板部件123至少承載至少兩片基片。所以，所述基座上至少可以同時(shí)承載兩片所述的板部件123。這樣的設(shè)計(jì)提高了反應(yīng)腔的處理效率，使得所述金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)可以批量生產(chǎn)，降低了生產(chǎn)成本。
[0079]在本發(fā)明的較優(yōu)的實(shí)施方式中，所述板部件123為扇形，數(shù)量為4片或6片，所述板部件123可以拼接為圓環(huán)形或圓形。在本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述板部件123拼接為圓環(huán)形，以便于所述圓環(huán)形中心設(shè)置旋轉(zhuǎn)控制單元，所述旋轉(zhuǎn)控制單元可以控制所述基座的旋轉(zhuǎn)角度，以便于所述機(jī)械手能夠在較短的運(yùn)動(dòng)路程下在所述傳輸承載腔與所述反應(yīng)腔之間傳輸所述板部件。
[0080]圖5是放置有板部件的基座部分側(cè)面結(jié)構(gòu)示意圖。所述基座用以放置處理基片或者裝載處理基片的板部件，優(yōu)選地，在本發(fā)明的最佳實(shí)施方式中，所述基座用以放置裝載有處理基片的板部件123。所述板部件123包括第一板部件123a和第二板部件123b，所述第一板部件123a的邊緣具有第一安裝部(未標(biāo)號(hào))，所述第二板部件123b的邊緣具有與所述第一安裝部相配合的第二安裝部(未標(biāo)號(hào))，所述第一安裝部為上端凸出部，所述第二安裝部為下端凸出部，以使得所述第一板部件123a與所述第二板部件123b之間可以實(shí)現(xiàn)無(wú)縫拼接，以避免所述基座受到污染，具體地，避免從所述噴淋組件噴出的氣體直接落到所述基座上，這樣的設(shè)計(jì)提高了基座的使用壽命，減少了對(duì)所述基座的清洗次數(shù)。所述基座122有加熱單元(圖未示)，旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)控制單元與旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)單元(圖未示)和頂升裝置(圖未示)。此拼接外，在本發(fā)明的其他某些實(shí)施方式中，所述板部件也可以做有縫拼接，以便于板部件在所述基座上的拼接。
[0081]所述加熱單元可以將基座加熱到最高1500攝氏度。由于本發(fā)明的化學(xué)氣相沉積裝置是用于生長(zhǎng)LED外延片的金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積裝置，因此，本發(fā)明的基座需將基片保持在一千到一千二百攝氏度的處理溫度。在如此的高溫反應(yīng)后，所述機(jī)械手將所述基片取出到傳輸承載腔后進(jìn)行及時(shí)冷卻，有利于加快工藝流程，減少基片冷卻時(shí)間，提高了生產(chǎn)效率。
[0082]所述頂升裝置(圖未示)用于控制所述板部件在所述反應(yīng)腔12內(nèi)的升降。所述頂升裝置包括頂針與升降控制裝置，所述頂針可被所述升降控制裝置升起至一傳輸位置用以承接所述板部件，并被所述升降控制裝置降低到一處理位置，以使得所述頂針帶到所述板部件下降到處理位置。所述頂針在所述板部件被傳輸?shù)剿龇磻?yīng)腔內(nèi)時(shí)，所述頂針處于傳輸位置，以便所述機(jī)械手可以將承載有基片的板部件放置于頂針之上。當(dāng)所述機(jī)械手抽回后，所述頂針帶動(dòng)所述板部件下降到處于處理位置，以便于對(duì)所述基片的處理。這種設(shè)置僅需機(jī)械手的水平運(yùn)動(dòng)，而無(wú)需機(jī)械手的升降運(yùn)動(dòng)，一方面可以使得所述第一區(qū)的面積減少，另一方面提高了生產(chǎn)效率。所述旋轉(zhuǎn)控制單元可以控制所述基座122的旋轉(zhuǎn)角度，以便所述機(jī)械手放置所述板部件123，從而提高了生產(chǎn)效率。
[0083]圖6是部件承載部14的結(jié)構(gòu)示意圖。所述部件承載部14包括部件承載板141與溫度控制單元(圖未示)。所述部件承載板141的數(shù)量為至少兩個(gè)，且沿豎直方向上間隔層疊設(shè)置，用以承載所述待處理或者處理完畢的基片。這樣有利于將傳輸承載腔的面積最小化，也利于機(jī)械手對(duì)于板部件的傳輸。所述溫度控制單元(圖未示)可以是水冷單元、氣冷單元、冷卻板或者冷卻管中一種或多種。所述水冷單元具有設(shè)置在所述部件承載板141內(nèi)的水流通道。所述氣冷單元具有設(shè)置在所述部件承載板141內(nèi)的氣流通道。所述冷卻板設(shè)置在所述部件承載板141的上方。所述冷卻管設(shè)置在所述部件承載板141的四周。因?yàn)榻饘儆袡C(jī)化學(xué)氣相沉積的反應(yīng)溫度高達(dá)一千多度，因此，需要較長(zhǎng)的冷卻時(shí)間，在所述部件承載部14內(nèi)設(shè)置溫度控制單元(圖未示)可以有效的快速地降低處理后的基片或者承載有基片的板部件的溫度，提高了生產(chǎn)效率。優(yōu)選地，所述部件承載單元14包括用以承載所述部件承載板的支撐架142，所述部件承載板141具有承載子部收容腔1411，用以收容所述機(jī)械手110的承載子部。
