專利名稱：用于非晶硅背面鋁膜沉積的磁控濺射設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及太陽能領(lǐng)域，尤其涉及用于非晶硅背面鋁膜沉積的磁控濺射設(shè)備與方法。
背景技術(shù)：
磁控濺射是為了在低氣壓下進(jìn)行高速濺射，必須有效地提高氣體的離化率。通過在靶陰極表面引入磁場，利用磁場對帶電粒子的約束來提高等離子體密度以增加濺射率的方法。

實(shí)用新型內(nèi)容實(shí)用新型的目的為了提供一種鍍膜效果好，冷卻效果好，抽真空效果好的用于非晶硅背面鋁膜沉積的磁控濺射設(shè)備與方法。為了達(dá)到如上目的，本實(shí)用新型采取如下技術(shù)方案用于非晶硅背面鋁膜沉積的磁控濺射設(shè)備，其特征在于，包含鍍膜工作室和位于其兩端的抽真空傳動裝備，鍍層工作運(yùn)行軌道貫穿過抽真空傳動裝備和鍍膜工作室，鍍層工作運(yùn)行軌道由一根以上平行的旋轉(zhuǎn)拖軸組成，鍍膜工作室對應(yīng)的鍍層工作運(yùn)行軌道上有鋁靶，鍍膜工作室外部有換氣管道，換氣管道連接氬氣管，鍍膜工作室上方有高壓電極，還包含可將正離子驅(qū)動向鋁靶的磁場發(fā)生裝置。本實(shí)用新型進(jìn)一步技術(shù)方案在于，所述位于其兩端的抽真空傳動裝備分別連接上料支架。本實(shí)用新型進(jìn)一步技術(shù)方案在于，所述鋁靶為矩形，其平行于鍍層工作運(yùn)行軌道的平面。本實(shí)用新型進(jìn)一步技術(shù)方案在于，所述鍍膜工作室和位于其兩端的抽真空傳動裝備均連接獨(dú)立的抽真空裝置。本實(shí)用新型進(jìn)一步技術(shù)方案在于，所述鋁靶鄰接有冷卻水管。本實(shí)用新型進(jìn)一步技術(shù)方案在于，所述抽真空傳動裝備有一組以上。利用如上任意所述裝備的用于非晶硅背面鋁膜沉積的磁控濺射的方法，其特征在于，包含如下步驟在無氧環(huán)境中將氬氣電離使其帶正電荷；將氬正電荷在磁場中定向加速撞向鋁靶；將待鍍的面板放在鍍層工作運(yùn)行軌道上勻速運(yùn)行通過鍍膜工作室。采用如上技術(shù)方案的本實(shí)用新型，具有如下有益效果鍍膜效果好，冷卻效果好，抽真空效果好。

為了進(jìn)一步說明本實(shí)用新型，
以下結(jié)合附圖進(jìn)一步進(jìn)行說明[0016]圖1為實(shí)用新型的整體結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為實(shí)用新型的鍍膜工作室內(nèi)斷面的結(jié)構(gòu)示意圖；其中1.鍍層工作運(yùn)行軌道；2.鋁靶；3.高壓電極；4.上料支架；5.真空室；6.換氣管道；7.氬氣管。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖對本實(shí)用新型的實(shí)施例進(jìn)行說明，實(shí)施例不構(gòu)成對本實(shí)用新型的限制為了達(dá)到如上目的，本實(shí)用新型采取如下技術(shù)方案用于非晶硅背面鋁膜沉積的磁控濺射設(shè)備，其特征在于，包含鍍膜工作室和位于其兩端的抽真空傳動裝備，鍍層工作運(yùn)行軌道I貫穿過抽真空傳動裝備和鍍膜工作室，鍍層工作運(yùn)行軌道I由一根以上平行的旋轉(zhuǎn)拖軸組成，鍍膜工作室對應(yīng)的鍍層工作運(yùn)行軌道I上有鋁靶2，鍍膜工作室外部有換氣管道6，換氣管道6連接氬氣管7，鍍膜工作室上方有高壓電極3，還包含可將正離子驅(qū)動向鋁靶2的磁場發(fā)生裝置。所述磁場發(fā)生裝置即制造磁場的磁鐵就在電極四周，本處為優(yōu)選位置，但是不限于該位置。所述位于其兩端的抽真空傳動裝備分別連接上料支架4。待鍍膜的板子經(jīng)過上料支架4然后經(jīng)過抽真空的裝置后進(jìn)入鍍膜工作室。所述鋁靶2為矩形，其平行于鍍層工作運(yùn)行軌道I的平面。