專利名稱：可在槽內(nèi)填充氮氣的庫特勒濕法刻蝕新型蓋板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種庫特勒濕法刻蝕蓋板，特別涉及可在槽內(nèi)填充氮氣的庫特勒濕法刻蝕新型蓋板。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)有技術(shù)中，目前濕法刻蝕設(shè)備制造商有德國的SCHMID公司、德國的RENA公司、蘇州KUTTLER公司等，其中KUTTLER濕刻蝕絕緣機相比同類設(shè)備具有產(chǎn)品外觀好等優(yōu)點，同時也存問題，比如1.刻蝕方阻上升值大缺點，2.氣流不穩(wěn)定缺點，3.外形不美觀。原本KUTTLER濕刻蝕絕緣機的抽風(fēng)系統(tǒng)管道有兩個，無法將刻蝕槽里大部分的酸氣給抽走，(如不抽走會對槽體里的片子表面腐蝕造成方塊電阻上升值過大，影響電性能。)原本KUTTLER抽風(fēng)不穩(wěn)定，會對槽體里的片子造成過刻，影響電性能。

實用新型內(nèi)容針對上述現(xiàn)有技術(shù)的不足之處，本實用新型提供可在槽內(nèi)填充氮氣的庫特勒濕法刻蝕新型蓋板，有效地解決了上述現(xiàn)有技術(shù)存在的問題。為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用的技術(shù)方案是:可在槽內(nèi)填充氮氣的庫特勒濕法刻蝕新型蓋板，包括蝕刻槽以及抽風(fēng)管道，蝕刻槽內(nèi)設(shè)有溶液，所述抽風(fēng)管道為四根，并且相鄰兩抽風(fēng)管道之間相互呈高低錯位，各抽風(fēng)管道的管道口處于同一水平面，還包括填充管道，填充管道設(shè)置在蓋板上。作為優(yōu)選:所述朝向溶液的管道口與溶液的液面距離為8cm ；作為優(yōu)選，所述填充管道為數(shù)個，并且呈橫向直線排列。與現(xiàn)有技術(shù)相比，該實用新型的有益效果:本實用新型將抽風(fēng)管道增加到4個且錯開的排布，降低抽風(fēng)管道離液面的高度。抽風(fēng)壓強也降低在70左右。可以很好的降低方塊電阻(在8以下)，且提高方塊電阻的均勻性；如果4個抽風(fēng)管道，還無法將槽體的酸氣很好的排走，槽體里的酸氣濃度過高，導(dǎo)致方塊電阻上升值在8左右，本實用新型還在在槽蓋上設(shè)有排填充氮氣的填充管道，可以很好地降低方塊電阻，在5左右。且方塊電阻的均勻性得到很好控制。

圖1為本實用新型結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖及具體實施例對本實用新型作進一步的詳細說明。實施例:參見圖1，可在槽內(nèi)填充氮氣的庫特勒濕法刻蝕新型蓋板，包括蝕刻槽I以及抽風(fēng)管道2，蝕刻槽I內(nèi)設(shè)有溶液，所述抽風(fēng)管道2為四根，并且相鄰兩抽風(fēng)管道2之間相互呈高低錯位，各抽風(fēng)管道2的管道口處于同一水平面，在本實施例中，所述朝向溶液的管道口與溶液的液面距離為8cm,還包括填充管道3，填充管道3設(shè)置在蓋板上,在本實施例中，所述填充管道3為數(shù)個，并且呈橫向直線排列。本實用新型可以減少濕刻方快電阻上升值，提高方阻均勻性；效率分檔明顯減少，高效片比例增加；由于方阻不均導(dǎo)致的效率波動明顯改善；其它工藝條件不變的情況下效率提高；單片功率提升；單片效率提升。本實用新型在于加設(shè)了填充管道3，可排沖氮氣，起到控制方塊電阻均勻性的功能。
權(quán)利要求1.一種可在槽內(nèi)填充氮氣的庫特勒濕法刻蝕新型蓋板，包括蝕刻槽以及抽風(fēng)管道，蝕刻槽內(nèi)設(shè)有溶液，其特征在于:所述抽風(fēng)管道為四根，并且相鄰兩抽風(fēng)管道之間相互呈高低錯位，各抽風(fēng)管道的管道口處于同一水平面，還包括填充管道，填充管道設(shè)置在蓋板上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可在槽內(nèi)填充氮氣的庫特勒濕法刻蝕新型蓋板，其特征在于:所述朝向溶液的管道口與溶液的液面距離為8cm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可在槽內(nèi)填充氮氣的庫特勒濕法刻蝕新型蓋板，其特征在于:所述填充管道為數(shù)個，并且呈橫向直線排列。
專利摘要本實用新型公開了可在槽內(nèi)填充氮氣的庫特勒濕法刻蝕新型蓋板，包括蝕刻槽以及抽風(fēng)管道,蝕刻槽內(nèi)設(shè)有溶液，所述抽風(fēng)管道為四根,并且相鄰兩抽風(fēng)管道之間相互呈高低錯位,各抽風(fēng)管道的管道口處于同一水平面,還包括填充管道,填充管道設(shè)置在蓋板上。比之單純的四管道的庫特勒濕法刻蝕新型蓋板，本實用新型更具有控制方塊電阻均勻性的功能。
文檔編號C23F1/08GK202936482SQ20122066038
公開日2013年5月15日 申請日期2012年12月5日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月5日
發(fā)明者許成德, 陳冬維, 肖培玉, 閔祥波 申請人:江蘇中宇光伏科技有限公司