[0084]請(qǐng)同時(shí)參閱圖7和圖8，圖8是機(jī)械手的結(jié)構(gòu)示意圖。圖7是機(jī)械手伸入至所述部件承載單元內(nèi)的示意圖。所述機(jī)械手110有承載子部111。所述部件承載板141具有承載子部收容腔(未標(biāo)號(hào))，用以當(dāng)所述機(jī)械手110伸入到所述部件承載板141內(nèi)時(shí)收容所述機(jī)械手110的基片承載子部111，使得在所述機(jī)械手110的運(yùn)動(dòng)與所述部件承載部的運(yùn)動(dòng)配合過(guò)程中，所述機(jī)械手110不會(huì)碰撞所述部件承載板，避免了事故的發(fā)生。
[0085]以下將對(duì)所述金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的傳輸過(guò)程進(jìn)行介紹。
[0086]首先，打開所述傳輸承載腔11，把待處理的承載基片的板部件放入到所述部件承載單元Ila內(nèi)。關(guān)閉所述傳輸承載腔11，并將所述傳輸承載腔11抽真空。
[0087]其次，完成對(duì)所述傳輸承載腔11抽真空后，所述升降驅(qū)動(dòng)部15驅(qū)動(dòng)所述承載部14升降到第一高度位置，使得所述機(jī)械手110伸入至所述部件承載單元Ila內(nèi)時(shí)能置于所述板部件下方，再讓所述升降驅(qū)動(dòng)部15驅(qū)動(dòng)所述承載部14下降到第二高度位置，使得所述板部件置于所述機(jī)械手110上的同時(shí)所述機(jī)械手110不會(huì)碰撞所述部件承載板141。
[0088]然后，開啟所述傳輸承載腔11與反應(yīng)腔12之間的閥門13，所述機(jī)械手110將所述板部件傳輸至反應(yīng)腔12內(nèi)，將所述反應(yīng)腔12內(nèi)的頂升裝置將所述頂針升起到所述傳輸位置；所述機(jī)械手110縮回，所述板部件放置于所述頂針上；所述頂針升降到處理位置；對(duì)所述基片進(jìn)行處理。在所述機(jī)械手縮回后且在對(duì)所述基片進(jìn)行處理之前的任意時(shí)間內(nèi)，關(guān)閉所述傳輸承載腔11和反應(yīng)腔12之間的閥門13。
[0089]最后，當(dāng)所述反應(yīng)腔12完成一次或多次化學(xué)氣相沉積工藝后，升降驅(qū)動(dòng)部15驅(qū)動(dòng)所述承載部14升降到第三高度。完成對(duì)所述承載部14升降后，所述機(jī)械手110從所述反應(yīng)腔12內(nèi)取回承載有處理后的基片的板部件，并縮回到所述部件承載單元內(nèi)。所述升降驅(qū)動(dòng)部15驅(qū)動(dòng)所述承載部14升降到第四高度位置，所述機(jī)械手110將所述板部件放置到所述部件承載板141上。選優(yōu)的，所述機(jī)械手110將所述板部件放置到傳輸承載腔11內(nèi)的所述部件承載板141上之后，所述承載部14對(duì)所述處理后的基片進(jìn)行冷卻。所述機(jī)械手110縮回到所述傳輸承載腔內(nèi)的第一區(qū)。 [0090]雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，包括:反應(yīng)腔、傳輸承載腔，所述反應(yīng)腔頂部具有噴淋組件，所述反應(yīng)腔底部具有與所述噴淋組件相對(duì)設(shè)置的基座，所述傳輸承載腔內(nèi)設(shè)置有機(jī)械手，其特征在于，所述傳輸承載腔內(nèi)還設(shè)置有部件承載單元，所述部件承載單元至少能夠承載兩片板部件，所述板部件可被所述機(jī)械手在所述傳輸承載腔與所述反應(yīng)腔之間傳輸。
2.如權(quán)利要求1所述的金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，其特征在于，所述基座至少可承載兩片所述板部件。
3.如權(quán)利要求2所述的金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，其特征在于，所述板部件至少可承載兩片基片，所述基片包括待處理基片、處理基片或處理完畢的基片中的一種或多種。
