專利名稱：一種在基片上形成azo膜的裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種在基片上形成AZO膜的裝置。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的AZO膜成型裝置，一般采用化學(xué)氣相沉積法形成AZO膜層(即摻雜氧化鋅膜層)，但其形成的AZO膜層，不均勻。故有必要提供一種新的利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法在基片上形成AZO膜層的裝置。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種在基片上形成AZO膜的裝置，其可在基片上形成厚薄 均勻的AZO膜層。一種在基片上形成AZO膜的裝置，其特征在于包括一真空反應(yīng)系統(tǒng)，包括一真空反應(yīng)腔；一放電系統(tǒng)，設(shè)于真空反應(yīng)腔內(nèi)，包括兩平行設(shè)置的電極板，用以產(chǎn)生等離子體；—電源系統(tǒng)，與所述電極板連接并為電極板供電；一加熱溫控系統(tǒng)，包括設(shè)于真空反應(yīng)腔內(nèi)的一電極板上的反應(yīng)源加熱臺(tái)以及襯底加熱臺(tái)，反應(yīng)源加熱臺(tái)用以對設(shè)于其上的反應(yīng)源物質(zhì)進(jìn)行加熱使反應(yīng)源物質(zhì)升華成氣態(tài)，襯底加熱臺(tái)用以對設(shè)于其上的基片進(jìn)行加熱；一氣體導(dǎo)入系統(tǒng)，與真空反應(yīng)腔連接并向真空反應(yīng)腔內(nèi)導(dǎo)入載氣，該載氣用以將升華成氣態(tài)的反應(yīng)源物質(zhì)導(dǎo)至設(shè)于襯底加熱臺(tái)上的基片表面；一壓力測量系統(tǒng)，用以測量真空反應(yīng)腔內(nèi)的氣體壓力變化；以及一抽氣系統(tǒng)，與真空反應(yīng)腔連接并抽吸反應(yīng)尾氣。本發(fā)明可通過如下方式進(jìn)行改進(jìn)上述所述氣體導(dǎo)入系統(tǒng)的出氣口伸入真空反應(yīng)腔內(nèi)并與所述基片垂直。上述所述出氣口為錐形蓮蓬頭出氣口。上述所述抽氣系統(tǒng)包括與真空反應(yīng)腔依次氣路連接的過濾器、電磁閥、真空泵以及尾氣吸收處理器。上述所述氣體導(dǎo)入系統(tǒng)包括分別與真空反應(yīng)腔連接的氬氣瓶和氮?dú)馄?，氬氣瓶和氮?dú)馄颗c真空反應(yīng)腔的連接氣路上分別連接有減壓閥和流量計(jì)。上述所述壓力測量系統(tǒng)包括用以測量真空壓力上限值的電離真空計(jì)管和用以測量真空壓力下限值的皮拉尼規(guī)管。還包括控制系統(tǒng)，該控制系統(tǒng)與所述加熱溫控系統(tǒng)、壓力測量系統(tǒng)、以及流量計(jì)電連接。上述所述真空反應(yīng)腔是直徑為400mm、高度為320mm的真空筒體。上述所述電極板是20cm*20cm的方形銅板，兩電極板間的距離為5 10cm。上述所述電源系統(tǒng)為高頻電源，其頻率在50KHZ 2. 45GHZ之間，通常取40MHZ，最大輸出功率為1KW。與現(xiàn)有AZO膜成型裝置相比，本發(fā)明可在基片上形成厚薄均勻的AZO膜層。


圖1為本發(fā)明示意圖。
具體實(shí)施例方式如圖1所示，一種在基片上形成AZO膜的裝置，包括真空反應(yīng)系統(tǒng)、放電系統(tǒng)、電源系統(tǒng)、加熱溫控系統(tǒng)、氣體導(dǎo)入系統(tǒng)、壓力測量系統(tǒng)、抽氣系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、以及監(jiān)視系統(tǒng)。所述真空反應(yīng)系統(tǒng),包括一真空反應(yīng)腔I。本實(shí)施例中,所述真空反應(yīng)腔I是直徑為400mm、高度為320mm的真空筒體。
所述放電系統(tǒng)，設(shè)于真空反應(yīng)腔I內(nèi)，包括兩平行設(shè)置的電極板2，采用高頻放電產(chǎn)生等離子體，高能電子使下述反應(yīng)源物質(zhì)的分子鍵斷裂，產(chǎn)生大量的活性基團(tuán)。本實(shí)施例中，所述電極板2是20cm*20cm的方形銅板，兩電極板2間的距離可在5 10cm之間任意調(diào)
