專利名稱：一種硅片鍍膜用石墨框卡鉤的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種硅片鍍膜用石墨框卡鉤。
背景技術(shù)：
目前Roth&Rau PECVD下鍍膜設(shè)備在太陽能電池生產(chǎn)行業(yè)內(nèi)使用較為廣泛。制作太陽能電池片的方形硅片在鍍膜前，要放置在石墨框方格孔內(nèi)，并通過固定在方格孔兩邊格條上的卡鉤予以支撐。由于現(xiàn)有的卡鉤采用半圓形單點(diǎn)支撐結(jié)構(gòu)或者幾字型單點(diǎn)支撐結(jié)構(gòu)支撐硅片，使得硅片在該支點(diǎn)處不能形成鍍膜，圍繞該支點(diǎn)形成的鍍膜較薄，使硅片鍍膜不均勻，影響了硅片的鍍膜效果，降低了該硅片制成的太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率。且單點(diǎn)接觸造成PECVD下鍍膜設(shè)備的碎片率及隱裂片率較高。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的就是解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問題，提供一種硅片鍍膜用石墨框卡鉤，該卡鉤支撐硅片的位置不在硅片底面的盤面上，且支撐可靠性高，硅片不易滑落。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型的技術(shù)解決方案是:一種硅片鍍膜用石墨框卡鉤，其包括橫支撐；在橫支撐上端有卡接在石墨框格條上的連接卡，下端有向外傾斜的兩支撐架，兩支撐架上端面為粗糙面。上述所述的兩支撐架與垂直方向的傾斜夾角為20 70°。上述所述的兩支撐架長度為0.8 5mm。上述所述兩支撐架上端面的粗糙面為一個(gè)個(gè)弧形突起形成的粗糙面，弧形突起的直徑為 0.05-0.3mm,弧度為 30-180。。本實(shí)用新型將石墨框卡鉤的硅片支撐架設(shè)計(jì)成傾斜式，這樣硅片只是兩端支撐在硅片支撐架上，其底面的盤面上不再接觸硅片支撐架，所以不影響硅片的鍍膜，硅片的鍍膜面積大、均勻性好，增加了 Roth&Rau PECVD下鍍膜設(shè)備生產(chǎn)的太陽能電池的減反射和鈍化面積，從而提高太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率，也使太陽能電池片的外觀更美觀。由于兩支撐架上的粗糙面設(shè)計(jì)，使本實(shí)用新型支撐硅片更可靠，硅片不易滑落；且支撐架與硅片不再是單點(diǎn)接觸，而是整個(gè)外邊接觸，降低了 PECVD下鍍膜設(shè)備的碎片率及隱裂片率。

圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為圖1的I部放大圖；圖3為本實(shí)用新型在石墨框上的安裝實(shí)例。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步描述。[0013]如圖1和圖2所示，本實(shí)施例包括橫支撐I。在橫支撐I上端有卡接在石墨框格條上的連接卡4,下端有向外傾斜的兩支撐架2。兩支撐架2長度為0.8 5mm,與垂直方向的傾斜夾角α為20 70°。兩支撐架2上端面為一個(gè)個(gè)弧形突起3形成的粗糙面，弧形突起3的直徑R為0.05-0.3mm,弧度β為30-180°。如圖3所示，使用時(shí)，將本實(shí)用新型5的連接卡卡接在石墨框格條上，其兩支撐架2分別位于相鄰的兩個(gè)石墨框方格孔6、7內(nèi)。在每個(gè)石墨框方格孔的兩條對(duì)邊格條上分別固定有兩個(gè)本實(shí)用新型5，每兩個(gè)本實(shí)用新型的支撐架2相對(duì)，一起支撐住放置在該石墨框方格孔內(nèi)的硅片8。
權(quán)利要求1.一種硅片鍍膜用石墨框卡鉤，其特征在于:其包括橫支撐；在橫支撐上端有卡接在石墨框格條上的連接卡，下端有向外傾斜的兩支撐架，兩支撐架上端面為粗糙面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片鍍膜用石墨框卡鉤，其特征在于:所述的兩支撐架與垂直方向的傾斜夾角為20 70°。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的硅片鍍膜用石墨框卡鉤，其特征在于:所述的兩支撐架長度為0.8 5mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的硅片鍍膜用石墨框卡鉤，其特征在于:所述兩支撐架上端面的粗糙面為一個(gè)個(gè)弧形突起形成的粗糙面，弧形突起的直徑為0.05-0.3mm,弧度為30-180。。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的硅片鍍膜用石墨框卡鉤，其特征在于:所述兩支撐架上端面的粗糙面為一個(gè)個(gè)弧形突起形成的粗糙面，弧形突起的直徑為0.05-0.3mm,弧度為30-180° 。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種硅片鍍膜用石墨框卡鉤，其包括橫支撐；在橫支撐上端有卡接在石墨框格條上的連接卡，下端有向外傾斜的兩支撐架，兩支撐架上端面為粗糙面。使用時(shí)，硅片只是兩端支撐在本實(shí)用新型的硅片支撐架上，其底面的盤面上不再接觸硅片支撐架，所以不影響硅片的鍍膜，硅片的鍍膜面積大、均勻性好，增加了Roth&RauPECVD下鍍膜設(shè)備生產(chǎn)的太陽能電池的減反射和鈍化面積，從而提高太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率。本實(shí)用新型支撐硅片更可靠，硅片不易滑落；且降低了PECVD下鍍膜設(shè)備的碎片率及隱裂片率。
文檔編號(hào)C23C16/458GK203007413SQ20122064432
公開日2013年6月19日 申請(qǐng)日期2012年11月30日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月30日
發(fā)明者劉粉霞 申請(qǐng)人:光為綠色新能源股份有限公司