專(zhuān)利名稱(chēng)：鍍膜靜電消除裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬于鍍膜技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種鍍膜靜電消除裝置。
背景技術(shù)：
鍍鋁產(chǎn)品膜上均附帶靜電離子，因原材料、涂層及環(huán)境溫度、濕度等因素影響，鍍鋁時(shí)產(chǎn)生放靜電火光使產(chǎn)品變形、膜鄒及黑線(xiàn)條等現(xiàn)象，且在BOPP轉(zhuǎn)移膜等非極性塑料薄膜上鍍鋁時(shí)會(huì)產(chǎn)生靜電樹(shù)紋，常用解決方法是增加一道電暈機(jī)處理，而增加電暈機(jī)后會(huì)使膜變形，速度只能達(dá)到60M/MIN，造成產(chǎn)品合格率與效率低下。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題便是針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種鍍膜靜電消除裝置，可有效解決鍍鋁產(chǎn)品變形、膜鄒及黑線(xiàn)條等現(xiàn)象，提高產(chǎn)品合格率及生產(chǎn)效率。本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案是一種鍍膜靜電消除裝置，包括真空鍍膜室，所述真空鍍膜室內(nèi)設(shè)有放卷氣漲軸、導(dǎo)輥和鍍膜輥，所述放卷氣漲軸上有原膜，所述原膜穿過(guò)導(dǎo)輥進(jìn)入鍍膜輥后收卷，所述真空鍍膜室內(nèi)安裝有陽(yáng)極膜線(xiàn)性離子源，該陽(yáng)極膜線(xiàn)性離子源的正面發(fā)射溝道朝向所述原膜所在平面，所述陽(yáng)極膜線(xiàn)性離子源連接高純氬氣瓶。作為優(yōu)選，所述陽(yáng)極膜線(xiàn)性離子源為⑶NY-YJM1000。作為優(yōu)選，所述陽(yáng)極膜線(xiàn)性離子源的正面發(fā)射溝道上安裝擋板。作為優(yōu)選，所述陽(yáng)極膜線(xiàn)性離子源安裝在放卷氣漲軸與第一根導(dǎo)輥之間的原膜下方平行間距彡200mm以上。作為優(yōu)選，所述陽(yáng)極膜線(xiàn)性離子源的陰陽(yáng)電極連接至離子源控制柜。作為優(yōu)選，所述離子源控制柜上設(shè)有質(zhì)量流量計(jì)。作為優(yōu)選，所述質(zhì)量流量計(jì)為日本山武質(zhì)量流量計(jì)MPC9200BBRSW10000。作為優(yōu)選，所述陽(yáng)極膜線(xiàn)性離子源上連接冷卻水源。作為優(yōu)選，所述陽(yáng)極膜線(xiàn)性離子源與所述高純氬氣瓶之間安裝減壓閥。本實(shí)用新型的有益效果在于本實(shí)用新型通過(guò)陽(yáng)極膜線(xiàn)性離子源解決了鍍鋁產(chǎn)品變形、膜鄒及黑線(xiàn)條等現(xiàn)象，使復(fù)合膜合格率83%提高到94%以上，并且解決了 BOPP轉(zhuǎn)移膜的靜電樹(shù)紋，無(wú)需增加電暈機(jī)處理，避免膜變形，可有效去除膜表面的有機(jī)污染物及氧化層，直接聯(lián)機(jī)處理速度可達(dá)到350M/MIN以上，提高生產(chǎn)效率及產(chǎn)品質(zhì)量合格率。

圖I為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實(shí)用新型側(cè)視圖。圖中1、真空鍍膜室；2、放卷氣漲軸；3、導(dǎo)輥；4、原膜；5、高純氬氣瓶；6、離子源控制柜；7、冷卻水源；8、質(zhì)量流量計(jì)；9、陽(yáng)極膜線(xiàn)性離子源；10、擋板；11、鍍膜輥。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合附圖及具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。實(shí)施例一如圖I和圖2所示，一種鍍膜靜電消除裝置，包括真空鍍膜室1，所述真空鍍膜室I內(nèi)設(shè)有放卷氣漲軸2、導(dǎo)輥3和鍍膜輥11，所述放卷氣漲軸2有原膜4，所述原膜4先經(jīng)過(guò)陽(yáng)極膜線(xiàn)性離子源9處理后穿入導(dǎo)輥3進(jìn)入鍍膜輥11再到收卷，所述真空鍍膜室I內(nèi)安裝有陽(yáng)極膜線(xiàn)性離子源9，該陽(yáng)極膜線(xiàn)性離子源9的正面發(fā)射溝道朝向所述原膜4所在平面，如圖2所示，所述陽(yáng)極膜線(xiàn)性離子源9安裝在放卷氣漲軸2與第一根導(dǎo)輥3之間的原膜4下方平行彡200mm位置，本實(shí)施例的陽(yáng)極膜線(xiàn)性離子源9為⑶NY-YJM1000離子源。