4.如權(quán)利要求3所述的金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，其特征在于，所述部件承載單元包括部件承載部和用于驅(qū)動(dòng)所述部件承載部升降運(yùn)動(dòng)的升降驅(qū)動(dòng)部。
5.如權(quán)利要求4所述的金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，其特征在于，所述升降驅(qū)動(dòng)部具有位置感測(cè)單元，當(dāng)所述機(jī)械手伸入到所述部件承載部?jī)?nèi)，所述位置感測(cè)單元能向所述升降驅(qū)動(dòng)部發(fā)送升降驅(qū)動(dòng)信號(hào)，以升降所述承載部，使得所述機(jī)械手在不碰撞所述部件承載部的情形下傳輸所述板部件到所述反應(yīng)腔內(nèi)。
6.如權(quán)利要求4所述的金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，其特征在于，所述部件承載部包括部件承載板與溫度控制單元，所述部件承載板用以承載所述板部件或基片。
7.如權(quán)利要求 6所述的金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，其特征在于，所述溫度控制單元包括水冷單元，所述水冷單元具有設(shè)置在所述部件承載板內(nèi)的水流通道。
8.如權(quán)利要求6所述的金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，其特征在于，所述溫度控制單元有包括氣冷單元，所述氣冷單元具有設(shè)置在所述部件承載板內(nèi)的氣流通道。
9.如權(quán)利要求6所述的金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，其特征在于，所述溫度控制單元為冷卻板，所述冷卻板設(shè)置在所述部件承載板的上方。
10.如權(quán)利要求6所述的金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，其特征在于，所述溫度控制單元為冷卻管，所述冷卻管設(shè)置在所述部件承載板的四周。
11.如權(quán)利要求7至10中任一項(xiàng)所述的金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，其特征在于，所述部件承載板的數(shù)量為至少兩個(gè)，且所述部件承載板沿豎直方向上間隔層疊設(shè)置。
12.如權(quán)利要求11所述的金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，其特征在于，所述傳輸承載腔包括第一區(qū)與第二區(qū)，所述第一區(qū)設(shè)置有可以伸縮運(yùn)動(dòng)的所述機(jī)械手，所述第二區(qū)設(shè)置有所述部件承載單元，所述第一區(qū)的體積小于所述第二區(qū)的體積。
13.如權(quán)利要求12所述的金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，其特征在于，所述機(jī)械手具有承載子部，所述部件承載板具有承載子部收容腔，用以當(dāng)所述機(jī)械手伸入到所述部件承載部?jī)?nèi)時(shí)收容所述基片承載子部，使得在所述機(jī)械手的運(yùn)動(dòng)與所述部件承載部的運(yùn)動(dòng)配合過(guò)程中，所述機(jī)械手不會(huì)碰撞所述部件承載板。
14.如權(quán)利要求13所述的金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，其特征在于，所述基座具有加熱單元，所述加熱單元用于將基座加熱到最高1500攝氏度。
15.如權(quán)利要求14所述的金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，其特征在于，所述基座具有旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)控制單元與旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)單元，所述旋轉(zhuǎn)控制單元可以控制所述基座的旋轉(zhuǎn)角度，以便于所述機(jī)械手能夠在較短的運(yùn)動(dòng)路程下在所述傳輸承載腔與所述反應(yīng)腔之間傳輸所述板部件。
16.如權(quán)利要求15所述的金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng),其特征在于,所述傳輸承載腔具有排氣裝置與進(jìn)氣裝置。
