專利名稱：一種用于柔性基材磁控濺射鍍膜靶材的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種用于磁控濺射鍍膜靶材，尤其涉及一種形成介質膜的MF磁控濺射用靶材。
技術背景 濺射是制備薄膜材料的主要技術之一，它利用離子源產(chǎn)生的離子，在真空中經(jīng)過加速聚集，而形成高速度，高能的離子束流，轟擊固體表面，離子和固體表面原子發(fā)生動能交換，使固體表面的原子離開固體并沉積在基底表面，被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜的原材料，稱為濺射靶材。磁控濺射以磁場來改變電子的運動方向，并束縛和延長電子的運動軌跡，從而提高了電子對工作氣體的電離幾率和有效地利用了電子的能量。因此，使正離子對靶材轟擊所引起的靶材濺射更加有效。同時，受正交電磁場束縛的電子，又只能在其能量要耗盡時才沉積在基片上。這就是磁控濺射具有“低溫”，“高速”兩大特點的道理。磁控濺射方式主要有DC磁控濺射，RF磁控濺射，MF磁控濺射。DC磁控濺射與RF/MF磁控濺射主要區(qū)別在于DC用于金屬靶材濺射，RF/MF用于金屬靶材，介質靶材。目前，用于柔性基材(如PET)表面濺射鍍膜所用靶材，主要有矩形靶材及圓柱型靶材。矩形靶材結構如圖2所示，為提高靶材利用率，背板上面靶材分為兩部分，即靶材置于電磁場范圍內(nèi)。中間缺失部分不影響電磁場分布。采用由金屬(如銦)綁定的矩形靶材濺鍍薄膜時，由于磁控濺射過程中靶材表面溫度較高，兩部分靶材中間無遮擋結構導致較高溫度的邦定材料部分裸露于真空室內(nèi)，濺射過程中偶發(fā)靶材局部溫度過高現(xiàn)象導致矩形靶材中間銦噴濺至柔性基材表面，導致柔性基材表面含有顆粒狀銦點，該銦點在可見光范圍內(nèi)反射率很高，導致柔性基材鍍膜良品率下降。
發(fā)明內(nèi)容為了克服上述缺陷，本實用新型的目的在于提供一種減少由銦邦定的靶材向基材噴濺銦，提高鍍膜良品率的用于柔性基材磁控濺射鍍膜靶材。為了達到上述目的，本實用新型采用如下技術方案—種用于柔性基材磁控濺射鍍膜靶材，它包括背板，所述背板的上表面有一凸起條狀部分，所述背板上的靶材通過粘接層與背板相連，凸起條狀部分不影響電磁場分布及
離化速率。粘接層上表面高度與上述凸起條狀部分上表面高度相同。粘接層上表面高度低于上述凸起條狀部分上表面高度。本實用新型的有益效果 濺射鍍膜過程中，靶材中間背板材質凸起條狀部分有效的阻擋由于局部高溫等因素引起的邦定材質噴濺，該技術方案極大地提高了濺射鍍膜成品良率及提高了靶材利用率。
圖I為本實用新型側視角度的結構示意圖。圖2為本實用新型俯視角度的結構示意圖。
具體實施方式
以下結合附圖1、2對本實用新型進行詳細說明一種用于柔性基材磁控濺射鍍膜靶材，它包括背板3，所述背板3的上表面有一凸起條狀部分，所述背板3上的靶材I通過粘接層2與背板3相連。粘接層2上表面高度與上述凸起條狀部分上表面高度相同。粘接層2上表面高度低于上述凸起條狀部分上表面高度。 粘接層采用熔點較高的材料，如導電膠粘接方式，銦粘接方式，該粘接層將背板與靶材結合在一起。背板具有導電，不導磁特性，導熱性好，如無氧銅，鑰，鋁，不銹鋼背板。以上所述實施例僅表達了本專利的一種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對本專利范圍的限制。應當指出的是，對于本領域的普通技術人員來說，在不脫離本專利構思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本實用新型的保護范圍。因此，本專利的保護范圍應以所附權利要求為準.
權利要求1.一種用于柔性基材磁控濺射鍍膜靶材，其特征在于它包括背板(3)，所述背板(3)的上表面有一凸起條狀部分，所述背板(3)上的靶材(I)通過粘接層(2)與背板(3)相連。
2.根據(jù)權利要求I所述用于柔性基材磁控濺射鍍膜靶材，其特征在于粘接層(2)上表面高度與上述凸起條狀部分上表面高度相同。
3.根據(jù)權利要求I所述用于柔性基材磁控濺射鍍膜靶材，其特征在于粘接層(2)上表面高度低于上述凸起條狀部分上表面高度。
專利摘要本實用新型涉及一種用于磁控濺射鍍膜靶材，尤其涉及一種形成介質膜的MF磁控濺射用靶材。它包括背板，所述背板的上表面有一凸起條狀部分，所述背板上的靶材通過粘接層與背板相連。濺射鍍膜過程中，靶材中間背板材質凸起條狀部分有效的阻擋由于局部高溫等因素引起的邦定材質噴濺，該技術方案極大地提高了濺射鍍膜成品良率及提高了靶材利用率。
文檔編號C23C14/35GK202688425SQ201220353069
公開日2013年1月23日 申請日期2012年7月20日 優(yōu)先權日2012年7月20日
發(fā)明者李晨光 申請人:南昌歐菲光科技有限公司