專(zhuān)利名稱(chēng)：一種適用于被動(dòng)元件的雙面覆膜設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
—種適用于被動(dòng)元件的雙面覆膜設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域[0001]本實(shí)用新型涉及雙面覆膜技術(shù)領(lǐng)域，尤其是有關(guān)于一種適用于被動(dòng)元件的雙面覆膜設(shè)備。
背景技術(shù)：
[0002]現(xiàn)有的被動(dòng)元件雙面電極層成膜設(shè)備是由網(wǎng)版印刷銀漿于被動(dòng)元件本體的表面上，之后進(jìn)行150至200攝氏度的預(yù)烤，另一面電極層亦使用相同制程，再以高溫爐加熱約 800至900攝氏度的高溫?zé)Y(jié)此被動(dòng)元件以確保銀漿附著。然而，前述設(shè)備使用網(wǎng)版雙面印刷制程需耗時(shí)接近一小時(shí)，相對(duì)于使用雙面沉積方法而言不僅耗時(shí)費(fèi)工成本極高之外，對(duì)于高溫制程所造成的環(huán)保問(wèn)題也是一大詬病。即現(xiàn)有的網(wǎng)版雙面印刷制程需高溫加熱達(dá)數(shù)十分鐘，不但耗費(fèi)能源且造成環(huán)境溫度升高。發(fā)明內(nèi)容[0003]有鑒于習(xí)知技術(shù)的各項(xiàng)問(wèn)題，本實(shí)用新型基于多年研究開(kāi)發(fā)與諸多實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn)，提出一種適用于被動(dòng)元件的雙面覆膜設(shè)備，以作為改善上述缺點(diǎn)的實(shí)現(xiàn)方式與依據(jù)。[0004]依據(jù)本實(shí)用新型的上述目的，提供一種適用于被動(dòng)元件之雙面覆膜設(shè)備，包括一載入腔體；[0006]一等離子清潔腔體，該載入腔體以及該等離子清潔腔體之間具有一第一閘門(mén)；[0007]—第一低壓腔體，該等離子清潔腔體以及該第一低壓腔體之間具有一第二閘門(mén)；[0008]一包括至少一個(gè)空間的制程腔體，該第一低壓腔體以及該制程腔體之間具有第三閘門(mén)，當(dāng)制程腔體包括若干個(gè)空間時(shí)，各該空間分別為第一沉積空間以及第二沉積空間，該第一沉積空間以及該第二沉積空間彼此連通，該第一沉積空間以及該第二沉積空間分別具有至少一靶材，該第一沉積空間以及該第二沉積空間選擇性地包括若干個(gè)子副腔體；[0009]一第二低壓腔體，該制程腔體以及該第二低壓腔體之間具有一第四閘門(mén)；[0010]一載出腔體，該第二低壓腔體以及該載出腔體之間具有一第五閘門(mén)；以及，[0011]一輸送系統(tǒng)，該輸送系統(tǒng)位于該載入腔體、該等離子清潔腔體、該第一低壓腔體、 該制程腔體、該第二低壓腔體以及該載出腔體的內(nèi)部，該輸送系統(tǒng)輸送至少一待鍍物，使得該待鍍物依序通過(guò)該載入腔體、該等離子清潔腔體、該第一低壓腔體、該制程腔體、該第二低壓腔體以及該載出腔體，該待鍍物被傳輸而進(jìn)入該制程腔體后，該待鍍物依序通過(guò)該第一沉積空間以及該第二沉積空間，爾后再進(jìn)入該第二低壓腔體，當(dāng)該待鍍物于該第一沉積空間時(shí)，該待鍍物的一單一表面或若干個(gè)表面被進(jìn)行一沉積制程，當(dāng)該待鍍物于該第二沉積空間時(shí)，該待鍍物之另一單一表面或若干個(gè)表面被進(jìn)行另一沉積制程，該另一單一表面與該單一表面彼此背對(duì)背對(duì)應(yīng)。