保證鋁靶2的形狀和保證沖擊的均勻性。所述鍍膜工作室和位`于其兩端的抽真空傳動裝備均連接獨(dú)立的抽真空裝置。所述抽真空裝置由以下幾種部件機(jī)械真空泵，目的是進(jìn)行初步抽空；分子真空泵，目的是在初步抽空的基礎(chǔ)上進(jìn)行抽高真空；維持泵，目的是維持高真空的狀態(tài)。所述鋁靶2鄰接有冷卻水管。所述抽真空傳動裝備有一組以上。利用如上任意所述裝備的用于非晶硅背面鋁膜沉積的磁控濺射的方法，其特征在于，包含如下步驟在無氧環(huán)境中將氬氣電離使其帶正電荷；將氬正電荷在磁場中定向加速撞向鋁靶2 ；將待鍍的面板放在鍍層工作運(yùn)行軌道I上勻速運(yùn)行通過鍍膜工作室。從而保證每個待鍍膜的板子的經(jīng)過時間是一致的，進(jìn)一步保證鍍膜的均勻性。以上顯示和描述了本實(shí)用新型的基本原理、主要特征和本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該了解本實(shí)用新型不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和說明書中描述的只是說明本實(shí)用新型的原理，在不脫離本實(shí)用新型精神和范圍的前提下，本實(shí)用新型還會有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.用于非晶硅背面鋁膜沉積的磁控濺射設(shè)備，其特征在于，包含鍍膜工作室和位于其兩端的抽真空傳動裝備，鍍層工作運(yùn)行軌道(1)貫穿過抽真空傳動裝備和鍍膜工作室，鍍層工作運(yùn)行軌道(1)由一根以上平行的旋轉(zhuǎn)拖軸組成，鍍膜工作室對應(yīng)的鍍層工作運(yùn)行軌道(1)上有鋁靶(2)，鍍膜工作室外部有換氣管道(6)，換氣管道(6)連接氬氣管(7)，鍍膜工作室上方有高壓電極(3 )，還包含可將正離子驅(qū)動向鋁靶(2 )的磁場發(fā)生裝置。
2.如權(quán)利要求1所述的用于非晶硅背面鋁膜沉積的磁控濺射設(shè)備，其特征在于，所述位于其兩端的抽真空傳動裝備分別連接上料支架(4)。
3.如權(quán)利要求1所述的用于非晶硅背面鋁膜沉積的磁控濺射設(shè)備，其特征在于，所述鋁靶(2)為矩形，其平行于鍍層工作運(yùn)行軌道(1)的平面。
4.如權(quán)利要求1所述的用于非晶硅背面鋁膜沉積的磁控濺射設(shè)備，其特征在于，所述鍍膜工作室和位于其兩端的抽真空傳動裝備均連接獨(dú)立的抽真空裝置。
5.如權(quán)利要求1所述的用于非晶硅背面鋁膜沉積的磁控濺射設(shè)備，其特征在于，所述鋁靶(2)鄰接有冷卻水管。
6.如權(quán)利要求1所述的用于非晶硅背面鋁膜沉積的磁控濺射設(shè)備，其特征在于，所述抽真空傳動裝備有一組以上。
專利摘要本實(shí)用新型涉及太陽能領(lǐng)域，尤其涉及用于非晶硅背面鋁膜沉積的磁控濺射設(shè)備。本實(shí)用新型采取如下技術(shù)方案用于非晶硅背面鋁膜沉積的磁控濺射設(shè)備，其特征在于，包含鍍膜工作室和位于其兩端的抽真空傳動裝備，鍍層工作運(yùn)行軌道貫穿過抽真空傳動裝備和鍍膜工作室，鍍層工作運(yùn)行軌道由一根以上平行的旋轉(zhuǎn)拖軸組成，鍍膜工作室對應(yīng)的鍍層工作運(yùn)行軌道上有鋁靶，鍍膜工作室外部有換氣管道，換氣管道連接氬氣管，鍍膜工作室上方有高壓電極，還包含可將正離子驅(qū)動向鋁靶的磁場發(fā)生裝置。采用如上技術(shù)方案的本實(shí)用新型，具有如下有益效果鍍膜效果好，冷卻效果好，抽真空效果好。
文檔編號C23C14/16GK202898527SQ20122054058
公開日2013年4月24日 申請日期2012年10月19日 優(yōu)先權(quán)日2012年10月19日
發(fā)明者陳五奎, 雷曉全, 任紅耀, 王斌 申請人:陜西拓日新能源科技有限公司