專利名稱：一種鍍膜設(shè)備及靶材的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及光學(xué)器件制造工具技術(shù)領(lǐng)域，特別是指一種鍍膜設(shè)備及靶材。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，在微電子，光學(xué)薄膜和材料表面處理領(lǐng)域中，磁控濺射技術(shù)作為一種有效的薄膜沉積方法，被普遍應(yīng)用于薄膜沉積和表面覆蓋層制備，在工業(yè)生產(chǎn)和科學(xué)研究領(lǐng)域發(fā)揮了巨大作用。磁控濺射生成的薄膜厚度的均勻性是成膜的一項(xiàng)重要指標(biāo)，在濺射鍍膜中，由于腔體入口只有一個(gè)，在氧化物半導(dǎo)體的制作中，從該腔體入口進(jìn)入的氧氣通過(guò)靶材進(jìn)行鍍膜時(shí)，導(dǎo)致所鍍膜層厚度不能成理想的均勻分布。現(xiàn)有技術(shù)中的鍍膜裝置如圖1、2和3所示，其中圖1是現(xiàn)有的該鍍膜裝置的立體結(jié)構(gòu)示意圖，圖2是正視圖，圖3是俯視圖；圖中濺射源由腔體21和靶材22組成，靶材22為一長(zhǎng)方體靶材；靶材22位于腔體21內(nèi)部，腔體21的底部開口正對(duì)著待鍍膜的基板11，腔體21還具有一氧氣(O2)輸入口 23，濺射出的材料沉積在位于靶前的基板11上。通過(guò)上述結(jié)構(gòu)的鍍膜裝置對(duì)基板進(jìn)行鍍膜時(shí)，由于腔體21的氧氣輸入口 23只有一個(gè)，因此，造成反應(yīng)氣體分布不均勻，從而使基板上的膜層厚度不均勻。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種鍍膜設(shè)備及靶材，可以使反應(yīng)氣體分布均勻，從而使基板上的膜層厚度均勻。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型的實(shí)施例提供一種鍍膜設(shè)備，包括:腔體和靶材；所述靶材為位于所述腔體內(nèi)部的平行設(shè)置的至少兩個(gè)靶材；所述腔體具有位于任意兩行靶材之間的反應(yīng)氣體輸入口。其中，所述靶材為長(zhǎng)方體形、圓柱體形或者正方體形。其中，所述靶材為正方體形時(shí)，所述腔體的位于任意兩個(gè)靶材之間的位置還設(shè)置有反應(yīng)氣體輸入口。其中，所述腔體的底部具有正對(duì)待鍍膜的基板的開口。其中，所述反應(yīng)氣體為氧氣。其中，鍍膜設(shè)備還包括:控制所述靶材旋轉(zhuǎn)速度的控制裝置。本實(shí)用新型還提供一種靶材，包括:平行設(shè)置的至少兩個(gè)靶材。其中，所述靶材為長(zhǎng)方體形、圓柱體形或者正方體形。本實(shí)用新型的上述技術(shù)方案的有益效果如下:上述方案中，通過(guò)將靶材設(shè)置成位于所述腔體內(nèi)部的平行設(shè)置的至少兩個(gè)靶材；所述腔體具有位于任意兩行靶材之間的反應(yīng)氣體輸入口，從而使通過(guò)所述反應(yīng)氣體輸入口進(jìn)入腔體內(nèi)的反應(yīng)氣體均勻分布，并進(jìn)而使基板上的膜層厚度均勻。
圖1為現(xiàn)有技術(shù)中鍍膜裝置的立體結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是圖1所示的鍍膜裝置的正視圖；圖3是圖1所示的鍍膜裝置的俯視圖；圖4為本實(shí)用新型的鍍膜裝置的靶材為長(zhǎng)方體形的立體結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為圖4所示的鍍膜裝置的正視圖；圖6為圖4所示的鍍膜裝置的俯視圖；圖7為靶材為正方體形的正視圖。
具體實(shí)施方式
為使本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖及具體實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。如圖4 一圖6所示，本實(shí)用新型的實(shí)施例提供一種鍍膜設(shè)備，包括:腔體41和靶材42 ;所述靶材42為位于所述腔體41內(nèi)部的平行設(shè)置的至少兩個(gè)靶材；所述腔體41具有位于任意兩行靶材之間的反應(yīng)氣體輸入口 43 ;其中，所述靶材42可以為長(zhǎng)方體形；所述腔體41的底部正對(duì)待鍍膜的基板31。所述反應(yīng)氣體可以為氧氣(O2)等反應(yīng)性氣體。上述鍍膜設(shè)備還包括:控制所述靶材旋轉(zhuǎn)速度的控制裝置。