[0012]其中，各該空間分別為一第一緩沖空間、該第一沉積空間、該第二沉積空間以及一第二緩沖空間，該第一緩沖空間、該第一沉積空間、該第二沉積空間以及該第二緩沖空間彼此連通，該待鍍物被傳輸而進(jìn)入該制程腔體后，該待鍍物依序通過(guò)該第一緩沖空間、該第一沉積空間、該第二沉積空間以及該第二緩沖空間，爾后再進(jìn)入該第二低壓腔體，當(dāng)該待鍍物于該第一緩沖空間或該第二緩沖空間時(shí)，該待鍍物被進(jìn)行一第一緩沖動(dòng)作，第一沉積空間及第二沉積空間為輝光放電沉積腔體、蒸鍍腔體、離子鍍腔體、電弧鍍腔體或化學(xué)氣相沈積腔體，第一低壓腔體及第二低壓腔體之壓力系介于10-2托(torr)至10_6托(torr)之間， 沉積制程為輝光放電沉積制程、蒸鍍制程、離子鍍制程、電弧鍍制程或化學(xué)氣相沈積制程。[0013]其中，該第一沉積空間具有若干個(gè)靶材時(shí)，該第一沉積空間的各該靶材的材料選擇性地彼此相同或相異，該第二沉積空間具有若干個(gè)靶材時(shí)，該第二沉積空間之各該靶材之材料選擇性地彼此相同或相異。[0014]其中，該第一沉積空間具有一第一靶材以及一第二靶材，該第一靶材以及該第二靶材之間具有一隔絕物，以防止進(jìn)行該沉積制程時(shí)，該第一靶材以及該第二靶材彼此產(chǎn)生材料干擾，該第二沉積空間具有一第三靶材以及一第四靶材，該第三靶材以及該第四靶材之間具有另一隔絕物，以防止進(jìn)行該另一沉積制程時(shí)，該第三靶材以及該第四靶材彼此產(chǎn)生材料干擾。[0015]其中，該第一靶材以及該第二靶材彼此的擺設(shè)方向呈現(xiàn)相同的樣態(tài)，該第三靶材以及該第四靶材彼此的擺設(shè)方向呈現(xiàn)相同的樣態(tài)，而該第一沉積空間的該第一靶材以及該第二靶材，其與該第二沉積空間的第三靶材以及該第四靶材彼此的擺設(shè)方向呈現(xiàn)相反的樣態(tài)。[0016]其中，該第一靶材的材料為鎳合金，該第二靶材的材料為銅或銅合金，該第三靶材的材料為鎳合金，該第四靶材的材料為銅或銅合金。[0017]其中，該載入腔體及該等離子清潔腔體結(jié)合為一具有等離子清潔功能之載入腔體，且該制程腔體之該第一沉積空間以及該第二沉積空間之間更具有一第三緩沖空間，該第三緩沖空間、該第一沉積空間以及該第二沉積空間彼此連通，當(dāng)該待鍍物于該第三緩沖空間時(shí)， 該待鍍物被進(jìn)行一第二緩沖動(dòng)作。[0018]其中，該第一沉積空間具有至少一第五靶材，當(dāng)該第一沉積空間具有若干個(gè)第五靶材時(shí)，其中一部分第五靶材與其余另一部分的第五靶材的擺設(shè)方向呈現(xiàn)相反的樣態(tài)，該第二沉積空間具有至少一第六靶材，當(dāng)該第二沉積空間具有若干個(gè)第六靶材時(shí)，其中一部分第六靶材與其余另一部分的第六靶材之?dāng)[設(shè)方向呈現(xiàn)相反的樣態(tài)。[0019]其中，該第一沉積空間之該第五靶材，其與該第二沉積空間的第六靶材彼此的擺設(shè)方向呈現(xiàn)相同或相反的樣態(tài)。[0020]其中，該第五靶材的材料為鎳合金，該第六靶材的材料為銅或銅合金。[0021]依據(jù)本實(shí)用新型的整體設(shè)計(jì)，待鍍物于制程腔體內(nèi)即可完成被動(dòng)元件的雙面覆膜之制程。因此本實(shí)用新型無(wú)需反復(fù)地進(jìn)行破真空動(dòng)作、抽真空動(dòng)作或加熱動(dòng)作，進(jìn)一步精簡(jiǎn)了被動(dòng)元件的雙面覆膜之制程周期，進(jìn)而降低了制程的復(fù)雜度以及成本。