所述陽(yáng)極膜線(xiàn)性離子源9連接高純氬氣瓶5，以接入高純氬氣，所述陽(yáng)極膜線(xiàn)性離子源9與所述高純氬氣瓶5之間安裝減壓閥，將壓力控制在2. OMpa0所述陽(yáng)極膜線(xiàn)性離子源9的陰陽(yáng)電極連接至離子源控制柜6，本實(shí)施例采用CDNY-DCM05控制柜，所述離子源控制柜6上設(shè)有質(zhì)量流量計(jì)8，本實(shí)施例采用日本山武質(zhì)量流量計(jì)MPC9200BBRSW10000，用于控制離子能量大小及真空度(下室為8. 0*10-2Pa，上室為5. 0*10_lPa)。所述陽(yáng)極膜線(xiàn)性離子·源9上連接冷卻水源7，通18-28°C冷卻水散熱離子源磁場(chǎng)熱能，控制頻率、占空比、電流、電壓及流量大小。所述陽(yáng)極膜線(xiàn)性離子源9的陰陽(yáng)電極線(xiàn)與高純氬氣瓶5和冷卻水源7的連接線(xiàn)均由f 48_高真空波紋管導(dǎo)出真空鍍膜室1，為避免漏真空，所述高真空波紋管通過(guò)法蘭與密封墊圈與所述真空鍍膜室I相連。所述陽(yáng)極膜線(xiàn)性離子源9正面發(fā)射溝道上安裝有擋板10，所述擋板10通過(guò)不銹鋼支架連接。本實(shí)用新型的原理如下陽(yáng)極膜離子源是一種具有閉合電子遷移和發(fā)射溝道的冷陰極離子源，其主要組成部分包括磁路、陰極、陽(yáng)極、布?xì)鈾C(jī)構(gòu)和驅(qū)動(dòng)電源等部分。其中離子發(fā)射溝道和陽(yáng)極被磁路所包圍。放電溝道內(nèi)具有很強(qiáng)的磁場(chǎng)，將電子約束在其中，在正的電子與氣體發(fā)生碰撞時(shí)，氣體電離為離子和電子。當(dāng)直流正電位施加在陽(yáng)極上時(shí)，陽(yáng)極表面形成電場(chǎng)，在此電場(chǎng)作用下，離子被加速發(fā)射出放電溝道形成離子束，離子束對(duì)基材進(jìn)行轟擊清洗、消除正負(fù)靜電離子等。其具體操作如下I、打開(kāi)冷卻循環(huán)水，水溫度控制在18_28°C之間；2、將真空鍍膜室抽至本地壓強(qiáng)，下室8. 0*10_2Pa，5. 0*10_lPa ；3、旋開(kāi)聞純1 氣瓶開(kāi)關(guān),調(diào)壓閥調(diào)至O. 2kg ；4、打開(kāi)離子源電源上電空氣開(kāi)關(guān)；5、設(shè)置氬氣流量計(jì)參數(shù)，使真空鍍膜室達(dá)到預(yù)定真空度；6、鍍鋁蒸發(fā)舟調(diào)整好后，啟動(dòng)卷繞使膜慢慢走，防止電弧起輝時(shí)把膜燙斷，再啟動(dòng)離子源控制電源；7、將電流調(diào)節(jié)旋鈕逐漸增加放電電流，離子源將起輝，把工作電流設(shè)定至所需數(shù)值(0-10A)；8、當(dāng)鍍鋁到要停機(jī)關(guān)閉蒸發(fā)擋板時(shí)，先停止離子源工作，再關(guān)閉氬氣流量計(jì)；9、真空鍍膜室放氣打開(kāi)清理時(shí)，把離子源保護(hù)罩蓋好，避免鋁灰飛到離子發(fā)射溝道和陽(yáng)極磁場(chǎng)；使用前先清理檢查無(wú)灰塵后再用；10、調(diào)整狀態(tài)離子源有兩種放電模式，第一種為聚焦放電模式，其特點(diǎn)為放電時(shí)出現(xiàn)明細(xì)的離子束，此時(shí)放電電壓高，放電電流??；第二種為散焦放電模式，其特點(diǎn)為放電時(shí)等離子體發(fā)散至很大空間，未出現(xiàn)明細(xì)的離子束；11、電源控制模式恒流控制模式，即放電電流恒定，放電電壓隨其他參數(shù)變化而變化；12、占空比調(diào)整主要目的是調(diào)整離子源的工作狀態(tài)，抑制離子源光放電對(duì)薄膜或基體的損傷；占空比增加，在相同條件下離子源達(dá)到的最大放電電流增加，弧光放電抑制作用減小；反之，最大放電電流減小，弧光放電抑制作用增加；13、頻率調(diào)整范圍20-30KHZ。 本實(shí)用新型使用前先測(cè)試產(chǎn)品膜上靜電離子正負(fù)大小，再調(diào)整離子源輸出正負(fù)離子大小，達(dá)到中和消除作用，又能起到去除基片表面的有機(jī)污染物和氧化層，增加附著力作用，通過(guò)陽(yáng)極膜線(xiàn)性離子源解決了鍍鋁產(chǎn)品變形、膜鄒及黑線(xiàn)條等現(xiàn)象，使復(fù)合膜合格率83%提高到94%以上，并且解決了 BOPP轉(zhuǎn)移膜的靜電樹(shù)紋，無(wú)需增加電暈機(jī)處理，避免膜變形，可有效去除膜表面的有機(jī)污染物及氧化層，直接聯(lián)機(jī)處理速度可達(dá)到350M/MIN，提高生產(chǎn)效率及產(chǎn)品質(zhì)量合格率。