難
iF. O所述電源系統(tǒng)，與所述電極板2連接并為電極板2供電。本實(shí)施例中，所述電源系統(tǒng)為高頻電源3，其頻率在50KHZ 2. 45GHZ之間，通常取40MHZ，最大輸出功率為1KW。所述加熱溫控系統(tǒng)，包括設(shè)于真空反應(yīng)腔I內(nèi)的一電極板2上的反應(yīng)源加熱臺(tái)41以及襯底加熱臺(tái)42，反應(yīng)源加熱臺(tái)41用以對設(shè)于其上的反應(yīng)源物質(zhì)進(jìn)行加熱使反應(yīng)源物質(zhì)升華成氣態(tài)，本實(shí)施例中，反應(yīng)源物質(zhì)包括二水醋酸鋅和四水堿式乙酸鋁。所述襯底加熱臺(tái)42用以對設(shè)于其上的基片(圖中未示出)進(jìn)行加熱。所述氣體導(dǎo)入系統(tǒng)，與真空反應(yīng)腔I連接并向真空反應(yīng)腔I內(nèi)導(dǎo)入載氣，該載氣用以將升華成氣態(tài)的反應(yīng)源物質(zhì)導(dǎo)至設(shè)于襯底加熱臺(tái)42上的基片表面；所述氣體導(dǎo)入系統(tǒng)的出氣口伸入真空反應(yīng)腔內(nèi)并與所述基片垂直，所述出氣口為錐形蓮蓬頭出氣口。具體地，所述氣體導(dǎo)入系統(tǒng)包括分別與真空反應(yīng)腔I連接的氬氣瓶51和氮?dú)馄?2，氬氣瓶51和氮?dú)馄?2與真空反應(yīng)腔I的連接氣路上分別連接有減壓閥53和流量計(jì)54。所述壓力測量系統(tǒng)，用以測量真空反應(yīng)腔I內(nèi)的氣體壓力變化，包括用以測量真空壓力上限值的電離真空計(jì)管61和用以測量真空壓力下限值的皮拉尼規(guī)管62。所述抽氣系統(tǒng)，與真空反應(yīng)腔I連接并抽吸反應(yīng)尾氣，包括與真空反應(yīng)腔I依次氣路連接的過濾器71、電磁閥72、真空泵73以及尾氣吸收處理器74。所述真空泵73為旋片式真空泵。所述過濾器71可以防止被抽氣體中混有的粉末、鱗片等物質(zhì)磨損真空泵，使油黏度增大導(dǎo)致真空泵不能正常運(yùn)轉(zhuǎn)。所述電磁閥72與真空泵73的電極連接在同一個(gè)電源上，真空泵73的啟閉直接控制著電磁閥72的啟閉；當(dāng)真空泵73停止工作或電源中斷時(shí)，電磁閥72能自動(dòng)將氣路封閉，并將大氣通過真空泵73的充氣入口充入真空泵73的泵腔中，從而可以防止真空泵73的泵油逆流污染真空反應(yīng)腔I。所述尾氣吸收處理器74，可根據(jù)反應(yīng)原物質(zhì)升華成氣態(tài)的腐蝕性、可燃性、爆炸性、易燃性和毒性選擇合適的尾氣處理方式；本實(shí)施例中，真空反應(yīng)腔74內(nèi)產(chǎn)生的尾氣主要為氣態(tài)的CH3COOH,故采用堿液形成尾氣吸收處理器。所述控制系統(tǒng)，與所述加熱溫控系統(tǒng)、壓力測量系統(tǒng)、以及流量計(jì)54電連接。用以控制基片溫度、真空反應(yīng)腔I內(nèi)的氣體壓力大小、以及氣體導(dǎo)入系統(tǒng)的氣體流量。所述監(jiān)視系統(tǒng)，用以監(jiān)視等離子體負(fù)載的電壓波型，控制由發(fā)光分析得出的放電過程等有關(guān)的等離子體狀態(tài)。 以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并非用來限定本發(fā)明實(shí)施的范圍，凡依本發(fā)明專利范圍所做的同等變化與修飾，皆落入本發(fā)明專利涵蓋的范圍。
權(quán)利要求
1.一種在基片上形成AZO膜的裝置，其特征在于包括 一真空反應(yīng)系統(tǒng)，包括一真空反應(yīng)腔； 一放電系統(tǒng)，設(shè)于真空反應(yīng)腔內(nèi)，包括兩平行設(shè)置的電極板，用以產(chǎn)生等離子體； 一電源系統(tǒng)，與所述電極板連接并為電極板供電； 一加熱溫控系統(tǒng)，包括設(shè)于真空反應(yīng)腔內(nèi)的一電極板上的反應(yīng)源加熱臺(tái)以及襯底加熱臺(tái)，反應(yīng)源加熱臺(tái)用以對設(shè)于其上的反應(yīng)源物質(zhì)進(jìn)行加熱使反應(yīng)源物質(zhì)升華成氣態(tài)，襯底加熱臺(tái)用以對設(shè)于其上的基片進(jìn)行加熱； 一氣體導(dǎo)入系統(tǒng)，與真空反應(yīng)腔連接并向真空反應(yīng)腔內(nèi)導(dǎo)入載氣，該載氣用以將升華成氣態(tài)的反應(yīng)源物質(zhì)導(dǎo)至設(shè)于襯底加熱臺(tái)上的基片表面； 一壓力測量系統(tǒng)，用以測量真空反應(yīng)腔內(nèi)的氣體壓力變化；以及 一抽氣系統(tǒng)，與真空反應(yīng)腔連接并抽吸反應(yīng)尾氣。