另外，待鍍物是于制程腔體內(nèi)完成被動(dòng)元件的雙面覆膜的制程，即進(jìn)行被動(dòng)元件的雙面覆膜的制程時(shí)，可維持制程腔體內(nèi)低壓的一致性，待鍍物的雙面覆膜層不易產(chǎn)生彼此的膜特征相異情形。此外， 待鍍物可于第一緩沖空間、第二緩沖空間或第三緩沖空間內(nèi)，被進(jìn)行緩沖動(dòng)作，可進(jìn)一步增加進(jìn)行雙面覆膜制程時(shí)的流暢度。


[0022]圖I為本實(shí)用新型第一較佳實(shí)施例的方塊示意圖。[0023]圖2k 2C為本實(shí)用新型第一較佳實(shí)施例的運(yùn)作步驟示意圖。[0024]圖3為本實(shí)用新型第一較佳實(shí)施例的實(shí)施樣態(tài)示意圖。[0025]圖4為本實(shí)用新型第二較佳實(shí)施例的方塊示意圖。[0026]圖5為本實(shí)用新型第二較佳實(shí)施例的實(shí)施樣態(tài)示意圖。[0027]圖中1 :載入腔體、2 :等離子清潔腔體、3 :第一低壓腔體、4 :制程腔體、41 :第一緩沖空間、42 :第一沉積空間、421 :第一靶材、422 :第二靶材、423 :第五靶材、43 :第二沉積空間、431 :第三靶材、432 :第四靶材、433 :第六靶材、44 :第二緩沖空間、45 :第三緩沖空間、 5 :第二低壓腔體、6 :載出腔體、7 :輸送系統(tǒng)、8 :具有等離子清潔功能之載入腔體、A :待鍍物、B :靶材、C :閘門(mén)、D :隔絕物、100 101步驟、200 201步驟、300 301步驟、400 401步驟、 500步驟、600步驟、700步驟、800 801步驟、900 901步驟。
具體實(shí)施方式
[0028]以下將參照相關(guān)附圖，說(shuō)明本實(shí)用新型適用于被動(dòng)元件的雙面覆膜設(shè)備，為使便于理解，下述實(shí)施例中相同組件以相同的符號(hào)標(biāo)示來(lái)說(shuō)明。[0029]首先，請(qǐng)參閱圖I所示，其為繪示第一較佳實(shí)施例的方塊示意圖。本實(shí)施例的適用于被動(dòng)元件的雙面覆膜設(shè)備包括載入腔體I、等離子清潔腔體2、第一低壓腔體3、制程腔體4、第二低壓腔體5、載出腔體6以及輸送系統(tǒng)7。載入腔體I以及等離子清潔腔體2之間具有閘門(mén)。等離子清潔 腔體2以及第一低壓腔體3之間具有閘門(mén)。第一低壓腔體3以及制程腔體4之間具有閘門(mén)。制程腔體4以及第二低壓腔體5之間具有閘門(mén)。第二低壓腔體5以及載出腔體6之間具有閘門(mén)。輸送系統(tǒng)7位于載入腔體I、等離子清潔腔體2、第一低壓腔體3、制程腔體4、第二低壓腔體5以及載出腔體6之內(nèi)部。輸送系統(tǒng)7可輸送待鍍物A(請(qǐng)先一并參閱圖3中所示)，使得待鍍物A依序通過(guò)載入腔體I、等離子清潔腔體2、第一低壓腔體3、制程腔體4、第二低壓腔體5以及載出腔體6。前述第一低壓腔體3及第二低壓腔體 5之壓力系介于10-2托(torr)至10-6托(torr)之間。[0030]制程腔體4包括至少一個(gè)空間。當(dāng)制程腔體包括若干個(gè)空間時(shí)，各該空間分別為第一緩沖空間41、第一沉積空間42、第二沉積空間43以及第二緩沖空間44。第一沉積空間42以及該第二沉積空間43選擇性地包括若干個(gè)子副腔體。前述第一緩沖空間41、第一沉積空間42、第二沉積空間43以及第二緩沖空間44彼此連通。