專利名稱：一種晶體加工平磨料臺(tái)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬于晶體加工技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及晶體平面磨裝置。
背景技術(shù)：
晶體平面磨時(shí)，易出現(xiàn)崩邊、裂紋等多種問(wèn)題，現(xiàn)有技術(shù)的平面磨只能夠一次磨一錠晶體，且加工粗糙，工作效率和質(zhì)量都很難提高。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題是克服現(xiàn)有平磨效率低、質(zhì)量差的缺陷，提供了一種簡(jiǎn)單、使用方便的平磨料臺(tái)。為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型提供了如下的技術(shù)方案一種晶體加工平磨料臺(tái)，在所述平磨料臺(tái)上設(shè)有多個(gè)圓柱形的、與晶體大小基本匹配的凹槽，所述凹槽的側(cè)壁和/或底部上設(shè)有緩沖層，側(cè)壁上設(shè)頂緊裝置。進(jìn)ー步地，所述緩沖層為橡膠墊，所述頂緊裝置為頂緊螺絲。晶體平磨是加工晶體時(shí)最重要的一歩，在平磨晶體開始時(shí)，首先將此平磨料臺(tái)平放到固定面上，晶體放置在料臺(tái)上的凹槽內(nèi)，根據(jù)晶體直徑大小調(diào)節(jié)頂緊料臺(tái)的頂緊裝置至夾緊晶體，即可進(jìn)行平磨加工。凹槽的側(cè)壁和底部上設(shè)有緩沖層可以起到減震效果，側(cè)壁的緩沖層還可以防止頂緊裝置劃損晶體，從而減少晶體破裂的可能。通過(guò)此料臺(tái)的加工，可以得到平整、完整的單晶，晶體的角度可以是0°到8°。

附圖用來(lái)提供對(duì)本實(shí)用新型的進(jìn)ー步理解，并且構(gòu)成說(shuō)明書的一部分，與本實(shí)用新型的實(shí)施例一起用于解釋本實(shí)用新型，并不構(gòu)成對(duì)本實(shí)用新型的限制。在附圖中圖I是本實(shí)用新型平磨料臺(tái)的主視圖；圖2是圖I的料臺(tái)的俯視圖；圖3是圖I的料臺(tái)的左視圖；圖4是圖I的凹槽的剖面圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明，應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的優(yōu)選實(shí)施例僅用于說(shuō)明和解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。如圖1-4所示，一種晶體加工平磨料臺(tái)，在所述平磨料臺(tái)I上設(shè)有多個(gè)圓柱形、與晶體大小匹配的凹槽2，所述凹槽的側(cè)壁和底部上設(shè)有緩沖層橡膠墊(圖未示)和頂緊螺絲3。實(shí)施例I :所述凹槽為3個(gè)，將相應(yīng)大小的、未加工的碳化硅晶體放到本實(shí)用新型的凹槽內(nèi)，根據(jù)晶體大小調(diào)整緩沖層和頂緊螺絲，直至晶體平整和牢固，然后上平面磨床待磨，待加工完畢后，便會(huì)得到三塊平整度極好的完整晶體。實(shí)施例2:所述凹槽為3個(gè)，將相應(yīng)大小的、未加工的藍(lán)寶石晶體放到本實(shí)用新型的凹槽內(nèi)，根據(jù)晶體大小調(diào)整緩沖層和頂緊螺絲，直至晶體平整和牢固，然后上平面磨床待磨，待加工完畢后，便會(huì)得到三塊平整度極好的完整晶體。 最后應(yīng)說(shuō)明的是以上所述僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本實(shí)用新型，盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換。凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種晶體加工平磨料臺(tái)，其特征在于在所述平磨料臺(tái)上設(shè)有多個(gè)圓柱形的、與晶體大小基本匹配的凹槽，所述凹槽的側(cè)壁和/或底部上設(shè)有緩沖層，側(cè)壁上設(shè)頂緊裝置。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的晶體加工平磨料臺(tái)，其特征在于所述緩沖層為橡膠墊。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的晶體加工平磨料臺(tái)，其特征在于所述頂緊裝置為頂緊螺絲。
4.根據(jù)權(quán)利要求I或2或3所述的晶體加工平磨料臺(tái)，其特征在于所述晶體為碳化硅、藍(lán)寶石、磷化銦或氮化鎵。
專利摘要一種晶體加工平磨料臺(tái)，屬于晶體加工技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及晶體平面磨裝置。在所述平磨料臺(tái)上設(shè)有多個(gè)圓柱形的、與晶體大小基本匹配的凹槽，所述凹槽的側(cè)壁和/或底部上設(shè)有緩沖層，側(cè)壁上設(shè)頂緊裝置。在平磨晶體開始時(shí)，首先將此平磨料臺(tái)平放到固定面上，晶體放置在料臺(tái)上的凹槽內(nèi)，再調(diào)節(jié)緩沖層和頂緊裝置至晶體牢固，即可進(jìn)行平磨加工。通過(guò)此料臺(tái)的加工，可以得到平整、完整的單晶。
文檔編號(hào)B24B7/22GK202528055SQ20122013480
公開日2012年11月14日 申請(qǐng)日期2012年4月1日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月1日
發(fā)明者倪代秦, 吳星, 張世杰, 李旭明, 李闖, 賈海濤, 高鵬成 申請(qǐng)人:北京華進(jìn)創(chuàng)威電子有限公司