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濺射設備的制作方法

文檔序號:3265935閱讀:212來源:國知局
專利名稱:濺射設備的制作方法
技術領域
本實用新型涉及一種鍍膜設備 ,特別是涉及一種濺射設備。
背景技術
真空磁控濺射的具體過程為在高真空室中充入惰性氣體(通常為氬氣),永久磁鐵在祀材表面形成250 350高斯的磁場,同高壓電場組成正交電磁場。在電場的作用下,Ar氣電離成正離子和電子,靶材上加有一定的負高壓,從靶材發(fā)出的電子受磁場的作用與工作氣體的電離幾率增大,在陰極(靶材)附近形成高密度的等離子體,Ar離子在洛侖茲力的作用下加速飛向靶面,以很高的速度轟擊靶面,使靶材上被濺射出來的原子遵循動量轉換原理以較高的動能脫離靶面飛向基板淀積成膜。完成上述過程的濺射鍍膜設備通常包括裝載腔體、過渡腔體、成膜腔體、卸載腔體、為了實現(xiàn)真空鍍膜的配套系統(tǒng)以及用于運送基板的載片結構。在濺射鍍膜過程中,載片結構承載基板通過各個腔體,濺射結束后由卸載腔體運出。如圖I、圖2所示,一種現(xiàn)有技術的濺射設備包括裝載腔體5、第一過渡腔體6、成膜腔體7、第二過渡腔體8、回轉腔體9、卸載腔體10、載片結構30及完成濺射的濺射裝置12。其中第一過渡腔體6、成膜腔體7、第二過渡腔體8、回轉腔體9內均安裝有加熱裝置13。載片結構30包括貫穿上述腔體的第一導軌31、第二導軌32及用于固定并帶動承載板I?;?通過安裝于承載板I上的夾具3固定于承載板I上。承載板I的上下兩端分別安裝有第一滑動裝置2、第二滑裝置33。第一滑動裝置2與第一導軌31的配合,第二滑動裝置33與第二導軌32的配合。濺射裝置12安裝于成膜腔體7內,用于對承載板上的基板進行濺射鍍膜。當濺射設備工作時,在裝載腔體5內,基板4安裝于承載板I上,然后對裝載腔體5抽真空,當裝載腔體5內真空度達到要求,裝載腔體5與第一過渡腔體6之間的隔板打開,承載結構I帶動基板4沿第一導軌31、第二導軌32由裝載腔體5出發(fā),依次經過第一過渡腔體6、成膜腔體7、第二過渡腔體8、回轉腔體9、第二過渡腔體8、成膜腔體7、第一過渡腔體6,到達卸載腔體10內,這時卸載腔體10與第一過渡腔體6之間隔板緊閉,基板4與承載結構I 一起被運出,然后對卸載腔體10抽真空,一次工作循環(huán)結束。即每次工作循環(huán)需要兩次抽真空作業(yè)。這種濺射設備的載片結構每次工作循環(huán)只能裝載一片基板,由此濺射設備每兩次抽真空作業(yè)僅能處理一塊基板,效率較低,耗能較高。

實用新型內容本實用新型要解決的技術問題是提供一種工作效率高、耗能低的濺射設備。本實用新型提供的濺射設備,包括成膜腔體、載片結構、傳輸結構、用于完成濺射的濺射裝置、真空系統(tǒng)和氣氛控制系統(tǒng),其中,載片結構包括相對設置的第一承載板和第二承載板,第一承載板和第二承載板之間設置有磁屏蔽板,載片結構裝設于傳輸結構上,傳輸結構用于傳輸所述載片結構,濺射裝置包括第一濺射裝置和第二濺射裝置,第一濺射裝置設置于成膜腔體的第一內壁上,第二濺射裝置設置于與第一內壁相對的第二內壁上,所述第一濺射裝置與第一承載板相對,所述第二濺射裝置與第二承載板相對。具體的,所述第一承載板和第二承載板之間設置有加熱裝置,用于給設置在承載板上的基板加熱。具體的,所述載片結構的第一承載板和第二承載板上側設置有連接處,所述連接處與所述第一承載板和第二承載板圍設形成凹槽結構。具體的,上述濺射設備還包括第一過渡腔體、第二過渡腔體、裝載腔體和卸載腔體,所述裝載腔體用于基板裝載于所述載片結構上,所述卸載腔體用于卸載所述載片機構上的基板,所述濺射設備各腔體的連接順序為裝載腔體、第一過渡腔體、成膜腔體、第二過渡腔體和卸載腔體。 具體的,上述濺射設備還包括第一過渡腔體、第二過渡腔體、第三過渡腔體、二次成膜腔體、裝載腔體和卸載腔體,所述裝載腔體用于基板裝載于所述載片結構上,所述卸載腔體用于卸載所述載片機構上的基板,所述二次成膜腔體兩側的內壁上分別設置有第三濺射裝置和第四濺射裝置,用于對所述基板實現(xiàn)二次濺射鍍膜,所述濺射設備各腔體的連接順序為裝載腔體、第一過渡腔體、成膜腔體、第二過渡腔體、二次成膜腔體、第三過渡腔體和卸載腔體。具體的,上述濺射設備還包括裝載腔體、第一過渡腔體、成膜腔體、第二過渡腔體、回轉腔體、第三過渡腔體、二次成膜腔體、第四過渡腔體和卸載腔體,所述二次成膜腔體兩側的內壁上分別設置有第三濺射裝置和第四濺射裝置,用于對所述基板實現(xiàn)二次濺射鍍膜,所述濺射設備各腔體的連接順序依次為裝載腔體、第一過渡腔體、第一成膜腔體、第二過渡腔體、回轉腔體、第三過渡腔體、第二成膜腔體、第四過渡腔體和卸載腔體。采用本實用新型提供的濺射設備,可以同時對兩塊基板濺射鍍膜,提高了濺射鍍膜產線的生產效率,降低了濺射過程中的耗能。