待鍍物A被傳輸而進(jìn)入制程腔體4后，待鍍物A依序通過(guò)第一緩沖空間41、第一沉積空間42、第二沉積空間43以及第二緩沖空間44，爾后再進(jìn)入第二低壓腔體5。第一沉積空間42具有單個(gè)或若干個(gè)靶材B (請(qǐng)先一并參閱圖3中所示)，當(dāng)?shù)谝怀练e空間42具有之靶材B為若干個(gè)時(shí)，各該靶材B之材料選擇性地彼此相同或相異。同樣地，第二沉積空間43具有單個(gè)或若干個(gè)靶材B，當(dāng)?shù)诙练e空間43具有之靶材B為若干個(gè)時(shí)，各該靶材之材料選擇性地彼此相同或相異。前述第一沉積空間42及第二沉積空間43例如為輝光放電沉積腔體、蒸鍍腔體、離子鍍腔體、電弧鍍腔體或化學(xué)氣相沈積腔體。[0031]請(qǐng)?jiān)僖徊㈤唸D2A 2C所示,本實(shí)施例的運(yùn)作步驟如后所述[0032]步驟100 :首先，送入待鍍物于載入腔體內(nèi)，并使得待鍍物位于輸送系統(tǒng)上。[0033]步驟101 :接著，進(jìn)行初步抽真空動(dòng)作于載入腔體。[0034]步驟200 :接著，打開(kāi)載入腔體以及等離子清潔腔體之間的閘門(mén)，以使輸送系統(tǒng)輸送待鍍物至等離子清潔腔體。[0035]步驟201 :接著，關(guān)閉載入腔體以及等離子清潔腔體之間的閘門(mén)，再進(jìn)行等離子清潔動(dòng)作于待鍍物的表面。[0036]步驟300 :接著，打開(kāi)等離子清潔腔體以及第一低壓腔體之間的閘門(mén)，以使輸送系統(tǒng)輸送待鍍物至第一低壓腔體。[0037]步驟301 :接著，關(guān)閉等離子清潔腔體以及第一低壓腔體之間的閘門(mén)，再進(jìn)行抽高真空動(dòng)作以及加熱動(dòng)作于第一低壓腔體。[0038]步驟400 :接著，打開(kāi)第一低壓腔體以及制程腔體之間的閘門(mén)，以使輸送系統(tǒng)輸送待鍍物至制程腔體內(nèi)的第一緩沖空間。[0039]步驟401 :接著，關(guān)閉第一低壓腔體以及制程腔體之間的閘門(mén)，并進(jìn)行緩沖動(dòng)作于待鍍物。前述緩沖動(dòng)作例如為于原處等待或者調(diào)整輸送系統(tǒng)的傳輸速度。[0040]步驟500 :接著，使輸送系統(tǒng)輸送待鍍物至制程腔體內(nèi)的第一沉積空間，再進(jìn)行沉積制程于待鍍物的單一表面或若干個(gè)表面。[0041]前述沉積制程例如為輝光放電沉積制程、蒸鍍制程、離子鍍制程、電弧鍍制程或化學(xué)氣相沈積制程。[0042]步驟600 :接著，使輸送系統(tǒng)輸送待鍍物至制程腔體內(nèi)的第二沉積空間，再進(jìn)行沉積制程于待鍍物的另一單一表面或若干個(gè)表面。該另一表面與步驟400中該表面彼此背對(duì)背對(duì)應(yīng)。[0043]前述沉積制程例如為輝光放電沉積制程、蒸鍍制程、離子鍍制程、電弧鍍制程或化學(xué)氣相沈積制程。[0044]步驟700 :接著，使輸送系統(tǒng)輸送待鍍物至制程腔體內(nèi)的第二緩沖空間，并進(jìn)行緩沖動(dòng)作于已被覆膜的待鍍物。前述緩沖動(dòng)作例如為于原處等待或者調(diào)整輸送系統(tǒng)的傳輸速度。[0045]步驟800 :接著，打開(kāi)制程腔體以及第二低壓腔體之間的閘門(mén)，以使輸送系統(tǒng)輸送已被覆膜的待鍍物至第二低 壓腔體。[0046]步驟801 :接著，關(guān)閉制程腔體以及第二低壓腔體之間的閘門(mén)。