17.如權(quán)利要求16所述的金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，其特征在于，還包括基座頂升裝置，所述頂升裝置用于控制所述板部件在所述反應(yīng)腔內(nèi)的升降。
18.如權(quán)利要求17所述的金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，其特征在于，所述頂升裝置包括頂針與升降控制裝置，所述頂針可被所述升降控制裝置升起至一傳輸位置用以承接所述板部件，并被所述升降控制裝置降低到一處理位置，以使得所述頂針帶到所述板部件下降到處理位置。
19.如權(quán)利要求18所述的金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，其特征在于，所述板部件為扇形或圓形。
20.如權(quán)利要求19所述的金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，其特征在于，所述板部件為扇形，所述板部件可以拼接為圓形或圓環(huán)形。
21.如權(quán)利要求20所述的金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，其特征在于，所述板部件之間為無(wú)縫拼接，以避免所述基座受到污染。
22.如權(quán)利要求20所述的金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，其特征在于，所述板部件之間為有縫拼接，以便所述板部件之間拼接方便。
23.一種金屬化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的傳輸承載腔，其特征在于，包括機(jī)械手、部件承載單元，所述部件承載單元至少能夠承載兩片板部件，所述金屬化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)包括:反應(yīng)腔及與所述反應(yīng)腔相連的所述傳輸承載腔，所述板部件可被所述機(jī)械手在所述傳輸承載腔與所述反應(yīng)腔之間傳輸。
24.如權(quán)利要求23所述的金屬化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的傳輸承載腔，其特征在于，所述反應(yīng)腔頂部設(shè)置有噴淋組件，所述反應(yīng)腔底部設(shè)置有基座，所述基座至少可承載兩片所述板部件。
25.如權(quán)利要求24所述的金屬化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的傳輸承載腔,其特征在于，所述板部件至少可承載兩片基片，所述基片包括待處理基片、處理基片或處理完畢的基片中的一種或多種。
26.如權(quán)利要求25所述的金屬化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的傳輸承載腔，其特征在于，所述部件承載單元包括部件承載部和用于驅(qū)動(dòng)所述部件承載部升降運(yùn)動(dòng)的升降驅(qū)動(dòng)部。
27.如權(quán)利要求26所述的金屬化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的傳輸承載腔，其特征在于，所述升降驅(qū)動(dòng)部具有位置感測(cè)單元，當(dāng)所述機(jī)械手伸入到所述部件承載部?jī)?nèi)，所述位置感測(cè)單元能向所述升降驅(qū)動(dòng)部發(fā)送升降驅(qū)動(dòng)信號(hào)，以升降所述承載部，使得所述機(jī)械手在不碰撞所述部件承載部的情形下將所述板部件傳輸?shù)剿龇磻?yīng)腔內(nèi)。
28.如權(quán)利要求27所述的金屬化 學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的傳輸承載腔，其特征在于，所述部件承載部包括部件承載板與溫度控制單元，所述部件承載板用以承載所述板部件或基片。
29.如權(quán)利要求28所述的金屬化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的傳輸承載腔，其特征在于，所述溫度控制單元包括水冷單元，所述水冷單元具有設(shè)置在所述部件承載板內(nèi)的水流通道。
30.如權(quán)利要求29所述的金屬化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的傳輸承載腔，其特征在于，所述部件承載板的數(shù)量為至少兩個(gè)，且所述部件承載板沿豎直方向上間隔層疊設(shè)置。