圖I為現(xiàn)有技術的濺射設備的結構示意圖;圖2為圖I的A-A剖視圖;圖3為本實用新型第一實施例提供的濺射設備的結構示意圖;圖4為圖3的B-B剖視圖;圖5為圖3中的載片結構的結構示意圖的立體圖;圖6為本實用新型第二實施例提供的濺射設備的結構示意圖。
具體實施方式
本實用新型提供了一種濺射設備,該濺射設備可以同時對兩塊基板濺射鍍膜,由此提高了濺射鍍膜產線的生產效率,降低了濺射過程中的耗能。實施例一如圖3、圖4、圖5所示,本實用新型的濺射設備,包括成膜腔體3、載片結構30、傳輸結構、用于完成濺射的第一濺射裝置11和第二濺射裝置12以及裝載腔體I、第一過渡腔體2、第二過渡腔體4、卸載腔體5、真空系統(tǒng)和氣氛控制系統(tǒng)(圖中未示出)。該濺射設備各腔體的連接順序為裝載腔體I、第一過渡腔體2、成膜腔體3、第二過渡腔體4和卸載腔體5。載片結構30包括第一承載板31和第二承載板32,第一承載板31和第二承載板32用于承載需要濺射的基板51、52 ;在兩承載板之間設置有磁屏蔽板44,磁屏蔽板44用于屏蔽在對載片結構兩側基板濺射時產生的磁干擾;在兩承載板之間還設有加熱裝置42,用于給基板加熱;第一濺射裝置11和第二濺射裝置12分別設置于成膜腔體3內的第一內壁21及與第一內壁21相對的第二內壁22上,第一派射裝置11與第一承載板31相對,第二濺射裝置12與第二承載板32相對,用于對承載結構30兩承載板上的基板51、52進行濺射鍍膜。傳輸結構用于傳輸載片結構30,本實施例中米用導軌結構實現(xiàn)傳輸功能。載片結構30裝設于導軌41上。真空系統(tǒng)用于對各腔體的真空度進行控制。氣氛控制系統(tǒng)用于將惰性氣體(例如Ar氣)充入成膜腔體,以實現(xiàn)濺射鍍膜。本實用新型的濺射設備在工作時,在裝載腔體I內,兩塊待濺射的基板51、52分別安裝于載片結構30的第一承載板31和第二承載板32上,然后真空系統(tǒng)對裝載腔體I抽真空,當裝載腔體I內真空度達到要求,裝載腔體I與第一過渡腔體2之間的隔板打開,載片結構30帶動基板51、52依次經過第一過渡腔體2到達成膜腔體3。第一濺射裝置11和第二濺射裝置12均包括靶材,安裝靶材的數(shù)量可以依據(jù)成膜速率和目標膜厚來確定。當載片結構30同時裝載兩塊基板進入成膜腔體3時,安裝在成膜腔體3兩側內壁上的第一濺射裝置11和第二濺射裝置12可以同時對第一承載板31和第二承載板32上的基板進行鍍膜。濺射鍍膜結束后,載片結構30承載上述基板經第二過渡腔體4、卸載腔體5被運出濺射設備,濺射操作完成。這種濺射設備每次操作可以對兩片基板濺射鍍膜,效率大為提高。本實施例中,將加熱裝置42設置于兩承載板之間,與背景技術中將加熱裝置設置于濺射設備各腔體內壁的結構相比,不僅可同時對兩基板進行加熱,而且將原來由于設備內壁熱傳導損耗的熱量利用起來,節(jié)省了功耗。加熱裝置42可以為電阻絲或電阻絲纏繞形成的板狀熱板。實施例二如圖6所示,作為實施例一的改進,本實用新型的濺射設備還包括第三過渡腔體6,二次成膜腔體9,改進后的濺射設備各腔體的連接順序依次為裝載腔體、第一過渡腔體、第一成膜腔體、第二過渡腔體、回轉腔體、第三過渡腔體、第二成膜腔體、第四過渡腔體和卸載腔體。第三濺射裝置和第四濺射裝置分別設置于二次成膜腔體9內的兩側內壁上,導軌從第三濺射裝置和第四濺射裝置之間穿過,并貫穿第三過渡腔體6、二次成膜腔體9。作為本實施例的改進,第三過渡腔體6通過回轉腔體7和第四過渡腔體8連接二次成膜腔體9?;剞D腔體7為半圓形?;剞D腔體7包括直側壁和與直側壁連接的圓弧側壁,圓弧側壁上開有并列的入口和出口,入口連接第三過渡腔體6 ;第四過渡腔體8的一端連接回轉腔體7的出口,另一端連接二次成膜腔體9的一端,導軌貫穿第三過渡腔體6、第四過渡腔體8。