以上所述，僅為本實(shí)用新型較佳實(shí)施例而已，故不能以此限定本實(shí)用新型實(shí)施的范圍，即依本實(shí)用新型申請(qǐng)專(zhuān)利范圍及說(shuō)明書(shū)內(nèi)容所作的等效變化與修飾，皆應(yīng)仍屬本實(shí)用新型專(zhuān)利涵蓋的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種鍍膜靜電消除裝置，包括真空鍍膜室，所述真空鍍膜室內(nèi)設(shè)有放卷氣漲軸、導(dǎo)輥和鍍膜輥，所述放卷氣漲軸上有原膜，所述原膜穿過(guò)導(dǎo)輥進(jìn)入鍍膜輥后收卷，其特征在于所述真空鍍膜室內(nèi)安裝有陽(yáng)極膜線(xiàn)性離子源，該陽(yáng)極膜線(xiàn)性離子源的正面發(fā)射溝道朝向所述原膜所在平面，所述陽(yáng)極膜線(xiàn)性離子源連接高純氬氣瓶。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的鍍膜靜電消除裝置，其特征在于所述陽(yáng)極膜線(xiàn)性離子源為CDNY-YJMlOOO。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的鍍膜靜電消除裝置，其特征在于所述陽(yáng)極膜線(xiàn)性離子源的正面發(fā)射溝道上安裝擋板。
4.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的鍍膜靜電消除裝置，其特征在于所述陽(yáng)極膜線(xiàn)性離子源安裝在放卷氣漲軸與第一根導(dǎo)輥之間的原膜下方平行間距> 200mm以上。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的鍍膜靜電消除裝置，其特征在于所述陽(yáng)極膜線(xiàn)性離子源的·陰陽(yáng)電極連接至離子源控制柜。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的鍍膜靜電消除裝置，其特征在于所述離子源控制柜上設(shè)有質(zhì)量流量計(jì)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的鍍膜靜電消除裝置，其特征在于所述質(zhì)量流量計(jì)為日本山武質(zhì)量流量計(jì)MPC9200BBRSW10000。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的鍍膜靜電消除裝置，其特征在于所述陽(yáng)極膜線(xiàn)性離子源上連接冷卻水源。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的鍍膜靜電消除裝置，其特征在于所述陽(yáng)極膜線(xiàn)性離子源與所述高純氬氣瓶之間安裝減壓閥。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)一種鍍膜靜電消除裝置，包括真空鍍膜室，所述真空鍍膜室內(nèi)設(shè)有放卷氣漲軸、導(dǎo)輥和鍍膜輥，所述放卷氣漲軸上有原膜，所述原膜先經(jīng)過(guò)離子源處理后穿過(guò)導(dǎo)輥進(jìn)入鍍膜輥再到收卷，所述真空鍍膜室內(nèi)安裝有陽(yáng)極膜線(xiàn)性離子源，該陽(yáng)極膜線(xiàn)性離子源的正面發(fā)射溝道朝向所述原膜所在平面，所述陽(yáng)極膜線(xiàn)性離子源連接高純氬氣瓶。本實(shí)用新型通過(guò)陽(yáng)極膜線(xiàn)性離子源解決了鍍鋁產(chǎn)品變形、膜鄒及黑線(xiàn)條等現(xiàn)象，并且解決了BOPP轉(zhuǎn)移膜的靜電樹(shù)紋，無(wú)需增加電暈機(jī)處理，避免膜變形，可有效去除膜表面的有機(jī)污染物及氧化層，直接聯(lián)機(jī)處理速度可達(dá)到350M/MIN以上，提高生產(chǎn)效率及產(chǎn)品質(zhì)量合格率。
文檔編號(hào)C23C14/00GK202705450SQ20122019039
公開(kāi)日2013年1月30日 申請(qǐng)日期2012年5月2日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月2日
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