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種在基片上形成AZO膜的裝置，其特征在于所述氣體導(dǎo)入系統(tǒng)的出氣口伸入真空反應(yīng)腔內(nèi)并與所述基片垂直。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種在基片上形成AZO膜的裝置，其特征在于所述出氣口為錐形蓮蓬頭出氣口。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的一種在基片上形成AZO膜的裝置，其特征在于所述抽氣系統(tǒng)包括與真空反應(yīng)腔依次氣路連接的過濾器電磁閥、真空泵以及尾氣吸收處理器。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種在基片上形成AZO膜的裝置，其特征在于所述氣體導(dǎo)入系統(tǒng)包括分別與真空反應(yīng)腔連接的氬氣瓶和氮?dú)馄浚瑲鍤馄亢偷獨(dú)馄颗c真空反應(yīng)腔的連接氣路上分別連接有減壓閥和流量計(jì)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種在基片上形成AZO膜的裝置，其特征在于所述壓力測量系統(tǒng)包括用以測量真空壓力上限值的電離真空計(jì)管和用以測量真空壓力下限值的皮拉尼規(guī)管。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種在基片上形成AZO膜的裝置，其特征在于還包括控制系統(tǒng)，該控制系統(tǒng)與所述加熱溫控系統(tǒng)、壓力測量系統(tǒng)、以及流量計(jì)電連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種在基片上形成AZO膜的裝置，其特征在于所述真空反應(yīng)腔是直徑為400mm、高度為320mm的真空筒體。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種在基片上形成AZO膜的裝置，其特征在于所述電極板是20cm*20cm的方形銅板,兩電極板間的距離為5 10cm。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種在基片上形成AZO膜的裝置，其特征在于所述電源系統(tǒng)為高頻電源，其頻率在50KHZ 2. 45GHZ之間，通常取40MHZ，最大輸出功率為1KW。
全文摘要
一種在基片上形成AZO膜的裝置，其特征在于包括一真空反應(yīng)系統(tǒng)，包括一真空反應(yīng)腔；一放電系統(tǒng)，設(shè)于真空反應(yīng)腔內(nèi)，包括兩平行設(shè)置的電極板，用以產(chǎn)生等離子體；一電源系統(tǒng)，與所述電極板連接并為電極板供電；一加熱溫控系統(tǒng)，包括反應(yīng)源加熱臺(tái)以及襯底加熱臺(tái)；一氣體導(dǎo)入系統(tǒng)，與真空反應(yīng)腔連接并向真空反應(yīng)腔內(nèi)導(dǎo)入載氣，該載氣用以將升華成氣態(tài)的反應(yīng)源物質(zhì)導(dǎo)至設(shè)于襯底加熱臺(tái)上的基片表面；一壓力測量系統(tǒng)，用以測量真空反應(yīng)腔內(nèi)的氣體壓力變化；以及一抽氣系統(tǒng)，與真空反應(yīng)腔連接并抽吸反應(yīng)尾氣。本發(fā)明可在基片上形成厚薄均勻的AZO膜層。
文檔編號C23C16/40GK103014675SQ20121048739
公開日2013年4月3日 申請日期2012年11月26日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月26日
發(fā)明者楊柳, 劉昕, 曹林站 申請人:中山市創(chuàng)科科研技術(shù)服務(wù)有限公司