這樣本實施例的濺射設備可以在一次濺射鍍膜后繼續(xù)進行二次濺射鍍膜,第一承載板31和第二承載板32上的基板在成膜腔體3中鍍膜結束后,載片結構30帶動上述基板經第三過渡腔體6到達回轉腔體7,載片結構30經過回轉腔體7、第四過渡腔體8進入二次成膜腔體9,第三濺射裝置和第四濺射裝置可以同時第一承載板31和第二承載板32上的基板進行鍍膜。濺射鍍膜結束后,載片結構30帶動上述基板經第二過渡腔體4到達卸載腔體5內,第二次鍍膜結束。以上僅是本實用新型的優(yōu)選實施方式,應當指出,對于本技術領域的普通技術人 員來說,在不脫離本實用新型原理的前提下,還可以作出若干改進和潤飾,這些改進和潤飾也應視為本實用新型的保護范圍。
權利要求1.一種濺射設備,包括成膜腔體、載片結構、傳輸結構、用于完成濺射的濺射裝置、真空系統(tǒng)和氣氛控制系統(tǒng),其特征在于,所述載片結構包括相對設置的第一承載板和第二承載板,所述第一承載板和所述第二承載板之間設置有磁屏蔽板,所述載片結構裝設于傳輸結構上,所述傳輸結構用于傳輸所述載片結構,所述濺射裝置包括第一濺射裝置和第二濺射裝置,第一濺射裝置設置于成膜腔體的第一內壁上,所述第二濺射裝置設置于與第一內壁相對的第二內壁上,所述第一濺射裝置與第一承載板相對,所述第二濺射裝置與第二承載板相對。
2.如權利要求I所述的濺射設備,其特征在于,所述第一承載板和第二承載板之間設置有加熱裝置,用于給設置在承載板上的基板加熱。
3.如權利要求I所述的濺射設備,其特征在于,所述載片結構的第一承載板和第二承載板上側設置有連接處,所述連接處與所述第一承載板和第二承載板圍設形成凹槽結構。
4.如權利要求I所述的濺射設備,其特征在于,還包括第一過渡腔體、第二過渡腔體、裝載腔體和卸載腔體,所述裝載腔體用于基板裝載于所述載片結構上,所述卸載腔體用于卸載所述載片機構上的基板,所述濺射設備各腔體的連接順序為裝載腔體、第一過渡腔體、成膜腔體、第二過渡腔體和卸載腔體。
5.如權利要求I所述的濺射設備,其特征在于,還包括第一過渡腔體、第二過渡腔體、第三過渡腔體、二次成膜腔體、裝載腔體和卸載腔體,所述二次成膜腔體兩側的內壁上分別設置有第三濺射裝置和第四濺射裝置,用于對所述基板實現(xiàn)二次濺射鍍膜,所述裝載腔體用于基板裝載于所述載片結構上,所述卸載腔體用于卸載所述載片機構上的基板,所述濺射設備各腔體的連接順序為裝載腔體、第一過渡腔體、成膜腔體、第二過渡腔體、二次成膜腔體、第三過渡腔體和卸載腔體。
6.如權利要求I所述的濺射設備,其特征在于,還包括裝載腔體、第一過渡腔體、成膜腔體、第二過渡腔體、回轉腔體、第三過渡腔體、二次成膜腔體、第四過渡腔體和卸載腔體,所述二次成膜腔體兩側的內壁上分別設置有第三濺射裝置和第四濺射裝置,用于對所述基板實現(xiàn)二次濺射鍍膜,所述濺射設備各腔體的連接順序依次為裝載腔體、第一過渡腔體、第一成膜腔體、第二過渡腔體、回轉腔體、第三過渡腔體、第二成膜腔體、第四過渡腔體和卸載腔體。
專利摘要本實用新型提供一種濺射設備,包括成膜腔體、載片結構、傳輸結構以及用于完成濺射的濺射裝置,所述載片結構包括相對設置的第一承載板和第二承載板,所述第一承載板和所述第二承載板之間設置有磁屏蔽板;所述載片結構裝設于傳輸結構上,所述傳輸結構用于傳輸所述載片結構;所述濺射裝置包括第一濺射裝置和第二濺射裝置,第一濺射裝置設置于成膜腔體的第一內壁上,所述第二濺射裝置設置于與第一內壁相對的第二內壁上。本實用新型提供的濺射設備,可以一次傳輸兩片基板進行濺射鍍膜,由此提高了濺射鍍膜產線的生產效率,降低了耗能。
文檔編號C23C14/35GK202482422SQ20122007433
公開日2012年10月10日 申請日期2012年3月1日 優(yōu)先權日2012年3月1日
發(fā)明者魏崇喜, 黃常剛 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 北京京東方顯示技術有限公司
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