[0047]步驟900 :接著，打開(kāi)第二低壓腔體以及載出腔體之間的閘門(mén)，以使輸送系統(tǒng)輸送已被覆膜的待鍍物至載出腔體，再進(jìn)行破真空動(dòng)作于載出腔體。[0048]步驟901 :最后，取出載出腔體中已被覆膜的待鍍物。[0049]請(qǐng)?jiān)僖徊㈤唸D3所示，本實(shí)施例的實(shí)施設(shè)備包括依序設(shè)置的載入腔體I、等離子清潔腔體2、第一低壓腔體3、制程腔體4、第二低壓腔體5、載出腔體6以及輸送系統(tǒng)7。前述載入腔體I、等離子清潔腔體2、第一低壓腔體3、制程腔體4、第二低壓腔體5、載出腔體6 以及輸送系統(tǒng)7彼此之相容性一致。[0050]載入腔體I以及等離子清潔腔體2之間、等離子清潔腔體2以及第一低壓腔體3 之間、第一低壓腔體3以及制程腔體4之間、制程腔體4以及第二低壓腔體5之間、第二低壓腔體5以及載出腔體6之間皆分別具有可被開(kāi)啟之閘門(mén)C。輸送系統(tǒng)7位于載入腔體I、 等離子清潔腔體2、第一低壓腔體3、制程腔體4、第二低壓腔體5以及載出腔體6之內(nèi)底部。 制程腔體4具有彼此連通且依序設(shè)置之第一緩沖空間41、第一沉積空間42、第二沉積空間43以及第二緩沖空間44。第一沉積空間42具有第一靶材421以及第二靶材422。第一靶材421以及第二靶材422之間具有隔絕物D，以防止進(jìn)行沉積制程時(shí)，第一靶材421以及第二靶材422彼此產(chǎn)生材料干擾。第一靶材421的材料例如為鎳合金等材料。第二靶材422的材料例如為銅 (Cu)或銅合金等材料。同樣地，第二沉積空間43具有第三靶材431以及第四靶材432。第三靶材431以及第四靶材432之間具有隔絕物D，以防止進(jìn)行沉積制程時(shí)，彼此產(chǎn)生材料干擾。第三靶材431的材料例如為鎳合金等材料。第四靶材432的材料例如為銅(Cu)或銅合金等材料。該第一靶材421以及該第二靶材422彼此的擺設(shè)方向呈現(xiàn)相同的樣態(tài)，該第三靶材431以及該第四靶材432彼此的擺設(shè)方向呈現(xiàn)相同的樣態(tài)，而第一沉積空間42之第一靶材421以及第二靶材422，其與第二沉積空間43之第三靶材431以及第四靶材432 彼此的擺設(shè)方向呈現(xiàn)相反的樣態(tài)。[0052]請(qǐng)?jiān)僖徊㈤唸D4所示，其為第二較佳實(shí)施例的方塊示意圖。與第一較佳實(shí)施例之不同處在于，本實(shí)施例包括具有等離子清潔功能的載入腔體8，而具有等離子清潔功能的載入腔體8由載入腔體I以及等離子清潔腔體2結(jié)合而成。且制程腔體4的第一沉積空間 42以及第二沉積空間43之間更具有第三緩沖空間45。前述第三緩沖空間45、第一沉積空間42以及第二沉積空間43彼此連通。而第二較佳實(shí)施例的運(yùn)作步驟可由第一較佳實(shí)施例的運(yùn)作步驟輕易地推敲測(cè)得知，故于此不再贅述。[0053]請(qǐng)?jiān)僖徊㈤唸D5所示，本實(shí)施例設(shè)備包括依序設(shè)置的具有等離子清潔功能的載入腔體8、第一低壓腔體3、制程腔體4、第二低壓腔體5、載出腔體6以及輸送系統(tǒng)7。前述具有等離子清潔功能的載入腔體8、第一低壓腔體3、制程腔體4、第二低壓腔體5、載出腔體 6以及輸送系統(tǒng)7彼此的相容性一致。[0054]具有等離子清潔功能的載入腔體8以及第一低壓腔體3之間、第一低壓腔體3以及制程腔體4之間、制程腔體4以及第二低壓腔體5之間、第二低壓腔體5以及載出腔體6 之間皆分別具有可被開(kāi)啟的閘門(mén)C。