31.如權(quán)利要求30所述的金屬化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的傳輸承載腔,其特征在于，所述傳輸承載腔包括第一區(qū)與第二區(qū)，所述第一區(qū)設(shè)置有可以伸縮運(yùn)動(dòng)的所述機(jī)械手，所述第二區(qū)設(shè)置有所述承載單元，所述第一區(qū)的體積小于所述第二區(qū)的體積。
32.如權(quán)利要求31所述的金屬化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的傳輸承載腔，其特征在于，所述機(jī)械手具有承載子部，所述部件承載板具有承載子部收容腔，用以當(dāng)所述機(jī)械手伸入到所述部件承載部?jī)?nèi)時(shí)收容所述基片承載子部，使得在所述機(jī)械手的運(yùn)動(dòng)與所述部件承載部的運(yùn)動(dòng)配合過(guò)程中，所述機(jī)械手不會(huì)碰撞所述部件承載板。
33.如權(quán)利要求32所述的金屬化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的傳輸承載腔，其特征在于，還包括基座頂升裝置，所述頂升裝置用于控制所述板部件在所述反應(yīng)腔內(nèi)的升降。
34.如權(quán)利要求33所述的金屬化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的傳輸承載腔，其特征在于，所述頂升裝置包括頂針與升降控制裝置，所述頂針可被所述升降控制裝置升起至一傳輸位置用以承接所述板部件，并被所述升降控制裝置降低到一處理位置，以使得所述頂針帶到所述板部件下降到處理位置。
35.如權(quán)利要求34所述的金屬化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的傳輸承載腔,其特征在于，所述板部件為扇形或圓形。
36.如權(quán)利要求35所述的金屬化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的傳輸承載腔,其特征在于,所述板部件為扇形，所述板部件可以拼接為圓形或圓環(huán)形。
37.如權(quán)利要求1至22中任一項(xiàng)所述的金屬化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的傳輸方法，其特征在于，包括: 將承載有待處理基片的板部件放入所述部件承載單元內(nèi)； 所述升降驅(qū)動(dòng)部驅(qū)動(dòng) 所述承載部升降到第一高度位置，使得所述機(jī)械手伸入至所述部件承載單元內(nèi)時(shí)能置于所述板部件基片下方； 所述機(jī)械手伸入至所述部件承載單元內(nèi)； 所述升降驅(qū)動(dòng)部驅(qū)動(dòng)所述承載部下降到第二高度位置，使得所述板部件基片置于所述機(jī)械手上的同時(shí)所述機(jī)械手不會(huì)碰撞所述部件承載板； 所述機(jī)械手將所述板部件傳輸至所述反應(yīng)腔內(nèi)。
38.如權(quán)利要求37所述的金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的傳輸方法,其特征在于,還包括: 所述頂升裝置將所述頂針升起到所述傳輸位置； 所述頂針帶動(dòng)所述板部件下降到所述處理位置。
39.如權(quán)利要求38所述的金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的傳輸方法,其特征在于,還包括: 升降驅(qū)動(dòng)部驅(qū)動(dòng)所述承載部升降到第三高度位置，所述機(jī)械手從所述反應(yīng)腔內(nèi)取回承載有處理后的基片的板部件，并伸入所述部件承載單元內(nèi)； 所述升降驅(qū)動(dòng)部驅(qū)動(dòng)所述承載部升降到第四高度位置，所述機(jī)械手將所述處理后的所述承載有基片的板部件放置到所述承載板上。
40.如權(quán)利要求39所述的金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的傳輸方法,其特征在于,還包括，所述承載部對(duì)所述處理后的基片進(jìn)行冷卻的步驟。
【文檔編號(hào)】C23C16/44GK103805961SQ201210459095
【公開日】2014年5月21日 申請(qǐng)日期:2012年11月14日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月14日
【發(fā)明者】胡兵, 吳紅星 申請(qǐng)人:理想能源設(shè)備(上海)有限公司