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用于提升pecvd鍍膜均勻性的裝置的制作方法

文檔序號:3277186閱讀:483來源:國知局
專利名稱:用于提升pecvd鍍膜均勻性的裝置的制作方法
技術領域
本實用新型涉及太陽能電池的生產技術領域,具體涉及一種用于提升PECVD鍍膜均勻性的裝置。
背景技術
太陽能電池作為一種可以將太陽輻射能直接轉化為電能的器件,已經得到人們的認可和關注,并在世界范圍內迅速推廣和應用。在晶體硅太陽能電池的生產過程中,需要在電池表面制作能夠減少光在硅片表面反射率的減反射膜,可以顯著提高晶體硅太陽能電池的轉化效率。目前的晶體硅太陽能電池生產中制作減反射膜的設備一般采用管式PECVD鍍膜設備,在制作減反射膜的過程中,工藝氣體均采用沉積腔一端進氣,另一端抽氣的輸送方式。這樣,當工藝氣體由進氣端運動到抽氣端時,成分發(fā)生變化,濃度也隨之下降,影響沉積效果。主要表現為:一、薄膜的厚度均勻性差;二、薄膜的折射率會隨氣流的方向呈遞減趨勢。這樣在一定程度上增加了電池不良品的產生幾率,同時增大了太陽電池的短路電流、開路電壓和電池效率的分布區(qū)間。目前,其改善方案是提供足夠多的反應氣體以保證薄膜的性能,這樣勢必造成了氣體的浪費。
發(fā)明內容本實用新型的目的就是針對上述存在的缺陷而提供一種用于提升PECVD鍍膜均勻性的裝置。本實用新型的進氣方式由原來的沉積腔橫向進氣改為縱向進氣,出氣方式改為沉積腔體上設置一出氣口的出氣方式,這樣既提升了薄膜的性能,還有效的提高了 PECVD薄膜制備過程中對工藝氣體的利用率。本實用新型的一種用于提升PECVD鍍膜均勻性的裝置技術方案為,包括沉積腔、射頻電極和進氣系統(tǒng),還包括設置于沉積腔下方的真空系統(tǒng),沉積腔為管式真空腔體,進氣系統(tǒng)采用縱向進氣的方式,包括位于沉積腔一側的進氣裝置。進氣裝置連接位于沉積腔內部上方的噴氣管。噴氣管設置有一個以上。本實用新型的有益效果為:本實用新型的一種用于提升PECVD設備的進氣方式由原來的沉積腔橫向進氣改為縱向進氣,出氣方式改為沉積腔體上設置一出氣口的出氣方式,這樣對設備進行改進,保證了沉積腔內氣場的均勻性、穩(wěn)定性,不僅提升了薄膜厚度的均勻性,還有效的改善了薄膜折射率的一致性,使太陽電池的短路電流、開路電壓和電池效率的分布區(qū)間相對集中,同時減少了不良片的產生幾率;另外,本沉積方法有效的提高了PECVD薄膜制備過程中對工藝氣體的利用率
:圖1所示為本實用新型的結構示意圖;圖2所示為現有技術的結構示意圖。圖中,1.沉積腔,2.進氣系統(tǒng),3.真空系統(tǒng),4.射頻電極,5.石墨舟,6.電源系統(tǒng)。[0013]具體實施方式
:為了更好地理解本實用新型,
以下結合附圖來詳細說明本實用新型的技術方案,但是本實用新型并不局限于此。實施例1本實用新型的一種用于提升PECVD鍍膜均勻性的裝置,包括沉積腔1、射頻電極4和進氣系統(tǒng)2,還包括設置于沉積腔I下方的真空系統(tǒng)3,沉積腔I為管式真空腔體,進氣系統(tǒng)2采用縱向進氣的方式,包括位于沉積腔I 一側的進氣裝置。沉積腔I內設有石墨舟5,射頻電極4連接電源系統(tǒng)6。實施例2本實用新型的一種用于提升PECVD鍍膜均勻性的裝置,包括沉積腔1、射頻電極4和進氣系統(tǒng)2,還包括設置于沉積腔I下方的真空系統(tǒng)3,沉積腔I為管式真空腔體,進氣系統(tǒng)2采用縱向進氣的方式,包括位于沉積腔I 一側的進氣裝置,進氣裝置連接位于沉積腔I內部上方的噴氣管。沉積腔I內設有石墨舟5,射頻電極4連接電源系統(tǒng)6。
權利要求1.一種用于提升PECVD鍍膜均勻性的裝置,包括沉積腔、射頻電極和進氣系統(tǒng),其特征在于,還包括設置于沉積腔下方的真空系統(tǒng),沉積腔為管式真空腔體,進氣系統(tǒng)采用縱向進氣的方式,包括位于沉積腔一側的進氣裝置。
2.根據權利要求1所述的用于提升PECVD鍍膜均勻性的裝置,其特征在于,進氣裝置連接位于沉積腔內部上方的噴氣管。
3.根據權利要求2所述的用于提升PECVD鍍膜均勻性的裝置,其特征在于,噴氣管設置有一個以上。
專利摘要本實用新型涉及太陽電池的生產技術領域,具體涉及一種用于提升PECVD鍍膜均勻性的裝置,包括沉積腔、射頻電極和進氣系統(tǒng),還包括設置于沉積腔下方的真空系統(tǒng),沉積腔為管式真空腔體,進氣系統(tǒng)采用縱向進氣的方式,包括位于沉積腔一側的進氣裝置。本實用新型的進氣方式由原來的沉積腔橫向進氣改為縱向進氣,出氣方式改為沉積腔體上設置一出氣口的出氣方式,這樣既提升了薄膜的性能,還有效的提高了PECVD薄膜制備過程中對工藝氣體的利用率。
文檔編號C23C16/455GK203049033SQ201220662028
公開日2013年7月10日 申請日期2012年12月5日 優(yōu)先權日2012年12月5日
發(fā)明者任現坤, 姜言森, 張春艷, 程亮, 賈河順, 徐振華 申請人:山東力諾太陽能電力股份有限公司
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