輸送系統(tǒng)7位于具有等離子清潔功能的載入腔體8、第一低壓腔體3、制程腔體4、第二低壓腔體5以及載出腔體6的內(nèi)部。制程腔體4具有彼此連通且依序設(shè)置的第一緩沖空間41、第一沉積空間42、第三緩沖空間45、第二沉積空間43 以及第二緩沖空間44。第一沉積空間42具有至少一第五靶材423。第五靶材423之材料為鎳鉻合金。同樣地，第二沉積空間43具有至少一第六靶材433。第六靶材433之材料為銅或銅合金。第一沉積空間42之第五靶材423，其與第二沉積空間43的第六靶材433彼此的擺設(shè)方向呈現(xiàn)相同或相反的樣態(tài)。[0055]需特別說(shuō)明，當(dāng)該第一沉積空間43具有若干個(gè)第五靶材423時(shí)，一部分這些第五靶材423與其余另一部分第五靶材423的擺設(shè)方向呈現(xiàn)相反的樣態(tài)。當(dāng)該第二沉積空間43 具有若干個(gè)第六靶材433時(shí)，一部分這該些第六靶材433與其余另一部分第六靶材433的擺設(shè)方向呈現(xiàn)相反的樣態(tài)。[0056]需特別說(shuō)明，本實(shí)用新型適用于被動(dòng)元件的雙面覆膜設(shè)備更可搭配使用沉積冶具來(lái)裝載待鍍物A，以進(jìn)行雙面覆膜的制程。例如利用沉積冶具于制程腔體進(jìn)行待鍍物A之翻面動(dòng)作。由于沉積冶具視需求可有多種不同的設(shè)計(jì)樣態(tài)，并不為所限，且沉積冶具并非本實(shí)用新型的要點(diǎn)所在，故于此不再贅述。[0057]需特別說(shuō)明，本實(shí)用新型所述的被動(dòng)元件是指應(yīng)用于微小待鍍物的被動(dòng)元件，例如為陶瓷電容、突波吸收器、熱敏電阻等等被動(dòng)元件。由于并非本實(shí)用新型的要點(diǎn)所在，故于此不再贅述。[0058]綜上所述，本實(shí)用新型適用于被動(dòng)元件的雙面覆膜設(shè)備至少具有下述優(yōu)點(diǎn)[0059]I.精簡(jiǎn)了被動(dòng)元件的雙面覆膜之制程周期，進(jìn)而降低了制程的復(fù)雜度以及成本[0060]依據(jù)本實(shí)用新型的整體設(shè)計(jì)，待鍍物于制程腔體內(nèi)即可完成被動(dòng)元件的雙面覆膜之制程。無(wú)需于待鍍物進(jìn)行單面覆膜完畢后，先進(jìn)行破真空動(dòng)作以將待鍍物取出，將待鍍物翻面，再將待鍍物重新置入制程腔體，并重新加熱及抽真空。即本實(shí)用新型無(wú)需反復(fù)地進(jìn)行破真空動(dòng)作、抽真空動(dòng)作或加熱動(dòng)作，進(jìn)一步精簡(jiǎn)了被動(dòng)元件的雙面覆膜之制程周期，進(jìn)而降低了制程的復(fù)雜度以及成本。[0061]2.進(jìn)行被動(dòng)元件的雙面覆膜之制程時(shí)，可維持制程腔體內(nèi)低壓的一致性，待鍍物的雙面覆膜層不易產(chǎn)生彼此之膜特征相異的情形。[0062]3.可增加進(jìn)行雙面覆膜制程時(shí)的流暢度[0063 ]待鍍物可于第一緩沖空間、第二緩沖空間或第三緩沖空間內(nèi)，被進(jìn)行緩沖動(dòng)作。例如已被覆膜的待鍍物于原處等待或者調(diào)整輸送系統(tǒng)的傳輸速度。如此一來(lái)，可增加進(jìn)行雙面覆膜制程時(shí)的流暢度。[0064]4.本實(shí)用新型降低了能源損耗，節(jié)能又環(huán)保[0065]本實(shí)用新型無(wú)需高溫加熱，可降低能源損耗，節(jié)能又環(huán)保。[0066]以上所述僅為舉例性，而非為限制性者。任何未脫離本實(shí)用新型的精神與范疇，而對(duì)其進(jìn)行的等效修改或變更，均應(yīng)包含于后附的申請(qǐng)專(zhuān)利范圍中。