上述實(shí)施例中，通過(guò)將靶材42設(shè)置為平行設(shè)置的至少兩個(gè)長(zhǎng)方體形的靶材，并可以通過(guò)兩個(gè)長(zhǎng)方體形的靶材之間的縱向入口或者橫向入口處設(shè)置反應(yīng)氣體輸入口 43，并通過(guò)控制裝置控制靶材42以縱向軸或者橫向軸進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，從而可以使反應(yīng)氣體通過(guò)反應(yīng)氣體輸入口 43在單位體積內(nèi)分布均勻化，從而使沉積在基板31上的材料分布均勻，進(jìn)而使基板31的膜層厚度均勻。本實(shí)用新型的另一實(shí)施例中，靶材42還可以為圓柱體形；該實(shí)施例中，同樣通過(guò)將靶材42設(shè)置為平行設(shè)置的至少兩個(gè)圓柱體形的靶材，并可以通過(guò)兩個(gè)圓柱體形的靶材之間的縱向入口或者橫向入口處設(shè)置反應(yīng)氣體輸入口 43，并通過(guò)控制裝置控制靶材42以縱向軸或者橫向軸進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，從而可以使反應(yīng)氣體通過(guò)反應(yīng)氣體輸入口 43在單位體積內(nèi)分布均勻化，從而使沉積在基板31上的材料分布均勻，進(jìn)而使基板31的膜層厚度均勻。如圖7所示，本實(shí)用新型的又一實(shí)施例中，靶材42還可以為正方體形，該實(shí)施例中，同樣通過(guò)將靶材42設(shè)置為平行設(shè)置的至少兩個(gè)正方體形的靶材，并可以通過(guò)兩行正方體形的靶材或者任意兩個(gè)正方體形的靶材之間的縱向入口或者橫向入口處設(shè)置反應(yīng)氣體輸入口 43，從而可以使正方體形的靶材的四方均可以噴射反應(yīng)氣體，并通過(guò)控制裝置控制靶材42以縱向軸或者橫向軸進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，從而可以使反應(yīng)氣體通過(guò)反應(yīng)氣體輸入口 43在單位體積內(nèi)分布均勻化，從而使沉積在基板31上的材料分布均勻，進(jìn)而使基板31的膜層厚度均勻。上述各個(gè)實(shí)施例中，平行設(shè)置的長(zhǎng)方體形、圓柱體形或者正方體形的靶材的旋轉(zhuǎn)，可以單獨(dú)控制。本實(shí)用新型的實(shí)施例還提供一種靶材，包括:平行設(shè)置的至少兩個(gè)靶材。其中，所述靶材為長(zhǎng)方體形、圓柱體形或者正方體形。以上所述是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本實(shí)用新型所述原理的前提下，還可以作出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種鍍膜設(shè)備，包括:腔體和靶材；其特征在于， 所述靶材為位于所述腔體內(nèi)部的平行設(shè)置的至少兩個(gè)靶材； 所述腔體具有位于任意兩行靶材之間的反應(yīng)氣體輸入口。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述靶材為長(zhǎng)方體形、圓柱體形或者正方體形。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述靶材為正方體形時(shí)，所述腔體的位于任意兩個(gè)靶材之間的位置還設(shè)置有反應(yīng)氣體輸入口。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述腔體的底部具有正對(duì)待鍍膜的基板的開口。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述反應(yīng)氣體為氧氣。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍膜設(shè)備，其特征在于，還包括:控制所述靶材旋轉(zhuǎn)速度的控制裝置。
7.—種靶材，其特征在于，包括:平行設(shè)置的至少兩個(gè)靶材。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的靶材，其特征在于，所述靶材為長(zhǎng)方體形、圓柱體形或者正方體形。
專利摘要本實(shí)用新型提供一種鍍膜設(shè)備及靶材，其中鍍膜設(shè)備包括腔體和靶材；所述靶材為位于所述腔體內(nèi)部的平行設(shè)置的至少兩個(gè)靶材；所述腔體具有位于任意兩行靶材之間的反應(yīng)氣體輸入口。本實(shí)用新型的方案可以使反應(yīng)氣體分布均勻，從而使基板上的膜層厚度均勻。
文檔編號(hào)C23C14/35GK202954086SQ20122065737
公開日2013年5月29日 申請(qǐng)日期2012年12月3日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月3日
發(fā)明者金原奭, 金永珉, 金珌奭 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司