權(quán)利要求1.一種適用于被動(dòng)元件的雙面覆膜設(shè)備，其特征在于，包括一載入腔體；一等離子清潔腔體，該載入腔體以及該等離子清潔腔體之間具有一第一閘門(mén)；一第一低壓腔體，該等離子清潔腔體以及該第一低壓腔體之間具有一第二閘門(mén)； 一包括至少一個(gè)空間的制程腔體，該第一低壓腔體以及該制程腔體之間具有第三閘門(mén)，當(dāng)制程腔體包括若干個(gè)空間時(shí)，各該空間分別為第一沉積空間以及第二沉積空間，該第一沉積空間以及該第二沉積空間彼此連通，該第一沉積空間以及該第二沉積空間分別具有至少一靶材，該第一沉積空間以及該第二沉積空間選擇性地包括若干個(gè)子副腔體；一第二低壓腔體，該制程腔體以及該第二低壓腔體之間具有一第四閘門(mén)；一載出腔體，該第二低壓腔體以及該載出腔體之間具有一第五閘門(mén)；以及，一輸送系統(tǒng)，該輸送系統(tǒng)位于該載入腔體、該等離子清潔腔體、該第一低壓腔體、該制程腔體、該第二低壓腔體以及該載出腔體的內(nèi)部，該輸送系統(tǒng)輸送至少一待鍍物，使得該待鍍物依序通過(guò)該載入腔體、該等離子清潔腔體、該第一低壓腔體、該制程腔體、該第二低壓腔體以及該載出腔體，該待鍍物被傳輸而進(jìn)入該制程腔體后，該待鍍物依序通過(guò)該第一沉積空間以及該第二沉積空間，爾后再進(jìn)入該第二低壓腔體，當(dāng)該待鍍物于該第一沉積空間時(shí)，該待鍍物的一單一表面或若干個(gè)表面被進(jìn)行一沉積制程，當(dāng)該待鍍物于該第二沉積空間時(shí)，該待鍍物之另一單一表面或若干個(gè)表面被進(jìn)行另一沉積制程，該另一單一表面與該單一表面彼此背對(duì)背對(duì)應(yīng)。
2.如權(quán)利要求I所述的適用于被動(dòng)元件的雙面覆膜設(shè)備，其特征在于，其中各該空間分別為一第一緩沖空間、該第一沉積空間、該第二沉積空間以及一第二緩沖空間，該第一緩沖空間、該第一沉積空間、該第二沉積空間以及該第二緩沖空間彼此連通，該待鍍物被傳輸而進(jìn)入該制程腔體后，該待鍍物依序通過(guò)該第一緩沖空間、該第一沉積空間、該第二沉積空間以及該第二緩沖空間，爾后再進(jìn)入該第二低壓腔體，當(dāng)該待鍍物 于該第一緩沖空間或該第二緩沖空間時(shí)，該待鍍物被進(jìn)行一第一緩沖動(dòng)作，第一沉積空間及第二沉積空間為輝光放電沉積腔體、蒸鍍腔體、離子鍍腔體、電弧鍍腔體或化學(xué)氣相沈積腔體，第一低壓腔體及第二低壓腔體之壓力系介于10-2托至10-6托之間，沉積制程為輝光放電沉積制程、蒸鍍制程、離子鍍制程、電弧鍍制程或化學(xué)氣相沈積制程。
3.如權(quán)利要求I所述的適用于被動(dòng)元件的雙面覆膜設(shè)備，其特征在于，其中該第一沉積空間具有若干個(gè)靶材時(shí)，該第一沉積空間的各該靶材的材料選擇性地彼此相同或相異， 該第二沉積空間具有若干個(gè)靶材時(shí)，該第二沉積空間之各該靶材之材料選擇性地彼此相同或相異。
4.如權(quán)利要求I所述的適用于被動(dòng)元件的雙面覆膜設(shè)備，其特征在于，其中該第一沉積空間具有一第一祀材以及一第二祀材，該第一祀材以及該第二祀材之間具有一隔絕物， 以防止進(jìn)行該沉積制程時(shí)，該第一靶材以及該第二靶材彼此產(chǎn)生材料干擾，該第二沉積空間具有一第三靶材以及一第四靶材，該第三靶材以及該第四靶材之間具有另一隔絕物，以防止進(jìn)行該另一沉積制程時(shí)，該第三靶材以及該第四靶材彼此產(chǎn)生材料干擾。
5.如權(quán)利要求4所述的適用于被動(dòng)元件的雙面覆膜設(shè)備，其特征在于，其中該第一靶材以及該第二靶材彼此的擺設(shè)方向呈現(xiàn)相同的樣態(tài)，該第三靶材以及該第四靶材彼此的擺設(shè)方向呈現(xiàn)相同的樣態(tài)，而該第一沉積空間的該第一靶材以及該第二靶材，其與該第二沉積空間的第三靶材以及該第四靶材彼此的擺設(shè)方向呈現(xiàn)相反的樣態(tài)。
6.如權(quán)利要求5所述的適用于被動(dòng)元件的雙面覆膜設(shè)備，其特征在于，其中該第一靶材的材料為鎳合金，該第二靶材的材料為銅或銅合金，該第三靶材的材料為鎳合金，該第四靶材的材料為銅或銅合金。
7.如權(quán)利要求I所述的適用于被動(dòng)元件的雙面覆膜設(shè)備，其特征在于，其中該載入腔體及該等離子清潔腔體結(jié)合為一具有等離子清潔功能之載入腔體，且該制程腔體之該第一沉積空間以及該第二沉積空間之間更具有一第三緩沖空間，該第三緩沖空間、該第一沉積空間以及該第二沉積空間彼此連通，當(dāng)該待鍍物于該第三緩沖空間時(shí)，該待鍍物被進(jìn)行一第二緩沖動(dòng)作。
8.如權(quán)利要求7所述的適用于被動(dòng)元件的雙面覆膜設(shè)備，其特征在于，其中該第一沉積空間具有至少一第五靶材，當(dāng)該第一沉積空間具有若干個(gè)第五靶材時(shí)，其中一部分第五靶材與其余另一部分的第五靶材的擺設(shè)方向呈現(xiàn)相反的樣態(tài)，該第二沉積空間具有至少一第六靶材，當(dāng)該第二沉積空間具有若干個(gè)第六靶材時(shí)，其中一部分第六靶材與其余另一部分的第六靶材之?dāng)[設(shè)方向呈現(xiàn)相反的樣態(tài)。
9.如權(quán)利要求8所述的適用于被動(dòng)元件的雙面覆膜設(shè)備，其特征在于，其中該第一沉積空間之該第五靶材，其與該第二沉積空間的第六靶材彼此的擺設(shè)方向呈現(xiàn)相同或相反的樣態(tài)。
10.如權(quán)利要求9所述的適用于被動(dòng)元件的雙面覆膜設(shè)備，其特征在于，其中該第五靶材的材料為鎳合金，該第六靶材的材料為銅或銅合金。
專(zhuān)利摘要一種適用于被動(dòng)元件的雙面覆膜設(shè)備，包括載入腔體、等離子清潔腔體、第一低壓腔體、制程腔體、第二低壓腔體、載出腔體以及輸送系統(tǒng)。依據(jù)本實(shí)用新型之整體設(shè)計(jì)，待鍍物于制程腔體內(nèi)即可完成被動(dòng)元件的雙面覆膜之制程。因此本實(shí)用新型精簡(jiǎn)了被動(dòng)元件的雙面覆膜的制程周期，進(jìn)而降低了制程的復(fù)雜度以及成本。另外，本實(shí)用新型更可維持制程腔體內(nèi)的低壓一致性。此外，待鍍物可于第一緩沖空間、第二緩沖空間或第三緩沖空間內(nèi)，被進(jìn)行緩沖動(dòng)作，可進(jìn)一步增加進(jìn)行被動(dòng)元件的雙面覆膜的制程時(shí)的流暢度。
文檔編號(hào)C23C16/54GK202658225SQ201220200689
公開(kāi)日2013年1月9日 申請(qǐng)日期2012年5月7日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月19日
發(fā)明者李智淵, 蔡碩文, 黃耀賢, 蔡俊毅 申請(qǐng)人:鉅永真空科技股份有限公司